JP2006253517A - Reduced-pressure dryer - Google Patents

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崇 柿村
Yoshitaka Kitamura
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reduced-pressure dryer in which the components of thin film, e.g. photoresist, can be prevented from adhering to an exhaust pump. <P>SOLUTION: The reduced-pressure dryer comprises a chamber 10 covering the circumference of a substrate W, an exhaust pump 50, a first opening/closing valve 41, a second opening/closing valve 42, and a third opening/closing valve 43. After photoresist formed on the major surface of the substrate W is vacuum dried by opening the first opening/closing valve 41 and evacuating the chamber 10, the first opening/closing valve 41 is closed and evacuation of the chamber 10 is stopped. Subsequently, inert gas is supplied to the exhaust pump 50 by opening the second opening/closing valve 42, and inert gas is supplied into the chamber 10 by opening the third opening/closing valve 43. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、減圧乾燥装置に関する。   The present invention relates to a vacuum drying apparatus.

例えば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板に塗布されたフォトレジスト等の薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置は、特許文献1に開示されている。この特許文献1に記載の減圧乾燥装置においては、基板を搬入したチャンバー内をドライポンプ等の排気ポンプにより減圧することで、レジスト液の成分の中心である溶剤の蒸発を促進し、フォトレジストを迅速に乾燥させるようにしている。このような減圧乾燥装置を使用してフォトレジストを乾燥させた場合には、風や熱等の外的要因の影響を防止して、フォトレジストをムラなく乾燥させることが可能となる。   For example, Patent Document 1 discloses a vacuum drying apparatus for drying a thin film such as a photoresist applied to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus under reduced pressure. In the reduced-pressure drying apparatus described in Patent Document 1, the inside of the chamber into which the substrate is loaded is depressurized by an exhaust pump such as a dry pump, thereby promoting the evaporation of the solvent, which is the center of the components of the resist solution. I try to dry it quickly. When the photoresist is dried using such a reduced pressure drying apparatus, it is possible to prevent the influence of external factors such as wind and heat, and to dry the photoresist evenly.

また、このような減圧乾燥装置を使用した場合、減圧乾燥処理を開始した直後に突沸と呼ばれる現象が発生する場合がある。これは、基板表面に塗布されたフォトレジスト中の溶剤成分が急激に蒸発して突然沸騰することにより生ずる現象である。このような突沸が発生した場合には、脱泡と呼ばれるフォトレジストの表面に小さな泡が形成される現象が生じ、その基板の使用が不可能となる。このため、減圧乾燥処理の初期段階においては、チャンバー内より低速で排気を行って、脱泡の発生を防止した後、チャンバー内を強力に排気して、基板の全面において迅速で均一な乾燥を行うようにしている。
特開平7−283108号公報
Further, when such a vacuum drying apparatus is used, a phenomenon called bumping may occur immediately after the vacuum drying process is started. This is a phenomenon that occurs when the solvent component in the photoresist applied to the substrate surface suddenly evaporates and suddenly boils. When such bumping occurs, a phenomenon called small bubbles is formed on the surface of the photoresist called defoaming, and the substrate cannot be used. For this reason, in the initial stage of the vacuum drying process, exhausting is performed at a lower speed than in the chamber to prevent the occurrence of defoaming, and then the interior of the chamber is exhausted strongly to achieve rapid and uniform drying over the entire surface of the substrate. Like to do.
JP-A-7-283108

薄膜を構成するフォトレジストのうち、例えば、カラーフィルター(Color Filter)用レジストまたは有機膜用レジスト(Organic Resist)などのアクリル系樹脂を含有するレジストは、経時変化により固化しやすいという性質を有する。このため、フォトレジストとしてこのようなカラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストを使用した場合には、排気ポンプ内にレジストが固着するという問題が生ずる。   Among photoresists constituting a thin film, for example, a resist containing an acrylic resin such as a resist for a color filter (Color Filter) or a resist for an organic film (Organic Resist) has a property of being easily solidified due to a change with time. Therefore, when such a color filter resist or a resist containing an acrylic resin is used as the photoresist, there arises a problem that the resist is fixed in the exhaust pump.

すなわち、減圧乾燥処理を行う場合には、排気プロセスの初期においては、チャンバー内に存在する不活性ガス等が多量に排気ポンプを通過する。一方、排気プロセスの中盤においては、フォトレジスト中の溶剤成分の気化が開始される。このときには、チャンバー内には不活性ガス等はほとんど存在しないため、気体中に含まれる高濃度な溶剤成分がポンプ中を通過することになる。   That is, when performing the vacuum drying process, a large amount of inert gas or the like existing in the chamber passes through the exhaust pump at the initial stage of the exhaust process. On the other hand, in the middle of the exhaust process, vaporization of the solvent component in the photoresist is started. At this time, since there is almost no inert gas or the like in the chamber, a high-concentration solvent component contained in the gas passes through the pump.

このとき、排気ポンプとしては、一般的にドライポンプが使用される。このドライポンプは、スクリュータイプのポンプであり、ケーシング内でロータを回転させることにより、気体を圧縮させながら移動させて排気する構成を有する。このような、排気ポンプ中に高濃度の溶剤成分が侵入した場合には、気体が圧縮される際にフォトレジストの溶剤成分がポンプのロータ部分に固着する。そして、ロータに固着した溶剤成分が堆積した場合には、排気ポンプの排気動作に支障を来すことになる。   At this time, a dry pump is generally used as the exhaust pump. This dry pump is a screw-type pump, and has a configuration in which gas is compressed and moved while being compressed by rotating a rotor in a casing. When such a high-concentration solvent component enters the exhaust pump, the solvent component of the photoresist adheres to the rotor portion of the pump when the gas is compressed. And when the solvent component adhering to a rotor accumulates, it will interfere with the exhaust operation of an exhaust pump.

なお、このようなドライポンプにおいては、ロータとケーシングとをわずかな隙間を介した非接触な状態に維持するため、ポンプ内に少量のパージガスを流している。このため、このパージガスの流量を大きくすることで溶剤成分の固着を防止することも可能ではあるが、このような構成を採用した場合には、排気ポンプの排気性能が低下し、チャンバーの真空到達度が低下するという問題が生ずる。   In such a dry pump, a small amount of purge gas is allowed to flow in the pump in order to maintain the rotor and casing in a non-contact state with a slight gap. For this reason, it is possible to prevent the solvent component from sticking by increasing the flow rate of the purge gas. However, when such a configuration is adopted, the exhaust performance of the exhaust pump is reduced and the vacuum in the chamber is reached. The problem is that the degree decreases.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、排気ポンプにフォトレジスト等の薄膜の成分が固着することを防止することが可能な減圧乾燥装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a vacuum drying apparatus capable of preventing thin film components such as a photoresist from adhering to an exhaust pump.

請求項1に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気ポンプと、前記排気ポンプと前記チャンバーとの間に配設された第1開閉弁とを備え、前記第1開閉弁を開放して前記チャンバー内を排気することにより基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥し、前記第1開閉弁を閉鎖して前記チャンバーの排気を停止した後、前記第1開閉弁と前記排気ポンプとを連結する管路中に不活性ガスを供給することを特徴とする。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a vacuum drying apparatus for drying a thin film formed on a main surface of a substrate under reduced pressure, a chamber covering the periphery of the substrate, an exhaust pump for exhausting an atmosphere in the chamber, and the exhaust pump And a first on-off valve disposed between the chamber and the first on-off valve is opened to evacuate the chamber to dry the thin film formed on the main surface of the substrate under reduced pressure, After the first on-off valve is closed and exhaust of the chamber is stopped, an inert gas is supplied into a pipe line connecting the first on-off valve and the exhaust pump.

請求項2に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気ポンプと、前記排気ポンプと前記チャンバーとの間に配設された第1開閉弁と、前記第1開閉弁と前記排気ポンプとを連結する管路に接続され、当該管路に不活性ガスを導入するための第2開閉弁と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給するための第3開閉弁と、前記第1開閉弁を開放して前記チャンバー内を排気することにより基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥し、前記第1開閉弁を閉鎖して前記チャンバーの排気を停止した後、前記第2開閉弁を開放して前記第1開閉弁と前記排気ポンプとを連結する管路中に不活性ガスを供給するとともに、前記第3開閉弁を開放して前記チャンバー内に不活性ガスを供給する制御手段とを備えたことを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a vacuum drying apparatus for drying a thin film formed on a main surface of a substrate under reduced pressure, a chamber covering the periphery of the substrate, an exhaust pump for exhausting an atmosphere in the chamber, and the exhaust pump And a first on-off valve disposed between the chamber and the chamber, and a second pipe for connecting the first on-off valve and the exhaust pump to introduce an inert gas into the pipe. The on-off valve, a third on-off valve for supplying an inert gas into the chamber, and the thin film formed on the main surface of the substrate by depressurizing the inside of the chamber by opening the first on-off valve After drying, the first on-off valve is closed and the exhaust of the chamber is stopped, then the second on-off valve is opened and an inert gas is connected to the pipe connecting the first on-off valve and the exhaust pump. And the third opening and closing The open, characterized in that a control means for supplying an inert gas into the chamber.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、前記制御部は、前記第2開閉弁と前記第3開閉弁とを同時に開放する。   According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the control unit opens the second on-off valve and the third on-off valve at the same time.

請求項4に記載の発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気ポンプと、前記排気ポンプと前記チャンバーとの間に配設された第1開閉弁と、前記排気ポンプに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記排気ポンプによる排気によりチャンバー内が予め設定した真空度に到達した後に、前記第1開閉弁を閉止するとともに、前記不活性ガス供給手段により排気ポンプに供給する不活性ガスの流量を増大させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a vacuum drying apparatus for drying a thin film formed on a main surface of a substrate under reduced pressure, a chamber that covers the periphery of the substrate, an exhaust pump that exhausts an atmosphere in the chamber, and the exhaust pump And a first open / close valve disposed between the chamber and the chamber, an inert gas supply means for supplying an inert gas to the exhaust pump, and the interior of the chamber reaches a predetermined degree of vacuum by exhausting the exhaust pump. And a control means for closing the first on-off valve and controlling the inert gas supply means to increase the flow rate of the inert gas supplied to the exhaust pump.

請求項5に記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発明において、前記薄膜は、カラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストである。   The invention according to claim 5 is the invention according to any one of claims 1 to 4, wherein the thin film is a resist for a color filter or a resist containing an acrylic resin.

請求項6に記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発明において、前記排気ポンプは、ドライポンプである。   According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the exhaust pump is a dry pump.

請求項1、請求項2および請求項4に記載の発明によれば、減圧乾燥後に第1開閉弁と排気ポンプとを連結する管路中に不活性ガスを供給することから、当該管路を介して排気ポンプに不活性ガスを供給することにより、排気ポンプにフォトレジスト等の薄膜の成分が固着することを防止することが可能となる。   According to the first, second, and fourth aspects of the invention, the inert gas is supplied into the pipe connecting the first on-off valve and the exhaust pump after drying under reduced pressure. By supplying an inert gas to the exhaust pump, it is possible to prevent thin film components such as a photoresist from adhering to the exhaust pump.

請求項3に記載の発明によれば、第2開閉弁と第3開閉弁とを同時に開放することから、装置を制御するための構成を簡易なものとすることができる。   According to invention of Claim 3, since the 2nd on-off valve and the 3rd on-off valve are open | released simultaneously, the structure for controlling an apparatus can be simplified.

請求項4に記載の発明によれば、固化し易いカラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストの成分が排気ポンプに付着することを防止することが可能となる。   According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to prevent the color filter resist or the resist component containing the acrylic resin from being easily solidified from adhering to the exhaust pump.

請求項5に記載の発明によれば、気体を圧縮するときに固化を生じやすいドライポンプへの固着を防止することが可能となる。   According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to prevent sticking to a dry pump that tends to cause solidification when the gas is compressed.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る減圧乾燥装置の概要図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of a vacuum drying apparatus according to the present invention.

この減圧乾燥装置は、蓋部11と、パッキング12と、基部13とから成るチャンバー10と、このチャンバー10における基部13に立設された支持ピン15と、複数の昇降ピン21が立設された支持板22とを備える。その主面に薄膜としてのカラーフィルター用レジストまたは有機膜用レジストなどのアクリル系樹脂を含有するレジストが塗布された基板Wは、チャンバー10内において、その主面を上方に向けた水平姿勢で支持ピン15または昇降ピン21により支持される。   In this vacuum drying apparatus, a chamber 10 including a lid portion 11, a packing 12, and a base portion 13, a support pin 15 erected on the base portion 13 in the chamber 10, and a plurality of lifting pins 21 are erected. And a support plate 22. A substrate W coated with a resist containing an acrylic resin such as a color filter resist or organic film resist as a thin film on its main surface is supported in a horizontal posture with its main surface facing upward in the chamber 10. It is supported by the pin 15 or the lift pin 21.

支持板22は、支持棒24を介して昇降機構25と連結されている。昇降ピン21は支持板22とともに、昇降機構25の作用により、図示しない搬送アームとの間で基板Wを受け渡す基板Wの受け渡し位置と、図1に示す乾燥位置との間を昇降可能となっている。   The support plate 22 is connected to the lifting mechanism 25 via a support bar 24. The lift pins 21 can move up and down between the transfer position of the substrate W for transferring the substrate W to and from the transfer arm (not shown) and the drying position shown in FIG. ing.

チャンバー10における基部13には、排気口31が形成されている。この排気口31は、管路53、第1開閉弁41および管路51を介して排気ポンプ50に接続されている。この排気ポンプ50は、ロータを回転させることにより気体を圧縮させながら移動させて排気するスクリュータイプのドライポンプから構成される。この排気ポンプ50には、パージガス供給用の管路54が配設されている。この排気ポンプ50内には、この管路54を介して少量の窒素ガスが常時パージされる。   An exhaust port 31 is formed in the base portion 13 of the chamber 10. The exhaust port 31 is connected to the exhaust pump 50 via a conduit 53, a first on-off valve 41, and a conduit 51. The exhaust pump 50 is composed of a screw-type dry pump that moves and exhausts gas while compressing it by rotating a rotor. The exhaust pump 50 is provided with a pipe 54 for supplying purge gas. A small amount of nitrogen gas is constantly purged into the exhaust pump 50 via the pipe line 54.

また、この排気ポンプ50は、管路55を介して気液分離部56に接続されている。排気ポンプ50から排出される気体は、気液分離部56において液体成分を除去された後、大気中、または、排気エリアに排気される。   Further, the exhaust pump 50 is connected to a gas-liquid separation unit 56 through a pipe line 55. The gas discharged from the exhaust pump 50 is exhausted to the atmosphere or an exhaust area after the liquid component is removed by the gas-liquid separator 56.

第1開閉弁41と排気ポンプ54とを連結する管路51には、第2開閉弁42が、管路52を介して接続されている。この第2開閉弁42は、管路51、52を介して排気ポンプ50に窒素ガスを供給するためのものであり、図示しない窒素ガスの供給源と接続されている。   A second on-off valve 42 is connected to a pipe line 51 connecting the first on-off valve 41 and the exhaust pump 54 via a pipe line 52. The second on-off valve 42 is for supplying nitrogen gas to the exhaust pump 50 via the pipelines 51 and 52, and is connected to a nitrogen gas supply source (not shown).

なお、管路51内にカラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストが固着する場合があるが、この管路51内に固着したレジストを窒素ガスによりパージして除去するため、管路52が管路51に接続される箇所は、第1開閉弁41の可及的、近傍であることが好ましい。   In some cases, a resist for color filter or a resist containing an acrylic resin is fixed in the pipe 51, but the resist fixed in the pipe 51 is purged and removed by nitrogen gas. Is preferably connected to the pipe line 51 as close as possible to the first on-off valve 41.

チャンバー10における基部13には、窒素ガス導入口32が形成されている。この窒素ガス導入孔32には、第3開閉弁43が、管路57を介して接続されている。この第3開閉弁43は、管路57を介してチャンバー10内に窒素ガスを供給するためのものであり、図示しない窒素ガスの供給源と接続されている。   A nitrogen gas inlet 32 is formed in the base 13 of the chamber 10. A third on-off valve 43 is connected to the nitrogen gas introduction hole 32 via a pipe line 57. The third on-off valve 43 is for supplying nitrogen gas into the chamber 10 via the conduit 57, and is connected to a nitrogen gas supply source (not shown).

図2は、この発明に係る減圧乾燥装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。   FIG. 2 is a block diagram showing the main electrical configuration of the vacuum drying apparatus according to the present invention.

この減圧乾燥装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたROM61と、制御時にデータ等が一時的にストアされるRAM62と、論理演算を実行するCPU63とから成る制御部60を有する。この制御部60は、上述した第1開閉弁41、第2開閉弁42および第3開閉弁43と、インターフェース64を介して接続されている。また、この制御部60は、上述した昇降機構25や、チャンバー10の蓋部11を開閉するための駆動機構等を含む、その他の駆動機構65とも接続されている。   The vacuum drying apparatus includes a control unit 60 including a ROM 61 that stores an operation program necessary for controlling the apparatus, a RAM 62 that temporarily stores data and the like during control, and a CPU 63 that executes a logical operation. The control unit 60 is connected to the first on-off valve 41, the second on-off valve 42, and the third on-off valve 43 described above via an interface 64. The control unit 60 is also connected to other driving mechanisms 65 including the above-described lifting mechanism 25 and a driving mechanism for opening and closing the lid portion 11 of the chamber 10.

次に、この減圧乾燥装置により基板の主面に形成された薄膜を乾燥する乾燥動作について説明する。図3および図4は、この発明に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。   Next, a drying operation for drying the thin film formed on the main surface of the substrate by the reduced pressure drying apparatus will be described. 3 and 4 are flowcharts showing a drying operation by the reduced pressure drying apparatus according to the present invention.

基板Wの主面に形成された薄膜を乾燥する場合には、最初に、第1、第2、第3開閉弁41、42、43を閉止しておく。この状態で、チャンバー10における蓋部11を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバー10を開放する(ステップS11)。次に、基板Wを支持した図示しない搬送アームがチャンバー10内に進入する(ステップS12)。   When drying the thin film formed on the main surface of the substrate W, first, the first, second, and third on-off valves 41, 42, and 43 are closed. In this state, the lid portion 11 in the chamber 10 is raised by an elevator mechanism (not shown) to open the chamber 10 (step S11). Next, a transfer arm (not shown) that supports the substrate W enters the chamber 10 (step S12).

次に、昇降機構25の駆動により、昇降ピン21が支持板22とともに基板Wの受け渡し位置まで上昇する(ステップS13)。これにより、搬送アームに支持されていた基板Wが、昇降ピン21により支持される。そして、搬送アームがチャンバー10内より退出する(ステップS14)。   Next, by driving the lifting mechanism 25, the lifting pins 21 are raised together with the support plate 22 to the delivery position of the substrate W (step S13). As a result, the substrate W supported by the transport arm is supported by the lift pins 21. Then, the transfer arm exits from the chamber 10 (step S14).

次に、昇降機構25の駆動により、昇降ピン21が支持板22とともに乾燥位置まで下降する(ステップS15)。これにより、昇降ピン21にその下面を支持されていた基板Wが支持ピン15に移載される。そして、チャンバー10における蓋部11を図示しない昇降機構により下降させて、チャンバー10を閉止する(ステップS16)。   Next, the lift pin 21 is lowered together with the support plate 22 to the dry position by driving the lift mechanism 25 (step S15). As a result, the substrate W whose lower surface is supported by the lift pins 21 is transferred to the support pins 15. Then, the lid portion 11 in the chamber 10 is lowered by an elevator mechanism (not shown) to close the chamber 10 (step S16).

この状態において、第1の開閉弁41を開放し、排気ポンプ50の作用により少量の排気を行う(ステップS17)。このように少量の排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Wの主面における中央から端縁に向かう緩やかな空気流により、突沸による脱泡を防止した状態で、適切な減圧乾燥を実行することが可能となる。   In this state, the first on-off valve 41 is opened, and a small amount of exhaust is performed by the action of the exhaust pump 50 (step S17). Thus, when vacuum drying is performed with a small amount of exhaust, appropriate vacuum drying is performed in a state in which defoaming due to bumping is prevented by a gentle air flow from the center to the edge of the main surface of the substrate W. It becomes possible to execute.

この状態で一定の時間が経過すれば(ステップS18)、排気ポンプ50の駆動を切り替え、排気口31からの排気量を大きくする(ステップS19)。このときには、基板Wの主面において、その中央から端縁に向かう比較的大きな空気流が発生する。このように大きな排気量により減圧乾燥を行った場合には、基板Wの主面全域にわたり、迅速に乾燥が行われる。しかしながら、上述した少量排気による乾燥工程において薄膜はある程度乾燥していることから、突沸による脱泡が発生することはない。   If a certain time has passed in this state (step S18), the driving of the exhaust pump 50 is switched to increase the exhaust amount from the exhaust port 31 (step S19). At this time, a relatively large air flow is generated on the main surface of the substrate W from the center toward the edge. When vacuum drying is performed with such a large displacement, drying is performed quickly over the entire main surface of the substrate W. However, since the thin film is dried to some extent in the above-described drying process using a small amount of exhaust air, defoaming due to bumping does not occur.

この状態で、図示しないセンサによりチャンバー10内の真空度が予め設定した値に到達したことを検知すれば(ステップS20)、第3開閉弁43を開放して窒素ガスをチャンバ10内に供給し、チャンバ10内を窒素ガスでパージする(ステップS21)。また、これと同時に、第1開閉弁41を閉止して第2開閉弁42を開放する弁切り替え動作を実行する(ステップS22)。   In this state, if it is detected by a sensor (not shown) that the degree of vacuum in the chamber 10 has reached a preset value (step S20), the third on-off valve 43 is opened to supply nitrogen gas into the chamber 10. The inside of the chamber 10 is purged with nitrogen gas (step S21). At the same time, a valve switching operation for closing the first on-off valve 41 and opening the second on-off valve 42 is executed (step S22).

この状態においては、開閉弁42から管路52および管路51を介して多量の窒素ガスが排気ポンプ50に流入する。すなわち、窒素ガスの流量がゼロから所定量に増加する。これにより、カラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストの溶剤成分を窒素ガスとともに気液分離部56に向けて流出させることが可能となる。従って、排気ポンプ50にカラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストの成分が固着することを防止することが可能となる。また、このとき、排気ポンプ50に固着するレジストの除去と同時に、管路51に固着するレジストの除去をも実行することが可能となる。   In this state, a large amount of nitrogen gas flows into the exhaust pump 50 from the on-off valve 42 via the pipeline 52 and the pipeline 51. That is, the flow rate of nitrogen gas increases from zero to a predetermined amount. Thereby, the solvent component of the resist containing a color filter resist or an acrylic resin can be discharged toward the gas-liquid separation unit 56 together with the nitrogen gas. Therefore, it is possible to prevent the color filter resist or the resist component containing the acrylic resin from adhering to the exhaust pump 50. At this time, it is possible to remove the resist adhering to the pipe 51 at the same time as the resist adhering to the exhaust pump 50 is removed.

なお、このように多量の窒素ガスを排気ポンプ50に流入させても、チャンバー10内の真空度が予め設定した値に到達していて、かつ、第1開閉弁41を閉止している状態であるため、チャンバー10内の真空度に影響を与えることなく、基板の乾燥処理を良好に実行することができる。   Even when a large amount of nitrogen gas flows into the exhaust pump 50 in this way, the degree of vacuum in the chamber 10 reaches a preset value and the first on-off valve 41 is closed. Therefore, the substrate drying process can be performed satisfactorily without affecting the degree of vacuum in the chamber 10.

なお、この実施形態においては、第1、第2、第3開閉弁41、42、43の開閉動作を同時に実行している。これにより、開閉動作を実行するためのタイマー等を簡略化でき、装置を制御するための構成を簡易なものとすることができる。   In this embodiment, the opening / closing operations of the first, second, and third opening / closing valves 41, 42, 43 are simultaneously performed. As a result, a timer or the like for executing the opening / closing operation can be simplified, and the configuration for controlling the apparatus can be simplified.

第3開閉弁43からの窒素ガスによるパージでチャンバー10内が大気圧となれば(ステップS23)、第2開閉弁42を閉止して排気ポンプ54への窒素ガスの供給を停止するとともに、第3開閉弁43を閉止してチャンバー10への窒素ガスパージを停止する(ステップS24)。なお、この場合にも、第2、第3開閉弁42、43の開閉動作を同時に実行している。これにより、開閉動作を実行するためのタイマー等を簡略化でき、装置を制御するための構成を簡易なものとすることができる。   If the inside of the chamber 10 becomes atmospheric pressure by purging with the nitrogen gas from the third on-off valve 43 (step S23), the second on-off valve 42 is closed to stop the supply of the nitrogen gas to the exhaust pump 54, and 3 The on-off valve 43 is closed to stop the nitrogen gas purge to the chamber 10 (step S24). Also in this case, the opening and closing operations of the second and third opening / closing valves 42 and 43 are performed simultaneously. As a result, a timer or the like for executing the opening / closing operation can be simplified, and the configuration for controlling the apparatus can be simplified.

次に、チャンバー10における蓋部11を図示しない昇降機構により上昇させて、チャンバー10を開放する(ステップS25)。次に、昇降機構25の駆動により、昇降ピン21が支持板22とともに基板Wの受け渡し位置まで上昇する(ステップS26)。   Next, the lid portion 11 in the chamber 10 is raised by an elevator mechanism (not shown) to open the chamber 10 (step S25). Next, by driving the lifting mechanism 25, the lifting pins 21 are raised together with the support plate 22 to the delivery position of the substrate W (step S26).

この状態において、図示しない搬送アームがチャンバー10内に進入する(ステップS27)。そして、昇降機構25の駆動により、昇降ピン21が支持板22とともに下降する(ステップS28)。これにより、昇降ピン21に支持されていた基板Wが搬送アームにより支持される。そして、基板Wを支持した搬送アームがチャンバー10内より退出する(ステップS29)。   In this state, a transfer arm (not shown) enters the chamber 10 (step S27). And by the drive of the raising / lowering mechanism 25, the raising / lowering pin 21 falls with the support plate 22 (step S28). Thereby, the board | substrate W currently supported by the raising / lowering pin 21 is supported by the conveyance arm. Then, the transfer arm that supports the substrate W leaves the chamber 10 (step S29).

次に、この減圧乾燥装置による乾燥動作の他の実施形態について説明する。図5および図6は、この発明に係る減圧乾燥装置による乾燥動作を示すフローチャートである。   Next, another embodiment of the drying operation by this vacuum drying apparatus will be described. 5 and 6 are flowcharts showing a drying operation by the reduced pressure drying apparatus according to the present invention.

上述した実施形態においては、第3開閉弁43からの窒素ガスによるパージでチャンバー10内が大気圧となれば(ステップS23)、第2開閉弁42を閉止して排気ポンプ54への窒素ガスの供給を停止するとともに、第3開閉弁43を閉止してチャンバー10への窒素ガスパージを停止する(ステップS24)ことにより、開閉動作を実行するためのタイマー等を簡略化し、装置を制御するための構成を簡易なものとしている。   In the above-described embodiment, when the inside of the chamber 10 becomes atmospheric pressure by purging with the nitrogen gas from the third on-off valve 43 (step S23), the second on-off valve 42 is closed and the nitrogen gas to the exhaust pump 54 is closed. While stopping supply, the 3rd on-off valve 43 is closed, and the nitrogen gas purge to the chamber 10 is stopped (step S24), thereby simplifying a timer or the like for executing the opening / closing operation and controlling the apparatus The configuration is simplified.

これに対して、この実施形態においては、第2開閉弁42を開放して排気ポンプ50への供給を開始してから予め設定した時間が経過した後、第2開閉弁42を閉止して排気ポンプ50への窒素ガスの供給を停止するようにしている。その他の動作は、上述した実施形態と同様である。   On the other hand, in this embodiment, after the preset time has elapsed after the second on-off valve 42 is opened and the supply to the exhaust pump 50 is started, the second on-off valve 42 is closed and the exhaust gas is exhausted. The supply of nitrogen gas to the pump 50 is stopped. Other operations are the same as those in the above-described embodiment.

すなわち、この実施形態においては、第3開閉弁43を開放して窒素ガスをチャンバ10内に供給し、チャンバ10内を窒素ガスでパージした後(ステップS21)、チャンバー10内が大気圧となれば(ステップS23a)、第3開閉弁43を閉止してチャンバー10への窒素ガスの供給を停止する(ステップS24a)。一方、これと並行して開閉弁42を開放して窒素ガスの排気ポンプ50への供給の開始後(ステップS22)、予め設定した一定の時間が経過した後(ステップS23b)、第2開閉弁42を閉止して排気ポンプ54への窒素ガスの供給を停止する(ステップS24b)。この実施形態によれば、排気ポンプ50への窒素ガスの供給時間を、排気ポンプ50へのカラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストの成分の固着を防止するのに最適な時間とすることが可能となる。   That is, in this embodiment, after the third on-off valve 43 is opened and nitrogen gas is supplied into the chamber 10 and the inside of the chamber 10 is purged with nitrogen gas (step S21), the inside of the chamber 10 becomes atmospheric pressure. If so (step S23a), the third on-off valve 43 is closed to stop the supply of nitrogen gas to the chamber 10 (step S24a). On the other hand, after opening the on-off valve 42 in parallel with this and starting the supply of nitrogen gas to the exhaust pump 50 (step S22), after a predetermined time has elapsed (step S23b), the second on-off valve 42 is closed and supply of nitrogen gas to the exhaust pump 54 is stopped (step S24b). According to this embodiment, the supply time of the nitrogen gas to the exhaust pump 50 is set to an optimal time for preventing adhesion of the color filter resist or the resist containing acrylic resin to the exhaust pump 50. It becomes possible.

なお、上述した実施形態においては、いずれも、排気ポンプ10に接続する管路51は、窒素ガスの供給源と接続された管路52を接続することにより、排気ポンプ10に多量の窒素ガスを供給する構成となっている。しかしながら、排気ポンプ50にパージガスを供給する管路54に流量調整弁を設け、チャンバー10内の真空度が予め設定した値に到達し、第1開閉弁41を閉止した後に、管路54を介して多量の窒素ガスを排気ポンプ50に流入させることで、排気ポンプ50にカラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストの成分が固着することを防止する構成を採用してもよい。   In each of the above-described embodiments, the pipe 51 connected to the exhaust pump 10 is connected to the pipe 52 connected to the nitrogen gas supply source so that a large amount of nitrogen gas is supplied to the exhaust pump 10. It is configured to supply. However, a flow rate adjusting valve is provided in the pipe line 54 for supplying the purge gas to the exhaust pump 50, and after the degree of vacuum in the chamber 10 reaches a preset value and the first on-off valve 41 is closed, the pipe line 54 is used. Alternatively, a configuration may be adopted in which a large amount of nitrogen gas is caused to flow into the exhaust pump 50 to prevent the color filter resist or the resist-containing resist component from adhering to the exhaust pump 50.

この発明に係る減圧乾燥装置の概要図である。1 is a schematic diagram of a vacuum drying apparatus according to the present invention. この発明に係る減圧乾燥装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main electrical structures of the reduced pressure drying apparatus which concerns on this invention. 乾燥動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows drying operation. 乾燥動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows drying operation. 乾燥動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows drying operation. 乾燥動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows drying operation.

符号の説明Explanation of symbols

10 チャンバー
11 蓋部
12 パッキング
13 基部
14 上面
15 支持ピン
15 凹部
21 昇降ピン
22 支持板
25 昇降機構
31 排気口
32 窒素ガス導入孔
41 第1開閉弁
42 第2開閉弁
43 第3開閉弁
50 排気ポンプ
51 管路
52 管路
53 管路
56 気液分離部
57 管路
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Chamber 11 Cover part 12 Packing 13 Base 14 Upper surface 15 Support pin 15 Recess 21 Lifting pin 22 Support plate 25 Lifting mechanism 31 Exhaust port 32 Nitrogen gas introduction hole 41 First on-off valve 42 Second on-off valve 43 Third on-off valve 50 Exhaust Pump 51 Pipe line 52 Pipe line 53 Pipe line 56 Gas-liquid separator 57 Pipe line W Substrate

Claims (6)

基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバーと、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気ポンプと、
前記排気ポンプと前記チャンバーとの間に配設された第1開閉弁とを備え、
前記第1開閉弁を開放して前記チャンバー内を排気することにより基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥し、前記第1開閉弁を閉鎖して前記チャンバーの排気を停止した後、前記第1開閉弁と前記排気ポンプとを連結する管路中に不活性ガスを供給することを特徴とする減圧乾燥装置。
In a vacuum drying apparatus for drying the thin film formed on the main surface of the substrate under reduced pressure,
A chamber covering the periphery of the substrate;
An exhaust pump for exhausting the atmosphere in the chamber;
A first on-off valve disposed between the exhaust pump and the chamber;
The first on-off valve is opened and the inside of the chamber is evacuated to dry the thin film formed on the main surface of the substrate under reduced pressure. After the first on-off valve is closed and the exhaust of the chamber is stopped, A vacuum drying apparatus, wherein an inert gas is supplied into a pipe line connecting the first on-off valve and the exhaust pump.
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバーと、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気ポンプと、
前記排気ポンプと前記チャンバーとの間に配設された第1開閉弁と、
前記第1開閉弁と前記排気ポンプとを連結する管路に接続され、当該管路に不活性ガスを導入するための第2開閉弁と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給するための第3開閉弁と、
前記第1開閉弁を開放して前記チャンバー内を排気することにより基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥し、前記第1開閉弁を閉鎖して前記チャンバーの排気を停止した後、前記第2開閉弁を開放して前記第1開閉弁と前記排気ポンプとを連結する管路中に不活性ガスを供給するとともに、前記第3開閉弁を開放して前記チャンバー内に不活性ガスを供給する制御手段と、
を備えたことを特徴とする減圧乾燥装置。
In a vacuum drying apparatus for vacuum drying a thin film formed on a main surface of a substrate,
A chamber covering the periphery of the substrate;
An exhaust pump for exhausting the atmosphere in the chamber;
A first on-off valve disposed between the exhaust pump and the chamber;
A second on-off valve connected to a pipe connecting the first on-off valve and the exhaust pump, and for introducing an inert gas into the pipe;
A third on-off valve for supplying an inert gas into the chamber;
The first on-off valve is opened and the inside of the chamber is evacuated to dry the thin film formed on the main surface of the substrate under reduced pressure. After the first on-off valve is closed and the exhaust of the chamber is stopped, An inert gas is supplied to a pipe line connecting the first on-off valve and the exhaust pump by opening the second on-off valve, and the inert gas is supplied into the chamber by opening the third on-off valve. Supply control means;
A reduced-pressure drying apparatus comprising:
請求項2に記載の減圧乾燥装置において、
前記制御部は、前記第2開閉弁と前記第3開閉弁とを同時に開放する減圧乾燥装置。
The reduced-pressure drying apparatus according to claim 2,
The controller is a vacuum drying apparatus that simultaneously opens the second on-off valve and the third on-off valve.
基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバーと、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気ポンプと、
前記排気ポンプと前記チャンバーとの間に配設された第1開閉弁と、
前記排気ポンプに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記排気ポンプによる排気によりチャンバー内が予め設定した真空度に到達した後に、前記第1開閉弁を閉止するとともに、前記不活性ガス供給手段により排気ポンプに供給する不活性ガスの流量を増大させるように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする減圧乾燥装置。
In a vacuum drying apparatus for vacuum drying a thin film formed on a main surface of a substrate,
A chamber covering the periphery of the substrate;
An exhaust pump for exhausting the atmosphere in the chamber;
A first on-off valve disposed between the exhaust pump and the chamber;
An inert gas supply means for supplying an inert gas to the exhaust pump;
The first on-off valve is closed after the chamber reaches a preset degree of vacuum by exhausting from the exhaust pump, and the flow rate of the inert gas supplied to the exhaust pump by the inert gas supply means is increased. Control means to control,
A reduced-pressure drying apparatus comprising:
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記薄膜は、カラーフィルター用レジストまたはアクリル系樹脂を含有するレジストである減圧乾燥装置。
The reduced-pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The said thin film is a reduced pressure drying apparatus which is a resist containing a color filter resist or an acrylic resin.
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記排気ポンプは、ドライポンプである減圧乾燥装置。
The reduced-pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The exhaust pump is a vacuum drying apparatus that is a dry pump.
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