JP2006278678A - 基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板を、アンモニア、過酸化水素水を含む第1の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にHFを含む洗浄液で洗浄する第1の洗浄工程と、前記シリコン基板を、塩酸、過酸化水素水を含む第2の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にHFを含む洗浄液で洗浄する第2の洗浄工程と、前記第2の洗浄工程後の前記シリコン基板上に、シリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有し、前記第2の洗浄工程は複数回繰り返し実施されることを特徴とする基板処理方法。
【選択図】 図3
Description
請求項1に記載したように、
シリコン基板を、アンモニア、過酸化水素水を含む第1の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にHFを含む洗浄液で洗浄する第1の洗浄工程と、
前記シリコン基板を、塩酸、過酸化水素水を含む第2の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にHFを含む洗浄液で洗浄する第2の洗浄工程と、
前記第2の洗浄工程後の前記シリコン基板上に、シリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有し、
前記第2の洗浄工程は複数回繰り返し実施されることを特徴とする基板処理方法により、また、
請求項2に記載したように、
前記シリコン酸化膜は、紫外線照射により活性化された酸素ガスにより、形成されることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法により、また、
請求項3に記載したように、
前記シリコン酸化膜は、前記シリコン基板が酸素を含む雰囲気中で加熱されることにより、形成されることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法により、また、
請求項4に記載したように、
前記酸化膜形成工程は、
前記シリコン基板を前記第2の洗浄液で洗浄し、前記シリコン基板上に化学酸化膜を形成する工程と、
前記化学酸化膜を窒素または不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程とからなることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法により、また、
請求項5に記載したように、
前記シリコン酸化膜上に、HfまたはZrを含む高誘電体膜が形成される工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の基板処理方法により、また、
請求項6に記載したように、
前記酸化膜を窒化する窒化工程をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の基板処理方法により、また、
請求項7に記載したように、
前記窒化工程では、前記高誘電体膜との界面近傍の前記シリコン酸化膜が窒化されることを特徴とする請求項6記載の基板処理方法により、また、
請求項8に記載したように、
前記窒化工程は、高周波プラズマを用いたラジカル発生源を用いて生成される窒素ラジカルにより、行われることを特徴とする請求項6または7記載の基板処理方法により、また、
請求項9に記載したように、
前記シリコン酸化膜の膜厚は、0.4nmであることを特徴とする請求項5乃至8のうち、いずれか1項記載の基板処理方法により、また、
請求項10に記載したように、
前記第2の洗浄工程を繰り返すことで、前記シリコン基板と前記シリコン酸化膜の界面のラフネスを制御することを特徴とする請求項1記載の基板処理方法により、解決する。
21,51 処理容器
21A,55 排気口
21D,54 ガスノズル
22,53 保持台
25 紫外光源
25A 光学窓
26 リモートプラズマ源
26A ブロック
26B フェライトコア
26C プラズマ
26aガス循環通路
26b ガス入り口
26c ガス出口
26d コーティング
26e イオンフィルタ
52,53A 加熱手段
Claims (10)
- シリコン基板を、アンモニア、過酸化水素水を含む第1の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にHFを含む洗浄液で洗浄する第1の洗浄工程と、
前記シリコン基板を、塩酸、過酸化水素水を含む第2の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にHFを含む洗浄液で洗浄する第2の洗浄工程と、
前記第2の洗浄工程後の前記シリコン基板上に、シリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有し、
前記第2の洗浄工程は複数回繰り返し実施されることを特徴とする基板処理方法。 - 前記シリコン酸化膜は、紫外線照射により活性化された酸素ガスにより、形成されることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記シリコン酸化膜は、前記シリコン基板が酸素を含む雰囲気中で加熱されることにより、形成されることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記酸化膜形成工程は、
前記シリコン基板を前記第2の洗浄液で洗浄し、前記シリコン基板上に化学酸化膜を形成する工程と、
前記化学酸化膜を窒素または不活性ガス雰囲気中で熱処理する工程とからなることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。 - 前記シリコン酸化膜上に、HfまたはZrを含む高誘電体膜が形成される工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至4のうち、いずれか1項記載の基板処理方法。
- 前記酸化膜を窒化する窒化工程をさらに含むことを特徴とする請求項5記載の基板処理方法。
- 前記窒化工程では、前記高誘電体膜との界面近傍の前記シリコン酸化膜が窒化されることを特徴とする請求項6記載の基板処理方法。
- 前記窒化工程は、高周波プラズマを用いたラジカル発生源を用いて生成される窒素ラジカルにより、行われることを特徴とする請求項6または7記載の基板処理方法。
- 前記シリコン酸化膜の膜厚は、0.4nmであることを特徴とする請求項5乃至8のうち、いずれか1項記載の基板処理方法。
- 前記第2の洗浄工程を繰り返すことで、前記シリコン基板と前記シリコン酸化膜の界面のラフネスを制御することを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
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