JP2006303309A5 - - Google Patents

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  1. 真空処理容器と、
    該真空処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、
    第1の高周波電源に接続され前記真空処理容器内に導入された処理ガスに高周波エネルギを印加して前記処理ガスをプラズマ化する手段と、
    試料をその上面に載置して前記真空処理容器内に保持する試料載置電極と、
    前記真空処理容器内の処理ガスを排気する真空排気手段と、
    前記真空排気手段による処理ガスの流れを前記載置電極の試料載置面よりも下流側で屈曲させて、プラズマの前記試料載置面よりも下流側への拡散を抑制するプラズマ閉じ込め手段を、前記真空処理容器内の載置電極外周側に備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 真空処理容器と、
    該真空処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、
    第1の高周波電源に接続され前記真空処理容器内に導入された処理ガスに高周波エネルギを印加して前記処理ガスをプラズマ化する手段と、
    試料をその上面に載置して前記真空処理容器内に保持する試料載置電極と、
    前記真空処理容器内の処理ガスを排気する真空排気手段と、
    前記真空処理容器内の載置電極外周側に、前記真空排気手段による処理ガスの流れを前記載置電極の全外周に渡って前記載置電極の試料載置面よりも下流側で屈曲させる、環状板材からなるプラズマ閉じ込め手段を備え、
    該プラズマ閉じ込め手段は、該手段の上流側と下流側で1.1倍以上の圧力差を発生し、かつ該圧力差は前記環状板材からなるプラズマ閉じ込め手段の前記真空排気手段の設置側で非設置側よりも大きくなるように設定したことを特徴とするたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 請求項1または2記載のプラズマ処理装置において、
    前記プラズマ閉じ込め手段は、その表面に対して斜め方向に形成したアスペクト比1.5以上の細孔を有する環状板材を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項1または2記載のプラズマ処理装置において、
    前記プラズマ閉じ込め手段は、環状板材に放射方向形成したスリットを備え、該スリットのガス通過軸は環状板材の表面に対して斜め方向に形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 請求項1または2記載のプラズマ処理装置において、
    前記プラズマ閉じ込め手段は、処理ガスの流れ方向に間隔をあけて積層した内径および外径の異なる複数の環状板材を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 請求項1または2記載のプラズマ処理装置において、
    前記プラズマ閉じ込め手段は、試料載置電極に取り付け、該試料載置電極に連動して上下動可能であることを特徴とするプラズマ処理装置。
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