JP2006286932A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上(11)に絶縁膜(12)を形成し、前記絶縁膜(12)の上に前記絶縁膜(12)との選択比が大きく、第1の膜厚を有するストッパー膜(13)を形成する。前記ストッパー膜(13)の上に第1の膜厚より薄い第2の膜厚を有する第1のマスク材(14)を形成し、前記第1のマスク材(14)により第1のマスクを形成し、前記第1のマスクを用いて前記ストッパー膜(13)をエッチングすることにより開口部(15)を形成する。前記開口部(15)を第2のマスク材(16)で埋め込み、前記ストッパー膜(13)を除去することによって、前記第2のマスク材(16)により第2のマスクを形成し、前記第2のマスクを用いて前記絶縁膜(12)をエッチングする。
【選択図】 図1
Description
図3は、第1の実施例に係る半導体装置の製造方法を示している。
図4は、第2の実施例に係る半導体装置の製造方法を示している。
図5(a)に示すように、Si基板11上に膜厚が0.5μmのTEOS膜52を形成する。その上に膜厚が0.3μmで誘電率k=2.7のSiCH膜53を形成する。SiCH膜53の上に膜厚が0.1μmのSiH4膜54を形成する。SiH4膜54の上に膜厚が0.1μmの有機系のARC55を塗布する。このARC55の上に膜厚が0.18μmのレジスト56を塗布する。ArF光源の露光機を用いてレジスト56に幅90nmのラインと幅90nmのスペースパターンを形成する。
第2の参考例は、第1の参考例に対して、レジストの膜厚の不足を補うため、レジスト56の膜厚を増加し、0.38μmとした。しかし、この場合、ArF露光によってL/S=90nm/90nmのパターンの形成を試みても、DOF=0μmとなってフォーカスマージンが全くなく、大半のレジストパターンが倒れてしまいパターンを形成することができなかった。
図6(a)乃至(d)は第3の参考例を示している。図6(a)に示すように、Si基板11上に膜厚が0.5μmのTEOS膜62を形成する。TEOS膜62の上に膜厚が0.3μmで誘電率k=2.7の有機系絶縁膜63を成膜し、絶縁膜63の上に膜厚が0.1μmのSiH4膜64を形成する。SiH4膜64の上に膜厚が0.1μmの有機系のARC65を塗布する。このARC65の上に膜厚が0.18μmのレジスト66を塗布する。ArF光源の露光機を用いてレジスト66に幅90nmのラインと幅90nmのスペースパターンを形成する。
第3の参考例の問題点を回避するため、ArF光源の露光機を用いてレジストに幅95nmのラインと幅85nmのスペースパターンを形成した。しかし、DOF=0.15μm以下となりフォーカスマージンが足りなくなってしまい、レジストパターンを形成することが困難であった。
Claims (5)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上に前記絶縁膜との選択比が大きく、第1の膜厚を有するストッパー膜を形成し、
前記ストッパー膜の上に前記第1の膜厚より薄い第2の膜厚を有する第1のマスク材を形成し、
前記第1のマスク材により第1のマスクを形成し、
前記第1のマスクを用いて前記ストッパー膜をエッチングすることにより開口部を形成し、
前記開口部を第2のマスク材で埋め込み、
前記ストッパー膜を除去することによって、前記第2のマスク材により第2のマスクを形成し、
前記第2のマスクを用いて前記絶縁膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口部外の前記第2のマスク材を研磨により除去することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のマスク材は、レジスト、有機膜、或いはTi、Ta、Cu、Al、W、Mg、Suのうちの少なくとも1つの元素を含有する導電体、或いはSiO2、SiH4、SiN、SiC、SiCN、SiCO、SiCH、SiCNHのうちの少なくとも1つを主成分とする絶縁体であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ストッパー膜は、SiO2、SiH4、SiN、SiC、SiCN、SiCO、SiCH、SiCNHのうちの少なくとも1つを有する絶縁膜、或いはTi、Ta、Al、Su、Cu、Mg、Wのうち少なくとも1つの元素を含有する導電体膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜と前記ストッパー膜との選択比は10以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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