JP2006319208A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高周波における導電部の電気的抵抗が低く、かつ高密度実装が可能となる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板1と、その上に設けられた絶縁層2と、絶縁層2上にあって回路を構成する導電部3とを備え、導電部3には、上面4aおよび下面4bにのみ凸部5、6が形成され、凸部5、6は、電流が流れる方向に延在する。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基板1と、その上に設けられた絶縁層2と、絶縁層2上にあって回路を構成する導電部3とを備え、導電部3には、上面4aおよび下面4bにのみ凸部5、6が形成され、凸部5、6は、電流が流れる方向に延在する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えばシリコンウエハ等の半導体基板上に絶縁層を介して導電部を備えた半導体装置およびその製造方法に関する。
近年では、コスト削減やチップ部品数の低減を目的として、インダクタ(誘導素子)等の受動素子を半導体基板上に集積化することが行われている。
一般に、高周波における導体の抵抗(交流抵抗)は直流抵抗より大きくなる。これは、電流が導体の表面に集中して流れる、いわゆる表皮効果のためである。電磁場の強さが表面の1/eになる深さである表皮深さδは、次式で表される。
一般に、高周波における導体の抵抗(交流抵抗)は直流抵抗より大きくなる。これは、電流が導体の表面に集中して流れる、いわゆる表皮効果のためである。電磁場の強さが表面の1/eになる深さである表皮深さδは、次式で表される。
導体の厚みが表皮深さδの3倍以上である場合には、それ以上厚くしても交流抵抗はほとんど低減しない。このため、周波数の上昇とともに導体損失が増え、インダクタのQ値は低下する。
図21は、従来の半導体装置の一例を示すもので、ここに示す集積回路50は、半導体基板51上に、絶縁層52およびシード層53が形成され、その上に導電部54が形成されている。導電部54の側面には凸部55が形成されている(特許文献1を参照)。
導電部54は、次のようにして作製することができる。
図22および図23に示すように、シード層53上にレジスト57を形成し、レジスト57を露光させる。この際、入射波と、シード層53表面からの反射波との干渉によって生じた定在波によって、レジスト57の側面に凹凸58が形成される。このため、メッキ法により形成された導電部54は、側面に凸部55が形成される。
この集積回路50では、導電部54の表面積を大きくし、抵抗を低減できる。
図24に示す回路配線60は、基板61上に設けられた配線導体62の表面に凹凸63を有する。配線導体62は、アディティブ法やセミアディティブ法により形成することができる。この回路配線60では、配線導体62の表面積が大きいため、高周波信号に対する配線導体の抵抗を小さくすることが可能となる(特許文献2を参照)。
特開平08−288463号公報
特開2001−352135号公報
導電部54は、次のようにして作製することができる。
図22および図23に示すように、シード層53上にレジスト57を形成し、レジスト57を露光させる。この際、入射波と、シード層53表面からの反射波との干渉によって生じた定在波によって、レジスト57の側面に凹凸58が形成される。このため、メッキ法により形成された導電部54は、側面に凸部55が形成される。
この集積回路50では、導電部54の表面積を大きくし、抵抗を低減できる。
図24に示す回路配線60は、基板61上に設けられた配線導体62の表面に凹凸63を有する。配線導体62は、アディティブ法やセミアディティブ法により形成することができる。この回路配線60では、配線導体62の表面積が大きいため、高周波信号に対する配線導体の抵抗を小さくすることが可能となる(特許文献2を参照)。
しかしながら、上記従来技術では、導電部に形成された凹凸が、隣接する導電部に電気的に悪影響を及ぼすことが懸念されることから、導電部間の間隔を狭くするのが難しい。また、凹凸により導電部が幅広となるため、導電部の高密度化が難しくなる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高周波における導電部の電気的抵抗が低く、かつ高密度実装が可能となる半導体装置を得ることを目的とする。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高周波における導電部の電気的抵抗が低く、かつ高密度実装が可能となる半導体装置を得ることを目的とする。
本発明の請求項1に係る半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上にあって回路を構成する導電部とを備え、前記導電部には、上面および/または下面にのみ凹凸が形成され、該凹凸は、電流が流れる方向に延在することを特徴とする。
本発明の請求項2に係る半導体装置は、請求項1において、前記導電部が、インダクタを含むことを特徴とする。
本発明の請求項2に係る半導体装置は、請求項1において、前記導電部が、インダクタを含むことを特徴とする。
本発明の請求項3に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上にあって回路を構成する導電部とを備え、前記導電部には、少なくとも下面に凹凸が形成され、該凹凸が、電流が流れる方向に延在する半導体装置を製造する方法であって、前記半導体基板上に前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に、導電部に電流が流れる方向に延在する溝部または突条を形成する工程と、前記溝部または突条の上に金属層を形成し、前記導電部とする工程を含むことを特徴とする。
本発明の請求項4に係る半導体装置の製造方法は、請求項3において、前記導電部が、インダクタと、これに接続された配線部を含み、前記溝部または突条が、インダクタが形成される位置と、配線部が形成される位置の両方に形成されることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る半導体装置の製造方法は、請求項3において、前記導電部が、インダクタと、これに接続された配線部を含み、前記溝部または突条が、インダクタが形成される位置と、配線部が形成される位置の両方に形成されることを特徴とする。
本発明によれば、導電部の上面および/または下面に、凹凸が形成されているので、導電部の表面積が大きく、表面電流が増大する。
また、前記凹凸は電流が流れる方向に延在するので、表面電流の導電経路が長くなることがない。従って、高周波における抵抗を低減できる。
さらには、前記凹凸が、導電部の上面および/または下面にのみ形成されているため、側部に凹凸が形成された導電部を有する従来装置に比べ、隣り合う導電部間の電気的な相互作用が小さい。このため、導電部間の間隔を小さくすることができる。
また、側部に凹凸が形成された導電部を有する従来装置に比べ、導電部の幅を狭くすることができる。従って、高密度実装が可能となる。
また、前記凹凸は電流が流れる方向に延在するので、表面電流の導電経路が長くなることがない。従って、高周波における抵抗を低減できる。
さらには、前記凹凸が、導電部の上面および/または下面にのみ形成されているため、側部に凹凸が形成された導電部を有する従来装置に比べ、隣り合う導電部間の電気的な相互作用が小さい。このため、導電部間の間隔を小さくすることができる。
また、側部に凹凸が形成された導電部を有する従来装置に比べ、導電部の幅を狭くすることができる。従って、高密度実装が可能となる。
図1および図2は、本発明の半導体装置の第1の例を示すもので、図1は導電部の構造を示す部分拡大斜視図、図2(a)はインダクタを示す平面図、図2(b)は、図2(a)におけるA−A線に沿う断面図である。
図1に示すように、この半導体装置は、半導体基板1と、その上に設けられた絶縁層2と、絶縁層2の上に設けられた導電部3とを備えている。
半導体基板1としては、シリコンウエハを例示できる。半導体基板1の表面には集積回路(図示略)を形成してもよい。
絶縁層2は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、SiN、SiO2等からなり、その厚さは例えば1〜30μmとすると良い。
図1および図2(b)に示すように、絶縁層2の上面2aには、導電部3の長手方向に沿って延在する溝部2bが形成されている。絶縁層2と導電部3との間には、後述するシード層(図示略)を形成することができる。
半導体基板1としては、シリコンウエハを例示できる。半導体基板1の表面には集積回路(図示略)を形成してもよい。
絶縁層2は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、SiN、SiO2等からなり、その厚さは例えば1〜30μmとすると良い。
図1および図2(b)に示すように、絶縁層2の上面2aには、導電部3の長手方向に沿って延在する溝部2bが形成されている。絶縁層2と導電部3との間には、後述するシード層(図示略)を形成することができる。
図1に示すように、導電部3は、回路を構成しており、矢印で示す長手方向に電流が流れるようになっている。導電部3の材料としては、Cu、Au等の金属を用いることができる。
図2(a)に示すように、導電部3は、平面視螺旋状のスパイラルコイルであるインダクタ9(誘導素子)と、インダクタ9の両端部9a、9bから延びる配線部10を備えている。なお、インダクタ9の形状は図示例に限定されない。
図2(a)に示すように、導電部3は、平面視螺旋状のスパイラルコイルであるインダクタ9(誘導素子)と、インダクタ9の両端部9a、9bから延びる配線部10を備えている。なお、インダクタ9の形状は図示例に限定されない。
図1および図2(b)に示すように、導電部3は、平板状の基部4と、その上面4aに形成された複数の凸部5と、基部4の下面4bに形成された複数の凸部6とを備えている。
基部4の厚さは、例えば1〜30μmとすると良い。基部4の厚さは表皮深さδの2倍以下とするのが好ましい。基部4の側面4cは、凹凸がなく略平坦に形成されている。
基部4の厚さは、例えば1〜30μmとすると良い。基部4の厚さは表皮深さδの2倍以下とするのが好ましい。基部4の側面4cは、凹凸がなく略平坦に形成されている。
凸部5は、基部4の長手方向に沿って延在しており、隣り合う凸部5の間は溝状の凹部7となっている。
同様に、凸部6は、基部4の長手方向に沿って延在しており、隣り合う凸部6の間は溝状の凹部8となっている。
凸部6は、絶縁層2に形成された溝部2b内に設けられており、これによって、基部4の下面4bが絶縁層2の上面2aに接している。
凸部5、6の断面形状は、特に限定されないが、矩形状、三角形状、半円状、円弧状などとすることができる。図示例では断面矩形状とされている。
なお、本発明において、「凹凸」は、凸部または凹部を意味する。
同様に、凸部6は、基部4の長手方向に沿って延在しており、隣り合う凸部6の間は溝状の凹部8となっている。
凸部6は、絶縁層2に形成された溝部2b内に設けられており、これによって、基部4の下面4bが絶縁層2の上面2aに接している。
凸部5、6の断面形状は、特に限定されないが、矩形状、三角形状、半円状、円弧状などとすることができる。図示例では断面矩形状とされている。
なお、本発明において、「凹凸」は、凸部または凹部を意味する。
凸部5、6の高さは、0.1〜30μm、好ましくは1〜5μmが好適である。図示例では、凸部5、6の高さは凹部7、8の深さとほぼ等しくなる。
凸部5、6の幅は、0.1〜30μm、好ましくは1〜5μmが好適である。凸部5、6の幅は表皮深さδの2倍以下とするのが好ましい。
隣り合う凸部5、6の間隔は、0.1〜30μm、好ましくは1〜5μmが好適である。
凸部5、6は、インダクタ9と配線部10のいずれか一方に形成してもよいが、両方に形成するのが好ましい。
凸部5、6の幅は、0.1〜30μm、好ましくは1〜5μmが好適である。凸部5、6の幅は表皮深さδの2倍以下とするのが好ましい。
隣り合う凸部5、6の間隔は、0.1〜30μm、好ましくは1〜5μmが好適である。
凸部5、6は、インダクタ9と配線部10のいずれか一方に形成してもよいが、両方に形成するのが好ましい。
凸部5、6の形成によって、導電部3の表面積が大きくなるため、表面電流を増大させることができる。また、凸部5、6は電流が流れる方向に延在するので、表面電流の導電経路が長くなることがない。
従って、高周波における抵抗を低減できる。このため、インダクタ9の損失を低減し、Q値を向上させることができる。
また、インダクタ9の損失を低減できるため、インダクタ9を小型化し、半導体装置を小型化することができる。
従って、高周波における抵抗を低減できる。このため、インダクタ9の損失を低減し、Q値を向上させることができる。
また、インダクタ9の損失を低減できるため、インダクタ9を小型化し、半導体装置を小型化することができる。
上記半導体装置では、凸部5、6は、基部4の上面4aおよび下面4bにのみ形成されているため、側部に凹凸が形成された導電部を有する従来装置に比べ、隣り合う導電部3間の電気的な相互作用が小さい。このため、導電部3間の間隔を小さくすることができる。
また、側部に凹凸が形成された導電部を有する従来装置に比べ、導電部3の幅を狭くすることができる。従って、高密度実装が可能となる。
また、側部に凹凸が形成された導電部を有する従来装置に比べ、導電部3の幅を狭くすることができる。従って、高密度実装が可能となる。
なお、導電部3の上には、必要に応じてポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなる封止層(図示略)を設けることができる。また、本発明では、導電部の上面および/または下面に凹部のみを設けた構成も可能である。
導電部3に流す高周波電流の周波数は、例えば0.1〜100GHz、好ましくは1〜10GHzが好適である。
次に、本発明の半導体装置の第2の例を、その製造方法とともに説明する。
図3に示すように、半導体基板1の上面に、ポリイミド樹脂などからなる絶縁層2を回転塗布法、印刷法、ラミネート法、LP−CVD法などによって形成する。
次いで、図4に示すように、絶縁層2の上に、スパッタ法、蒸着法などによりシード層11を形成する。シード層11は、例えばCu層とCr層からなる積層体、またはCu層とTi層からなる積層体とすることができる。
次いで、図5に示すように、シード層11の上に、第1レジスト12を形成する。第1レジスト12には、フォトリソグラフィ技術等により、導電部を形成すべき位置に開口部15を形成する。開口部15の内壁面15aは略平坦に形成されている。
次いで、図6に示すように、開口部15内に、メッキ法等によりCu等からなる基部14を形成する。基部14の側面14cは略平坦となる。
図3に示すように、半導体基板1の上面に、ポリイミド樹脂などからなる絶縁層2を回転塗布法、印刷法、ラミネート法、LP−CVD法などによって形成する。
次いで、図4に示すように、絶縁層2の上に、スパッタ法、蒸着法などによりシード層11を形成する。シード層11は、例えばCu層とCr層からなる積層体、またはCu層とTi層からなる積層体とすることができる。
次いで、図5に示すように、シード層11の上に、第1レジスト12を形成する。第1レジスト12には、フォトリソグラフィ技術等により、導電部を形成すべき位置に開口部15を形成する。開口部15の内壁面15aは略平坦に形成されている。
次いで、図6に示すように、開口部15内に、メッキ法等によりCu等からなる基部14を形成する。基部14の側面14cは略平坦となる。
次いで、図7に示すように、第1レジスト12および基部14の上に第2レジスト16を形成する。第2レジスト16には、フォトリソグラフィ技術等により、基部14に形成される凸部に応じた開口部17が形成される。開口部17は、基部14の長手方向に延びるように形成される。開口部17では、基部14の上面14aが露出する。
次いで、図8に示すように、開口部17内に、メッキ法等によりCu等からなる凸部21を形成する。
次いで、図9に示すように、レジスト12、16を除去するとともに、シード層11の不要部分をエッチングなどにより除去する。
これによって、基部14の上面14aに凸部21を有する導電部13が得られる。
次いで、図9に示すように、レジスト12、16を除去するとともに、シード層11の不要部分をエッチングなどにより除去する。
これによって、基部14の上面14aに凸部21を有する導電部13が得られる。
次に、本発明の半導体装置の第3の例を、その製造方法とともに説明する。
図10に示すように、半導体基板1の上面に、絶縁層22を形成する。
次いで、図11に示すように、絶縁層22の上面に、所定方向に沿って延びる開口部25を有するレジスト23を形成する。
次いで、図12に示すように、開口部25の形成により露出した絶縁層22に、エッチングなどにより溝部27を形成する。隣り合う溝部27の間は、突条28となる。
図10に示すように、半導体基板1の上面に、絶縁層22を形成する。
次いで、図11に示すように、絶縁層22の上面に、所定方向に沿って延びる開口部25を有するレジスト23を形成する。
次いで、図12に示すように、開口部25の形成により露出した絶縁層22に、エッチングなどにより溝部27を形成する。隣り合う溝部27の間は、突条28となる。
次いで、図13に示すように、レジスト23を除去した後、絶縁層22上にシード層30を形成する。シード層30には、溝部27に沿う溝部29が形成される。
次いで、図14に示すように、シード層30上にレジスト32を形成する。レジスト32には、溝部27を含む領域に開口部31を形成する。開口部31の内壁面31aは略平坦に形成されている。
次いで、図15に示すように、開口部31内に、メッキ法等によりCu等からなる金属層26を形成し、これを導電部33とする。
シード層30には溝部29が形成されているため、導電部33は、基部34と、その下面34bに形成された凸部35とを備えた形状となる。基部34の側面34cは略平坦となる。
この製造方法では、絶縁層22に溝部27を形成するので、下面側に凸部35を有する導電部33を容易に形成することができる。
次いで、図14に示すように、シード層30上にレジスト32を形成する。レジスト32には、溝部27を含む領域に開口部31を形成する。開口部31の内壁面31aは略平坦に形成されている。
次いで、図15に示すように、開口部31内に、メッキ法等によりCu等からなる金属層26を形成し、これを導電部33とする。
シード層30には溝部29が形成されているため、導電部33は、基部34と、その下面34bに形成された凸部35とを備えた形状となる。基部34の側面34cは略平坦となる。
この製造方法では、絶縁層22に溝部27を形成するので、下面側に凸部35を有する導電部33を容易に形成することができる。
導電部33がインダクタと配線部とを有する場合には(図2を参照)、絶縁層22に形成する溝部27は、インダクタが形成される位置と、配線部が形成される位置の両方に形成するのが好ましい。
これによって、インダクタと配線部の両方を同時に形成することができるため、製造工程を簡略化することができる。
これによって、インダクタと配線部の両方を同時に形成することができるため、製造工程を簡略化することができる。
次いで、図16に示すように、レジスト32を除去し、シード層30の不要部分を除去する。
なお、上記製造方法では、絶縁層22に溝部27を形成したが、これに限らず、溝部に代えて突条を形成することもできる。この方法を採用する場合も、導電部の下面に凸部または凹部を形成することができる。
次に、上述の第1の例の半導体装置を製造する方法を説明する。
図17に示すように、第3の例の半導体装置の製造方法と同様にして、絶縁層2に溝部27を形成し、その上にシード層30を形成する。次いで、開口部31を有する第1レジスト32を形成し、メッキ法等により開口部31に金属層43を形成する。金属層43は、基部4と、その下面4bに形成された凸部6とを備えた形状となる。
図17に示すように、第3の例の半導体装置の製造方法と同様にして、絶縁層2に溝部27を形成し、その上にシード層30を形成する。次いで、開口部31を有する第1レジスト32を形成し、メッキ法等により開口部31に金属層43を形成する。金属層43は、基部4と、その下面4bに形成された凸部6とを備えた形状となる。
次いで、図18に示すように、第1レジスト32および基部4の上に第2レジスト36を形成する。第2レジスト36には、凸部5に応じた形状の開口部37を形成する。開口部37では、基部4の上面4aが露出する。
次いで、図19に示すように、メッキ法等により開口部37に凸部5を形成する。
次いで、図20に示すように、レジスト32、36を除去するとともに、シード層30の不要部分をエッチングなどにより除去する。
これによって、基部4の上面4aに凸部5を有し、下面4bに凸部6を有する導電部3が得られる。
次いで、図19に示すように、メッキ法等により開口部37に凸部5を形成する。
次いで、図20に示すように、レジスト32、36を除去するとともに、シード層30の不要部分をエッチングなどにより除去する。
これによって、基部4の上面4aに凸部5を有し、下面4bに凸部6を有する導電部3が得られる。
本発明は、例えばインダクタがアンテナコイルとして機能する非接触ICタグ用半導体装置など、インダクタを有する各種半導体装置に適用できる。
1…半導体基板、2、22…絶縁層、3、13、33…導電部、4a、14a…上面、4b、34b…下面、5、6、21、35…凸部、7、8…凹部、9…インダクタ、10…配線部、26、43…金属層、27、29…溝部、28…突条
Claims (4)
- 半導体基板と、該半導体基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上にあって回路を構成する導電部とを備えた半導体装置であって、
前記導電部には、上面および/または下面にのみ凹凸が形成され、該凹凸は、電流が流れる方向に延在することを特徴とする半導体装置。 - 前記導電部は、インダクタを含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体基板と、該半導体基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上にあって回路を構成する導電部とを備え、前記導電部には、少なくとも下面に凹凸が形成され、該凹凸が、電流が流れる方向に延在する半導体装置を製造する方法であって、
前記半導体基板上に前記絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、導電部に電流が流れる方向に延在する溝部または突条を形成する工程と、
前記溝部または突条の上に金属層を形成し、前記導電部とする工程を含む半導体装置の製造方法。 - 前記導電部は、インダクタと、これに接続された配線部を含み、
前記溝部または突条は、インダクタが形成される位置と、配線部が形成される位置の両方に形成されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2016219828A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-12-22 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | チップ電子部品及びその製造方法、並びにその実装基板 |
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Legal Events
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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