JP2006325052A - 弾性表面波デバイス並びに弾性表面波デバイスの製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】
小型・薄型化することに適し、ＳＡＷ素子片への応力の伝播を抑制することができ、ＩＣを実装する場合には、このＩＣに物理的な負荷をかけること無くＳＡＷ素子片を実装することができるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するためのＳＡＷデバイス１１０は、ベース１１６の底部にＩＣ１２８を実装し、前記ＩＣ１２８の上部にＳＡＷ素子片１１２を実装するＳＡＷデバイス１１０であって、前記ＩＣ１２８の上部空間に掛け渡され、板面に開口部１２２ａを形成したＴＡＢ基板１２２を備え、前記ＳＡＷ素子片１１２は、励振電極１１２ａを前記開口部１２２ａに対向させた状態で実装し、前記励振電極１１２ａがベース１１６の上部開口部側を向くように配置する構成としたことを特徴とするものである。
【選択図】 図５

Description

本発明は弾性表面波デバイス並びに弾性表面波デバイスの製造方法、及び当該弾性表面波デバイスを搭載した電子機器に係り、特に小型・薄型化に好適な弾性表面波デバイス並びに製造方法、及び電子機器に関する。

従来より、弾性表面波発振器等の弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスとして、パッケージの内部にＳＡＷ素子片や、このＳＡＷ素子片の発振を制御する集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）等を収容する構成のものが知られている。

このような構成のＳＡＷデバイスにおいて課題とされていることは大別して、ＳＡＷデバイスを小型・薄型化することと、パッケージ内に実装されたＳＡＷ素子片に対する熱や応力の影響を除去することとを挙げることができる。この両者は製造において相反する作用をもたらす場合が多く、両者を同時に実現することは難しい。

例えば、ＳＡＷデバイスを小型・薄型化する上で非常に有効と考えられる技術としては、特許文献１に開示された技術を挙げることができる。特許文献１に開示されている技術によって製造されるＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ素子片とＩＣとを縦方向に重ね合わせてパッケージに搭載する構成としたものである。具体的構成は次の通りである。まず、パッケージを構成するパッケージベースの底部に形成された電極パッドに対し、前記ＩＣをフリップチップボンディングする。これにより、ＩＣの能動面はパッケージベースの底部と対向することとなり、非能動面がパッケージベースの上部開口部側に晒されることとなる。次に、上部開口部側に晒されたＩＣの非能動面に対して接着剤によりＳＡＷ素子片を搭載する。このような構成とすることにより、ＳＡＷ素子片の能動面（電極形成面）がパッケージベースの上部開口部側に晒されることとなる。そして、上部開口部側に晒されたＳＡＷ素子片の電極と、パッケージベースに形成された電極パッドとをワイヤボンディングすることによりＳＡＷ素子片の実装を行う。このようにして製造されるＳＡＷデバイスは、ＩＣとＳＡＷ素子片との隙間を小さくすることができ、パッケージ内に生じる厚さ方向（縦方向）のデッドスペースを減らすことができ、薄型化を実現することができる。また、ＩＣとＳＡＷ素子片を縦方向に重ねたことより、パッケージ自体の実装面積を小型化することも実現できる。

一方、ＳＡＷ素子片に対する熱の影響を回避する技術としては、例えば特許文献２に開示されている技術がある。特許文献２に開示されている技術は、ＳＡＷ素子片が、ＳＡＷデバイスの小型、薄型化に伴って薄型化されたパッケージ構成部材によって、熱の影響を受けやすくなったことに対する対策であり、ＳＡＷ素子片を片持ち構造とし、片持ち時の支持部に台を備える構成としたＳＡＷデバイスである。このような構成によれば、パッケージに対する設置面積が減るため、パッケージに与えられた熱や衝撃といった外力がＳＡＷ素子片に伝播する確率は低くなる。また、支持部に台を設けていることから、この部分に関しては外力の影響を受け難い構造となる。
特開２００５−５７５７７号公報 特開２００３−２９８３８８号公報

特許文献１に開示された技術は確かに、ＳＡＷデバイスの小型・薄型化に対して有効なものであるということができる。しかし、上記構成によれば、ＩＣの重量とＳＡＷ素子片の重量とを、ＩＣの能動面に形成された電極パッドによって支持する構造となる。そして、ＳＡＷ素子片をパッケージベースに実装するに際しては、ワイヤボンディングが用いられているため、ワイヤ接続時に生じる衝撃もＩＣへの負担となる可能性がある。

また、特許文献２に記載の技術を適用する場合には、パッケージ構造として必ず、ＳＡＷ素子片の台となる部位を設ける必要があるため、パッケージ構造に制限が多くなり、ＳＡＷデバイス自体を小型・薄型化することが困難となる。

本発明では、弾性表面波デバイスを小型・薄型化することに適し、ＳＡＷ素子片への応力の伝播を抑制し、ＩＣを搭載する場合であってもＩＣに物理的な負荷をかけることの無い構成の弾性表面波デバイス並びにその弾性表面波デバイスを製造する上での特定の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明では、前記構成の弾性表面波デバイスを搭載した電子機器を提供することも目的とする。

上記目的を達成するためには、パッケージに対して弾性表面波素子片を直接搭載することを避け、集積回路を搭載する場合には、集積回路と弾性表面波素子片とを縦方向に重ねて配置し、かつ集積回路と弾性表面波素子片とが接触しないような構成とすることができれば良いと考えられる。そこで、本発明に係る弾性表面波デバイスは、パッケージ内に弾性表面波素子片を実装する弾性表面波デバイスであって、板面に開口部を形成したＴＡＢ基板と、前記ＴＡＢ基板に対して、前記開口部に励振電極を対向させて実装される弾性表面波素子片とを備え、前記ＴＡＢ基板を、前記弾性表面波素子片に形成された励振電極がパッケージベースの上部開口部側を向くように配置し、前記弾性表面波素子片は前記開口部に凸設したリードによって支持する構成としたことを特徴とした。

このような構成とすることにより、パッケージに対してＴＡＢ基板を介して弾性表面波素子片を実装する構成となるため、パッケージに付加される外部からの応力や熱といった外力が、前記弾性表面波素子片に直接伝播されなくなる。また、ＴＡＢ基板はパッケージベースを形成するための部材（例えば基板）に比べて薄型とすることができるため、弾性表面波デバイス自体の小型・薄型化も図ることができる。また、弾性表面波素子片を実装するＴＡＢ基板に開口部を設け、この開口部と弾性表面波素子片に形成された励振電極を対向させ、かつパッケージベースへの実装の際に前記励振電極が上部開口部側を向くように配置したことにより、弾性表面波素子片をパッケージに実装した後に周波数調整を行うことが可能となる。

また、本発明に係る弾性表面波デバイスは、パッケージの底部に集積回路を実装し、前記集積回路の上部に弾性表面波素子片を実装する弾性表面波デバイスであって、前記集積回路の上部空間に掛け渡され、板面に開口部を形成したＴＡＢ基板を備え、前記弾性表面波素子片は、励振電極を前記開口部に対向させた状態で実装し、前記励振電極がパッケージベースの上部開口部側を向くように配置し、前記開口部に凸設したリードによって支持される構成としたことを特徴とするものであっても良い。

このような構成とすることにより弾性表面波素子片は、パッケージベースのキャビティ中に、ＴＡＢ基板を介して吊るされた状態となる。このため、パッケージに付加される応力や熱といった外力が前記弾性表面波素子片に直接伝播するということが無い。また、集積回路と弾性表面波素子片を縦方向に重ねる構成としつつ、パッケージ内部に双方を隔てる隔壁を設けることが無く、かつ双方が直接接触しないという構成を実現する。このため、弾性表面波デバイスの小型・薄型化を実現し、かつ発振モジュールを構成する際に集積回路に余分な負荷をかけることが無い。よって、弾性表面波デバイスとして、信頼性の高い製品を提供することができる。また、弾性表面波素子片を実装するＴＡＢ基板に開口部を設け、この開口部と弾性表面波素子片に形成された励振電極を対向させ、かつパッケージベースへの実装の際に前記励振電極が上部開口部側を向くように配置したことにより、弾性表面波素子片をパッケージに実装した後に周波数調整を行うことが可能となる。
また、上記のような構成の弾性表面波デバイスでは前記集積回路を、フリップチップボンディングにより実装する構成とすると良い。

このような構成とすることにより、キャビティとしてワイヤボンディングを行うための空間を確保する必要が無くなる。このため、弾性表面波デバイスの低背化を図ることができる。
上記のような構成の弾性表面波デバイスを製造するにあたっては、パッケージベースを封止するリッドに透光性材料を採用し、パッケージベースを封止した後に周波数調整を行うようにすると良い。

このような製造方法を採用することによれば、弾性表面波素子片を実装する際に生じる応力や、パッケージベースを封止する際に発生するガス等の影響により生ずる発振周波数のバラツキを、パッケージベース封止後に調整することが可能となる。

上記課題に挙げた電子機器は、上記構成を有する弾性表面波デバイスを搭載することを特徴とするものである。上記構成の弾性表面波デバイスを搭載することにより、電子機器の小型化・薄型化を図ることができ、かつ信頼性の高いものとすることができる。

以下、本発明の弾性表面波デバイス及びこれを搭載した電子機器について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明を実施する上での好適な形態の一部を示すものであり、本発明は以下の形態のみに拘束されるものでは無い。

まず、図１を参照し、本発明の弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスに係る第１の実施形態について説明する。図１において、図１（Ａ）はＳＡＷデバイスの側面断面図を示し、図１（Ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図を示す。本実施形態のＳＡＷデバイス１０は、ＳＡＷ素子片１２と、このＳＡＷ素子片１２を内部に実装するパッケージ１４とを基本構成とする。

上記のような基本構成部材において、前記パッケージ１４は、ＳＡＷ素子片１２を収容するキャビティ１６ａを備えたパッケージベース（ベース）１６と、前記キャビティ１６ａの上部開口部を封止するリッド１８とより成る。本実施形態のパッケージ１４では、ベース１６とリッド１８との接合をシールリング２０を介するシーム溶接によって成す構成としている。前記ベース１６は、例えばアルミナ等のセラミック材料を焼結生成すれば良く、リッド１８には、前記ベース１６と熱膨張係数が近い金属（例えばコバール）やガラス等を用いると良い。そして、前記シールリング２０としては、ベース１６やリッド１８の構成部材と熱膨張係数が近い素材を用いると良く、上述した部材によりベース１６、リッド１８を構成した場合には、コバールを使用すると良い。なお、ベース１６は通常、複数の基板を積層し、それらの基板を焼結することにより形成される。

ＳＡＷ素子片１２は、水晶（ＳｉＯ_２）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）等の圧電部材にアルミニウム等の電極部材によって形成された電極パターン１２ａを配したものである。圧電部材の板面に形成される電極パターン１２ａとしては、すだれ状電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）やグレーティング反射器（反射器）等である。本実施形態のＳＡＷ素子１２は、前記ベース１６に対してＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板２２を介して実装されている。ＴＡＢ基板２２は、ポリイミド等の樹脂によって構成されたフィルム上に銅メッキ等により形成されるリード（具体的形状は不図示）を配したものである。本実施形態に採用するＴＡＢ基板２２は、図２に示すように、板面に開口部（デバイスホール）２２ａを有する。そして、図３に示すＳＡＷ素子片１２は、ＴＡＢ基板２２の開口部２２ａに凸設されたリード（インナーリード）２４に引き出し電極を接続することにより実装される。このとき、ＳＡＷ素子片１２に形成された励振電極（電極パターン）１２ａを前記ＴＡＢ基板２２の板面に形成された開口部２２ａと対向させる。

上記のようにしてＳＡＷ素子片１２を実装したＴＡＢ基板２２をベース１６内に配された実装部（電極パッド）２６に実装する。ＴＡＢ基板２２の実装に際しては、前記ＳＡＷ素子片１２の励振電極１２ａが、キャビティ１６ａの上部開口部側を向くように配置する。このような構成とすることにより励振電極１２ａは、ＳＡＷ素子片１２を実装した状態で外部に晒されることとなり、この状態での周波数調整が可能となる。なお、周波数調整は、レーザ等により励振電極１２ａの一部を削り取って厚さ調整を行うことによれば良い。

また、ＴＡＢ基板２２をベース１６へ実装した状態で、ベース１６の底部と、ＳＡＷ素子片１２とが非接触状態となるように、ＳＡＷ素子片１２は前記リード２４によって支持されるようにする。このような構成とすることにより、ベース１６に与えられた熱や衝撃、応力といった外力が、ＴＡＢ基板２２によって緩衝、あるいは吸収されることとなり、ＳＡＷ素子片１２へ直接伝播することがなくなる。このため、応力等を原因とする発振周波数の変動を低減することができる。

また、ベース１６の底部を厚くして応力の発生や熱の伝播を防止する構成と異なり、薄型形成が可能なＴＡＢ基板２２をベース１６の側壁間に掛け渡し、ＳＡＷ素子片１２がキャビティ１６ａ内に宙吊り状態で支持されるようにしたことで外力がＳＡＷ素子片１２に直接伝播することを防止する構成とした。このため、パッケージ１４を薄型としつつ、内部に実装したＳＡＷ素子片１２への外力の伝播を防止することができる。このような構成を採用するＳＡＷデバイス１０によれば、ＳＡＷ素子片として外部応力の影響に左右されやすいものを採用した場合であっても、頂点温度のバラツキなどを抑えることが可能となる。
また、前記リッド１８としてガラスリッドを採用した場合には、ベース１６（キャビティ１６ａ）を封止した後に、ＳＡＷ素子片１２の周波数調整を行うことが可能となる。

次に、図４を参照して、本実施形態に係るＳＡＷデバイス１０の製造工程について説明する。まず、ベース１６を形成する。なお、ベース１６の形成は、上述したセラミックの焼結形成のみに限られるものでは無い（Ｓ１００）。次に、ベース１６の形成と同時に、あるいはベース１６の形成と前後して、ＳＡＷ素子片１２をＴＡＢ基板２２に実装する（Ｓ１１０）。その後、ベース１６内に、ＳＡＷ素子片１２を実装したＴＡＢ基板２２を実装する（Ｓ１２０）。ＴＡＢ基板２２を実装した後、ベース１６とリッド１８とをシールリング２０を介して接合することにより、キャビティ１６ａの上部開口部を封止する（Ｓ１３０）。前記リッド１８としてガラスリッドを採用した場合には、Ｓ１３０の工程後にレーザ等を用いてＳＡＷ素子片１２の周波数調整を行う。このような製造工程によれば、ＳＡＷ素子片１０をＴＡＢ基板２２に実装する工程とベース１６の形成工程とを同時に行うことができるため、従来と変わらないサイクルタイム、スループットでＳＡＷデバイス１０を製造することができる。また、ＳＡＷ素子片１２の周波数調整を封止後に行った場合には、周波数のバラツキを抑えた高精度なＳＡＷデバイス１０を提供することが可能となる。

次に、本発明のＳＡＷデバイスに係る第２の実施形態について、図５を参照して説明する。なお、図５において図５（Ａ）はＳＡＷデバイスの断面図、図５（Ｂ）はＳＡＷデバイスの平面図をそれぞれ示す。本実施形態のＳＡＷデバイスは、ＳＡＷ素子片と、前記ＳＡＷ素子片の発振周波数を制御する集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）と、前記ＳＡＷ素子片及び前記ＩＣを内部に収容するパッケージとを基本構成とする。

本実施形態のＳＡＷデバイスは、上述した第１の実施形態に係るＳＡＷデバイスと機能を同様とする構成要素を含むため、機能を同様とする構成部材に関しては、図面の符号に１００を足した符号を附して、その詳細な説明は省略する。

本実施形態のパッケージ１１４の構成は、上述した第１の実施形態におけるＳＡＷデバイス１０におけるパッケージ１４の構成と殆ど同様であるが、前記ＩＣ１２８を収容する分だけ、ベース１１６のキャビティ１１６ａを広くしている点が第１の実施形態におけるパッケージ１４と異なる。

本実施形態のベース１１６は、キャビティ１１６ａの下部領域をＩＣ１２８の収容領域とし、キャビティ１１６ａの上部領域をＳＡＷ素子片１１２の収容領域としている。本実施形態では、前記ＩＣ１２８を、キャビティ１１６ａの下部領域に、能動面を上側にした状態で、接着剤１３０等を介して搭載する。上側を向いた能動面に形成された電極パッド（不図示）は、ベース１１６に形成された電極パッド（不図示）と、ボンディングワイヤ１３２によって電気的に接続される。

前記ＳＡＷ素子片１１２は、第１の実施形態と同様に、ベース１１６に実装される前工程として、ＴＡＢ基板１２２に実装される。そして、本実施形態では、前記ＳＡＷ素子片１１２を実装したＴＡＢ基板１２２をキャビティ１１６ａの上部領域に実装する。ＴＡＢ基板１２２の実装は、ＴＡＢ基板１２２をパッケージ１１４の側壁間に掛け渡し、ＴＡＢ基板１２２に形成されたリードと、ＴＡＢ基板１２２を掛け渡した側壁に形成した電極パッド（実装部）１２６とを電気的に接続することにより行う。実装状態において、前記ＳＡＷ素子片１２の励振電極１２ａは、第１の実施形態と同様に、キャビティ１１６ａの開口部側を向くように配置される。そして、ＩＣ１２８を実装するボンディングワイヤ１３２と、ＳＡＷ素子片１１２の非能動面とが接触しないように、ＳＡＷ素子片１１２をリード１２４によって支持する。

このような構成とすることにより、ＳＡＷ素子片１１２は、ＴＡＢ基板１２２を介してキャビティ中に配置される（吊るされる）こととなるため、パッケージ１１４に与えられた衝撃や熱がＳＡＷ素子片１１２に直接伝播することが無くなる。そして、ＳＡＷ素子片１１２とＩＣ１２８とを高さ方向に配置していることより、ＩＣ１２８を備えるＳＡＷデバイス１１０自体を小型化することができる。また、ＳＡＷ素子片１１２をＩＣ１２８の上部に配置する構成としているが、従来技術とは異なり両者間の直接的な接点を無くしているため、実装時（モジュール構成時）などにＩＣ１２８がダメージを受けるという虞も無い。よって、上記のような構成のＳＡＷデバイス１１０によれば、ＳＡＷデバイス１１０の小型・薄型化と共に、ＩＣ１２８に余分な負荷をかけることが無い信頼性の高いＳＡＷデバイス１１０とすることができる。その他の作用効果は、第１の実施形態に示したＳＡＷデバイス１０と同様である。

次に、図６を参照して本実施形態のＳＡＷデバイス１１０の製造工程について説明する。まず、ベース１１６を形成する（Ｓ２００）。次に、形成したベース１１６のキャビティ１１６ａ底部にＩＣ１２８を実装する（Ｓ２２０）。ベース１１６の形成工程又はＩＣ１２８の実装工程と同時に、あるいは前後して、ＳＡＷ素子片１１２をＴＡＢ基板１２２に実装する（Ｓ２１０）。ベース１１６にＩＣ１２８を実装し、ＳＡＷ素子片１１２をＴＡＢ基板１２２に実装した後、ベース１１６にＴＡＢ基板１２２を実装する（Ｓ２３０）。なお、本実施形態では、ＴＡＢ基板１２２がベース１１６の側壁間に掛け渡される状態となるように実装を行う。ＴＡＢ基板１２２をベース１１６に実装した後、ベース１１６とリッド１１８を接合し、キャビティ１１６ａの上部開口部を封止する（Ｓ２４０）。このような製造工程によれば、ＳＡＷ素子片１１２をＴＡＢ基板１２２に実装する工程をベース１１６の形成工程あるいはベース１１６にＩＣ１２８を実装する工程と同時に行うことができるため、従来と変わらないサイクルタイム、スループットでＳＡＷデバイス１１０を製造することができる。

次に、本発明の弾性表面波デバイスに係る第３の実施形態について、図７を参照して説明する。
本実施形態のＳＡＷデバイスの基本的構成は、上述した第２の実施形態におけるＳＡＷデバイス１１０と同様である。よって、その機能を同様とする箇所に関しては、図面に同一符号を附してその詳細な説明は省略する。

本実施形態のＳＡＷデバイス１１０は、ベース１１６の底部（キャビティ１１６ａの下部領域）に収容するＩＣ１２８の実装方式を、バンプ１３４によるフリップチップボンディングとしたことを特徴とするものである。このような構成とすることにより、キャビティ１１６ａにワイヤボンディング用のボンディングワイヤ１３２（図５参照）を張り渡す領域を確保する必要が無くなる。このため、ベース１１６に必要とされるキャビティ１１６ａの深さが浅くなり、その分だけＳＡＷデバイス１１０の低背化を図ることが可能となる。
その他の構成及び作用効果に関しては、第２の実施形態に示したＳＡＷデバイスの構成と同様である。

次に、上記実施形態に示したＳＡＷデバイス１０，１１０を実装した電子機器について、図８に示す携帯電話装置を一例に挙げて説明する。
携帯電話装置２００では、送信者からの音声信号は、マイクロフォン２０２によって電気信号に変換され、デモジュレータ・コーデック等を備える信号切替部２０６で変調等され、送信部２０８にて周波数変換等され、アンテナ２１２を介して基地局（不図示）に送信される。

これに対し、基地局から送信された信号は、アンテナ２１２を介して受信し、受信部２１４にて周波数変換され、信号切替部２０６にて音声信号に変換されて、スピーカ２０４から出力される。
このような信号制御が成される携帯電話装置２００の動作は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１６によって全体が制御されている。ＣＰＵ２１６は、液晶画面やキーボード等の入出力部２１８や、制御プログラムや電話帳等を記録するメモリ２２０をはじめ、信号の送受信を制御する切替スイッチ２１０の動作も制御している。

上記のような基本構成を有する携帯電話装置２００において、上述したＳＡＷデバイス１０，１１０は特に、ＣＰＵ２１６に接続され、ＣＰＵ２１６の基本クロック等の役割を果たす。なお、上述したＳＡＷデバイスは、送信部２０８や受信部２１４におけるフィルタや局部発振器として用いることもできる。

上記実施形態に示したＳＡＷデバイスでは、パッケージ内に実装する電子部品としてＩＣのみを示したが、他の電子部品を実装した場合であっても、本発明に係るＳＡＷデバイスを逸脱するものでは無い。また、上記実施形態では、ＴＡＢ基板に形成した開口部と、ＳＡＷ素子片との大きさを等しく示したが、開口部は少なくともＳＡＷ素子片に形成された励振電極がキャビティの開口部側に晒される状態となるものであれば良い。また、実施形態では、ＳＡＷ素子片は２ポートの励振電極を有する旨図面に示したが、当然に他の構成を有するものであっても良い。

本発明のＳＡＷデバイスに係る第１の実施形態を示す図である。 本発明の実施形態に用いられるＴＡＢ基板の形状を示す平面図である。 ＳＡＷ素子片単体を示す平面図である。 第１の実施形態に係るＳＡＷデバイスを製造する工程の概略を示すフローである。 本発明のＳＡＷデバイスに係る第２の実施形態を示す図である。 第２の実施形態に係るＳＡＷデバイスを製造する工程の概略を示すフローである。 本発明のＳＡＷデバイスに係る第３の実施形態を示す図である。 本発明のＳＡＷデバイスを搭載する電子機器の例を示す図である。

符号の説明

１０，１１０………弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）、１２，１１２………弾性表面波素子片（ＳＡＷ素子片）、１４，１１４………パッケージ、１６，１１６………パッケージベース（ベース）、１６ａ，１１６ａ………キャビティ、１８，１１８………リッド、２０，１２０………シールリング、２２，１２２………ＴＡＢ基板、１２８………集積回路（ＩＣ）。

Claims (5)

1. パッケージ内に弾性表面波素子片を実装する弾性表面波デバイスであって、
   板面に開口部を形成したＴＡＢ基板と、
   前記ＴＡＢ基板に対して、前記開口部に励振電極を対向させて実装される弾性表面波素子片とを備え、
   前記ＴＡＢ基板を、前記弾性表面波素子片に形成された励振電極がパッケージベースの上部開口部側を向くように配置し、前記弾性表面波素子片は前記開口部に凸設したリードによって支持する構成としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
2. パッケージの底部に集積回路を実装し、前記集積回路の上部に弾性表面波素子片を実装する弾性表面波デバイスであって、
   前記集積回路の上部空間に掛け渡され、板面に開口部を形成したＴＡＢ基板を備え、
   前記弾性表面波素子片は、励振電極を前記開口部に対向させた状態で実装し、前記励振電極がパッケージベースの上部開口部側を向くように配置し、前記開口部に凸設したリードによって支持される構成としたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
3. 前記集積回路を、フリップチップボンディングにより実装したことを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波デバイス。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の弾性表面波デバイスのパッケージベースを封止するリッドに透光性材料を採用し、
   パッケージベースを封止した後に周波数調整を行うことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の弾性表面波デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。

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