JP2006310476A - 半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ - Google Patents

Abstract

【課題】回路テープの製造や保管のための共巻き用に使用されるスペーサーテープであって、回路テープを損傷することがなく、生産性に優れ、安価で耐久性に優れるスペーサーテープを提供する。
【解決手段】半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ１は、少なくとも２層のプラスチックフィルムが積層されてなる、厚さが５００μｍ以下のラミネートスペーサーテープであって、該スペーサーテープ１の片面にのみに、少なくとも２列の突起２が長さ方向に設けられていることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体実装回路テープの製造や保管の際に共巻き用として用いられる、ラミネートスペーサーテープに関するものである。

近年、パソコンやテレビなどのディスプレイには、省スペース化等の観点から薄型化が要求されている。そのため、液晶ディスプレイパネル（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイに対する需要が高まっている。これらのフラットパネルディスプレイを駆動させるためには、通常駆動用の半導体が用いられ、このような駆動用の半導体の多くは、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）もしくはＣＯＦ（Chip on Flex Circuit）と呼ばれる半導体実装回路テープ（以下、単に「回路テープ」とも記す）に実装される。

これらの回路テープの製造は、通常次の方法により行われる。
まず、ポリイミド樹脂などのプラスチックフィルムテープにエポキシ樹脂等の接着剤を塗布し、デバイスホールと呼ばれる開口部をパンチングにより形成し、これに銅箔をホットローラ等で熱接合してテープ状銅張積層板とし、更に両端部にスプロケットホールと呼ばれる搬送用の連続穴を形成する。次に、銅エッチング用感光性レジストの塗布、露光、現像、銅エッチング、レジスト剥離等により回路を形成し、その回路を保護するための保護用レジスト層を形成することにより、回路テープを製造する。

なお、回路テープの製造は、次の方法によっても行われる。
ポリイミドなどの耐熱性フィルム上にスパッタリングやメッキ等の方法により銅層を形成した銅張積層板や、圧延銅箔又は電解銅箔にポリイミドワニスを塗布しポリイミド層を形成させた銅張積層板などのいわゆる無接着剤銅張積層板を原材料として用い、これらをスリットしてテープ状とし、これに上記と同様にスプロケットホールの形成、回路の形成、更に保護用レジスト層を形成することにより、回路テープを製造する。

これらの回路テープの製造には、通常、アルミニウムやプラスチック等で作られたリールを用いる、リールｔｏリールと呼ばれる方式が採用され、各工程の巻き出し及び巻き取りが連続的に行われる。

リールｔｏリール方式においては、回路テープをリールに巻き取るときに、回路テープ同士が接触し、その表面にダメージが発生する可能性がある。そこで、回路テープにダメージを与えないために、スペーサーテープが用いられる。スペーサーテープは、ポリエチレンテレフタレートやポリイミド等のプラスチックフィルムからなり、その両端にエンボス加工を施すことにより突起が規則的に設けられている。従って、スペーサーテープを回路テープと共巻きすれば、回路テープ同士が接触することがないので、回路テープの表面が保護される。

このように回路テープと共巻きして用いられるスペーサーテープ１１は、一般的に図７（ａ）（ｂ）に示されるように、プラスチックテープ１４の両端部にエンボス加工により、凸状の突起１２を形成することにより製造される。そのため、プラスチックテープの片側の面では突起１２が形成される一方で、反対側の面では凹部１３が形成される。このように凹凸のあるスペーサーテープ１１と、回路テープとを共巻きすると、凸部突起１２と凹部１３の位置が重なり合った際に、凸部突起１２が回路テープと共に凹部１３に入り込んでしまい、その結果、回路テープの端面で波うちが発生し、回路テープ表面の損傷や、テストパッド、インナーリード、アウターリード等のボンディング部にダメージが発生し易いという問題点がある。
なお、図７（ａ）は、従来のスペーサーテープの平面図、同（ｂ）はＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う縦断面図である。

このような問題点を解決すべく、特許文献１等には、片面のみに凸部が形成されたチップスペーサーが提案されている。特許文献１等に開示されているチップスペーサーは、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリエチレン等の合成樹脂製の個片からなるスペーサー用突起と、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂ベース材とを別々に製作してから、合成樹脂ベース材にスペーサー用突起を、接着剤による接着、超音波接着あるいは溶着等の方法により片面のみに凸部が形成されたものである。

しかしながら、特許文献１等に開示されたチップスペーサーは、別途作製された突起をベース材に固着する方法により製造されたものなので、生産性が悪い上に、突起がベース材から脱落しやすいなどの耐久性に問題があるものであった。
このため、生産性に優れ、安価で耐久性に優れるスペーサーテープの開発が待ち望まれてきた。

特開２００３−６８８０２号公報

本発明の目的は、回路テープの製造や保管のための共巻き用に使用されるスペーサーテープであって、回路テープを損傷することがなく、生産性に優れ、安価で耐久性に優れるスペーサーテープを提供することにある。

本発明によれば、以下に示す半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープが提供される。
〔１〕 少なくとも２層のプラスチックフィルムが積層されてなる、厚さが５００μｍ以下のラミネートスペーサーテープであって、該スペーサーテープの片面にのみに、少なくとも２列の突起が長さ方向に設けられていることを特徴とする半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
〔２〕 幅が１０〜３５０ｍｍであることを特徴とする前記〔１〕に記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
〔３〕 突起の高さが０．５〜３ｍｍであることを特徴とする前記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
〔４〕 プラスチックフィルムのガラス転移温度が１２０℃以上であることを特徴とする前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
〔５〕 プラスチックフィルムの材質が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレンナフタレートの群から選択されることを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
〔６〕 各プラスチックフィルムの厚みが５０〜２５０μｍであることを特徴とする前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
〔７〕 突起の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることを特徴とする前記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
〔８〕 プラスチックフィルムが熱硬化性接着剤層を介して積層されていることを特徴とする前記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。

本発明の請求項１に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、少なくとも２層のプラスチックフィルムが積層され、且つスペーサーテープの片面のみに突起が形成されているため、回路テープの製造時に回路テープと共巻きする際に、スペーサーテープの凸部が凹部に入り込むことがないので、回路テープエッジでの波打ち等の不具合の発生を防止することができる。
本発明の請求項２に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、特定の幅を有するので、作業性に優れるものである。
本発明の請求項３に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、特定の高さの突起を有するので、回路テープにダメージを与えることがなく、回路テープの生産性に優れるものである。
本発明の請求項４に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、プラスチックフィルムのガラス転移温度が１２０℃以上であることから、回路テープ上に塗布したレジストの硬化を、回路テープと共巻きされた状態で行っても熱変形することがないので、回路テープや半導体にダメージを与えることがない。
本発明の請求項５に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、特定の材質からなることにより、回路テープ上に塗布したレジストの硬化を、回路テープと共巻きされた状態で行っても熱変形することがないので、回路テープや半導体にダメージを与えることがない。
本発明の請求項６に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、特定の厚みのプラスチックフィルムが積層されているので、適度な剛性を有することにより、突起が回路テープと共に凹部に入り込むことを防止することができる。
本発明の請求項７に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、突起の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることから、製造が容易で耐久性に優れている。
本発明の請求項８に係わる発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープは、プラスチックフィルムが熱硬化性接着剤層を介して積層されているので、耐熱性に優れ、回路テープの製造工程において、レジスト硬化等の熱処理に安定して使用できるものである。

以下、本発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープについて詳細に説明する。
本発明の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ（以下、単に「スペーサーテープ」とも記す）は、少なくとも２層のプラスチックフィルムが積層されている。
本発明のスペーサーテープに用いられるプラスチックフィルムとしては任意の種類のプラスチックフィルムを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド等が挙げられる。

前記プラスチックフィルムの中でも、本発明で用いられるプラスチックフィルムは、ガラス転移温度が１２０℃以上のものが好ましく、１５０℃以上のものがより好ましい。
即ち、本発明のスペーサーテープは回路テープと共巻きして用いられ、共巻きされた状態で、回路テープ上に塗布したレジストの硬化が行われる。レジストの硬化は、１２０℃以上の温度で行うことが一般的である。従って、ガラス転移温度１２０℃未満のプラスチックフィルムからなるスペーサーテープは、回路テープにレジスト硬化のような高温処理を行うと熱変形してしまうので、回路テープの変形や半導体がダメージを受けるといった不具合が発生するおそれがある。
なお、ガラス転移温度の測定は、示差走査熱量分析計（ＤＳＣ）により行うことができる。

ガラス転移温度が１２０℃以上のプラスチックフィルムの材質としては、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン及びポリエチレンナフタレートが挙げられる。

なお、本発明のスペーサーテープは少なくとも２層のプラスチックフィルムからなるが、それらのプラスチックフィルムの材質は同一であっても、異なっていても差し支えない。

また、本発明で用いられるプラスチックフィルムには、フィルム強度の向上や滑り性の向上等を目的に、フィラー等の添加剤を添加しても良い。更に、プラスチックフィルム表面への帯電防止や撥水性の付与などを目的に、導電性高分子、カーボン、金属等を含有する導電性膜の形成やプラズマ処理等の表面処理を施すこともできる。

本発明のスペーサーテープの厚みは、５００μｍ以下であり、好ましくは２５０μｍ以下である。スペーサーテープの厚みが５００μｍ超になると、剛性が大きくなりすぎて回路テープと共巻きを行い難くなる。
なお、スペーサーテープの厚みの下限は、好ましくは１００μｍである。該厚みが１００μｍになると、剛性が低くなって、突起等が変形しやすくなるという問題が発生する。

本発明のスペーサーテープを構成する各々のプラスチックフィルムの厚みは、同一であっても異なっていても良い。但し、各々のプラスチックフィルムの厚みは、それぞれ５０〜２５０μｍが好ましく、より好ましくは７５〜２００μｍである。厚みが５０μｍ未満のプラスチックフィルムを用いると、フィルムの剛性が小さくなりすぎる。従って、突起を形成した場合、突起が変形しやすくなる虞がある。一方、突起を形成しないで、後述する裏打ち用に用いた場合、突起２と凹部３の位置が重なり合った際に、突起２が回路テープと共に凹部３に入り込むことを防止できない虞がある。一方、プラスチックフィルムの厚みが２５０μｍ超になると、スペーサーテープの剛性が大きくなりすぎ、回路テープと共巻きを行い難くなる虞がある。

本発明のスペーサーテープの幅は１０〜３５０ｍｍが好ましく、３５〜３５０ｍｍがより好ましい。幅が１０ｍｍ未満では、狭すぎて回路テープの製造に使用することができない虞がある。一方、幅が３５０ｍｍ超では、回路テープと共巻きする際の作業性が悪くなる虞がある。

本発明のスペーサーテープにおいては、その片面にのみに、少なくとも２列の連続した突起が長さ方向（長尺方向）に設けられている。即ち、図１（ａ）（ｂ）に示すように、本発明のスペーサーテープ１の一方の面ａには連続した突起２が長さ方向に設けられているが、他方の面ｂには突起が設けられていない。具体的には、本発明のスペーサーテープ１においては、突起２が長さ方向に形成されたプラスチックフィルム４と突起２が形成されていないプラスチックフィルム５とが積層されており、突起２が形成されたプラスチックフィルム４がプラスチックフィルム５で裏打ちされている。従って、突起２の凹部３はプラスチックフィルム５で塞がれている。
なお、図１（ａ）は、２列の連続した突起２が設けられている本発明スペーサーテープの一例を示す平面図、図１（ｂ）は同（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う縦断面図である。

前記突起を設けたプラスチックフィルム４及び／又は突起を設けていないプラスチックフィルム５は、１層のプラスチックフィルムから構成されていてもよければ、多層のプラスチックフィルムから構成されていてもよい。
また、回路テープの製造工程においては、レジスト硬化等の熱処理を必要とする場合があるため、耐熱性を向上させるために、プラスチックフィルム４とプラスチックフィルム５は、熱硬化性接着剤層（以下、単に「接着剤層」とも記す）を介してラミネートされていることが好ましく、エポキシ樹脂を含む熱硬化性接着剤層を介してラミネートされていることがより好ましい。

プラスチックフィルムと突起を設けていないプラスチックフィルムとは、共巻きして使用される回路テープの製造工程で剥がれ等の不具合が生じない程度に、強固に接着していることが好ましく、具体的には０．３ｋＮ／ｍ以上の強度で接着していることが好ましい。

また、突起を設けたプラスチックフィルム４と突起を設けていないプラスチックフィルム５の幅は、同一にすることも、何れか一方を広くすることも可能であるが、回路テープとの共巻きを巻きずれ等の不具合なく行うためには、同一の幅であることが好ましい。

本発明のスペーサーテープにおいては、長さ方向に少なくとも２列の突起が設けられている。２列の突起が設けられているスペーサーテープの一例を図１（ａ）に、３列の突起が設けられているスペーサーテープの一例を図２に示す。
尚、図２は３列の突起が設けられているスペーサーテープの一例を示す平面図である。

本発明のスペーサーテープには、２列以上の連続した突起が設けられているので、図３に示すように、回路テープ６と共巻きする際に、回路テープ同士が接触することがないので、回路テープ６の表面にダメージを与えることがない。更に、突起２の凹部３がプラスチックフィルム５で塞がれているので、スペーサーテープ１と回路テープ６とを共巻きした際に、突起２と凹部３の位置が重なり合っても、突起２が回路テープ６と共に凹部３に入り込むことがないので、回路テープ６がダメージを受けることが防止される。
なお、図３は本発明のスペーサーテープ１と回路テープ６が共巻きされた状態の一例を示す説明図である。

尚、図１（ａ）に示すスペーサーテープの場合、２列（列Ａ、列Ｂ）の連続した突起２が設けられているので、列Ａと列Ｂの間に１本の回路テープを挿入した状態で、回路テープとスペーサーテープが共巻きされる。また、図２に示すスペーサーテープの場合、３列（列Ａ、列Ｂ、列Ｃ）の連続した突起２が設けられているので、列Ａ、Ｃの間に２条取りした回路テープとスペーサーテープが共巻きされる。但し、本発明は、２列、３列の突起に制限されるものではない。

本発明においては、連続した突起が長さ方向（長尺方向）に規則的に設けられていることが好ましい。突起が長さ方向に規則的に設けられていると、プラスチックフィルムに突起を効率よく形成することができる。
具体的には、図１（ｂ）に示すように、突起２がスペーサーテープの長さ方向にｄｍｍ間隔で規則的に設けられていることが好ましく、ｄは３〜１５ｍｍが好ましく、３〜１０ｍｍがより好ましく、３〜６ｍｍが更に好ましい。突起の設けられている間隔ｄが１５ｍｍ超では、回路テープを保護するという目的が達せられない虞がある。一方、該間隔ｄが３ｍｍ未満では、フィルムの成形が難しくなる上、仮に成形できたとしても、頂点部が鋭角になる為、回路テープを傷つける虞がある。
但し、回路テープを保護することさえできれば、厳密な意味で規則的に設けられている必要はなく、多少不連続な部分があってもかまわない。また、隣り合う突起どうしの間隔が異なっているが、全体として規則的に設けられていてもよい。

２列の突起２が設けられる場合、プラスチックフィルムの無駄を省くために、図１（ａ）に示すように、突起２はスペーサーテープ１の両端部近傍に設けられることが好ましく、図４（ａ）（ｂ）に示すように、スペーサーテープ１の両端部を含むように設けられることも好ましい。また、３列以上の突起２が設けられる場合、２列は両端部近傍（両端部を含む）に設けられ、他の列は幅方向の間隔が等しくなるように設けられることが好ましい。３列以上の突起２が設けられているスペーサーテープを用いると、多条の回路テープと共巻きして使用することができるので、プラスチックフィルムの無駄を省くと共に作業性も向上するので好ましい（図２）。
尚、図４（ａ）は突起がスペーサーテープの両端部を含むように設けられている一例を示す平面図、同（ｂ）はその側面図である。

突起２の形状に制限はなく、任意の形状を選択することが可能であるが、製造が容易で耐久性に優れていることから、突起の下底が円形であって側面が曲面であり上面が平面であるナベ形（図５（ｂ））や、半球形（図６（ｂ））や、突起の下底が四角形である角形（図１（ｂ））が好ましく、スプロケットホールが形成された回路テープとの共巻きにおける位置精度が良くなることから、特に好ましくは角形の突起（図１（ａ）（ｂ））である。

また、突起の高さｈは、０．３〜３．０ｍｍが好ましく、０．５〜２ｍｍがより好ましい。突起の高さが０．３ｍｍ未満では、スペーサーテープが回路テープの中心部と接触しやすくなり、その結果回路テープに形成された導体回路等にダメージを与えるおそれがある。一方、突起の高さが３．０ｍｍ超では、リールに巻いた際の全体の巻径が大きくなりすぎて、一度にリールに巻くことができる長さに制約が生じ、その結果製造効率が悪くなるという問題が生じる。

プラスチックフィルムに突起を形成する方法としては、凹凸を有した金型を使用する熱プレス、真空成形、等任意の方法が可能であるが、簡便さや形状が良好で規則性の良い突起を容易に得ることができることから、送り装置を備えた熱プレスによる連続成形が好ましい。

前記突起が形成されたプラスチックフィルムと突起が形成されていないプラスチックフィルムとをラミネートする方法としては、以下に例示されるような任意の方法が可能である。
（１）突起を設けていないプラスチックフィルムに接着剤を塗布して接着剤層を形成してから、突起を設けていないプラスチックフィルムと突起を設けたプラスチックフィルムとを接着剤層を介してラミネートする。
（２）突起を設けていないプラスチックフィルムに接着剤を塗布して接着剤層を形成した後、その接着剤層付プラスチックフィルムに突起を形成してから、突起を設けたプラスチックフィルムと別の突起を設けていないプラスチックフィルムとを接着剤層を介してラミネートする。
（３）突起を設けていないプラスチックフィルムと突起を設けたプラスチックフィルムの間に接着シートを挿入し、一括でラミネートする。
（４）プラスチックのガラス転移温度以上の温度で、突起を設けたプラスチックフィルムと突起を設けていないプラスチックフィルムを、接着剤を用いずにラミネートする。

尚、プラスチックフィルムのラミネートは、ロール式のラミネータで行うことが簡便であり好ましい。その際、ラミネータに加熱ロールを用いることで、ラミネート時にプラスチックフィルムや接着剤層を加熱して、それらを軟化もしくは硬化してラミネートすることも可能であり、熱硬化性接着剤層を用いる場合には、更に硬化炉にて本硬化を行っても良い。

本発明のスペーサーテープの製造において、プラスチックフィルムへの突起の形成、該突起を形成したプラスチックフィルムと突起を形成していないプラスチックフィルムとのラミネート、及び１０〜３５０ｍｍの範囲の所定の幅へのスリットは、突起の形成をラミネートの前にさえ行えば、以下に例示するようにどのような順番で行っても差し支えない。
（１）予め所定の幅にスリットしたプラスチックフィルムに突起を形成した後、別の所定の幅にスリットした突起のないプラスチックフィルムとラミネートする。
（２）突起を形成したプラスチックフィルムを所定の幅にスリットした後、所定の幅にスリットした別のプラスチックフィルムとラミネートする。
（３）突起を形成したプラスチックフィルムと突起のないプラスチックフィルムをラミネートした後、一括して所定の幅にスリットする。

本発明のスペーサーテープは、片側の面にのみ突起が形成されている。従って、回路テープの製造時に回路テープとの共巻きテープとして使用しても、従来問題となっていた、スペーサーテープの凸部が凹部に入り込むことによる、回路テープエッジでの波打ち等の不具合を防止できる。更に、本発明のスペーサーテープは耐熱性や機械強度に優れ、回路テープ製造時に変形しにくいので、スペーサーテープの変形による不具合の発生を防止することができる。従って、回路テープの不良品を著しく低減することが可能となる。

以下、実施例に基づき、本発明を具体的に説明する。但し、本発明これらに限定されるものではない。

なお、本実施例、比較例における、プラスチックフィルム間の接着力の測定方法は以下の通りに行った。
接着力の測定方法：突起部を含まないように、ラミネートスペーサーテープを１０ｍｍ幅に切り出し、片側のプラスチックフィルムを両面テープで厚さ１ｍｍのステンレス板に固着し、引っ張り試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用いて、もう一方のプラスチックフィルムを１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で引き剥がして、その際の引き剥がし強さを求め、接着力とした。

［実施例１］
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）に、熱硬化性エポキシ系接着剤（東亞合成株式会社製、アロンマイティＢＸ−１００）を２５μｍの厚さになるように塗布し、１５０℃で４分乾燥させて接着剤層を形成した。その後、得られた接着剤付ポリイミドフィルムを３５ｍｍの幅にスリットして、接着剤層付の突起のないテープとした。それとは別に厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）を３５ｍｍ幅にスリットして、接着剤層のないポリイミドのテープを準備した。次に送り装置、突起形成のための金型プレス、及びラミネータを備えた装置を用いて、接着剤のないポリイミドのテープに図１（ａ）（ｂ）に示される高さｈ＝２ｍｍ、下底が横ｌ＝２ｍｍ縦Ｌ＝３ｍｍの長方形である角形の突起を、図３に示されるように間隔ｄ＝６ｍｍで規則的に全長に渡り形成し、更に続けて接着剤層付のポリイミドテープをラミネータで仮ラミネートした。次に１６０℃に設定された硬化炉中で接着剤を硬化して、図１（ａ）（ｂ）に示すラミネートスペーサーテープを得た。

得られたラミネートスペーサーテープのポリイミドフィルムの接着力は１．５ｋＮ／ｍであった。

次に、図２に示すようにスペーサーテープと厚み４６μｍ幅３５ｍｍの回路テープ（住友金属鉱山株式会社製、エスパーフレックス）を交互に３重にかさね、上部から２００ｇの加重を１時間かけ続けた後、回路テープを確認したところ、端部の波うちやエンボスの跡といった不具合の発生は認められなかった。

［実施例２］
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）に、熱硬化性エポキシ系接着剤（東亞合成株式会社製、アロンマイティＢＸ−１００）を２５μｍの厚さになるように塗布し、１５０℃で４分乾燥させて接着剤層を形成した。その後、得られた接着剤層付ポリイミドフィルムを３５ｍｍの幅にスリットして、接着剤付の突起のないテープとした。それとは別に厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）を３５ｍｍ幅にスリットして、接着剤が塗布されていないポリイミドのテープを準備した。次に送り装置、突起形成のための金型プレス、及びラミネータを備えた装置を用いて、接着剤層のないポリイミドのテープに図５（ａ）に示される高さｈ＝２ｍｍ、下底が直径Ｄ＝５ｍｍの円形であるナベ形の突起を、同図に示されるように間隔ｄ＝１２ｍｍで全長に渡り形成し、更に続けて接着剤層付のポリイミドテープをラミネータで仮ラミネートした。次に１６０℃に設定された硬化炉中で接着剤を硬化して、図５（ｂ）に示すラミネートスペーサーテープを得た。

得られたラミネートスペーサーテープのポリイミドフィルムの接着力は１．５ｋＮ／ｍであった。

次に、実施例１と同様に回路テープと重ね合わせて、２００ｇの加重をかけたが、端部の波うちやエンボスの跡といった不具合の発生は認められなかった。

［実施例３］
厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）に、熱硬化性エポキシ系接着剤（東亞合成株式会社製、アロンマイティＢＸ−１００）を２５μｍの厚さになるように塗布し、１５０℃で４分乾燥させて接着剤層を形成した。その後、得られた接着剤層付ポリイミドフィルムを４８ｍｍの幅にスリットして、接着剤付の突起のないテープとした。それとは別に厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）を４８ｍｍ幅にスリットして、接着剤層のないポリイミドのテープを準備した。次に送り装置、突起形成のための金型プレス、及びラミネータを備えた装置を用いて、接着剤層のないポリイミドのテープに図６（ａ）に示される高さｈ＝２ｍｍ、下底が直径Ｄ＝５ｍｍの半球形の突起を、同図に示されるように間隔ｄ＝１０．５ｍｍで全長に渡り形成し、更に続けて接着剤層付のポリイミドテープをラミネータで仮ラミネートした。次に１６０℃に設定された硬化炉中で接着剤を硬化して、図６（ｂ）に示すラミネートスペーサーテープを得た。

得られたラミネートスペーサーテープのポリイミドフィルムの接着力は１．５ｋＮ／ｍであった。

次に、実施例１と同様に回路テープと重ね合わせて、２００ｇの加重をかけたが、端部の波うちやエンボスの跡といった不具合の発生は認められなかった。

［実施例４］
厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）に、熱硬化性エポキシ系接着剤（東亞合成株式会社製、アロンマイティＢＸ−１００）を２５μｍの厚さになるように塗布し、１５０℃で４分乾燥させて接着剤層を形成した。その後、得られた接着剤層付ポリイミドフィルムを４８ｍｍの幅にスリットして、接着剤層付の突起のないテープとした。それとは別に厚さ１８８μｍのポリエーテルイミドフィルム（住友ベークライト株式会社製ＦＳ−１５５０、ガラス転移温度１９０℃）を４８ｍｍ幅にスリットして、接着剤層のないポリエーテルイミドのテープを準備した。次に送り装置、突起形成のための金型プレス、及びラミネータを備えた装置を用いて、接着剤層のないポリエーテルイミドのテープに図６（ａ）に示される高さｈ＝２ｍｍ、下底が直径Ｄ＝５ｍｍの半球形の突起を、同図に示されるように間隔ｄ＝１０．５ｍｍで全長に渡り形成し、更に続けて接着剤付のポリイミドテープをラミネータで仮ラミネートした。次に１６０℃に設定された硬化炉中で接着剤を硬化して、図６（ｂ）に示すラミネートスペーサーテープを得た。

得られたラミネートスペーサーテープのポリイミドフィルムの接着力は１．５ｋＮ／ｍであった。

次に、実施例１と同様に回路テープと重ね合わせて、２００ｇの加重をかけたが、端部の波うちやエンボスの跡といった不具合の発生は認められなかった。

［比較例１］
厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）を３５ｍｍ幅にスリットして、接着剤層のないポリイミドのテープを準備した。次に送り装置、突起形成のための金型プレス装置を用いて、接着剤層のないポリイミドのテープに図６（ａ）に示される高さｈ＝２ｍｍ、下底が直径Ｄ＝５ｍｍの半球形の突起を、同図に示されるように間隔ｄ＝１０．５ｍｍで全長に渡り形成しエンボススペーサーテープを得た。

次に実施例１と同様に、得られたエンボススペーサーテープと回路テープを重ね合わせて、２００ｇの加重をかけたところ、スペーサーテープの凸部が凹部に入り込んだ事が原因と思われる回路テープエッジでの波打ちが発生した。

［比較例２］
厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）に、熱硬化性エポキシ系接着剤（東亞合成株式会社製、アロンマイティＢＸ−１００）を２５μｍの厚さになるように塗布し、１５０℃で４分乾燥させて接着剤層を形成した。その後、得られた接着剤層付ポリイミドフィルムを３５ｍｍの幅にスリットして、接着剤層付の突起のないテープとした。それとは別に厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ユーピレックスＲＮ、ガラス転移温度２８５℃）を３５ｍｍ幅にスリットして、接着剤層のないポリイミドのテープを準備した。次に送り装置、及びラミネータを備えた装置を用いて、接着剤層のないポリイミドのテープに接着剤層付のポリイミドテープをラミネータで仮ラミネートした。次に１６０℃に設定された硬化炉中で接着剤を硬化して、フラットなラミネートスペーサーテープを得た。

次に実施例１と同様に得られたラミネートスペーサーテープと回路テープを重ね合わせたところ、回路テープとラミネートスペーサーテープは接触したので、回路テープとラミネートスペーサーテープとの間に摩擦が生じれば、回路テープに傷等が発生することが確認できた。

（ａ）は、２列の連続した突起２が設けられている本発明スペーサーテープの一例を示す平面図である。（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う縦断面図である。 ３列の突起が設けられているスペーサーテープの一例を示す平面図である。 図３は本発明のスペーサーテープと回路テープが共巻きされた状態の一例を示す説明図である （ａ）は突起がスペーサーテープの両端部を含むように設けられている一例を示す平面図である。（ｂ）は側面図である。 （ａ）は半球形の突起が形成されたプラスチックフィルムの一例を示す説明図である。（ｂ）は半球形の突起が形成されたスペーサーテープの一例を示す説明図である。 （ａ）はナベ形の突起が形成されたプラスチックフィルムの一例を示す説明図である。（ｂ）はナベ形の突起が形成されたスペーサーテープの一例を示す説明図である。 （ａ）は従来のスペーサーテープの平面図である。（ｂ）は（ａ）のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う縦断面図である。

符号の説明

１ 本発明のスペーサーテープ
２ 突起
３ 突起の凹部
４ 突起が長さ方向に形成されたプラスチックフィルム
５ 突起が形成されていないプラスチックフィルム
６ 回路テープ
１１ 従来のスペーサーテープ
１２ 突起
１３ 凹部
Ａ、Ｂ、Ｃ 突起の列
ａ 連続した突起が長さ方向に設けられている面
ｂ 連続した突起が長さ方向に設けられていない面

Claims (8)

1. 少なくとも２層のプラスチックフィルムが積層されてなる、厚さが５００μｍ以下のラミネートスペーサーテープであって、該スペーサーテープの片面にのみに、少なくとも２列の突起が長さ方向に設けられていることを特徴とする半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
2. 幅が１０〜３５０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
3. 突起の高さが０．３〜３ｍｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
4. プラスチックフィルムのガラス転移温度が１２０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
5. プラスチックフィルムの材質が、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエチレンナフタレートの群から選択されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
6. 各プラスチックフィルムの厚みが５０〜２５０μｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
7. 突起の形状が半球形、ナベ形、角形のうちの何れかであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。
8. プラスチックフィルムが熱硬化性接着剤層を介して積層されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体実装回路テープ用ラミネートスペーサーテープ。

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