JP2006344624A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Snを主成分とし200〜250℃の融点を有するはんだめっき層を有し、コアとなるCuボールの体積VCに対するはんだめっき層の体積VSの比が、式0.05≦VS/VC≦0.5の値を満たす、直径が0.01mm〜1mmのCuコアはんだボールを、コアとなるCuボールの直径DCに対する電極パッドの直径DPの比が0.5≦DP/DC≦1.0の値を満たす電極パッドに配置し、ついで加熱接合して接続端子となる電極を形成する電子部品の製造方法である。
【選択図】 図1
Description
また、このCuコアはんだボールは、熱によりはんだ層が軟化あるいは溶融したとしてもコアとなるCuボールは変形しないため、基板とチップ間のスペーサーの役目を果たし、従来のはんだボールの場合における基板とチップ間の位置を正確に保つことができ、微少な位置ずれが問題となる精密接合部の形成にとって有効と考えられている。
また、通常のはんだと比較するとコアとなるCuボールは硬く、つぶれ難いという効果のため、高機能パッケージや3次元実装といった精密接合が必要なパッケージにも適すると考えられている。
すなわち、本発明は、Snを主成分とし200〜250℃の融点を有するはんだめっき層を有し、コアとなるCuボールの体積VCに対するはんだめっき層の体積VSの比が、式0.05≦VS/VC≦0.5の値を満たす、直径が0.01mm〜1mmのCuコアはんだボールを、コアとなるCuボールの直径DCに対する電極パッドの直径DPの比が0.5≦DP/DC≦1.0の値を満たす電極パッドに配置し、ついで加熱接合して接続端子となる電極を形成する電子部品の製造方法である。
そこで、本発明においては、0.01mm〜1mmの径を有するCuコアはんだボールの使用を前提として検討した。Cuコアはんだボールは、別の基板等との接続端子となる電極を形成するためのものであるが、コアとなるCuボール部分は、実質的に溶解しないものである。したがって、電極形成のための加熱接合時では、電極パッドという台座に不安定に乗っている球体と同様である。そのため、電極パッドに対して、コアとなるCuボールが大きいほど不安定になる。、そこで、Cuボールの直径Dcを電極パッド径DPの2倍以下に制限した。(0.5≦Dp/Dc)
そこで、さらに検討を進めた結果、単純に電極パッドに対して、Cuボールを小さくすればよいのではなく、Cuボールの直径DCに対する電極パッドの直径DPの比が0.5≦DP/DC≦1.0という適正値があることを見出し、さらに、コアとなるCuボールの径だけでなくCuボールの体積とCuボールに形成するめっきの体積の関係Vs/Vcを最適な範囲である0.05≦VS/VC≦0.5に規制する事で、加熱接合後安定してCuボールを電極パッド中心に位置させることができたものである。
なお、本発明においては、はんだめっき層としては、Snを主成分とし200〜250℃の融点を有するはんだめっき層を適用する。これは、通常、電子部品に対して使用されているはんだである。なお、Snを主成分として、Ag或いはCuもしくはこれらの両方を添加した、実質的に鉛を含まない、はんだ層とすることが環境影響の点から好ましい。
図1においては、コアとなるCuボール2ははんだ層11で覆われ、基板8に形成された電極パッド9の中央に配置され、接続端子となる電極12を形成しているものである。なお図1において電極パッドの周囲はソルダーレジスト10で覆われているものである。
次に、図1の電子部品を得るための工程を図2及び図3を用いて説明する。
図2は、本発明に使用するCuコアはんだボール1の一例を示す断面図であり、コアとなるCuボール2と、はんだめっき層3で構成されている。
図3のように配置した後、加熱して、電極パッド9上に接続端子となる電極12を形成する。そうすると理想的には図1に示す電極が得られる。 一方、Cuボールが中央からずれた好ましくない形態を図示すると、図4のようになる。
ここで、はんだめっき層3としては、共晶組成である融点が221℃のSn−3.5mass%Ag、Cuボールとしては、純度99.99%以上のCuを用いた。また、基板はFR−4基板とし、ソルダーレジスト10を配置して、Cu層7は50μm、その上にNiめっき層6は5μm、Auめっき層5は0.05μmの電極パッド9をそれぞれ無電解めっきによって形成した。また、加熱接合のためのリフロー温度は、最高温度を240±5℃とした。
本実施例及び比較例では、基板上に100点の電極12を形成し、形成した電極の中からランダムに選んだ10点のバンプ中におけるパッド中央に対するCuボールの位置ずれ距離を測定した。測定は、図4に示すように電極パッドの中心位置に対するCuボールの位置ずれ量を求めるものである。
表1に示す通り、0.5≦DP/DC≦1.0の範囲においてVS/VC≦0.5という要件を全て満足したときに初めて、Cuボールがパッド中央付近に位置する形態となることが確認された。
なお、表1には記載していないが、はんだめっき層3をVS/VCが0.05未満という薄いレベルのものとした場合は、接合の作用を担うはんだ量が少なく不適と判断した。
2 Cuボール
3 はんだめっき層
4 フラックス
5 Auめっき層
6 Niめっき層
7 Cu層
8 基板
9 電極パッド
10 ソルダーレジスト
11 はんだ層
12 電極
Claims (1)
- Snを主成分とし200〜250℃の融点を有するはんだめっき層を有し、コアとなるCuボールの体積VCに対するはんだめっき層の体積VSの比が、式0.05≦VS/VC≦0.5の値を満たす、直径が0.01mm〜1mmのCuコアはんだボールを、コアとなるCuボールの直径DCに対する電極パッドの直径DPの比が0.5≦DP/DC≦1.0の値を満たす電極パッドに配置し、ついで加熱接合して接続端子となる電極を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
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