JP2006303031A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ヘテロ接合を有する半導体の一方の主面(5)上に形成された第1の電極(7)は、一方の主面(5)の上方から見て、第2の電極(8)と第3の電極(9)との間に配置されており、前記半導体の一方の主面(5)における第1の電極(7)が形成されている部位には、複数の凹部(6a)が形成されており、該凹部(6a)から隣の凹部(6a´)へ向かう方向は、第2の電極(8)から第3の電極(9)へ向かう方向に交差していることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、比較的オン電圧が低く、さらに「ノーマリオフ」特性を有する半導体装置を提供することを目的とする。
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を示す模式図であり、図1(a)は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の斜視図、図1(b)は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置において一方の主面(5)に形成された複数の凹部を含むように(図1(a)の部位AAで縦方向に)切断した断面図の一部を示したものである。第1の実施形態の半導体装置は、シリコン(Si)基板(1)と、シリコン(Si)基板(1)の上に形成された窒化物系化合物半導体からなる緩衝層(バッファ層)(2)と、緩衝層(2)の上に形成された窒化物系化合物半導体からなる第2の半導体層(4)と、第2の半導体層(4)の上に形成された窒化物系化合物半導体からなる第1の半導体層(3)とを有している。
X>Y≧0
となるように各半導体層を形成することが望ましい。つまり、第1の半導体層(3)のAl含有率を第2の半導体層(4)のAl含有率に比べて大きくすることが望ましい。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置において、一方の主面(5)に形成された複数の凹部を含むように縦方向に切断した、主要部を示す部分断面図である。図5において、第1の実施形態の半導体装置における構成要素と同一のものは同一符号を付けている。第2の実施形態の半導体装置における、第1の実施形態の半導体装置との相違点は、第2の実施形態の半導体装置において複数の凹部がヘテロ接合の界面(11)よりも深く形成され、第1の電極(7)の、複数の凹部上に形成された凹部の底面がヘテロ接合の界面(11)に達するように形成されている点である。このような構成により、2次元キャリア層(4a)を分断するようにゲート電極(7)を配置することができる。さらに、ゲート電極(7)の凹部(6a)の側面及び底面からの空乏層(20)の広がりとゲート電極(7)における隣の凹部(6a)の側面及び底面からの空乏層(20)の広がりとが互いに重なるように連続的に発生し、2次元キャリア層(4a)の電気的接続を良好に遮断することができる。したがって、第2の実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置よりもオン電圧が低く、さらに「ノーマリオフ」型の半導体装置を提供することができる。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置において、一方の主面(5)に形成された複数の凹部を含むように縦方向に切断した、主要部を示す部分断面図である。図6において、第1の実施形態の半導体装置の構成要素と同一のものには同一符号を付けている。第3の実施形態の半導体装置における第1の実施形態の半導体装置との相違点は、第3の実施形態の半導体装置において複数の凹部の各凹部の側面が一方の主面(5)に向かって末広がりとなっており、凹部(6a)の側面が傾斜状になっている点である。このような構成によって、第1の電極(3)の凹部の底面及び側面から広がる空乏層(20)と第1の電極(3)の凸部から広がる空乏層(20)とが連続的に且つ滑らかに発生し、2次元キャリア層(4a)の電気的接続を良好に遮断することができる。さらに、凹部(6a)の側面を傾斜状にすることによって、複数の凹部直下近傍の2次元キャリア層(4a)の2次元キャリア濃度の低下を抑制し、比較的低いオン電圧を有することができる。よって、第3の実施形態の半導体装置は、さらにオン電圧が低く、「ノーマリオフ」型の半導体装置を提供することができる。
上記第1から第3の実施形態の半導体装置は、以下に述べる構造に変形してもよい。上記第1から第3の実施形態の半導体装置において、ドレイン電極(9)及びソース電極(8)が接する第1の半導体層(3)との界面が低抵抗接触となるように、第1の半導体層(3)とドレイン電極(9)及びソース電極(8)との間に、第1の半導体層(3)と異なる半導体からなるコンタクト層を挟んでもよい。また、上記第1から第3の実施形態の半導体装置のゲート電極(7)を、第1の半導体層(3)に対してショットキー特性となる構造から、ゲート電極(7)と第1の半導体層(3)との間に薄い高抵抗な絶縁膜を挟んだMIS(Metal−Insulator−Semiconductor)構造へ変更してもよい。
Claims (9)
- 一方の主面(5)を有する第1の半導体からなる第1の半導体層(3)と、
前記第1の半導体層(3)と第2の半導体からなる第2の半導体層(4)とは、前記第1の半導体層(3)の一方の主面(5)に対向する面でヘテロ接合されており、
前記第1の半導体層(3)と前記第2の半導体層(4)との界面(11)近傍に2次元キャリアが発生し、
一方の主面(5)上に形成された第1の電極(7)は、制御電極として機能し、
前記一方の主面(5)の上方から見て、前記第1の電極(7)は第2の電極(8)と第3の電極(9)との間に配置されており、
前記一方の主面(5)に複数の凹部が形成されており、
前記複数の凹部は、前記第2の電極(8)から前記第3の電極(9)へ向かう方向に対して、横切るように繰り返し配置されており、
第1の電極(7)は、前記複数の凹部をまたがるように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の半導体と前記第2の半導体とは、ともに窒化物系化合物半導体からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の半導体層(4)は、前記第1の半導体層(3)よりもバンドギャップエネルギーの小さいことを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記複数の凹部は、前記界面(11)よりも深く形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記複数の凹部を含むように切断した断面において、
前記複数の凹部はほぼ矩形波形状となっており、
前記複数の凹部における凹部(6a)の側面から、隣の凹部(6a´)の、該凹部(6a)に対向する側面までの幅(y1)は、該凹部(6a)の底面の幅(y2)よりも大きいことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記複数の凹部を含むように切断した断面において、
前記複数の凹部の凹部の側面が一方の主面に向かって末広がりであることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1の電極(7)は、前記第1の半導体層(3)に対してショットキー接合を有していることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の電極(7)と前記一方の主面(5)との間に絶縁膜を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 「ノーマリオフ」型の動作をすることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置。
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