JP2006332180A - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006332180A JP2006332180A JP2005150939A JP2005150939A JP2006332180A JP 2006332180 A JP2006332180 A JP 2006332180A JP 2005150939 A JP2005150939 A JP 2005150939A JP 2005150939 A JP2005150939 A JP 2005150939A JP 2006332180 A JP2006332180 A JP 2006332180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silicon carbide
- implantation
- etching
- blocking layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
【解決手段】 炭化珪素半導体装置の製造方法は、注入阻止層形成工程と、イオン注入工程と、注入阻止層除去工程とを備えている。注入阻止層形成工程では、炭化珪素基板において、イオンが注入される領域を露出させるパターンを有する注入阻止層を形成する。イオン注入工程では、注入阻止層が形成された炭化珪素基板に注入阻止層をマスクとしてイオンを注入する。注入阻止層除去工程では、イオン注入工程においてイオンが注入された炭化珪素基板から注入阻止層を除去する。さらに、注入阻止層形成工程では、珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつイオンが注入されるときの炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる注入阻止層を形成する。
【選択図】 図2
Description
図1は本発明の一実施の形態である実施の形態1の炭化珪素半導体装置の製造方法により製造される炭化珪素半導体装置としての接合型電界効果トランジスタ(JFET)の構成を示す概略断面図である。図1を参照して、実施の形態1の炭化珪素半導体装置の製造方法により製造されるJFETの構成について説明する。
図7〜図12は、本発明の一実施の形態である実施の形態2の炭化珪素半導体装置の製造方法におけるイオン注入領域形成工程を説明するための概略断面図である。図7〜図12を参照して、本発明の実施の形態2の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。
図13〜図17は、本発明の一実施の形態である実施の形態3の炭化珪素半導体装置の製造方法におけるイオン注入領域形成工程を説明するための概略断面図である。図13〜図17を参照して、本発明の実施の形態3の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。
図18〜図22は、本発明の一実施の形態である実施の形態4の炭化珪素半導体装置の製造方法におけるイオン注入領域形成工程を説明するための概略断面図である。図18〜図22を参照して、本発明の実施の形態4の炭化珪素半導体装置の製造方法を説明する。
Claims (5)
- 炭化珪素基板において、イオンが注入される領域を露出させるパターンを有する注入阻止層を前記炭化珪素基板上に形成する注入阻止層形成工程と、
前記注入阻止層が形成された前記炭化珪素基板に前記注入阻止層をマスクとして前記イオンを注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程において前記イオンが注入された前記炭化珪素基板から前記注入阻止層を除去する注入阻止層除去工程とを備え、
前記注入阻止層形成工程では、
珪素原子よりも原子量が大きい元素を構成元素として含み、かつ前記イオンが注入されるときの前記炭化珪素基板の温度よりも融点が高い材料からなる前記注入阻止層を形成する、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記注入阻止層形成工程よりも前に、前記炭化珪素基板の上に前記注入阻止層とはエッチングレートが異なるエッチング停止層を形成するエッチング停止層形成工程と、
前記注入阻止層除去工程よりも後に、前記エッチング停止層を除去するためのエッチング停止層除去工程とをさらに備えた、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記エッチング停止層がエッチングされることによって前記エッチング停止層および前記注入阻止層が前記炭化珪素基板から除去されることにより、前記注入阻止層除去工程と前記エッチング停止層除去工程とが同一工程として実施される、請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記注入阻止層形成工程よりも前に、前記炭化珪素基板の上に前記炭化珪素基板とはエッチングレートが異なる犠牲層を形成する犠牲層形成工程をさらに備え、
前記注入阻止層除去工程においては、前記犠牲層をエッチングすることにより、前記犠牲層および前記注入阻止層を前記炭化珪素基板から除去する、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記注入阻止層形成工程よりも前に、
前記炭化珪素基板の上に前記炭化珪素基板とはエッチングレートが異なる犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記犠牲層の上に前記注入阻止層とはエッチングレートが異なるエッチング停止層を形成するエッチング停止層形成工程とをさらに備え、
前記注入阻止層除去工程においては、前記犠牲層をエッチングすることにより、前記犠牲層、前記エッチング停止層および前記注入阻止層を前記炭化珪素基板から除去する、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005150939A JP2006332180A (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005150939A JP2006332180A (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006332180A true JP2006332180A (ja) | 2006-12-07 |
Family
ID=37553584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005150939A Pending JP2006332180A (ja) | 2005-05-24 | 2005-05-24 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006332180A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007042803A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Honda Motor Co Ltd | イオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2008227292A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | イオン注入マスク、イオン注入方法および半導体装置の製造方法 |
JP2009177006A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2010071084A1 (ja) | 2008-12-16 | 2010-06-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN103193507A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-10 | 江苏大学 | 一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265512A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05166746A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05206052A (ja) * | 1991-09-23 | 1993-08-13 | Philips Gloeilampenfab:Nv | デバイスの製造方法 |
JPH0653158A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001135591A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2001160549A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | ドライエッチング方法 |
JP2001257344A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001332508A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
WO2004097914A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-05-24 JP JP2005150939A patent/JP2006332180A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01265512A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH05206052A (ja) * | 1991-09-23 | 1993-08-13 | Philips Gloeilampenfab:Nv | デバイスの製造方法 |
JPH05166746A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0653158A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001135591A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP2001160549A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | ドライエッチング方法 |
JP2001257344A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001332508A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
WO2004097914A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007042803A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Honda Motor Co Ltd | イオン注入マスクおよびその製造方法、並びにイオン注入マスクを用いた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2008227292A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | イオン注入マスク、イオン注入方法および半導体装置の製造方法 |
JP2009177006A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2010071084A1 (ja) | 2008-12-16 | 2010-06-24 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8643065B2 (en) | 2008-12-16 | 2014-02-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN103193507A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-10 | 江苏大学 | 一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法 |
CN103193507B (zh) * | 2013-04-22 | 2014-10-29 | 江苏大学 | 一种提高金属对SiC陶瓷润湿性的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4982382B2 (ja) | リセス型ソース/ドレイン領域をsoiウェハに含む半導体形成プロセス | |
TWI287875B (en) | A method for forming a semiconductor device and an integrated circuit | |
US9177805B2 (en) | Integrated circuits with metal-insulator-semiconductor (MIS) contact structures and methods for fabricating same | |
US8217463B2 (en) | Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods | |
TWI620250B (zh) | 保護溝渠側壁以形成選擇性磊晶半導體材料 | |
JP2008508718A (ja) | 半導体デバイスの形成方法およびその構造 | |
TWI546892B (zh) | 半導體裝置及其形成方法 | |
JP2005229105A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2012160485A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2006332180A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP4923543B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007214436A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
TW200832528A (en) | Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication | |
JP5914865B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN109037051B (zh) | 半导体结构的制备方法及半导体结构 | |
TWI227362B (en) | Liquid crystal display manufacturing process and polysilicon layer forming process | |
JP2004289046A (ja) | キャパシタを有する半導体装置の製造方法 | |
JP2008085205A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007088138A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20070099365A1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
JP2007173742A (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法 | |
US10049879B2 (en) | Self aligned silicon carbide contact formation using protective layer | |
JP4751023B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005203685A (ja) | 半導体装置,及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004273559A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20090730 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100622 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100819 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20101130 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |