JP2006332628A5

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Publication number: JP2006332628A5
Application number: JP2006122088A
Authority: JP
Filing date: 2006-04-26
Publication date: 2009-03-26
Anticipated expiration: 2026-04-26

Claims

第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶素子。
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有し、
前記絶縁物を含む有機化合物層の前記絶縁物の濃度は、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第１の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層と第２の導電層との界面より高いことを特徴とする記憶素子。
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有し、
前記絶縁物を含む有機化合物層の前記絶縁物の濃度は、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第２の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層と第１の導電層との界面より高いことを特徴とする記憶素子。
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有し、
前記絶縁物を含む有機化合物層の前記絶縁物の濃度は、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第１の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層の中心部より高く、且つ、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第２の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層の中心部より高いことを特徴とする記憶素子。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記絶縁物は粒子形状であることを特徴とする記憶素子。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層は、前記絶縁物を含むことを特徴とする記憶素子。
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層は、前記絶縁物とは異なる絶縁物を含むことを特徴とする記憶素子。
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とが一部接することを特徴とする記憶素子。
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記絶縁物を含む有機化合物層の膜厚が変化することを特徴とする記憶素子。
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記絶縁物を含む有機化合物層に含まれる絶縁物として、キャリア注入されない材料を用いることを特徴とする記憶素子。
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の記憶素子を有する半導体装置。
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層を形成し、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁物と有機化合物とを含む組成物を吐出し、前記組成物を固化して、前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層を形成し、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層に絶縁物を添加して、絶縁物を含む有機化合物層を形成し、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記絶縁物を含む有機化合物層中の前記絶縁物が濃度勾配を有するように、前記絶縁物を含む有機化合物層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。