JP2006308959A - 検出装置及びそれを備えた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検出装置において、環境センサから起電流IPHが出力されると電荷を蓄積して電圧信号を発生させる可変容量部2と、可変容量部2の容量を調整する制御回路3とを備えておく。可変容量部2は、容量素子C1〜Cnを備える。制御回路3は、電圧信号の出力電圧V0と基準電圧Vrefとを比較し、比較結果に応じて一又は二以上の容量素子を
機能させて、可変容量部2の容量を調整する。容量素子C1〜Cnは並列に接続されているのが好ましい。可変容量部2は、対応する容量素子に接続された複数のスイッチング素子SW1〜SWnを備えるのが好ましい。この場合、制御回路3は、比較結果に応じて一又は二以上のスイッチング素子をオンにして可変容量部2の容量を調整する。
【選択図】 図2
Description
以下、本発明の実施の形態1における検出装置及びそれを備えた表示装置について、図1〜図9を参照しながら説明する。最初に、本実施の形態1における検出装置の概略構成について図1〜図3を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1における検出装置の概略構成を示す図である。なお、本実施の形態1においては、環境センサ(アンビエントセンサ)として光センサを使用する例について説明する。
次に、本発明の実施の形態2における検出装置及びそれを備えた表示装置について説明する。本実施の形態2における検出装置は、可変容量部の構成の点で、実施の形態1における検出装置と異なる。それ以外の点では、本実施の形態2における検出装置は、実施の形態1における検出装置と同様に構成される。また、本実施の形態2における検出装置も、アクティブ素子(図7参照)の形成工程を用いて、アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板上にモノリシックに形成される。
次に、本発明の実施の形態3における検出装置及びそれを備えた表示装置について説明する。本実施の形態3における検出装置は、可変容量部の構成の点で、実施の形態1及び実施の形態2における検出装置と異なる。それ以外の点では、本実施の形態3における検出装置は、実施の形態1及び2における検出装置と同様に構成される。また、本実施の形態3における検出装置も、アクティブ素子(図7参照)の形成工程を用いて、アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板上にモノリシックに形成される。
VGS−Vthn>0・・・・・(1)
VGS−Vthp<0・・・・・(2)
2 可変容量部
3 制御回路
4 センシング用スイッチ
5 リフレッシュ用スイッチ
6 出力配線
7 光センサ
10 ガラス基板
11 第1の金属層
12 第2の金属層
13 第1の金属層に接続された配線
14 第2の金属層に接続された配線
15 スイッチング素子のゲート電極
16 スイッチング素子のシリコン膜
16a、16c スイッチング素子の半導体領域
16b スイッチング素子のチャネル領域
17、18 スイッチング素子の配線
19、25、36、114、118 第1の層間絶縁膜
20、26、37、115、119 第2の層間絶縁膜
21 金属層
22 シリコン膜
22a 半導体領域
23 シリコン膜に接続された配線
24 金属層に接続された配線
31 トランジスタ素子のゲート電極を構成する電極片
32a、32c トランジスタ素子の半導体領域(高濃度)
32b トランジスタ素子の半導体領域(低濃度)
33、34 トランジスタ素子のシリコン膜に接続された配線
35 トランジスタ素子のゲート電極に接続された配線
36 電極片を接続する配線
41 比較回路
42 論理回路
43 ラッチ回路
44 比較器
45 抵抗
101 アクティブマトリクス基板
102 液晶層
103 対向基板
104 水平駆動回路
105 垂直駆動回路
106 FPC
107 外部基板
108、109 ICチップ
110 アクティブ素子
111 アクティブ素子のシリコン膜
111a、111c アクティブ素子の半導体領域
111b アクティブ素子のチャネル領域
113a、117a コンタクトプラグ
113b、117b 電極パターン
116 光センサのシリコン膜
116a 光センサの半導体領域(p層)
116b 光センサの真性半導体領域(i層)
116c 光センサの半導体領域(n層)
311〜314 トランジスタ素子のゲート電極
321〜324 トランジスタ素子のシリコン膜
SW1〜SWn スイッチング素子
C1〜Cn 容量素子
TN1〜TNn トランジスタ素子
Claims (12)
- 周囲の環境条件に応じて起電流を出力する環境センサと、前記起電流の大きさに応じて電圧信号を出力する検出装置とを備えた表示装置であって、
前記検出装置は、前記起電流が出力されると電荷を蓄積して前記電圧信号を発生させる可変容量部と、前記可変容量部の容量を調整する制御部とを備え、
前記可変容量部は、複数の容量素子を備え、
前記制御部は、前記電圧信号の出力電圧と基準電圧とを比較し、比較結果に応じて一又は二以上の容量素子を機能させて、前記可変容量部の容量を調整することを特徴とする表示装置。 - 前記複数の容量素子が、互いに並列に接続され、
前記可変容量部が、前記複数の容量素子それぞれ毎に、複数のスイッチング素子を更に備え、前記複数の容量素子それぞれは、対応する前記容量素子に接続され、
前記制御部が、前記比較結果に応じて一又は二以上のスイッチング素子をオンにして、前記可変容量部の容量を調整する請求項1に記載の表示装置。 - 前記複数の容量素子それぞれが、第1の導電膜と、前記第1の導電膜の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成された第2の導電膜とを備えている請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1の導電膜が、半導体領域を有するシリコン膜である請求項3に記載の表示装置。
- 前記可変容量部が、前記複数の容量素子として複数のトランジスタ素子を備え、
前記制御部が、前記比較結果に応じて、一又は二以上の前記トランジスタ素子のゲートに、予め設定された大きさの電圧を印加し、前記電圧を印加した前記トランジスタ素子のゲート容量を前記容量素子として機能させることによって、前記可変容量部の容量を調整する請求項1に記載の表示装置。 - 前記複数のトランジスタ素子それぞれが、半導体領域が形成されたシリコン膜と、前記シリコン膜の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備え、
前記複数のトランジスタ素子それぞれのシリコン膜は、互いに直列に接続されている請求項5に記載の表示装置。 - 複数のアクティブ素子が形成されたアクティブマトリクス基板を更に備え、
前記環境センサと、前記可変容量部及び前記制御部のうち少なくとも一方とが、前記アクティブマトリクス基板に形成されている請求項1〜6のいずれかに記載の表示装置。 - 前記環境センサと、前記可変容量部及び前記制御部のうち少なくとも一方とが、前記複数のアクティブ素子を形成するための工程を用いて、前記アクティブマトリクス基板に形成されている請求項7に記載の表示装置。
- 前記環境センサが、入射した光の強度に応じて起電流を出力する光センサである請求項1〜8のいずれかに記載の表示装置。
- 環境センサが出力した起電流の大きさに応じて電圧信号を出力する検出装置であって、
前記起電流が出力されると電荷を蓄積して前記電圧信号を発生させる可変容量部と、前記可変容量部の容量を調整する制御部とを備え、
前記可変容量部は、複数の容量素子を備え、
前記制御部は、前記電圧信号の出力電圧と基準電圧とを比較し、比較結果に応じて一又は二以上の容量素子を機能させて、前記可変容量部の容量を調整することを特徴とする検出装置。 - 周囲の環境条件に応じて起電流を出力する環境センサと、前記起電流の大きさに応じて電圧信号を出力する検出装置とを備えた表示装置であって、
前記検出装置は、前記起電流が出力されると電荷を蓄積して前記電圧信号を発生させる可変容量部を備え、
前記可変容量部は、複数の容量素子と、前記複数の容量素子をそれぞれ個別に機能させる信号を前記検出装置の外部から入力するための入力端子とを備え、前記信号の入力によって前記可変容量部の容量が調整されることを特徴とする表示装置。 - 環境センサが出力した起電流の大きさに応じて電圧信号を出力する検出装置であって、
前記起電流が出力されると電荷を蓄積して前記電圧信号を発生させる可変容量部を備え、
前記可変容量部は、複数の容量素子と、前記複数の容量素子をそれぞれ個別に機能させる信号を外部から入力するための入力端子とを備え、前記信号の入力によって前記可変容量部の容量が調整されることを特徴とする検出装置。
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