JP2006310865A - 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 - Google Patents
原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006310865A JP2006310865A JP2006127186A JP2006127186A JP2006310865A JP 2006310865 A JP2006310865 A JP 2006310865A JP 2006127186 A JP2006127186 A JP 2006127186A JP 2006127186 A JP2006127186 A JP 2006127186A JP 2006310865 A JP2006310865 A JP 2006310865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- precursor
- solvent
- solution
- vaporized
- vaporizer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 9
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 9
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 8
- -1 β-diketonates Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- GFISDBXSWQMOND-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethoxyoxolane Chemical compound COC1CCC(OC)O1 GFISDBXSWQMOND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 claims description 5
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 claims description 4
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- GGBJHURWWWLEQH-UHFFFAOYSA-N butylcyclohexane Chemical compound CCCCC1CCCCC1 GGBJHURWWWLEQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N propylcyclohexane Chemical compound CCCC1CCCCC1 DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- HRJSLUPAMXKPPM-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-(3-methylphenyl)pyrazol-3-amine Chemical compound N1=C(C)C=C(N)N1C1=CC=CC(C)=C1 HRJSLUPAMXKPPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UCRXQUVKDMVBBM-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-amino-3-(4-phenylmethoxyphenyl)propanoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1COC(=O)C(N)CC(C=C1)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 UCRXQUVKDMVBBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 4
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002716 delivery method Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JIBLGKATRGJBSB-UHFFFAOYSA-N bismuth oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [Bi+3].[O-2].[Ti+4] JIBLGKATRGJBSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/8305—Miscellaneous [e.g., treated surfaces, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】THFなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ALD前駆体を用いる。不安定な溶質は溶液中で安定化されてもよく、溶液の全量が室温でデリバリされてもよい。溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液はは交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のALD膜を成長をする。
【選択図】なし
Description
安定なALD前駆体溶液を適切な溶媒中で調製する。前駆体溶質は、特定の用途に応じて、広範囲の低蒸気圧溶質又は固体から選択することができる。前駆体濃度は、液体流量及び気化条件、すなわち、圧力及び温度に応じて0.01M〜1Mに一般に維持される。前駆体溶質は、単分子又は多種であってもよく、多種混合物は多−三元薄膜を作る際に用いられる。溶液の主要成分は、通常のALDプロセスを邪魔しない溶媒である。溶媒の沸点がデリバリ中に溶媒損失を生じさせない程充分に高いが、気化器内で全体の気化を生じさせる程充分に低いように、溶媒は選択される。溶媒中前駆体溶質の混合物は、溶媒単独の場合よりも高い沸点を有することが多いが、溶媒は、デリバリ中又は気化器の入口にて溶質及び溶媒の時期尚早の分離を防止するために高い沸点を有する。気化器内でのALD前駆体の時期尚早の分解を防止する助けとして、0.0001M〜1Mの濃度を有する安定化添加剤を溶媒に添加してもよい。さらに、安定化添加剤は、前駆体の配位子部分と同じような特性を提供し、溶液の貯蔵寿命を長期化することができる。溶液は、室温でポンプにより予め選択された流量でデリバリされる。溶液が気化器に入った後、溶媒及び溶質のいずれも気化されて熱い蒸気流(hot vapor stream)を形成する。次いで、熱い蒸気は、室温で運転する迅速作動圧力スィング機構によりオン(on)とオフ(off)に切り換えられる。これは、粒子汚染、熱分解又は溶媒干渉に煩わされずに、通常のALD成長を実現させる。
溶媒の選択は、本発明によるALD前駆体溶液にとって重要である。特に、溶媒は室温でALD前駆体の合理的な溶解性を有しているべきであり、前駆体と化学的に親和性であるべきである。溶媒の沸点は前駆体溶質の沸点よりも低くても高くてもよいが、溶媒の沸点は、デリバリ中の溶媒損失を生じさせないように充分に高く、気化器内で全気化を生じさせるに充分低くあるべきである。溶媒分子は、基板表面上の反応サイトに対して前駆体分子と競合すべきではない。たとえば、溶媒は、表面水酸基との反応によって表面上に化学的に吸着されてはならない。溶媒分子又はそれらのフラグメントは、ALD固体膜組成物の部分であるべきではない。本発明に有用な溶媒の例はTable 5に示すが、これらに限定されず、上述の基準に合致する適宜の溶媒を用いることができる。
気化器内でのALD前駆体の時期尚早の分解を防止してALD前駆体溶液の貯蔵寿命を長期化させるための安定化剤を添加してもよい。しかし、溶液中の前駆体は、安定化添加剤の使用の有無にかかわらず室温で通常安定である。一度、固体前駆体が溶媒中に溶解してしまうと、液体溶液は、液体計量ポンプ、マスフローコントローラ、シリンジポンプ、毛細管、ステップポンプ、マイクロステップポンプその他適宜の設備を用いて室温でデリバリされ得る。流量は、堆積システムの寸法に応じて、10nL/min〜10mL/minに制御される。すなわち、流量は、より大きな堆積システムにとって必要であるようにスケールアップされ得る。
固体アルミニウムi−プロポキシドをエチルシクロヘキサン又はTable 5に示す他の溶媒中に溶解させる。THF、1,4−ジオキサン及びDMFなどの酸素含有有機化合物などの安定化剤を添加してもよい。アルミニウム前駆体の濃度は、0.1M〜0.2Mの間である。液体流量は10nL/min〜10μL/minに制御する。水を気相反応物質として用いる。気化器及び堆積室の温度はそれぞれ、150℃〜300℃及び250℃〜400℃に設定する。Al-溶液、パージ、水及びパージ工程に対する典型的なパルス時間は、それぞれ0.1〜10秒、1〜10秒、0.1〜10秒及び1〜10秒である。図2の上部は、サイクル数の関数としてのALD Al2O3の線形成長を示す。ここで、Y軸は膜厚(Å)である。図2の下部は、時間領域で拡大した3種の成長サイクルを示す。ここで、デジタル化されたAl溶液パルス(A)及び水蒸気パルス(B)を膜厚t(Å)と一緒にプロットする。
固体[(t-Bu)Cp]2HfMe2をエチルシクロヘキサン又はTable 5に示した他の溶媒中に溶解させる。THF、1,4−ジオキサン、DMF、Cp等の酸素含有有機化合物などの安定化剤を添加してもよい。Hf前駆体濃度は0.1M〜0.2Mに設定する。液体流量は10nL/min〜10μL/minに制御する。水を気相反応物質として用いる。気化器及び堆積室の温度をそれぞれ200℃〜300℃及び200℃〜400℃に設定する。Hf-溶液、パージ、水及びパージ工程に対する典型的なパルス時間は、それぞれ、0.1〜10秒、1〜10秒、0.1〜10秒及び1〜10秒である。図3の上部は、サイクル数の関数としてALD HfO2の線形成長を示す。ここでY軸は膜厚(Å単位)を示す。3種の一部拡大グラフは、それぞれ、1秒及び10秒に固定した水蒸気パルス及びN2 パージ時間での0.5秒、1秒及び10秒の異なるHf溶液パルス時間を示す。図4は、XPS分析を用いたHfO2膜組成を示す。ここで、上部は環境中炭素汚染を伴う表面XPSであり、下部は1分のスパッタリング後のALD膜組成である。結果は、本発明を用いると不純物の組み込みがないことを示す。
自己制御式ALD成長は、3種の異なる温度設定の各々に対して図5に示されている。ここで、堆積表面を過飽和するために金属前駆体パルス長を0秒から1秒に増加させる。X軸は、Hf前駆体パルス長(秒)であり、Y軸は膜QCM成長速度(Å/サイクル)である。図示するように、成長速度は飽和後、前駆体線量とは独立であり、真のALD堆積であることが確認される。水蒸気パルス長は、試験中、1秒に固定した。この実施例において、0.2M[(t-Bu)Cp]2HfMe2をオクタン中に溶解させる。XPSデータは、O/Hf比率が2であり、炭素不純物が0.1%の検出限界未満であることを示す。
実施例3:HfO 2 薄膜
固体テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロポキシド)ハフニウム(IV)、Hf(mmp)4をエチルシクロヘキサン又はTable 5に示す他の溶媒中に溶解させる。THF、1,4−ジオキサン、DMF、Cp等の酸素含有有機化合物などの安定化剤を添加してもよい。Hf前駆体濃度は0.1M〜0.2Mに設定する。液体流量は10nL/min〜10μL/minに制御する。水を気相反応物質として用いる。気化器及び堆積室の温度は、それぞれ150℃〜300℃及び200℃〜350℃に設定する。Hf-溶液、パージ、水及びパージ工程に対する典型的なパルス時間は、それぞれ0.1〜10秒、1〜10秒、0.1〜10秒及び1〜10秒である。図6は、サイクル数の関数としてALD HfO2の線形成長を示す。ここで、Y軸は膜厚(Å)である。図7は、表面汚染を取り除くために2分間スパッタリングした後にXPS分析を用いる、本実施例で形成されたHfO2 膜組成を示す。結果は、本発明を用いると不純物の組み込みがないことを示す。XPSデータは、O/Hf比率が2.3であり、炭素不純物が0.1%の検出限界未満であることを示す。
Ba(O-iPr)2、Sr(O-iPr)2及びTi(O-iPr)4の固体を異なる混合比率でエチルシクロヘキサン又はTable 5に示した他の溶媒中に溶解させる。THF、1,4−ジオキサン及びDMFなどの酸素含有有機化合物などの安定化剤を添加してもよい。BST前駆体濃度は各成分に対して0.1M〜0.2Mに設定する。液体流量は10nL/min〜10μL/minに設定する。水を気相反応物質として用いる。気化器及び堆積室の温度は、それぞれ、200℃〜350℃及び300℃〜400℃に設定する。混合溶液、パージ、水及びパージ工程に対する典型的なパルス時間は、それぞれ、0.1〜10秒、1〜10秒、0.1〜10秒及び1〜10秒である。図8の上部は、サイクル数の関数としてALD BSTの 線形成長を示す。ここでY軸は、膜厚(Å)である。図8の下部は、デジタル化されたBST溶液パルス及び水蒸気パルスを膜厚t(Å)と一緒にプロットした時間領域で拡大した4.5回の成長サイクルを示す。
固体RuCp2をジオキサン、ジオキサン/オクタン又は2,5−ジメチルオキシテトラヒドロフラン/オクタン中に溶解させる。Ru前駆体濃度は0.05M〜0.2Mに設定する。Cpなどの安定化剤を添加してもよい。液体流量は10nL/min〜10μL/minに制御する。 酸素ガスを燃焼剤として用いる。気化器及び堆積室の温度をそれぞれ140℃〜300℃及び300℃〜400℃に設定する。Ru溶液、パージ、酸素及びパージ工程に対する典型的なパルス時間は、それぞれ0.1〜10秒、1〜10秒、0.1〜10秒及び1〜10秒である。図9は、表面汚染を取り除くために1.5分スパッタリングした後にXPS分析を用いるRu 膜組成を示す。結果は、本発明を用いると不純物の組み込みがないことを示す。膜抵抗は4点プローブ計測により約12μOhm*cmである。
Claims (29)
- 気化された前駆体溶液及び気化された反応溶液を堆積室に交互にデリバリする工程;
堆積室内で前駆体溶液及び反応溶液の成分の単層を基板表面に形成する工程;及び
所定厚の薄膜が形成されるまで繰り返す工程を含み;
気化された前駆体溶液は溶媒中に溶解している低揮発性前駆体を1種以上含み、
前駆体溶液は室温で気化器にデリバリされ、分解又は凝縮なく気化されることを特徴とする原子層堆積方法。 - 前記前駆体は固体である、請求項1に記載の方法。
- 前記前駆体は、ハライド類、アルコキシド類、β−ジケトナート類、硝酸塩類、アルキルアミド類、アミジナート類、シクロペンタジエニル類及び有機若しくは無機の金属又は非金属の化合物の他の形態からなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記前駆体は、Hf[N(EtMe)]4、Hf(NO3)4、HfCl4、HfI4、[(t-Bu)Cp]2HfMe2、Hf(O2C5H11)4、Cp2HfCl2、Hf(OC4H9)4、Hf(OC2H5)4、Al(OC3H7)3、Pb(OC(CH3)3)2、Zr(OC(CH3)3)4、Ti(OCH(CH3)2)4、Ba(OC3H7)2、Sr(OC3H7)2、Ba(C5Me5)2、Sr(C5i-Pr3H2)2、Ti(C5Me5)(Me3)、Ba(thd)2 *トリグリム、Sr(thd)2 *トリグリム、Ti(thd)3、RuCp2、Ta(NMe2)5及びTa(NMe2)3(NC9H11)からなる群より選択される、請求項3に記載の方法。
- 前駆体溶液中の前記前駆体濃度は0.01M〜1Mである、請求項1に記載の方法。
- 前記前駆体溶液は、THF、1,4−ジオキサン及びDMFなどの酸素含有有機化合物からなる群より選択される0.0001M〜1Mの濃度を有する安定化添加剤をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記溶媒は、気化中に溶媒損失がないことを保証するように選択される沸点を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記溶媒は、ジオキサン、トルエン、n−ブチルアセテート、オクタン、エチルシクロヘキサン、2−メトキシエチルアセテート、シクロヘキサノン、プロピルシクロヘキサン、2−メトキシエチルエーテル(ジグリム)、ブチルシクロヘキサン及び2,5−ジメチルオキシテトラヒドロフランからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記反応溶液は、水、酸素、オゾン、水素、アンモニア、シラン、ジシラン、ジボラン、硫化水素、有機アミン類及びヒドラジン類又は他の気体状分子又はプラズマ若しくはラジカル源からなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 気化された前駆体溶液のデリバリは、10nL/min〜10ml/minの流量でのデリバリを含む、請求項1に記載の方法。
- 前駆体溶液は、100℃〜350℃の温度及び-14psig〜+10psigの圧力で気化される、請求項1に記載の方法。
- 気化された前駆体溶液及び気化された反応溶液の各交互デリバリの間に、堆積室をパージする工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 気化された前駆体溶液は、0.1秒〜10秒間でデリバリされ、第1のパージは1秒〜10秒間行われ、気化された反応溶液は0.1秒〜10秒間でデリバリされ、第2のパージは1秒〜10秒間行われる、請求項11に記載の方法。
- 前駆体、溶媒及び薄膜の組み合わせは、前駆体アルミニウムi−プロポキシド、溶媒エチルシクロヘキサン又はオクタン、薄膜Al2O3;前駆体[(t-Bu)Cp]2HfMe2、溶媒エチルシクロヘキサン又はオクタン、薄膜HfO2;前駆体テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロポキシド)ハフニウム(IV)、溶媒エチルシクロヘキサン又はオクタン、薄膜HfO2;前駆体ハフニウムtert−ブトキシド又はハフニウムエトキシド、溶媒エチルシクロヘキサン又はオクタン、薄膜HfO2;前駆体Ba(O-iPr)2、Sr(O-iPr)2及びTi(O-iPr)4の混合物、溶媒エチルシクロヘキサン又はオクタン、薄膜BST;及び前駆体RuCp2、溶媒ジオキサン、ジオキサン/オクタン又は2,5−ジメチルオキシテトラヒドロフラン/オクタン、薄膜Ruからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 一定の揚水速度で、真空チャンバから原子層堆積室に関連する気化器の出口まで運転することを含む、気化された溶液前駆体を原子層堆積室にデリバリする方法。
- 原子層堆積室に関連する気化器を一定圧力で運転することを含む、気化された溶液前駆体を原子層堆積室までデリバリする方法。
- 気化器内の一定圧力は、気化器の出口での揚水速度を制御し、気化器への入口での液体流量を制御することにより維持される、請求項16に記載の方法。
- 溶媒中に溶解している低揮発性前駆体を1種以上含む前駆体溶液源;
反応溶液源;
前駆体溶液源及び反応溶液源のそれぞれと接続している気化器;
気化器に接続している原子層堆積室を具備し、
前駆体溶液源は室温に維持されることを特徴とする原子層堆積装置。 - 前記低揮発性前駆体は固体である、請求項18に記載の装置。
- 前記低揮発性前駆体は、ハライド類、アルコキシド類、β−ジケトナート類、硝酸塩類、アルキルアミド類、アミジナート類、シクロペンタジエニル類及び有機もしくは無機の金属又は非金属の化合物の他の形態からなる群より選択される、請求項18に記載の装置。
- 前記低揮発性前駆体は、Hf[N(EtMe)]4、Hf(NO3)4、HfCl4、HfI4、[(t-Bu)Cp]2HfMe2、Hf(O2C5H11)4、Cp2HfCl2、Hf(OC4H9)4、Hf(OC2H5)4、Al(OC3H7)3、Pb(OC(CH3)3)2、Zr(OC(CH3)3)4、Ti(OCH(CH3)2)4、Ba(OC3H7)2、Sr(OC3H7)2、Ba(C5Me5)2、Sr(C5i-Pr3H2)2、Ti(C5Me5)(Me3)、Ba(thd)2 *トリグリム、Sr(thd)2 *トリグリム、Ti(thd)3、RuCp2、Ta(NMe2)5及びTa(NMe2)3(NC9H11)からなる群より選択される、請求項20に記載の装置。
- 前駆体溶液中の前記低揮発性前駆体濃度は0.01M〜1Mである、請求項18に記載の装置。
- 前記前駆体溶液は、0.0001M〜1Mの濃度を有するTHF、1,4−ジオキサン及びDMFなどの酸素含有有機化合物からなる群より選択される安定化添加剤をさらに含む、請求項18に記載の装置。
- 前記溶媒は、気化中に溶媒損失がないことを保証するように選択される沸点を有する、請求項18に記載の装置。
- 前記溶媒は、ジオキサン、トルエン、n−ブチルアセテート、オクタン、エチルシクロヘキサン、2−メトキシエチルアセテート、シクロヘキサノン、プロピルシクロヘキサン、2−メトキシエチルエーテル(ジグリウム)、ブチルシクロヘキサン及び2,5−ジメチルオキシテトラヒドロフランからなる群より選択される、請求項18に記載の装置。
- 前記反応溶液は、水、酸素、オゾン、水素、アンモニア、シラン、ジシラン、ジボラン、硫化水素、有機アミン類及びヒドラジン類又は他の気体状分子又はプラズマもしくはラジカル源からなる群より選択される、請求項18に記載の装置。
- 原子層堆積室と接続しているパージガス源をさらに具備する、請求項18に記載の装置。
- 請求項1に記載の方法により形成される薄膜。
- 前記薄膜は不純物汚染がない、請求項28に記載の薄膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US67649105P | 2005-04-29 | 2005-04-29 | |
US11/400,904 US7514119B2 (en) | 2005-04-29 | 2006-04-10 | Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012168428A Division JP2012214909A (ja) | 2005-04-29 | 2012-07-30 | 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310865A true JP2006310865A (ja) | 2006-11-09 |
Family
ID=36809616
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006127186A Pending JP2006310865A (ja) | 2005-04-29 | 2006-05-01 | 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 |
JP2012168428A Pending JP2012214909A (ja) | 2005-04-29 | 2012-07-30 | 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012168428A Pending JP2012214909A (ja) | 2005-04-29 | 2012-07-30 | 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7514119B2 (ja) |
EP (3) | EP2281922A3 (ja) |
JP (2) | JP2006310865A (ja) |
KR (1) | KR101332877B1 (ja) |
CN (2) | CN101063196B (ja) |
SG (2) | SG160432A1 (ja) |
TW (1) | TWI393803B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008105451A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Limited | SrTiO3膜の成膜方法および記憶媒体 |
JP2009079290A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-04-16 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 前駆体組成物及び方法 |
WO2009118901A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 株式会社日立国際電気 | 薄膜形成方法 |
JP2009545135A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-17 | リンデ・インコーポレーテッド | 改良された原子層堆積法 |
KR100958332B1 (ko) | 2008-01-28 | 2010-05-18 | (주)디엔에프 | 신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
JP2012526811A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | リンデ アクチエンゲゼルシャフト | 原子層堆積のための溶液ベースのジルコニウム前駆体 |
JP2013189713A (ja) * | 2008-04-22 | 2013-09-26 | Picosun Oy | 堆積反応炉のための装置および方法 |
JP2014013888A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-23 | Air Products And Chemicals Inc | 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 |
US9337018B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-05-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
WO2019003695A1 (ja) | 2017-06-29 | 2019-01-03 | 株式会社Adeka | 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規な化合物 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI117979B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
JP2009539237A (ja) | 2006-06-02 | 2009-11-12 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 新規なチタン、ジルコニウムおよびハフニウム前駆体をベースとするhigh−k誘電体フィルムを形成する方法および半導体製造におけるそれらの使用 |
DE102006027932A1 (de) * | 2006-06-14 | 2007-12-20 | Aixtron Ag | Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen |
JP5248508B2 (ja) | 2006-09-22 | 2013-07-31 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ルテニウム含有膜の堆積方法 |
WO2008102320A2 (en) | 2007-02-21 | 2008-08-28 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Methods for forming a ruthenium-based film on a substrate |
US20080254218A1 (en) | 2007-04-16 | 2008-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition |
KR101227446B1 (ko) * | 2007-07-31 | 2013-01-29 | 삼성전자주식회사 | 강유전체막의 형성 방법 및 이를 이용한 강유전체커패시터의 제조 방법 |
JP4472008B2 (ja) | 2007-08-30 | 2010-06-02 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
US8039062B2 (en) * | 2007-09-14 | 2011-10-18 | Sigma-Aldrich Co. Llc | Methods of atomic layer deposition using hafnium and zirconium-based precursors |
US20090117274A1 (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-07 | Ce Ma | Solution based lanthanum precursors for atomic layer deposition |
US8853075B2 (en) | 2008-02-27 | 2014-10-07 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ALD) process |
WO2009116004A2 (en) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Alkali earth metal precursors for depositing calcium and strontium containing films |
WO2009118708A1 (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Deposition of ternary oxide films containing ruthenium and alkali earth metals |
TWI447256B (zh) * | 2008-03-26 | 2014-08-01 | Air Liquide | 含有釕及鹼土金屬的三元氧化物膜的沈積 |
WO2009119968A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | Oxide semiconductor thin film and fabrication method thereof |
DE102008017077B4 (de) * | 2008-04-01 | 2011-08-11 | Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, 14109 | Verfahren zur Herstellung einer n-halbleitenden Indiumsulfid-Dünnschicht |
US7816200B2 (en) * | 2008-04-22 | 2010-10-19 | Applied Materials, Inc. | Hardware set for growth of high k and capping material films |
US8261908B2 (en) * | 2008-12-05 | 2012-09-11 | Linde Aktiengesellschaft | Container for precursors used in deposition processes |
US20100290968A1 (en) * | 2009-05-13 | 2010-11-18 | Ce Ma | Solution based lanthanide and group iii precursors for atomic layer deposition |
FR2950080B1 (fr) * | 2009-09-17 | 2012-03-02 | Essilor Int | Procede et dispositif de depot chimique en phase gazeuse d'un film polymere sur un substrat |
US20110256314A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-10-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for deposition of group 4 metal containing films |
WO2011106072A2 (en) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions |
US8357614B2 (en) | 2010-04-19 | 2013-01-22 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Ruthenium-containing precursors for CVD and ALD |
KR101234019B1 (ko) * | 2011-10-11 | 2013-02-18 | 주식회사 에스에프에이 | 유기전계 발광표시장치 제조용 라미네이터 |
KR101881894B1 (ko) | 2012-04-06 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 |
KR20160036661A (ko) | 2013-07-26 | 2016-04-04 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 환식 아민의 금속 아미드 |
JP6258657B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
TWI739285B (zh) | 2014-02-04 | 2021-09-11 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沉積 |
US10428421B2 (en) * | 2015-08-03 | 2019-10-01 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces |
TW201823501A (zh) | 2016-11-16 | 2018-07-01 | 美商陶氏全球科技有限責任公司 | 用於製造膜上之薄塗層之方法 |
KR102103346B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2020-04-22 | 에스케이트리켐 주식회사 | 박막 증착용 전구체 용액 및 이를 이용한 박막 형성 방법. |
US10975470B2 (en) * | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
EP3575004B1 (en) * | 2018-05-29 | 2023-06-28 | IMEC vzw | Redox atomic layer deposition |
SE543244C2 (en) | 2019-03-06 | 2020-10-27 | 3Nine Ab | Method and installation for reduction of sulfur dioxides in exhaust gases from a marine diesel engine |
CN111501016A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-08-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种高均一性的原子层沉积方法及其应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002060944A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-02-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成 |
JP2003522829A (ja) * | 1999-11-18 | 2003-07-29 | ジニテック カンパニー リミテッド | 液体原料の気化方法及びそれに用いられる装置 |
JP2004023043A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Toshiba Corp | 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL9002164A (nl) * | 1990-10-05 | 1992-05-06 | Philips Nv | Werkwijze voor het voorzien van een substraat van een oppervlaktelaag vanuit een damp en een inrichting voor het toepassen van een dergelijke werkwijze. |
US5376409B1 (en) | 1992-12-21 | 1997-06-03 | Univ New York State Res Found | Process and apparatus for the use of solid precursor sources in liquid form for vapor deposition of materials |
US5451260A (en) | 1994-04-15 | 1995-09-19 | Cornell Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for CVD using liquid delivery system with an ultrasonic nozzle |
JPH11111644A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Japan Pionics Co Ltd | 気化供給装置 |
JP2000026974A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-25 | Fujitsu Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
US6821845B1 (en) * | 1998-10-14 | 2004-11-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6178925B1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-01-30 | Advanced Technology Materials, Inc. | Burst pulse cleaning method and apparatus for liquid delivery system |
US6635114B2 (en) * | 1999-12-17 | 2003-10-21 | Applied Material, Inc. | High temperature filter for CVD apparatus |
DE10003758A1 (de) | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Aixtron Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden wenigstens eines in flüssiger oder gelöster Form vorliegenden Prekursors |
WO2002027063A2 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-04 | President And Fellows Of Harward College | Vapor deposition of oxides, silicates and phosphates |
US6664186B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method of film deposition, and fabrication of structures |
KR100787309B1 (ko) * | 2000-10-18 | 2007-12-21 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 루테늄막 및 산화 루테늄막, 및 그 형성 방법 |
US7005392B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-02-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same |
US6420279B1 (en) * | 2001-06-28 | 2002-07-16 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods of using atomic layer deposition to deposit a high dielectric constant material on a substrate |
US6824816B2 (en) * | 2002-01-29 | 2004-11-30 | Asm International N.V. | Process for producing metal thin films by ALD |
KR100468847B1 (ko) * | 2002-04-02 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 알콜을 이용한 금속산화물 박막의 화학기상증착법 |
TWI277140B (en) | 2002-07-12 | 2007-03-21 | Asm Int | Method and apparatus for the pulse-wise supply of a vaporized liquid reactant |
JP4696454B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2011-06-08 | 東ソー株式会社 | 新規有機イリジウム化合物、その製造方法、及び膜の製造方法 |
US6907897B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-06-21 | Planar Systems, Inc. | Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition |
US7107998B2 (en) * | 2003-10-16 | 2006-09-19 | Novellus Systems, Inc. | Method for preventing and cleaning ruthenium-containing deposits in a CVD apparatus |
-
2006
- 2006-04-10 US US11/400,904 patent/US7514119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-25 EP EP20100012892 patent/EP2281922A3/en not_active Withdrawn
- 2006-04-25 EP EP20060252213 patent/EP1717343A3/en not_active Withdrawn
- 2006-04-25 EP EP20100012891 patent/EP2298957A3/en not_active Withdrawn
- 2006-04-27 SG SG201001996-6A patent/SG160432A1/en unknown
- 2006-04-27 SG SG200602842A patent/SG126910A1/en unknown
- 2006-04-28 TW TW95115406A patent/TWI393803B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-04-28 KR KR1020060039001A patent/KR101332877B1/ko active IP Right Grant
- 2006-04-29 CN CN2006100778013A patent/CN101063196B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-04-29 CN CN200910258557A patent/CN101818335A/zh active Pending
- 2006-05-01 JP JP2006127186A patent/JP2006310865A/ja active Pending
-
2009
- 2009-03-03 US US12/396,806 patent/US20090220374A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-07-30 JP JP2012168428A patent/JP2012214909A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003522829A (ja) * | 1999-11-18 | 2003-07-29 | ジニテック カンパニー リミテッド | 液体原料の気化方法及びそれに用いられる装置 |
JP2002060944A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-02-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成 |
JP2004023043A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Toshiba Corp | 成膜方法、成膜装置、および半導体装置の製造方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009545135A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-17 | リンデ・インコーポレーテッド | 改良された原子層堆積法 |
WO2008105451A1 (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Limited | SrTiO3膜の成膜方法および記憶媒体 |
JP2008218555A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Ltd | SrTiO3膜の成膜方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
KR101156305B1 (ko) | 2007-03-01 | 2012-06-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | SrTiO3막의 성막 방법 및 기억 매체 |
US8361550B2 (en) * | 2007-03-01 | 2013-01-29 | Tokyo Electron Limited | Method for forming SrTiO3 film and storage medium |
JP2009079290A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-04-16 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 前駆体組成物及び方法 |
KR100958332B1 (ko) | 2008-01-28 | 2010-05-18 | (주)디엔에프 | 신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
WO2009118901A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 株式会社日立国際電気 | 薄膜形成方法 |
JP2013189713A (ja) * | 2008-04-22 | 2013-09-26 | Picosun Oy | 堆積反応炉のための装置および方法 |
JP2012526811A (ja) * | 2009-05-13 | 2012-11-01 | リンデ アクチエンゲゼルシャフト | 原子層堆積のための溶液ベースのジルコニウム前駆体 |
JP2014013888A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-23 | Air Products And Chemicals Inc | 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 |
JP2015159306A (ja) * | 2012-06-01 | 2015-09-03 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法 |
US9337018B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-05-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
KR20160133397A (ko) * | 2012-06-01 | 2016-11-22 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 유기아미노디실란 전구체 및 이를 포함하는 막을 증착시키는 방법 |
US9613799B2 (en) | 2012-06-01 | 2017-04-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing films with organoaminodisilane precursors |
US9627193B2 (en) | 2012-06-01 | 2017-04-18 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US9978585B2 (en) | 2012-06-01 | 2018-05-22 | Versum Materials Us, Llc | Organoaminodisilane precursors and methods for depositing films comprising same |
KR101910020B1 (ko) | 2012-06-01 | 2018-10-19 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 유기아미노디실란 전구체 및 이를 포함하는 막을 증착시키는 방법 |
WO2019003695A1 (ja) | 2017-06-29 | 2019-01-03 | 株式会社Adeka | 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及び新規な化合物 |
KR20200024851A (ko) | 2017-06-29 | 2020-03-09 | 가부시키가이샤 아데카 | 박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법 및 신규 화합물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG126910A1 (en) | 2006-11-29 |
EP2281922A2 (en) | 2011-02-09 |
SG160432A1 (en) | 2010-04-29 |
KR101332877B1 (ko) | 2013-11-25 |
EP2281922A3 (en) | 2011-06-22 |
US7514119B2 (en) | 2009-04-07 |
CN101063196A (zh) | 2007-10-31 |
JP2012214909A (ja) | 2012-11-08 |
US20090220374A1 (en) | 2009-09-03 |
CN101818335A (zh) | 2010-09-01 |
KR20060113556A (ko) | 2006-11-02 |
CN101063196B (zh) | 2010-08-25 |
EP2298957A2 (en) | 2011-03-23 |
EP1717343A3 (en) | 2007-12-12 |
EP1717343A2 (en) | 2006-11-02 |
TWI393803B (zh) | 2013-04-21 |
TW200710267A (en) | 2007-03-16 |
US20060269667A1 (en) | 2006-11-30 |
EP2298957A3 (en) | 2011-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006310865A (ja) | 原子層堆積に溶液系前駆体を用いる方法及び装置 | |
US7544389B2 (en) | Precursor for film formation and method for forming ruthenium-containing film | |
US9117773B2 (en) | High concentration water pulses for atomic layer deposition | |
JP3462852B2 (ja) | 化学気相成長法によって薄膜を製造する方法と装置 | |
EP2196557B1 (en) | Precursors for depositing group 4 metal-containing films | |
EP2132357A2 (en) | Methods for forming a ruthenium-based film on a substrate | |
US20120295038A1 (en) | Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition | |
KR100418569B1 (ko) | 단원자층증착을 이용한 고유전체 박막 형성방법 | |
CN101208456A (zh) | 包括β-双烯酮亚胺金属化合物的原子层沉积系统和方法 | |
US20090117274A1 (en) | Solution based lanthanum precursors for atomic layer deposition | |
US20100290945A1 (en) | Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition | |
KR20120056827A (ko) | 고온에서 원자층 침착에 의해 침착된 고 유전율 막 | |
US8261908B2 (en) | Container for precursors used in deposition processes | |
JP2012526919A (ja) | 原子層堆積のための溶液ベースのランタニド及び第iii族前駆体 | |
JP2004256510A (ja) | Cvd用ビスマス原料溶液及びこれを用いたビスマス含有薄膜の製造方法 | |
US20120294753A1 (en) | Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition | |
KR20050015441A (ko) | 산화하프늄 박막 증착 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110711 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110804 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111007 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111013 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111110 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111115 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111209 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120730 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120730 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20121025 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20121214 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130409 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130412 |