JP2006313802A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 個片の半導体装置の回路基板1Aとなる、分割前の回路基板の各パッケージユニット領域内に、当該パッケージユニット領域の周方向に沿うスリットを形成し、そのスリットに金属材料を埋め込んで金属バリア19を形成し、金属バリア19を有した回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに切断する。この金属バリア19によって基板側面を保護することができる。
【選択図】 図1
Description
図15(a)に示すように、リードフレーム100に形成した複数のダイパッド部101のそれぞれに銀ペースト等の接着剤により半導体チップ103を接着して搭載し、各半導体チップ103の電極パッドとリードフレーム100のリード部102の所定接続箇所とを金線等の金属細線104で電気的に接続する。
図16(a)に示すように、回路基板1の一方の面に、パッケージユニット領域2ごとに半導体チップ3を1個(あるいは複数個)、銀ペースト等により搭載し、各半導体チップ3と回路基板1との電極部どうしを金線などの金属細線4により、あるいはフリップチップ法により接続して、半導体チップ3をそれぞれ搭載した複数のパッケージユニット5を形成する。
金属バリアは、各パッケージユニット領域内に基板厚み方向に配される金属コンタクト部と同時に形成することができる。また金属バリアは、各パッケージユニット領域内に基板厚み方向に配される金属コンタクト部の形成後に別途に形成することができる。
上記した製造方法で製造される本発明の半導体装置は、回路基板に半導体チップを搭載し、半導体チップと回路基板との電極部どうしを電気的に接続し、回路基板の半導体チップ搭載面を封止樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置において、前記回路基板の半導体チップ搭載面の周縁部に、基板厚み方向に突出する突起部を基板周方向に沿って複数個形成したものとなる。
図1は本発明の第1実施形態における樹脂封止型半導体装置の斜視図、図2は同半導体装置の横断面図、図3は同半導体装置の縦断面図である。
図4(a)に示すように、コア基板15aの両面にフィルム20を貼り付ける。コア基板15aは例えば、ガラスエポキシからなり、厚み100μm程度である。
次に図4(c)に示すように、ビアホール17a,スリット19aに導電性ペースト24を充填する。導電性ペースト24は例えば銅を主成分とするものを使用するが、導電性であればどのような成分でも構わない。このときビアホール17a,スリット19a以外の部分はフィルム20により導電性ペースト24から保護される。充填が終了したらフィルム20は不要となるので除去する。
この第2実施形態の樹脂封止型半導体装置32(以下半導体装置32という)が第1実施形態のものと相違するのは、個片の回路基板1Aに、第1実施形態に記載されたメタルバリア19は形成されず、半導体チップ搭載面に背反する面の表層膜、つまりソルダーレジスト18に、基板周方向に沿って延びる溝部26が連続的に形成されている点である。溝部26は、深さ数μm程度、幅50μm程度が望ましい。
また溝部26は、図7では、パッケージユニット領域に相応する回路基板1Aごとに独立して形成しているが、図10に示すように、分離領域を介して隣接した複数のパッケージユニット領域にわたって形成してもよく、同等の効果が得られる。
この第3実施形態の樹脂封止型半導体装置33(以下半導体装置33という)が第1実施形態のものと相違するのは、個片の回路基板1Aに、第1実施形態に記載されたメタルバリア19は形成されず、半導体チップ搭載面の周縁部に基板厚み方向に突出した突起28が基板周方向に沿って複数個、適当間隔で形成されている点である。
この第4実施形態の樹脂封止型半導体装置34(以下半導体装置34という)が第1実施形態のものと相違するのは、個片の回路基板1Aに、第1実施形態に記載されたメタルバリア19は形成されず、半導体チップ搭載面の表層膜、つまりソルダーレジスト18が、基板周縁部には形成されていない点である。これは、切断前の回路基板1においては、互いに隣接したパッケージユニット領域どうしを分離する分離領域(ダイシングレーン)にもソルダーレジスト18は形成されないことを意味する。
2 パッケージユニット領域
3 半導体チップ
5 パッケージユニット
6 封止樹脂
17 ビア
17a ビアホール
18 ソルダーレジスト
19 メタルバリア
19a スリット
24 導電性ペースト
26 溝部
28 突起
31,32,33,34 半導体装置
Claims (14)
- 回路基板に形成した複数のパッケージユニット領域の各々に半導体チップを搭載し、前記半導体チップとパッケージユニット領域との電極部どうしを電気的に接続して、複数のパッケージユニットを形成する工程と、前記複数のパッケージユニットの半導体チップ搭載面を一体に樹脂封止する工程と、前記回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに分割する工程とを行う樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、
前記回路基板の各パッケージユニット領域内の周縁部に予め、当該パッケージユニット領域の周方向に沿うスリットを形成し、前記スリットに金属材料を埋め込むことにより、金属バリアを形成し、この金属バリアを有した回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに切断する半導体装置の製造方法。 - 回路基板の複数層を貫通して金属バリアを形成する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 金属バリアを、各パッケージユニット領域内に基板厚み方向に配される金属コンタクト部と同時に形成する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 金属バリアを、各パッケージユニット領域内に基板厚み方向に配される金属コンタクト部の形成後に別途に形成する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 回路基板に半導体チップを搭載し、半導体チップと回路基板との電極部どうしを電気的に接続し、回路基板の半導体チップ搭載面を封止樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置において、
前記回路基板内の周縁部に、基板厚み方向に延びる金属バリアを基板周方向に沿って形成した半導体装置。 - 回路基板に形成した複数のパッケージユニット領域の各々に半導体チップを搭載し、前記半導体チップとパッケージユニット領域との電極部どうしを電気的に接続して、複数のパッケージユニットを形成する工程と、前記複数のパッケージユニットの半導体チップ搭載面を一体に樹脂封止する工程と、前記回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに分割する工程とを行う樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、
前記回路基板の半導体チップ搭載面に背反する面の表層膜に、各パッケージユニット領域内の周縁部において当該パッケージユニット領域の周方向に沿って延びる溝部を形成し、この溝部を有した回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに切断する半導体装置の製造方法。 - 溝部を、複数のパッケージユニット領域にわたって形成する請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 溝部を、外部接続用配線を露出させるための表層膜のパターニング時に同時に形成する
請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 回路基板に半導体チップを搭載し、半導体チップと回路基板との電極部どうしを電気的に接続し、回路基板の半導体チップ搭載面を封止樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置において、
前記回路基板の半導体チップ搭載面に背反する面の表層膜に、基板周方向に沿って延びる溝部を形成した半導体装置。 - 回路基板に形成した複数のパッケージユニット領域の各々に半導体チップを搭載し、前記半導体チップとパッケージユニット領域との電極部どうしを電気的に接続して、複数のパッケージユニットを形成する工程と、前記複数のパッケージユニットの半導体チップ搭載面を一体に樹脂封止する工程と、前記回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに分割する工程とを行う樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、
前記回路基板の半導体チップ搭載面における各パッケージユニット領域内の周縁部に予め、基板厚み方向に突出する突起部を当該パッケージユニット領域の周方向に沿って複数個形成し、この突起部を有した回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに切断する半導体装置の製造方法。 - 突起部を回路基板に一体に形成する請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 回路基板に半導体チップを搭載し、半導体チップと回路基板との電極部どうしを電気的に接続し、回路基板の半導体チップ搭載面を封止樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置において、
前記回路基板の半導体チップ搭載面の周縁部に、基板厚み方向に突出する突起部を基板周方向に沿って複数個形成した半導体装置。 - 回路基板に形成した複数のパッケージユニット領域の各々に半導体チップを搭載し、前記半導体チップとパッケージユニット領域との電極部どうしを電気的に接続して、複数のパッケージユニットを形成する工程と、前記複数のパッケージユニットの半導体チップ搭載面を一体に樹脂封止する工程と、前記回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに分割する工程とを行う樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、
前記回路基板の半導体チップ搭載面は、表層膜よりもその下層膜の材料が封止樹脂に対する密着性が強いときに、各パッケージユニット領域内の周縁部とパッケージユニット領域どうしの間の分離領域とを除いて前記表層膜を形成しておき、この回路基板および封止樹脂をパッケージユニットごとに切断する半導体装置の製造方法。 - 回路基板に半導体チップを搭載し、半導体チップと回路基板との電極部どうしを電気的に接続し、回路基板の半導体チップ搭載面を封止樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置において、
前記回路基板の半導体チップ搭載面の中央部を表層膜で被覆し、周縁部は前記表層膜よりも封止樹脂に対する密着性が強い下層膜を露出させた半導体装置。
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