JP2006269534A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006269534A5
JP2006269534A5 JP2005082308A JP2005082308A JP2006269534A5 JP 2006269534 A5 JP2006269534 A5 JP 2006269534A5 JP 2005082308 A JP2005082308 A JP 2005082308A JP 2005082308 A JP2005082308 A JP 2005082308A JP 2006269534 A5 JP2006269534 A5 JP 2006269534A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
semiconductor device
electron
gate electrode
electron supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005082308A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006269534A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005082308A priority Critical patent/JP2006269534A/ja
Priority claimed from JP2005082308A external-priority patent/JP2006269534A/ja
Priority to US11/385,749 priority patent/US7521707B2/en
Publication of JP2006269534A publication Critical patent/JP2006269534A/ja
Publication of JP2006269534A5 publication Critical patent/JP2006269534A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2005082308A 2005-03-22 2005-03-22 半導体装置及びその製造方法、その半導体装置製造用基板及びその製造方法並びにその半導体成長用基板 Pending JP2006269534A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005082308A JP2006269534A (ja) 2005-03-22 2005-03-22 半導体装置及びその製造方法、その半導体装置製造用基板及びその製造方法並びにその半導体成長用基板
US11/385,749 US7521707B2 (en) 2005-03-22 2006-03-22 Semiconductor device having GaN-based semiconductor layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005082308A JP2006269534A (ja) 2005-03-22 2005-03-22 半導体装置及びその製造方法、その半導体装置製造用基板及びその製造方法並びにその半導体成長用基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006269534A JP2006269534A (ja) 2006-10-05
JP2006269534A5 true JP2006269534A5 (https=) 2008-05-01

Family

ID=37034326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005082308A Pending JP2006269534A (ja) 2005-03-22 2005-03-22 半導体装置及びその製造方法、その半導体装置製造用基板及びその製造方法並びにその半導体成長用基板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7521707B2 (https=)
JP (1) JP2006269534A (https=)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE50112334D1 (de) * 2000-06-02 2007-05-24 Microgan Gmbh Heterostruktur mit rückseitiger donatordotierung
JP4984425B2 (ja) * 2005-04-28 2012-07-25 住友電気工業株式会社 電界効果トランジスタおよびエピタキシャル基板
EP1932181A4 (en) * 2005-09-16 2009-06-17 Univ California N-polar aluminum gallium nitride/gallium nitride enhancement-mode field effect transistor
JP4705482B2 (ja) * 2006-01-27 2011-06-22 パナソニック株式会社 トランジスタ
JP5362187B2 (ja) * 2006-03-30 2013-12-11 日本碍子株式会社 半導体素子
JP4226020B2 (ja) 2006-05-23 2009-02-18 シャープ株式会社 電界効果型トランジスタ
JP4282708B2 (ja) * 2006-10-20 2009-06-24 株式会社東芝 窒化物系半導体装置
US8193020B2 (en) 2006-11-15 2012-06-05 The Regents Of The University Of California Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face GaN, InN, and AlN and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
EP2087507A4 (en) * 2006-11-15 2010-07-07 Univ California METHOD FOR THE HETEROEPITAXIAL GROWTH OF QUALITATIVELY HIGH-QUALITY N-SIDE-GAN, INN AND AIN AND THEIR ALLOYS THROUGH METALLORGANIC CHEMICAL IMMUNE
JP5341774B2 (ja) * 2007-01-22 2013-11-13 エレメント シックス リミテッド ダイヤモンド表面のプラズマエッチング
WO2008105378A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Nec Corporation Iii族窒化物半導体電界効果トランジスタ
US20090085065A1 (en) * 2007-03-29 2009-04-02 The Regents Of The University Of California Method to fabricate iii-n semiconductor devices on the n-face of layers which are grown in the iii-face direction using wafer bonding and substrate removal
WO2008121976A2 (en) * 2007-03-29 2008-10-09 The Regents Of The University Of California Method to fabricate iii-n semiconductor devices on the n-face of layers which are grown in the iii-face direction using wafer bonding and substrate removal
US8455920B2 (en) * 2007-05-23 2013-06-04 International Rectifier Corporation III-nitride heterojunction device
US7728356B2 (en) * 2007-06-01 2010-06-01 The Regents Of The University Of California P-GaN/AlGaN/AlN/GaN enhancement-mode field effect transistor
JP5358901B2 (ja) * 2007-06-19 2013-12-04 日本電気株式会社 半導体装置
US7875537B2 (en) * 2007-08-29 2011-01-25 Cree, Inc. High temperature ion implantation of nitride based HEMTs
JP2009231396A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2010098047A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Sanken Electric Co Ltd 窒化物半導体装置
JP2010103425A (ja) 2008-10-27 2010-05-06 Sanken Electric Co Ltd 窒化物半導体装置
JP5396911B2 (ja) * 2009-02-25 2014-01-22 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP5587564B2 (ja) * 2009-06-19 2014-09-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法
JP2011108712A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 New Japan Radio Co Ltd 窒化物半導体装置
KR101774933B1 (ko) * 2010-03-02 2017-09-06 삼성전자 주식회사 듀얼 디플리션을 나타내는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
WO2012026089A1 (ja) 2010-08-27 2012-03-01 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 ＳｉＣ半導体素子
TWI587512B (zh) * 2011-05-16 2017-06-11 瑞薩電子股份有限公司 Field effect transistor and semiconductor device
JP2013074179A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Fujitsu Ltd 化合物半導体装置及びその製造方法
JP2014197644A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 トランスフォーム・ジャパン株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
JP6176064B2 (ja) * 2013-11-08 2017-08-09 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体デバイス
JP6418032B2 (ja) * 2015-03-27 2018-11-07 富士通株式会社 半導体装置
CN112652659B (zh) 2019-10-09 2024-02-13 联华电子股份有限公司 高电子迁移率晶体管及其制作方法
WO2021234813A1 (ja) * 2020-05-19 2021-11-25 日本電信電話株式会社 電界効果トランジスタの作製方法
CN112951963B (zh) * 2021-02-09 2023-10-13 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管外延片及其制备方法
WO2023085524A1 (ko) * 2021-11-15 2023-05-19 엘앤디전자 주식회사 반도체 능동소자
CN118318308A (zh) * 2021-11-25 2024-07-09 华为技术有限公司 一种高电子迁移率晶体管、射频晶体管、功率放大器和高电子迁移率晶体管的制备方法
CN114725019B (zh) * 2022-01-06 2025-07-11 西安电子科技大学 一种N面GaN基p、n沟道器件集成结构及其制备方法
WO2025262744A1 (ja) * 2024-06-17 2025-12-26 Ｎｔｔ株式会社 窒化物半導体素子
JP2026060391A (ja) * 2024-09-27 2026-04-08 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置、及び容量性負荷駆動回路
JP2026060390A (ja) * 2024-09-27 2026-04-08 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置、及び容量性負荷駆動回路
JP2026060389A (ja) * 2024-09-27 2026-04-08 セイコーエプソン株式会社 液体吐出装置、及び容量性負荷駆動回路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4260276B2 (ja) * 1998-03-27 2009-04-30 シャープ株式会社 半導体素子及びその製造方法
JP4577460B2 (ja) * 1999-04-01 2010-11-10 ソニー株式会社 半導体素子およびその製造方法
JP2001077353A (ja) * 1999-06-30 2001-03-23 Toshiba Corp 高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
JP4117535B2 (ja) 2001-11-30 2008-07-16 信越半導体株式会社 化合物半導体素子
US20050077538A1 (en) * 2003-10-10 2005-04-14 The Regents Of The University Of California Design methodology for multiple channel heterostructures in polar materials
JP4984407B2 (ja) * 2005-03-15 2012-07-25 日立電線株式会社 半導体ウェハー及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006269534A5 (https=)
JP2006286740A5 (https=)
JP2006286942A5 (https=)
JP2006286910A5 (https=)
JP2011119714A5 (ja) 半導体装置
JP2006286954A5 (https=)
JP2007096055A5 (https=)
JP2005079560A5 (https=)
JP2010258434A5 (ja) 半導体装置
JP2011100997A5 (ja) 半導体装置
EP2657976A3 (en) Compound Semiconductor Device and Manufacturing Method of the Same
JP2010135780A5 (ja) 半導体装置
JP2010080952A5 (ja) 半導体装置
JP2011097103A5 (https=)
TW200723521A (en) Metal oxide semiconductor devices and film structures and methods
JP2010153828A5 (ja) 半導体装置
JP2011123986A5 (ja) 半導体装置
JP2011181917A5 (https=)
JP2011233880A5 (ja) 半導体装置
JP2006278812A5 (https=)
JP2010166030A5 (https=)
WO2009066434A1 (ja) 電界効果トランジスタおよびその製造方法
TW200741978A (en) Stressor integration and method thereof
JP2010098141A5 (ja) 半導体装置
WO2008096521A1 (ja) 半導体装置