TWI303453B - Method for radiating laser and laser radiating system - Google Patents

Description

1303453 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於雷射照射方法及該裝置，詳細而言，是 關於一種使來自雷射振盪器之雷射通過透鏡而予以聚光或 成像，並照射載置於工作台之被照射物，以改良被照射物 之丨生資的方法及裝置，其具備用以維持透鏡速有焦點距離 之鏡的雷射照射方法及該裝置。 【先前技術】 以往於製造薄膜電晶體之結晶化矽之時，對在玻璃基 板上形成薄a-Si (非晶矽）膜之被照射物照射雷射光，使 a-Si膜結晶化而成爲薄p-Si (聚矽）膜。就以對該a-Si膜 照射雷射而改變性質之一方法而言，有使均勻強度之雷射 打在罩幕上，以光學機器之聚光透鏡將此投影至被照射物 之a-Si膜並加以成像照射之方法（例如，專利文獻1 )。 # 該是將藉由發生準分子雷射之雷射振盪器所產生之雷 射導入至光學機器，藉由反射鏡適當變換方向，並且於達 到強度均勻之後，藉由通過罩幕及聚光透鏡，整形成方形 之線光束（脈衝雷射），聚光於被照射物而予以轉印。被 照射物是被設置在雷射退火裝置之真空室內。 〔專利文獻1〕日本專利第32(H986號公報 【發明內容】 〔用以解決發明之課題〕 -5- (2) 1303453 但是，如此以往之雷射照射裝置，則有透鏡之焦點距 離因溫度變化而變動之技術性課題。即是，因以雷射振器 產生之脈衝雷射通過聚光透鏡，照射置被照射物，故雷射 通過聚光透鏡之時，雷射之一部份被透鏡吸收而變換成熱 ，透鏡之溫度則上昇。該透鏡溫度一般雖然維持於特定溫 度，防止焦點矩離之變化，但是當於停止一連串照射脈衝 雷射之後再次開始照射時，一旦被冷卻之透鏡溫度要回復 至特定溫度則需要長時間等待，該成爲作業效率降低之原 因。 爲了防止因該溫度變化所引起之焦點距離變化，執行 將聚光透鏡收容在鏡筒，藉由鏡筒附屬之溫度控制裝置間 接性保溫聚光透鏡，並且也將透鏡之溫度維持於特定溫度 。此時，透鏡是藉由雷射主要被直接加熱而溫度上昇，另 外，透鏡之溫度控制是由側面被間接性執行。因此，藉由 雷射而使透鏡溫度上昇之時間定數是比藉由溫度控制裝置 而冷卻之時間定數短。因此，於停止一連串脈衝雷射照射 之後，再次開始照射之時，透鏡之溫度短時間上昇，不久 轉變爲下降，之後安定。該溫度至安定爲止之間，因透鏡 之焦點距離持續變化，故於對被照射物照射雷射時，焦距 模糊之狀態下照射。 再者，因抑制焦點距離隨著聚光透鏡之溫度變化而變 化，雖然也嘗試組合使用溫度特性不同之多數材質而所製 作出之透鏡’但是該抑制效果並不充分。 (3) 1303453 〔用以解決課題之手段〕 本發明是鑒於如此之以往技術課題而所創作出者，該 構成如下述般。 申請專利範圍第1項之發明是使來自雷射振盪器1之 處理用雷射a通過透鏡2而予以聚光或成像，使照射於被 照射物之雷射照射方法，其特徵爲：在透鏡2和被照射物 4之間，配置：第1鏡5，該可以採用遮蔽透鏡2和被照 射物4之間的光路而以特定反射率反射處理用雷射a之反 射位置I，和開放透鏡2和被照射物4之間之光路的開放 位置II ;和第2鏡6，該相對於藉由採用反射位置I之第 1鏡5而反射的處理用雷射a之光軸L被垂直配置，以特 定反射率反射處理用雷射a，藉由第1鏡5採用反射位置 I，使穿透透鏡2之處理用雷射a，依據第1鏡5及第2鏡 6，一個接一個予以反射，並且使藉由第1鏡5再次被反 射之處理用雷射a之強度，與在第1鏡5採用開放位置II 之狀態下自被照射物4反射之處理用雷射a之強度一致， 並使透射透鏡2，與對被照射物4照射處理用雷射a之時 相同加熱透鏡2。 申請專利範圍第2項之發明是使使來自雷射振盪器1 之處理用雷射a通過透鏡2而予以聚光或成像，使照射於 被照射物之雷射照射裝置，其特徵爲：在透鏡2和被照射 物4之間，配置：第1鏡5，該可以採用遮蔽透鏡2和被 照射物4之間的光路而以特定反射率反射處理用雷射a之 反射位置I，和開放透鏡2和被照射物4之間之光路的開 -7- (4) 1303453 放位置Π ;和第2鏡6，該相對於藉由採用反射位置Ϊ之 第1鏡5而反射的處理用雷射a之光軸L被垂直配置，以 特定反射率反射處理用雷射a，藉由第1鏡5採用反射位 置I，使穿透透鏡2之處理用雷射a，依據第1鏡5及第2 鏡6，一個接一個予以反射，並且使藉由第1鏡5再次被 反射之處理用雷射a之強度，與在第1鏡5採用開放位置 II之狀態下自被照射物4反射之處理用雷射a之強度一致 H ，並使透射透鏡2，與對被照射物4照射處理用雷射a之 時相同加熱透鏡2。 申請專利範圍第3項之發明是如申請專利範圍第2項 所記載之雷射照射裝置，其中，第1鏡5是藉由全反射鏡 所構成，第2鏡6是藉由具有與被照射物4之反射率相等 之反射率的半透鏡所構成，第2鏡6是被配置在從第1鏡 5僅離開與第1鏡5和被照射物4之間的距離h2相等之距 離h 1的位置上。 Φ 申請專利範圍第4項之發明是如申請專利範圍第2項 或第3項之雷射照射裝置，其中，透鏡2具備有測量焦點 距離之測量手段7。 申請專利範圍第5項之發明是如申請專利範圍第2、3 或4之雷射照射裝置，其中，透鏡2附屬有溫度控制裝置 〔發明效果〕 若藉由獨立項申請專利範圍第1項及2項之發明，因 -8- (5) 1303453 不會對被照射物照射處理用雷射，故透鏡溫度爲安定，可 以防止透鏡焦點距離因溫度變化而引起變化，可以將照射 置被照射物之雷射品質持續保持一定。其結果，於對被照 射物照射處理用雷射之開始初期，可以避免失焦之雷射打 在被照射物上，消除被照射物之浪費，僅至最高品質之被 照射物。 尤其，完成一個被照射物之處理，於設置下一個被照 射物之間，藉由使第1鏡採用反射位置，可以將透鏡之溫 度還有焦點距離保持一定。 若藉由申請專利範圍第3項，則可以簡單實現使藉由 第1鏡而再次反射之處理用雷射之強度，與在第1鏡採用 開放位置之狀態下自被照射物所反射之處理用雷射強度一 致，並使透射透鏡，與對被照射物照射處理用雷射之時相 同加熱透鏡。 若藉由申請專利範圍第4項，因設置有測量透鏡之焦 點距離之測量手段，故可以觀測透鏡溫度是否在所期望之 狀態。 【實施方式】 第1圖至第3圖，是表示本發明所涉之雷射照射裝置 之一實施型態，該雷射照射裝置備有用以維持聚光透鏡（ 透鏡）之焦點距離的鏡。於第1圖中，符號1是表示雷射 振盪器，來自雷射振盪器1之處理用脈衝雷射a (波長： 例如3 08mm)是藉由將處理用雷射a全反射之鏡1〇予以 (6) 1303453 90度方向轉換，而導向聚光透鏡2，穿透聚光透鏡2之雷 射a是聚光（或成像）而被照射至被照射物4，對被照射 物4施予結晶化等之處理。雷射a實際上是通過罩幕（無 圖式），成爲整形且強度均勻之矩形狀雷射，而成像於被 照射物4上。聚光透鏡2是收容在鏡筒1 6，藉由附屬在鏡 筒1 6外側之珀耳帖元件所構成之溫度控制裝置3間接性 冷卻或加熱聚光透鏡2，將透鏡溫度維持於特定溫度。 φ 被照射物4是載置在工作台1 1，工作台1 1附屬有移 動裝置1 2。移動裝置1 2是使工作1 1對雷射振盪器於特定 方向X相對性移動。依此，被載置在工作台1 1之被照射 物4是於每特定間隔照射雷射a，被照射物4之性質則被 更改。 然後，於聚光透鏡2和被照射物4之間，可配置以特 定反射率反射處理用雷射a的第1鏡5 (反射鏡）。該鏡 5是可遮蔽聚光透鏡2和被照射物4之間的光路，藉由驅 # 動裝置14予以驅動，則可以採用遮蔽聚光透鏡2和被照 射物4之間之光路的反射位置I (以實線表示），和開放 聚光透鏡2和被照射物4之間之光路的開放位置II (以假 想線表示）。鏡5 —般是由全反射鏡所構成，此時藉由採 用反射位置I，當作遮斷朝向工作台1 1之處理用雷射的光 擋門發揮功能。但是，即使藉由該光擋門關閉光路，處理 用雷射a亦穿透聚光透鏡2。 再者，配置以特定反射率反射處理用雷射a之第2鏡 6。該鏡6相對於藉由採用反射位置I之第1鏡5而被反 -10- (7) 1303453 射之處理用雷射a之光軸，是被垂直配置，並且來自第1 鏡5之距離h 1是被設定成與第1鏡5和被照射物4之間 之距離h2相等。該第2鏡6 —般是藉由半透鏡所構成， 反射率（約60% )與被照射物4之反射率相同。第2鏡6 附屬有風門1 7，吸收穿透之處理用雷射a。 並且，設置有測量聚光透鏡2之焦點距離之測量手段 7。該測量手段7具體而言如第2圖所示般，於焦點距離 測量用之雷射b (波長：例如63 5 nm )通過圓筒透鏡21後 ，以由半透鏡所構成之反射鏡22反射而使其方向轉換， 並且透射鏡1〇，通過聚光透鏡2而予以聚光，再穿透第1 鏡5而照射至被照射物4之表面，並使該反射光順序通過 第1鏡5、聚光透鏡2及鏡10、22，而使測定器接受到光 。因此，鏡10及第第1鏡雖然可以全反射處理用雷射a， 但是穿透焦點距離測量用之雷射b。 然後，由測量器24所接受之光b的形狀，可以判定 聚光透鏡2和被照射物4之間的光軸上之舉離還有聚光透 鏡2之焦點距離是否適當。聚光透鏡2之焦點距離是測量 聚光透鏡2和被照射物4之間的光軸上之距離差B-A。以 測量器24所接受到之光的形狀是如第3圖所示般，第3 圖（a )爲表示聚光透鏡2之焦點距離過長，第3圖（b ) 爲表示適當狀態，第3圖（c )爲表示聚光透鏡之焦點距 離過短。 接著，針對作用予以說明。 來自雷射振盪器1之處理用脈衝雷射a，是藉由全反 -11 - (8) 1303453 射鏡10予以90度方向轉換而導向聚光透鏡2，穿透聚光 透鏡2之雷射a是聚光而被照射至被照射物4，改變被照 射物4之性質。被照射物4若爲在玻璃基板上形成薄a-Si 膜時，藉由照射雷射a，使a-Si結晶化被改良成薄p-Si膜 。此時，第1鏡5是採用開放聚光透鏡2和被照射物4之 間之光路的開放位置II。 當完成對1片被照射物4照射雷射a處理時，則與工 ® 作台1 1上之被照射物4之被照射物4交換。此時，藉由 驅動裝置14驅動第1鏡5 (反射鏡），採用遮蔽聚光透鏡 2和被照射物4之間的光路而以特定反射率反射處理用雷 射a的反射位置。 依此，穿透聚光透鏡2之處理用之脈衝雷射a是藉由 採用反射位置I之第1鏡5而被反射，垂直被射入及一部 份被反射至第2鏡6，再次藉由第1鏡5反射，穿透聚光 透鏡2。因此，藉由使朝向藉由第1鏡5而被反射之聚光 φ 透鏡2之雷射a之強度，與自被照射物4反射之雷射a之 強度一致，與將雷射a照射被照射物4之時相同加熱聚光 透鏡2，防止隨著聚光透鏡2之冷卻而變動焦點距離。並 且，透鏡第1鏡5之處理用雷射a是以不影響被照射物4 之改良處理爲佳。 尤其，於藉由全反射鏡構成第1鏡5之時，將第2鏡 6置放在僅分離與第1鏡5和被照射物4之間的距離h2相 等之距離h 1位置，並且藉由使第2鏡6之反射率與被照 射物4之反射率相等，簡單而言，可使藉由第1鏡5被反 -12- (9) 1303453 射而朝向至聚光透鏡2之雷射a之強度，與自被照射物4 被反射的脈衝雷射a之強度一致。 並且，就以使第1鏡5採用反射位置I之時而言，並 不限定於被照射物4交換時，於自工作台Π上除去被罩 物4之時，廣泛也包含必須維持聚光透鏡2之溫度時。 再者，將聚光透2收容於鏡筒16，藉由附屬於鏡筒 1 6之溫度控制裝置3，冷卻聚光透鏡2，因將透鏡2之溫 度維持於特定溫度，故與將處理用雷射a引導至被照射物 4之情形相同，由於雷射a使得透鏡2被直接加熱溫度上 昇，另外，透鏡a之溫度控制是由側面間接性執行。但是 ，溫度控制裝置3可省略，於省略溫度控制裝置3之時， 則在聚光透鏡2因處理用雷射a被加熱而溫度上昇之情形 停止之狀態下，若開始對被照射物4照射處理用雷射a即 可° 測量聚光透鏡2之焦點距離之測量手段7，因將焦點 距離測量用之雷射b照射至被照射物4之表面，使該反射 光通過聚光透鏡2及鏡5、1 0、22，並使測定器24接收到 光，故可以由以測定器24所接收到雷射b之形狀，判斷 聚光透鏡2之焦點距離是否爲適當狀態。由聚光透鏡2之 焦點距離爲適當，則可以判定聚光透鏡2之溫度爲適當。 實際上，使用LAMBDA PHYSIK公司製作之雷射振盪 器LS2000而使處理用雷射a予以振盪（波長308nm，重 複振盪頻率300Hz)，將全反射該雷射a之介電體多層膜 蒸鍍在石英上之第1鏡5，對光軸傾斜45度設置在聚光透 -13- (10) 1303453 鏡2和被照射物4之間。第1鏡5是可以透射屬於焦點距 離測量用之雷射b之波長635nm的二極體雷射。 於第1鏡5所反射之處理用雷射a之前進方向上，僅 分離與從鏡5至被照射物4之距離h2相等之距離h 1的位 置上，設置由半透鏡所構成之第2鏡6。第2鏡6是垂直 配置在藉由第1鏡5而90度彎曲之光軸L。 第2鏡6相對於波長3 0 8 nm之光（處理用雷射a )持 p 有60%之反射率，與將相對於基板之波長3 08nm之光a的 反射率相等，上述基板是將屬於被照射物4之膜厚50nm 之非晶砂蒸鍍在厚度0.5mm玻璃板上。 再者，設置有波長63 5 nm之光（焦點距離測量用雷射 b )越過鏡5而照射至被照射物4，利用該反射光b，測量 聚光透鏡2之焦點距離的測量手段7。 於聚光透鏡2之鏡筒1 6之外側，設置珀耳帖元件（ 溫度控制裝置3 )，控制透鏡2之溫度。 φ 藉由如此之雷射照射裝置，確認出可以藉由第1、第 2鏡5、6將聚光透鏡2之溫度維持於略一定。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明之1實施型態所涉及之雷射照射 裝置的正面圖。 第2圖是具體表示裝備在相同雷射照射裝置之測量手 段之背面圖。 第3圖是表示以相同測定器所接受到光之焦點距離測 -14- (11) 1303453 量用之雷射形狀之圖式。 【主要元件符號說明】 1 :雷射振盪器 2 :聚光透鏡（透鏡） 3 :溫度控制裝置 4 :被照射物 H 5 :第1鏡 6 :第2鏡 7 :測量手段 1 1 :工作台 12 :移動裝置 24 :測定器 a :處理用雷射 b :焦點距離測量用之雷射 # hi 、 h2 :距離 I :反射位置 II :開放位置 L :光軸 X :特定方向 -15-

Claims (1)

1303453 十、申請專利範圍

第95 1 20252號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 7年6月24曰修正 1 · 一種雷射照射方法，是使來自雷射振盪器（1 )之 處理用雷射（a )通過透鏡（2 )而予以聚光或成像，使照 射於被照射物（4 )之雷射照射方法，其特徵爲：

在透鏡（2 )和被照射物（4 )之間，配置： 第1鏡（5 )，係可以採用遮蔽透鏡（2 )和被照射物 (4 )之間的光路而以特定反射率反射處理用雷射（a )之 反射位置（I )，和開放透鏡（2 )和被照射物（4 )之間 之光路的開放位置（II);和 第2鏡（6 )，係相對於藉由採用反射位置（I )之第 1鏡（5 )而反射的處理用雷射（a )之光軸（L )而被垂 直配置，以特定反射率反射處理用雷射（a )，

藉由第1鏡（5 )採用反射位置（I )，使穿透透鏡（ 2 )之處理用雷射（a )，依據第1鏡（5 )及第2鏡（6 ) ，一個接一個予以反射，並且使藉由第1鏡（5 )再次被 反射之處理用雷射（a )之強度，與在第1鏡（5 )採用開 放位置（II)之狀態下自被照射物（4)反射之處理用雷射 (a )之強度一致並穿透透鏡（2 )，且與對被照射物（4 )照射處理用雷射（a )之時相同地加熱透鏡（2 )。 2. —種雷射照射裝置，是使來自雷射振盪器（1 )之 處理用雷射（a )通過透鏡（2 )而予以聚光或成像，使照 Ι3Ό3453 射於被照射物（4 )之雷射照射裝置，其特徵爲： 在透鏡（2 )和被照射物（4 )之間，配置·· 第1鏡（5 )，係可以採用遮蔽透鏡（2 )和被照射物 (4 )之間的光路而以特定反射率反射處理用雷射（a )之 反射位置（I )，和開放透鏡（2 )和被照射物（4 )之間 之光路的開放位置（II);和

第2鏡（6 )，係相對於藉由採用反射位置（I )之第 1鏡（5)而反射的處理用雷射（a)之光軸（L)而被垂 直配置，以特定反射率反射處理用雷射（a )， 藉由第1鏡（5 )採用反射位置（I )，使穿透透鏡（ 2 )之處理用雷射（a )，依據第1鏡（5 )及第2鏡（6 ) ，一個接一個予以反射，並且使藉由第1鏡（5 )再次被 反射之處理用雷射（a )之強度，與在第1鏡（5 )採用開 放位置（II)之狀態下自被照射物（4)反射之處理用雷射 (a )之強度一致並透射透鏡（2 )，且與對被照射物（4 )照射處理用雷射（a )之時相同地加熱透鏡（2 )。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之雷射照射裝置，其 中，第1鏡（5 )是藉由全反射鏡所構成，第2鏡（6 )是 藉由具有與被照射物（4 )之反射率相等之反射率的半透 鏡所構成，第2鏡（6 )是被配置在從第1鏡（5 )僅離開 與第1鏡（5 )和被照射物（4 )之間的距離（h2 )相等之 距離（h 1 )的位置上。 4.如申請專利範圍第2項或第3項所記載之雷射照射 裝置，其中，透鏡（2 )具備有測量焦點距離之測量手段 -2- Ι3Ό3453

(7 )。 5 .如申請專利範圍第2項或第3項所記載之雷射照射 裝置，其中，透鏡（2 )附屬有溫度控制裝置（3 )。 -3-