JP2006332694A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. シリコン基板；
   前記シリコン基板を覆う接触パッド；
   前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある；および
   前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属バンプを含む集積回路素子であって、
   前記金属バンプが、前記開口を通して前記接触パッドと接続され、かつ前記金属バンプが、
   前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属層、
   前記金属層上でありかつ前記接触パッドを覆う銅ピラー、ここで、前記銅ピラーは１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの厚さを有する、
   前記銅ピラーの直上でありかつ前記接触パッドを覆うニッケル含有層、ここで、前記ニッケル含有層は前記銅ピラーの前記厚さより小さい厚さを有する、および
   前記ニッケル含有層上でありかつ前記接触パッドを覆うはんだ、ここで、前記はんだは前記ニッケル含有層の頂面を完全に被覆している、
   を含む、前記集積回路素子。
2. 前記ニッケル含有層の前記厚さが１マイクロメートル〜１０マイクロメートルの厚さである、請求項１記載の集積回路素子。
3. 前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上のチタン含有層を含む、請求項１記載の集積回路素子。
4. 前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の窒化チタン層を含む、請求項１記載の集積回路素子。
5. 前記銅ピラーが前記ニッケル含有層の第二の側壁から凹所を設けられた第一の側壁を有し、ここで、前記第一の側壁と前記第二の側壁との間の水平距離が０．２μｍより大きい、請求項１記載の集積回路素子。
6. シリコン基板；
   前記シリコン基板を覆う接触パッド；
   前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある；および
   前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属バンプを含む集積回路素子であって、
   前記金属バンプが、前記開口を通して前記接触パッドと接続され、かつ前記金属バンプが、
   前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属層、
   前記金属層上でありかつ前記接触パッドを覆う金属ピラー、ここで、前記金属ピラーは、前記金属層上でありかつ前記接触パッドを覆い、１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの厚さを有する銅ピラーを含む、および
   前記金属ピラー上でありかつ前記接触パッドを覆うはんだ、ここで、前記はんだは前記金属ピラーの頂面を完全に被覆している、
   を含む、前記集積回路素子。
7. 前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上のチタン含有層を含む、請求項６記載の集積回路素子。
8. 前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の窒化チタン層を含む、請求項６記載の集積回路素子。
9. シリコン基板、前記シリコン基板を覆う接触パッド、及び前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある、を供給する工程；
   前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に金属層を形成する工程；
   前記金属層を形成する前記工程の後、前記金属層上にフォトレジスト層を形成する工程、ここで、前記フォトレジスト層中の開口が前記金属層の上方にある；
   前記フォトレジスト層を形成する前記工程の後、前記金属層の上で前記フォトレジスト層中の前記開口の下に、１０〜１００マイクロメートルの厚さを有する銅ピラーを電気めっきする工程；
   前記銅ピラーを電気めっきする前記工程の後、前記フォトレジスト層中の前記開口中の前記銅ピラー上にニッケル層を形成する工程；
   前記ニッケル層を形成する前記工程の後、前記ニッケル層上に、はんだを形成する工程；
   前記はんだを形成する前記工程の後、前記フォトレジスト層を取り除く工程；および
   前記フォトレジスト層を取り除く前記工程の後、前記銅ピラーの下にない前記金属層を取り除く工程：
   を含む集積回路素子の形成方法。
10. 前記ニッケル層を形成する前記工程は、電気めっき方法を含む、請求項９記載の方法。
11. 前記はんだを形成する前記工程は、電気めっき方法を含む、請求項９記載の方法。
12. 前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上にチタン含有層を形成する工程を含む、請求項９記載の方法。
13. 前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に窒化チタン層を形成する工程を含む、請求項９記載の方法。
14. 前記ニッケル層を形成する前記工程は、１〜１０マイクロメートルの厚さを有する前記ニッケル層を形成する前記工程を含む、請求項９記載の方法。
15. シリコン基板、前記シリコン基板を覆う接触パッド、及び前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある、を供給する工程；
    前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に金属層を形成する工程；
    前記金属層を形成する前記工程の後、前記金属層上にフォトレジスト層を形成する工程、ここで、前記フォトレジスト層中の開口が前記金属層の上方にある；
    前記フォトレジスト層を形成する前記工程の後、前記金属層の上で前記フォトレジスト層中の前記開口の下に、１０〜１００マイクロメートルの厚さを有する銅ピラーを電気めっきする工程；
    前記銅ピラーを電気めっきする前記工程の後、前記フォトレジスト層中の前記開口中の前記銅ピラー上にはんだを形成する工程；
    前記はんだを形成する前記工程の後、前記フォトレジスト層を取り除く工程；および
    前記フォトレジスト層を取り除く前記工程の後、前記銅ピラーの下にない前記金属層を取り除く工程：
    を含む集積回路素子の形成方法。
16. 前記はんだを形成する前記工程は、電気めっき方法を含む、請求項１５記載の方法。
17. 前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上にチタン含有層を形成する工程を含む、請求項１５記載の方法。
18. 前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に窒化チタン層を形成する工程を含む、請求項１５記載の方法。