JP2006324697A5 - - Google Patents
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- 全反射角の制限が緩められた凹凸状の光の取出し面を有するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法であって、
表面に凹凸が所定のパターンにて形成された基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に該凹凸を覆うようにＧａＮ系結晶を成長させて、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成した後、該基板だけを選択的に除去し得るエッチングにて、上記バッファ層および／または積層構造を、上記パターンを反転させたパターンの凹凸を呈すように露出させることにより、上記の光の取出し面を得ることを特徴とする、製造方法。 - 上記積層構造の形成に際して、上記凹凸の凹部内にもＧａＮ系結晶を成長させる、請求項１に記載の製造方法。
- 上記積層構造の形成に際して、ＧａＮ系結晶を上記凹凸の凹部内に空洞が残らないように成長させる、請求項１または２に記載の製造方法。
- 上記基板がＳｉ基板である、請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2006227012A JP4000172B2 (ja) | 2006-08-23 | 2006-08-23 | ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2006227012A JP4000172B2 (ja) | 2006-08-23 | 2006-08-23 | ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法 |
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| JP2002135064A Division JP3889662B2 (ja) | 2002-05-10 | 2002-05-10 | ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2006324697A JP2006324697A (ja) | 2006-11-30 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP4000172B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2012253304A (ja) * | 2011-06-07 | 2012-12-20 | Toshiba Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
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