JP5089288B2 - Vacuum dryer - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に対して減圧乾燥処理を行う減圧乾燥装置に関する。   The present invention relates to a vacuum drying apparatus that performs vacuum drying processing on a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a substrate for an optical disk, or the like.

従来より、基板の製造工程においては、フォトレジスト等の薄膜が塗布された基板に対して減圧乾燥処理を行う減圧乾燥装置が知られている。減圧乾燥装置は、所定のチャンバ内に基板を搬入した後、排気ポンプによってチャンバ内のガスを吸引排気し、チャンバの内部を減圧する。これにより、基板上の薄膜の中の溶媒成分が気化し、薄膜が乾燥する。従来の減圧乾燥装置の構成は、例えば特許文献１に開示されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a substrate manufacturing process, a vacuum drying apparatus that performs a vacuum drying process on a substrate coated with a thin film such as a photoresist is known. The vacuum drying apparatus carries a substrate into a predetermined chamber, and then sucks and exhausts the gas in the chamber by an exhaust pump to decompress the inside of the chamber. Thereby, the solvent component in the thin film on a board | substrate vaporizes, and a thin film dries. The configuration of a conventional vacuum drying apparatus is disclosed in Patent Document 1, for example.

また、従来の基板の製造工程では、このような減圧乾燥装置において減圧乾燥処理がされた基板を、その後、他の加熱装置や冷却装置に順次に搬送し、これらの装置において基板に対して加熱処理および冷却処理を順次に行っていた。これにより、基板上の薄膜の乾燥を更に促進させ、薄膜を硬化させていた。   In the conventional substrate manufacturing process, the substrate that has been subjected to the vacuum drying process in such a vacuum drying apparatus is then sequentially transported to another heating apparatus or cooling apparatus, and the substrate is heated in these apparatuses. The treatment and the cooling treatment were performed sequentially. Thereby, drying of the thin film on a board | substrate was accelerated | stimulated further and the thin film was hardened.

特開２００６−１０５５２４号公報JP 2006-105524 A

しかしながら、従来の装置構成では、加熱装置における加熱時に基板上の薄膜中の溶媒成分が突沸することを防止するためには、減圧乾燥装置において十分に時間を掛けて減圧乾燥処理を行う必要があった。特に、近年では、処理対象となる基板のサイズが大型化しているため、減圧乾燥処理に要する時間は更に増大している。   However, in the conventional apparatus configuration, in order to prevent the solvent component in the thin film on the substrate from bumping during heating in the heating apparatus, it is necessary to perform the vacuum drying process with sufficient time in the vacuum drying apparatus. It was. In particular, in recent years, since the size of the substrate to be processed has increased, the time required for the reduced-pressure drying process has further increased.

また、従来では、上記のように減圧乾燥装置と加熱装置とが別体の装置として構成されていた。このため、減圧乾燥処理と加熱処理との間に、減圧乾燥装置から加熱装置に基板を搬送する必要があった。したがって、減圧乾燥処理と加熱処理とを迅速に行うことが困難であり、また、全体として装置の占有面積が大きくなっていた。   Conventionally, the reduced-pressure drying device and the heating device are configured as separate devices as described above. For this reason, it was necessary to convey a board | substrate from a reduced pressure drying apparatus to a heating apparatus between the reduced pressure drying process and heat processing. Therefore, it is difficult to perform the reduced-pressure drying process and the heating process quickly, and the area occupied by the apparatus is large as a whole.

一方、減圧乾燥装置のチャンバ内に加熱機構を設置しようとすると、非加熱時にも加熱機構の余熱が基板に熱的影響を与えてしまう恐れがあった。このような余熱による熱的影響は、薄膜の突沸や乾燥ムラの原因となる場合があるため、望ましくなかった。   On the other hand, if an attempt is made to install a heating mechanism in the chamber of the reduced pressure drying apparatus, there is a possibility that the residual heat of the heating mechanism may have a thermal effect on the substrate even during non-heating. Such a thermal effect due to the residual heat is undesirable because it may cause bumping of the thin film and uneven drying.

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、減圧乾燥処理と加熱処理とを迅速に行うとともに全体として装置の占有面積を低減させ、かつ、非加熱時の基板に対する熱的影響が少ない減圧乾燥装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and performs a reduced-pressure drying process and a heating process quickly, reduces the occupied area of the apparatus as a whole, and has a thermal influence on the substrate when not heated. An object of the present invention is to provide a reduced pressure drying apparatus.

上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、基板の周囲を覆うチャンバと、前記チャンバの内部において、主面を上方に向けた状態で基板を支持する支持手段と、前記チャンバの内部を減圧する減圧手段と、前記支持手段に支持された基板を上方側から加熱する加熱手段と、を備え、前記加熱手段は、前記減圧手段による減圧が開始され、所定時間が経過した後に基板に熱を与え、前記減圧手段は、前記加熱手段による加熱時に前記チャンバ内を復圧させることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is a reduced-pressure drying apparatus for drying a thin film formed on a main surface of a substrate under reduced pressure, a chamber covering the periphery of the substrate, and an inner surface of the chamber. A support means for supporting the substrate in an upwardly directed state, a decompression means for decompressing the interior of the chamber, and a heating means for heating the substrate supported by the support means from above. The depressurization by the depressurization means is started, and heat is applied to the substrate after a predetermined time has elapsed, and the depressurization means restores the pressure in the chamber during heating by the heating means .

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の減圧乾燥装置において、前記加熱手段は、光を照射することで熱を発生させるランプヒータと、前記ランプヒータから発生する熱を拡散する拡散板とを有することを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the vacuum drying apparatus according to claim 1, wherein the heating means generates heat by irradiating light, and a diffusion plate that diffuses heat generated from the lamp heater. It is characterized by having.

請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の減圧乾燥装置において、前記加熱手段と基板との間の距離を調節する第１の距離調節手段を更に備えることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the vacuum drying apparatus according to claim 1 or 2, further comprising first distance adjusting means for adjusting a distance between the heating means and the substrate. .

請求項４に係る発明は、請求項３に記載の減圧乾燥装置において、前記第１の距離調節手段は、前記加熱手段による加熱時に、前記加熱手段と基板とを徐々に接近させることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the vacuum drying apparatus according to the third aspect, the first distance adjusting means gradually brings the heating means and the substrate closer when heated by the heating means. To do.

請求項５に係る発明は、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記加熱手段に対して気体を供給する加熱部パージ手段を更に備えることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the vacuum drying apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the apparatus further comprises a heating part purge means for supplying a gas to the heating means.

請求項６に係る発明は、請求項１から請求項５までのいずれかに記載の減圧乾燥装置において、基板が前記支持手段に支持されるときの前記チャンバ内における基板位置の温度は、４０℃以下であることを特徴とする。 The invention according to claim 6 is the vacuum drying apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein the temperature of the substrate position in the chamber when the substrate is supported by the support means is 40 ° C. It is characterized by the following.

請求項７に係る発明は、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の減圧乾燥装置において、前記チャンバの内部において、基板を下方側から冷却する冷却手段を更に備えることを特徴とする。 The invention according to claim 7, in a vacuum drying apparatus according to any one of claims 1 to 6, in the interior of the chamber, and further comprising a cooling means for cooling the substrate from the lower side .

請求項８に係る発明は、請求項７に記載の減圧乾燥装置において、前記冷却手段と基板との間の距離を調節する第２の距離調節手段を更に備えることを特徴とする。 The invention according to claim 8 is the vacuum drying apparatus according to claim 7 , further comprising second distance adjusting means for adjusting a distance between the cooling means and the substrate.

請求項９に係る発明は、請求項７または請求項８に記載の減圧乾燥装置において、前記支持手段に支持された基板に対して気体を供給する基板パージ手段を更に備えることを特徴とする。 The invention according to claim 9 is the vacuum drying apparatus according to claim 7 or 8 , further comprising substrate purge means for supplying gas to the substrate supported by the support means.

請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の減圧乾燥装置において、前記基板パージ手段は、前記冷却手段による冷却が開始され、所定時間が経過した後に気体の供給を開始することを特徴とする。 A tenth aspect of the present invention is the vacuum drying apparatus according to the ninth aspect , wherein the substrate purging unit starts the gas supply after a predetermined time has elapsed after the cooling by the cooling unit is started. To do.

請求項１〜７に記載の発明によれば、減圧乾燥装置は、基板の周囲を覆うチャンバと、チャンバの内部において主面を上方に向けた状態で基板を支持する支持手段と、支持手段を昇降させる昇降手段と、チャンバの内部を減圧する減圧手段と、支持手段に支持された基板を上方側から加熱する加熱手段と、を備える。このため、減圧乾燥装置は、基板に対して減圧乾燥処理を行った後、基板を搬送することなく加熱することができる。このため、減圧乾燥処理と加熱処理とを迅速に行うことができ、全体として装置の占有面積も低減される。また、加熱手段は基板を上方側から加熱するため、非加熱時には基板に対する熱的影響が少ない。また、加熱手段は、減圧手段による減圧が開始され、所定時間が経過した後に基板に熱を与える。このため、加熱手段が基板に熱を与えるときには既に減圧乾燥処理がある程度進行しており、薄膜の突沸や加熱ムラを防止しつつ、基板を加熱することができる。また、減圧手段は、加熱手段による加熱時にチャンバ内を復圧させる。このため、加熱手段から基板への熱の伝搬効率を向上させて基板の上面を効率よく加熱することができる。 According to the first to seventh aspects of the present invention, the reduced-pressure drying apparatus includes: a chamber that covers the periphery of the substrate; a support unit that supports the substrate with the main surface facing upward in the chamber; and the support unit. Elevating means for elevating, depressurizing means for depressurizing the inside of the chamber, and heating means for heating the substrate supported by the supporting means from above. For this reason, the reduced-pressure drying apparatus can heat the substrate without carrying it after performing the reduced-pressure drying process on the substrate. For this reason, the reduced-pressure drying process and the heat treatment can be performed quickly, and the area occupied by the apparatus is reduced as a whole. In addition, since the heating means heats the substrate from above, there is little thermal influence on the substrate when not heated. In addition, the heating unit applies heat to the substrate after the depressurization unit starts depressurization and a predetermined time has elapsed. For this reason, when the heating means applies heat to the substrate, the vacuum drying process has already progressed to some extent, and the substrate can be heated while preventing bumping of the thin film and uneven heating. The decompression means restores the pressure in the chamber during heating by the heating means. For this reason, the propagation efficiency of the heat from a heating means to a board | substrate can be improved, and the upper surface of a board | substrate can be heated efficiently.

特に、請求項２に記載の発明によれば、加熱手段は、光を照射することで熱を発生させるランプヒータと、ランプヒータから発生する熱を拡散する拡散板とを有する。このため、ランプヒータから照射された光および熱を拡散板を介して基板の表面に到達させ、基板の上面を均一に加熱することができる。また、ランプヒータは非加熱時の余熱が極めて小さいため、非加熱時に基板に熱的影響を与える恐れが小さい。   In particular, according to the invention described in claim 2, the heating means includes a lamp heater that generates heat by irradiating light, and a diffusion plate that diffuses the heat generated from the lamp heater. For this reason, the light and heat irradiated from the lamp heater can reach the surface of the substrate via the diffusion plate, and the upper surface of the substrate can be heated uniformly. In addition, since the lamp heater has very little residual heat when not heated, there is little risk of thermal influence on the substrate when not heated.

特に、請求項３に記載の発明によれば、減圧乾燥装置は、加熱手段と基板との間の距離を調節する第１の距離調節手段を更に備える。このため、基板に対する加熱の強さを調節することができる。   In particular, according to the invention described in claim 3, the reduced pressure drying apparatus further includes a first distance adjusting means for adjusting a distance between the heating means and the substrate. For this reason, the intensity of heating to the substrate can be adjusted.

特に、請求項４に記載の発明によれば、第１の距離調節手段は、加熱手段による加熱時に、加熱手段と基板とを徐々に接近させる。このため、薄膜の突沸や加熱ムラを防止しつつ、基板に対する加熱効率を向上させることができる。   In particular, according to the fourth aspect of the present invention, the first distance adjusting means gradually brings the heating means and the substrate closer when heating by the heating means. Therefore, the heating efficiency for the substrate can be improved while preventing bumping of the thin film and uneven heating.

特に、請求項５に記載の発明によれば、減圧乾燥装置は、加熱手段に対して気体を供給する加熱部パージ手段を更に備える。このため、加熱手段の余熱を低減させることができる。 In particular, according to the fifth aspect of the present invention, the reduced-pressure drying apparatus further includes a heating unit purge unit that supplies gas to the heating unit. For this reason, the residual heat of a heating means can be reduced.

特に、請求項６に記載の発明によれば、基板が支持手段に支持されるときのチャンバ内における基板位置の温度は、４０℃以下である。このため、基板が支持手段に支持されたときに、未乾燥の薄膜に対して突沸などのムラの原因となる悪影響が発生することを防止することができる。 In particular, according to the invention described in claim 6 , the temperature of the substrate position in the chamber when the substrate is supported by the support means is 40 ° C. or less. For this reason, when a board | substrate is supported by a support means, it can prevent that the bad influence which causes unevenness, such as bumping, arises with respect to an undried thin film.

特に、請求項７に記載の発明によれば、減圧乾燥装置は、チャンバの内部において基板を下方側から冷却する冷却手段を更に備える。このため、減圧乾燥装置は、基板に対して減圧乾燥処理および加熱処理を行った後、基板を搬送することなく冷却することができる。このため、減圧乾燥処理、加熱処理、および冷却処理を迅速に行うことができ、全体として装置の占有面積も低減する。また、冷却手段は基板を下方側から冷却するため、非冷却時には基板に対する熱的影響が少ない。 In particular, according to the invention described in claim 7 , the reduced-pressure drying apparatus further includes cooling means for cooling the substrate from the lower side inside the chamber. For this reason, the reduced-pressure drying apparatus can cool the substrate without carrying it after carrying out the reduced-pressure drying treatment and the heat treatment. For this reason, the reduced-pressure drying process, the heating process, and the cooling process can be performed quickly, and the area occupied by the apparatus is reduced as a whole. Further, since the cooling means cools the substrate from the lower side, there is little thermal influence on the substrate when not cooled.

特に、請求項８に記載の発明によれば、減圧乾燥装置は、冷却手段と基板との間の距離を調節する第２の距離調節手段を更に備える。このため、基板に対する冷却の強さを調節することができる。 In particular, according to the eighth aspect of the invention, the reduced pressure drying apparatus further includes the second distance adjusting means for adjusting the distance between the cooling means and the substrate. For this reason, the strength of cooling the substrate can be adjusted.

特に、請求項９に記載の発明によれば、減圧乾燥装置は、支持手段に支持された基板に対して気体を供給する基板パージ手段を更に備える。このため、基板の上面側をより迅速かつ均一に冷却することができる。 In particular, according to the invention described in claim 9 , the reduced-pressure drying apparatus further includes substrate purge means for supplying gas to the substrate supported by the support means. For this reason, the upper surface side of the substrate can be cooled more quickly and uniformly.

特に、請求項１０に記載の発明によれば、基板パージ手段は、冷却手段による冷却が開始され、所定時間が経過した後に気体の供給を開始する。このため、基板をより緩やかに冷却することができ、冷却ムラの発生をより低減させることができる。
In particular, according to the tenth aspect of the present invention, the substrate purge unit starts the gas supply after the cooling by the cooling unit is started and a predetermined time elapses. For this reason, a board | substrate can be cooled more gently and generation | occurrence | production of a cooling nonuniformity can be reduced more.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜１．減圧乾燥装置の全体構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る減圧乾燥装置１の構成を示した縦断面図である。図１には、減圧乾燥装置１に接続される吸排気系や駆動系の構成も概念的に示されている。この減圧乾燥装置１は、液晶表示装置用の角形ガラス基板（以下、単に「基板」という）９の表面を選択的にエッチングするフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布後の基板９に対して減圧乾燥処理およびそれに続く加熱・冷却処理を行うための装置である。図１に示したように、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０と、基板保持部２０と、加熱部３０と、冷却部４０と、給気部５０と、排気部６０とを備えている。 <1. Overall configuration of vacuum drying apparatus>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a vacuum drying apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 also conceptually shows the configuration of an intake / exhaust system and a drive system connected to the vacuum drying apparatus 1. The vacuum drying apparatus 1 is a vacuum drying process for a resist-coated substrate 9 in a photolithography process for selectively etching the surface of a square glass substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) 9 for a liquid crystal display device. And an apparatus for performing the subsequent heating / cooling process. As shown in FIG. 1, the vacuum drying apparatus 1 includes a chamber 10, a substrate holding unit 20, a heating unit 30, a cooling unit 40, an air supply unit 50, and an exhaust unit 60.

チャンバ１０は、基板に対して減圧乾燥処理、加熱処理、および冷却処理を行うための処理空間を内部に有する耐圧容器である。チャンバ１０は、互いに分離可能なベース部１１と蓋部１２とを有している。ベース部１１は、装置フレーム（図示省略）上に固定設置されている。また、蓋部１２には、図１において概念的に示した昇降機構１２ａが接続されており、昇降機構１２ａを動作させると、ベース部１１に対して蓋部１２が上下に昇降移動する。蓋部１２を下降させたときには、ベース部１１と蓋部１２とが当接して一体となり、その内部に基板９の処理空間が形成される。一方、蓋部１２を上昇させたときには、チャンバ１０が開放され、チャンバ１０の内部と外部との間で基板９を搬送できる状態となる。   The chamber 10 is a pressure vessel having a processing space for performing a reduced-pressure drying process, a heating process, and a cooling process on the substrate. The chamber 10 has a base portion 11 and a lid portion 12 that are separable from each other. The base portion 11 is fixedly installed on an apparatus frame (not shown). 1 is connected to the lid 12 conceptually in FIG. 1, and when the elevation mechanism 12a is operated, the lid 12 moves up and down with respect to the base 11. When the lid portion 12 is lowered, the base portion 11 and the lid portion 12 come into contact with each other and a processing space for the substrate 9 is formed therein. On the other hand, when the lid 12 is raised, the chamber 10 is opened, and the substrate 9 can be transferred between the inside and the outside of the chamber 10.

ベース部１１の上面の周縁部には、シリコンゴムなどで構成されたＯリング１３が設けられている。蓋部１２が下降したときには、ベース部１１の上面と蓋部１２の下面との間がＯリング１３によって密閉され、チャンバ１０内部の処理空間は気密状態となる。   An O-ring 13 made of silicon rubber or the like is provided on the peripheral edge of the upper surface of the base portion 11. When the lid portion 12 is lowered, the space between the upper surface of the base portion 11 and the lower surface of the lid portion 12 is sealed by the O-ring 13, and the processing space inside the chamber 10 is in an airtight state.

基板保持部２０は、チャンバ１０の内部において基板９を保持するための機構である。基板保持部２０は、複数の基板保持ピン２１を有しており、各基板保持ピン２１の頭部を基板９の下面に当接させることにより、基板９を水平姿勢に支持する。複数の基板保持ピン２１は、チャンバ１０の外部に配置された１つの支持部材２２上に立設されており、それぞれベース部１１および後述する冷却プレート４１を貫通してチャンバ１０の内部に突き出している。   The substrate holding unit 20 is a mechanism for holding the substrate 9 inside the chamber 10. The substrate holding unit 20 has a plurality of substrate holding pins 21, and supports the substrate 9 in a horizontal posture by bringing the head of each substrate holding pin 21 into contact with the lower surface of the substrate 9. The plurality of substrate holding pins 21 are erected on a single support member 22 disposed outside the chamber 10, and protrude through the base portion 11 and a cooling plate 41 (described later) into the chamber 10. Yes.

また、支持部材２２には、図１において概念的に示した昇降機構２３が接続されている。このため、昇降機構２３を動作させると、支持部材２２および複数の基板保持ピン２１が一体として上下に昇降移動する。減圧乾燥装置１は、複数の基板保持ピン２１上に基板９を保持しつつ、昇降機構２３を動作させることにより、チャンバ１０内における基板９の高さ位置を調節することができる。   Further, the lifting mechanism 23 conceptually shown in FIG. 1 is connected to the support member 22. For this reason, when the elevating mechanism 23 is operated, the support member 22 and the plurality of substrate holding pins 21 move up and down as a unit. The vacuum drying apparatus 1 can adjust the height position of the substrate 9 in the chamber 10 by operating the lifting mechanism 23 while holding the substrate 9 on the plurality of substrate holding pins 21.

加熱部３０は、チャンバ１０内において、基板保持部２０に保持された基板９の上面を加熱するための機構である。加熱部３０は、加熱源となる複数本の棒状ランプヒータ３１と、ランプヒータ３１から照射される光および熱を拡散させる拡散板３２とを有している。複数のランプヒータ３１は、チャンバ１０の蓋部１２の下面側に所定の治具（図示省略）を介して取り付けられており、水平（図１の紙面に直交する方向）かつ全体として基板９の上方を覆うように配列されている。ランプヒータ３１は、オンオフ性能に優れており、照射時には基板９に対して大きな熱量を与えるものの、停止した後の余熱は極めて小さい。また、ランプヒータ３１は、基板９よりも上方側に配置されている。このため、ランプヒータ３１を停止させた後の僅かな余熱が基板９に影響を与える恐れも少ない。   The heating unit 30 is a mechanism for heating the upper surface of the substrate 9 held by the substrate holding unit 20 in the chamber 10. The heating unit 30 includes a plurality of rod-shaped lamp heaters 31 serving as a heating source, and a diffusion plate 32 that diffuses light and heat emitted from the lamp heater 31. The plurality of lamp heaters 31 are attached to the lower surface side of the lid portion 12 of the chamber 10 via a predetermined jig (not shown), and are horizontal (in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1) and as a whole of the substrate 9. It is arranged so as to cover the upper part. The lamp heater 31 is excellent in on / off performance, and gives a large amount of heat to the substrate 9 during irradiation, but the residual heat after stopping is extremely small. In addition, the lamp heater 31 is disposed above the substrate 9. For this reason, there is little possibility that slight residual heat after stopping the lamp heater 31 will affect the substrate 9.

拡散板３２は、チャンバ１０の蓋部１２の下面側に所定の治具（図示省略）を介して取り付けられており、複数のランプヒータ３１と基板９との間に水平に配置されている。拡散板３２は、例えば石英ガラスにより構成されている。ランプヒータ３１を動作させると、ランプヒータ３１から照射された光および熱は拡散板３２を介して均一化されつつ基板９の表面に到達し、基板９の上面を加熱する。また、複数の基板保持ピン２１上に基板９を保持し、上記の昇降機構２３を動作させると、基板９と拡散板３２との間の距離が変化する。減圧乾燥装置１は、このように基板９と拡散板３２との間の距離を変化させることにより、基板９に対する加熱の強さを調節することができる。   The diffusion plate 32 is attached to the lower surface side of the lid portion 12 of the chamber 10 via a predetermined jig (not shown), and is disposed horizontally between the plurality of lamp heaters 31 and the substrate 9. The diffusion plate 32 is made of, for example, quartz glass. When the lamp heater 31 is operated, the light and heat irradiated from the lamp heater 31 reach the surface of the substrate 9 while being uniformized via the diffusion plate 32, and heat the upper surface of the substrate 9. Further, when the substrate 9 is held on the plurality of substrate holding pins 21 and the above lifting mechanism 23 is operated, the distance between the substrate 9 and the diffusion plate 32 changes. The vacuum drying apparatus 1 can adjust the intensity of heating of the substrate 9 by changing the distance between the substrate 9 and the diffusion plate 32 in this way.

冷却部４０は、チャンバ１０内において、基板保持部２０に保持された基板９を冷却するための機構である。冷却部４０は、チャンバ１０のベース部１１に固定的に取り付けられた冷却プレート４１を有しており、冷却プレート４１の内部には冷却水を通すための冷却水路４２が形成されている。冷却水路４２の上流側の端部は、配管４３ａおよび開閉弁４３ｂを介して冷却水供給源４３ｃに接続されている。また、冷却水路４２の下流側の端部は、配管４３ｄを介して排液ラインに接続されている。このため、開閉弁４３ｂを開放すると、冷却水供給源４３ｃから冷却水路４２に冷却水が供給され、冷却プレート４１が冷却される。そして、冷却水によって低温化された冷却プレート４１が基板９から放射される熱を吸収することにより、基板９が冷却される。   The cooling unit 40 is a mechanism for cooling the substrate 9 held by the substrate holding unit 20 in the chamber 10. The cooling part 40 has a cooling plate 41 fixedly attached to the base part 11 of the chamber 10, and a cooling water passage 42 for allowing the cooling water to pass therethrough is formed inside the cooling plate 41. The upstream end of the cooling water passage 42 is connected to a cooling water supply source 43c via a pipe 43a and an on-off valve 43b. Further, the downstream end of the cooling water passage 42 is connected to a drain line via a pipe 43d. For this reason, when the on-off valve 43b is opened, cooling water is supplied from the cooling water supply source 43c to the cooling water passage 42, and the cooling plate 41 is cooled. And the board | substrate 9 is cooled because the cooling plate 41 cooled by the cooling water absorbs the heat radiated | emitted from the board | substrate 9. FIG.

複数の基板保持ピン２１上に基板９を保持し、上記の昇降機構２３を動作させると、基板９と冷却プレート４１との間の距離が変化する。減圧乾燥装置１は、このように基板９と冷却プレート４１との間の距離を変化させることにより、基板９に対する冷却の強さを調節することができる。また、冷却プレート４１は、基板９よりも下方側に配置されている。このため、非冷却時には、冷却プレート４１が基板９に熱的影響を与える恐れは少ない。   When the substrate 9 is held on the plurality of substrate holding pins 21 and the lift mechanism 23 is operated, the distance between the substrate 9 and the cooling plate 41 changes. The vacuum drying apparatus 1 can adjust the strength of cooling the substrate 9 by changing the distance between the substrate 9 and the cooling plate 41 in this way. Further, the cooling plate 41 is disposed below the substrate 9. For this reason, at the time of non-cooling, there is little possibility that the cooling plate 41 thermally affects the substrate 9.

給気部５０は、チャンバ１０内に窒素ガスを供給するための配管系である。給気部５０は、チャンバ１０の蓋部１２に形成された吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃと、これらの吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃに窒素ガスを送給するための配管部５２とを有している。配管部５２は、複数の配管５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄと、複数の開閉弁５２ｅ，５２ｆ，５２ｇと、窒素ガス供給源５２ｈを組み合わせて構成されている。   The air supply unit 50 is a piping system for supplying nitrogen gas into the chamber 10. The air supply unit 50 includes discharge units 51a, 51b, and 51c formed on the lid 12 of the chamber 10, and a piping unit 52 for supplying nitrogen gas to the discharge units 51a, 51b, and 51c. ing. The piping part 52 is configured by combining a plurality of piping 52a, 52b, 52c, 52d, a plurality of on-off valves 52e, 52f, 52g, and a nitrogen gas supply source 52h.

吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃには、それぞれ配管５２ａ，５２ｂ，５２ｃが接続されており、各配管５２ａ，５２ｂ，５２ｃの経路途中には開閉弁５２ｅ，５２ｆ，５２ｇが介挿されている。また、配管５２ａ，５２ｂ，５２ｃの上流側の端部は１つの配管５２ｄに接続されており、配管５２ｄの更に上流側の端部には窒素ガス供給源５２ｈが接続されている。このため、開閉弁５２ｅ，５２ｆ，５２ｇを開放すると、窒素ガス供給源５２ｈから吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃにそれぞれ窒素ガスが送給され、各吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃからチャンバ１０の内部に向けて窒素ガスが吐出される。   Pipes 52a, 52b, and 52c are connected to the discharge portions 51a, 51b, and 51c, respectively, and on-off valves 52e, 52f, and 52g are inserted in the middle of the paths of the pipes 52a, 52b, and 52c. Further, upstream ends of the pipes 52a, 52b, and 52c are connected to one pipe 52d, and a nitrogen gas supply source 52h is connected to a further upstream end of the pipe 52d. For this reason, when the on-off valves 52e, 52f, and 52g are opened, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply source 52h to the discharge portions 51a, 51b, and 51c, respectively, and the discharge portions 51a, 51b, and 51c enter the chamber 10 respectively. Nitrogen gas is discharged toward the head.

吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃのうち、吐出部５１ａおよび５１ｃは、ランプヒータ３１の上方側に吐出口が設けられている。このため、吐出部５１ａ，５１ｃから吐出された窒素ガスは、ランプヒータ３１および拡散板３２に対して吹き付けられ、ランプヒータ３１および拡散板３２を冷却する効果を有する。また、吐出部５１ｂは、拡散板３２を貫通して拡散板３２の下面側まで延設されており、拡散板３２の下方側に吐出口が設けられている。このため、吐出部５１ｂから吐出された窒素ガスは、基板９の上面に対して吹き付けられ、基板９を冷却する効果を有する。吐出部５１ｂは、基板９の中心位置に向けて窒素ガスを吹き付ける。このため、吐出部５１ｂから吐出された窒素ガスは、基板９の上面に沿って中心位置から外周側へ拡散し、基板９の全体を効率よく冷却する。   Of the discharge units 51 a, 51 b, 51 c, the discharge units 51 a and 51 c are provided with discharge ports on the upper side of the lamp heater 31. For this reason, the nitrogen gas discharged from the discharge portions 51 a and 51 c is blown against the lamp heater 31 and the diffusion plate 32, and has an effect of cooling the lamp heater 31 and the diffusion plate 32. The discharge part 51 b extends through the diffusion plate 32 to the lower surface side of the diffusion plate 32, and a discharge port is provided below the diffusion plate 32. For this reason, the nitrogen gas discharged from the discharge part 51b is sprayed with respect to the upper surface of the board | substrate 9, and has the effect of cooling the board | substrate 9. FIG. The discharge part 51 b blows nitrogen gas toward the center position of the substrate 9. For this reason, the nitrogen gas discharged from the discharge part 51b diffuses from the center position to the outer peripheral side along the upper surface of the substrate 9, and cools the entire substrate 9 efficiently.

排気部６０は、チャンバ１０内のガスを吸引排気するための配管系である。排気部６０は、チャンバ１０のベース部１１に形成された排気口６１ａ，６１ｂと、これらの排気口６１ａ，６１ｂから吸引したガスを排気ラインへ送給するための配管部６２とを有している。配管部６２は、複数の配管６２ａ，６２ｂ，６２ｃと、開閉弁６２ｄと、排気ポンプ６２ｅとを組み合わせて構成されている。   The exhaust unit 60 is a piping system for sucking and exhausting the gas in the chamber 10. The exhaust unit 60 includes exhaust ports 61a and 61b formed in the base portion 11 of the chamber 10, and a piping unit 62 for supplying gas sucked from the exhaust ports 61a and 61b to the exhaust line. Yes. The piping part 62 is configured by combining a plurality of pipings 62a, 62b, 62c, an on-off valve 62d, and an exhaust pump 62e.

排気口６１ａ，６１ｂには、それぞれ配管６２ａ，６２ｂが接続されており、配管６２ａ，６２ｂの下流側の端部は合流して１つの配管６２ｃとなる。また、配管６２ｃの経路途中には、開閉弁６２ｄと排気ポンプ６２ｅとが介挿されており、配管６２ｃの更に下流側の端部は排気ラインに接続されている。このため、開閉弁６２ｄを開放するとともに排気ポンプ６２ｅを動作させると、チャンバ１０内のガスが排気口６１ａ，６１ｂに吸引され、配管部６２を経由して排気ラインへ排気される。   Pipes 62a and 62b are connected to the exhaust ports 61a and 61b, respectively, and the downstream ends of the pipes 62a and 62b merge to form one pipe 62c. In addition, an opening / closing valve 62d and an exhaust pump 62e are inserted in the middle of the path of the pipe 62c, and an end portion on the further downstream side of the pipe 62c is connected to the exhaust line. For this reason, when the on-off valve 62d is opened and the exhaust pump 62e is operated, the gas in the chamber 10 is sucked into the exhaust ports 61a and 61b and exhausted to the exhaust line via the piping 62.

排気ポンプ６２ｅは、その排気力を調節することができる。排気ポンプ６２ｅの排気力を調節すると、チャンバ１０内のガスを強力に吸引してチャンバ１０内を減圧する状態と、チャンバ１０内を大きく減圧することなく排気する状態とを切り替えることができる。   The exhaust pump 62e can adjust its exhaust power. By adjusting the exhaust force of the exhaust pump 62e, it is possible to switch between a state in which the gas in the chamber 10 is strongly sucked to decompress the inside of the chamber 10 and a state in which the inside of the chamber 10 is exhausted without greatly reducing the pressure.

また、減圧乾燥装置１は、上記各部の動作を制御するための制御部７０を備えている。図２は、減圧乾燥装置１の上記各部と制御部７０との接続構成を示したブロック図である。図２に示したように、制御部７０は、上記の昇降機構１２ａ，２３、ランプヒータ３１、開閉弁４３ｂ，５２ｅ，５２ｆ，５２ｇ，６２ｄ、および排気ポンプ６２ｅと電気的に接続されており、これらの動作を制御する。制御部７０は、例えば、ＣＰＵやメモリを有するコンピュータによって構成され、コンピュータにインストールされたプログラムに従ってコンピュータが動作することにより、上記各部の制御を行う。   Moreover, the reduced pressure drying apparatus 1 is provided with the control part 70 for controlling operation | movement of said each part. FIG. 2 is a block diagram illustrating a connection configuration between the above-described units of the vacuum drying apparatus 1 and the control unit 70. As shown in FIG. 2, the control unit 70 is electrically connected to the lifting mechanisms 12a and 23, the lamp heater 31, the on-off valves 43b, 52e, 52f, 52g, and 62d, and the exhaust pump 62e. These operations are controlled. The control unit 70 is configured by, for example, a computer having a CPU and a memory, and controls the above-described units when the computer operates according to a program installed in the computer.

＜２．減圧乾燥装置の動作＞
続いて、上記構成を有する減圧乾燥装置１の動作について、図３のフローチャートおよび図４〜図８の動作状態図を参照しつつ説明する。なお、以下に説明する動作は、制御部７０が、上記の昇降機構１２ａ，２３、ランプヒータ３１、開閉弁４３ｂ，５２ｅ，５２ｆ，５２ｇ，６２ｄ、排気ポンプ６２ｅ等の動作を制御することにより進行する。 <2. Operation of vacuum drying equipment>
Next, the operation of the vacuum drying apparatus 1 having the above configuration will be described with reference to the flowchart of FIG. 3 and the operation state diagrams of FIGS. The operation described below proceeds by the control unit 70 controlling the operations of the elevating mechanisms 12a and 23, the lamp heater 31, the on-off valves 43b, 52e, 52f, 52g, and 62d, the exhaust pump 62e, and the like. To do.

この減圧乾燥装置１において基板９を処理するときには、まず、上面にフォトレジストが塗布された基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳ１，図４の状態）。具体的には、まず、減圧乾燥装置１は、昇降機構１２ａによりチャンバ１０の蓋部１２を上昇させる。そして、所定の搬送ロボット８０により基板９をチャンバ１０の内部に搬入し、複数の基板保持ピン２１上に基板９を載置する。基板９の搬入が完了すると、搬送ロボット８０はチャンバ１０の外部へ退避し、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の蓋部１２を下降させてチャンバ１０の内部を密閉する。   When the substrate 9 is processed in the vacuum drying apparatus 1, first, the substrate 9 having a photoresist coated on the upper surface is carried into the chamber 10 (step S1, state shown in FIG. 4). Specifically, first, the reduced pressure drying apparatus 1 raises the lid portion 12 of the chamber 10 by the elevating mechanism 12a. Then, the substrate 9 is carried into the chamber 10 by a predetermined transfer robot 80, and the substrate 9 is placed on the plurality of substrate holding pins 21. When the loading of the substrate 9 is completed, the transfer robot 80 retreats to the outside of the chamber 10, and the vacuum drying apparatus 1 lowers the lid 12 of the chamber 10 to seal the inside of the chamber 10.

ここで、基板９を搬入したときのチャンバ１０内の温度（より正確には、チャンバ１０内において基板９を載置する位置の温度）が高すぎると、基板９の上面の未乾燥のフォトレジストが加熱されて突沸を起こし、基板９の上面に処理ムラが発生してしまう。このため、基板９を搬入するときには、チャンバ１０内の温度をある程度低くしておくことが望ましい。表１は、本実施形態の減圧乾燥装置１において、基板９の搬入時におけるチャンバ１０内の温度と、処理後の基板９の表面状態との関係を調べた結果を示している。表１において、「○」は、処理後の基板９の表面に処理ムラが確認されなかったことを示し、「△」は、処理後の基板９の表面に部分的に処理ムラが確認されたことを示し、「×」は、基板９の表面に全体的に処理ムラが確認されたことを示している。表１の結果から、基板９を基板保持ピン２１上に載置するときには、チャンバ１０内の温度を４０℃以下としておくことが望ましく、３５℃以下としておけばより望ましいことが分かる。   Here, if the temperature in the chamber 10 when the substrate 9 is carried in (more precisely, the temperature at the position where the substrate 9 is placed in the chamber 10) is too high, an undried photoresist on the upper surface of the substrate 9 is used. Is heated, causing bumping, and processing unevenness occurs on the upper surface of the substrate 9. For this reason, when the substrate 9 is carried in, it is desirable to keep the temperature in the chamber 10 low to some extent. Table 1 shows the results of examining the relationship between the temperature in the chamber 10 when the substrate 9 is carried in and the surface state of the substrate 9 after processing in the reduced-pressure drying apparatus 1 of the present embodiment. In Table 1, “◯” indicates that processing unevenness is not confirmed on the surface of the substrate 9 after processing, and “Δ” indicates that processing unevenness is partially confirmed on the surface of the substrate 9 after processing. “×” indicates that processing unevenness was confirmed on the entire surface of the substrate 9. From the results in Table 1, it can be seen that when the substrate 9 is placed on the substrate holding pins 21, the temperature in the chamber 10 is preferably set to 40 ° C. or lower, and more preferably set to 35 ° C. or lower.

Figure 0005089288
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次に、減圧乾燥装置は、チャンバ１０内の減圧を開始する（ステップＳ２，図５の状態）。具体的には、減圧乾燥装置１は、排気部６０の開閉弁６２ｄを開放するとともに排気ポンプ６２ｅを動作させ、チャンバ１０の内部のガスを排気口６１ａ，６１ｂから強制排気することにより、チャンバ１０の内部を減圧する。チャンバ１０の内部が減圧されると、基板９の表面に塗布されたフォトレジストに含まれる溶媒成分が気化する。これにより、基板９上のフォトレジストが乾燥する。   Next, the reduced pressure drying apparatus starts depressurization in the chamber 10 (step S2, state of FIG. 5). Specifically, the vacuum drying apparatus 1 opens the on-off valve 62d of the exhaust unit 60 and operates the exhaust pump 62e to forcibly exhaust the gas inside the chamber 10 from the exhaust ports 61a and 61b. The pressure inside is reduced. When the inside of the chamber 10 is depressurized, the solvent component contained in the photoresist applied to the surface of the substrate 9 is vaporized. As a result, the photoresist on the substrate 9 is dried.

図９は、チャンバ１０内の圧力の変化を示した図である。減圧乾燥装置１は、減圧開始直後の一定時間の間は、排気ポンプ６２ｅの排気力を比較的弱めに設定する。これにより、図９中のＴ１のように、チャンバ１０の内部を緩やかに減圧する。そして、減圧開始から一定時間が経過した後、減圧乾燥装置１は、排気ポンプ６２ｅの排気力を上昇させ、図９中のＴ２のように、チャンバ１０の内部を強力に減圧する。このように、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部を２段階に分けて減圧する。これにより、チャンバ１０内の急激な圧力変化を防止し、基板９上のフォトレジストに含まれる溶媒成分が突沸することを回避する。   FIG. 9 is a diagram showing a change in pressure in the chamber 10. The vacuum drying apparatus 1 sets the exhaust force of the exhaust pump 62e to be relatively weak for a certain time immediately after the start of pressure reduction. As a result, the inside of the chamber 10 is gently depressurized as indicated by T1 in FIG. Then, after a certain period of time has elapsed since the start of decompression, the decompression drying apparatus 1 raises the exhaust force of the exhaust pump 62e to strongly decompress the interior of the chamber 10 as indicated by T2 in FIG. Thus, the vacuum drying apparatus 1 decompresses the interior of the chamber 10 in two stages. Thereby, a rapid pressure change in the chamber 10 is prevented, and the solvent component contained in the photoresist on the substrate 9 is prevented from bumping.

減圧開始から所定時間が経過すると、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部の減圧を継続しつつ基板９の加熱を開始する（ステップＳ３，図６の状態）。具体的には、減圧乾燥装置１は、ランプヒータ３１を動作させ、拡散板３２を介して基板９の上面を均一に加熱する。これにより、基板９上のフォトレジストに含まれる溶媒成分を昇温させ、溶媒成分の気化を更に促進させる。このように、減圧乾燥装置１は、処理空間の減圧と、基板９に対する加熱とを併用し、フォトレジストの乾燥効率を向上させる。   When a predetermined time has elapsed from the start of the pressure reduction, the vacuum drying apparatus 1 starts heating the substrate 9 while continuing the pressure reduction inside the chamber 10 (step S3, state of FIG. 6). Specifically, the reduced pressure drying apparatus 1 operates the lamp heater 31 to uniformly heat the upper surface of the substrate 9 through the diffusion plate 32. This raises the temperature of the solvent component contained in the photoresist on the substrate 9 and further promotes the vaporization of the solvent component. Thus, the reduced-pressure drying apparatus 1 uses the reduced pressure of the processing space and the heating of the substrate 9 together to improve the drying efficiency of the photoresist.

その後、減圧乾燥装置１は、排気ポンプ６２ｅの排気力を低下させるとともに給気部の開閉弁５２ｅ，５２ｆ，５２ｇを開放することによりチャンバ１０内に窒素ガスを供給する。これにより、図９中のＴ３に示したように、チャンバ１０の内部を常圧Ｐｏよりもやや低い圧力（例えば、１×１０4〜１×１０5Ｐａ）まで復圧させる。そして、減圧乾燥装置１は、チャンバ１０内の圧力を上昇させた状態で、ランプヒータ３１による加熱を継続する。 Thereafter, the vacuum drying apparatus 1 supplies nitrogen gas into the chamber 10 by reducing the exhaust power of the exhaust pump 62e and opening the on-off valves 52e, 52f, 52g of the air supply unit. As a result, as shown at T3 in FIG. 9, the inside of the chamber 10 is decompressed to a pressure slightly lower than the normal pressure Po (for example, 1 × 10 4 to 1 × 10 5 Pa). Then, the vacuum drying apparatus 1 continues the heating by the lamp heater 31 in a state where the pressure in the chamber 10 is increased.

チャンバ１０内の圧力が上昇すると、ランプヒータ３１から基板９への熱の伝搬効率が向上する。このため、基板９の上面は効率よく加熱され、フォトレジスト中の溶媒成分の気化が更に進行する。また、ここでは、チャンバ１０からの排気が継続されているため、フォトレジストから気化した溶媒成分は、速やかにチャンバ１０の外部に排出される。したがって、チャンバ１０の内部が溶媒成分により汚染される恐れは少ない。また、この時点では、フォトレジストの乾燥がある程度進行している。このため、基板９の上面を強力に加熱しても、フォトレジスト中の溶媒成分が突沸する恐れはない。   When the pressure in the chamber 10 is increased, the heat propagation efficiency from the lamp heater 31 to the substrate 9 is improved. For this reason, the upper surface of the substrate 9 is efficiently heated, and the vaporization of the solvent component in the photoresist further proceeds. In addition, since the exhaust from the chamber 10 is continued here, the solvent component evaporated from the photoresist is quickly discharged to the outside of the chamber 10. Therefore, there is little possibility that the inside of the chamber 10 is contaminated by the solvent component. At this point, the photoresist has been dried to some extent. For this reason, even if the upper surface of the substrate 9 is heated strongly, there is no fear that the solvent component in the photoresist bumps.

また、基板９を加熱するときには、基板保持部２０の昇降機構２３を断続的あるいは連続的に動作させ、基板９を徐々に上昇させる。これにより、基板９に対する加熱の強さ（基板９に与えられる熱量）を徐々に上昇させ、溶媒成分の突沸や加熱ムラを防止しつつ、加熱効率を向上させる。ランプヒータ３１と基板９との間には拡散板３２が配置されているため、フォトレジストから気化した溶媒成分がランプヒータ３１に付着してランプヒータ３１の表面を汚染させる恐れはない。   Further, when heating the substrate 9, the lifting mechanism 23 of the substrate holding unit 20 is operated intermittently or continuously to gradually raise the substrate 9. As a result, the heating intensity of the substrate 9 (the amount of heat applied to the substrate 9) is gradually increased, and the heating efficiency is improved while preventing bumping of the solvent components and uneven heating. Since the diffusion plate 32 is disposed between the lamp heater 31 and the substrate 9, there is no possibility that the solvent component evaporated from the photoresist adheres to the lamp heater 31 and contaminates the surface of the lamp heater 31.

所定時間の加熱が終了すると、減圧乾燥装置１は、ランプヒータ３１を停止させて基板９の加熱を終了する。ランプヒータ３１は、オンオフ性能に優れており、かつ、チャンバ１０内において基板９よりも上方側に配置されている。このため、ランプヒータ３１を停止させた後の余熱が基板９に熱的影響を与える恐れは少ない。特に、次回の基板搬入時に、ランプヒータ３１の余熱が熱対流によって基板９に伝わり、基板９を加熱してしまう恐れは少ない。   When heating for a predetermined time is completed, the vacuum drying apparatus 1 stops the lamp heater 31 and finishes heating the substrate 9. The lamp heater 31 has excellent on / off performance, and is disposed above the substrate 9 in the chamber 10. For this reason, there is little possibility that the residual heat after the lamp heater 31 is stopped has a thermal influence on the substrate 9. In particular, when the substrate is carried in next time, the residual heat of the lamp heater 31 is transmitted to the substrate 9 by heat convection and there is little possibility of heating the substrate 9.

続いて、減圧乾燥装置１は、冷却部４０による基板９の冷却を開始する（ステップＳ４，図７の状態）。具体的には、減圧乾燥装置１は、開閉弁４３ｂを開放することにより冷却プレート４１内の冷却水路４２に冷却水を供給し、冷却プレート４１を冷却する。そして、冷却された冷却プレート４１が基板９から放射される熱を吸収することにより、基板９が冷却される。   Subsequently, the vacuum drying apparatus 1 starts cooling the substrate 9 by the cooling unit 40 (step S4, state of FIG. 7). Specifically, the vacuum drying apparatus 1 supplies the cooling water to the cooling water passage 42 in the cooling plate 41 by opening the on-off valve 43b, thereby cooling the cooling plate 41. Then, the cooled cooling plate 41 absorbs heat radiated from the substrate 9, thereby cooling the substrate 9.

冷却処理時においても、減圧乾燥装置１は、吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃからの窒素ガスの吐出を継続している。吐出部５１ｂから吐出された窒素ガスは、基板９の上面に吹き付けられ、基板９の冷却を促進させる。このため、基板９の上面側は、より迅速かつ均一に冷却される。また、吐出部５１ａおよび５１ｃから吐出された窒素ガスは、ランプヒータ３１および拡散板３２に対して吹き付けられ、ランプヒータ３１や拡散板３２の冷却を促進させる。このため、ランプヒータ３１および拡散板３２の余熱が更に低減され、基板９はより均一に冷却される。   Even during the cooling process, the vacuum drying apparatus 1 continues to discharge nitrogen gas from the discharge units 51a, 51b, 51c. The nitrogen gas discharged from the discharge part 51b is sprayed on the upper surface of the substrate 9 to promote the cooling of the substrate 9. For this reason, the upper surface side of the substrate 9 is cooled more quickly and uniformly. Moreover, the nitrogen gas discharged from the discharge parts 51a and 51c is sprayed with respect to the lamp heater 31 and the diffusion plate 32, and the cooling of the lamp heater 31 and the diffusion plate 32 is promoted. For this reason, the residual heat of the lamp heater 31 and the diffusion plate 32 is further reduced, and the substrate 9 is cooled more uniformly.

また、基板９を冷却するときには、基板保持部２０の昇降機構２３を断続的あるいは連続的に動作させ、基板９を徐々に降下させる。これにより、基板９に対する冷却の強さ（基板９から吸収する熱量）を徐々に上昇させ、冷却ムラを防止しつつ冷却効率を向上させる。やがて、基板保持ピン２１の頭部が冷却プレート４１の上面よりも下方まで降下すると、基板９は基板保持ピン２１上から冷却プレート４１上に移載され、基板９は、冷却プレート４１上に接触保持された状態で直接的に冷却される。   Further, when the substrate 9 is cooled, the lifting mechanism 23 of the substrate holding unit 20 is operated intermittently or continuously, and the substrate 9 is gradually lowered. As a result, the strength of cooling the substrate 9 (the amount of heat absorbed from the substrate 9) is gradually increased, and cooling efficiency is improved while preventing uneven cooling. When the head of the substrate holding pin 21 is lowered below the upper surface of the cooling plate 41, the substrate 9 is transferred from the substrate holding pin 21 onto the cooling plate 41, and the substrate 9 contacts the cooling plate 41. It is cooled directly while being held.

その後、減圧乾燥装置１は、冷却後の基板９をチャンバ１０から搬出する（ステップＳ５，図８の状態）。具体的には、減圧乾燥装置１は、排気ポンプ６２ｅを停止させることによってチャンバ１０の内部を常圧まで復圧させる。そして、減圧乾燥装置１は、複数の基板保持ピン２１を上昇させることにより、冷却プレートから基板９を離間させる。その後、減圧乾燥装置１は、昇降機構１２ａによりチャンバ１０の蓋部１２を上昇させ、チャンバ１０の内部に搬送ロボット８０を挿入するとともに、基板保持ピン２１上の基板９を搬送ロボット８０が受け取ってチャンバ１０の外部へ搬出する。以上をもって、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理、加熱処理、および冷却処理が終了する。   Thereafter, the vacuum drying apparatus 1 carries the cooled substrate 9 out of the chamber 10 (step S5, state of FIG. 8). Specifically, the vacuum drying apparatus 1 restores the pressure inside the chamber 10 to normal pressure by stopping the exhaust pump 62e. Then, the vacuum drying apparatus 1 lifts the plurality of substrate holding pins 21 to separate the substrate 9 from the cooling plate. Thereafter, the vacuum drying apparatus 1 raises the lid 12 of the chamber 10 by the lifting mechanism 12a, inserts the transfer robot 80 into the chamber 10, and receives the substrate 9 on the substrate holding pins 21 by the transfer robot 80. It is carried out of the chamber 10. Thus, the reduced-pressure drying process, the heating process, and the cooling process for one substrate 9 are completed.

以上のように、この減圧乾燥装置１は、チャンバ１０の内部を減圧する機能を備えるとともに、チャンバ１０内の基板を加熱するための加熱部３０と、チャンバ１０内の基板を冷却するための冷却部４０とを備えている。このため、減圧乾燥装置１は、基板に対して減圧乾燥処理を行った後、基板を搬送することなく加熱・冷却することができる。したがって、減圧乾燥処理、加熱処理、および冷却処理を全体として迅速に行うことができる。また、加熱処理および冷却処理のために、それぞれ別個の装置を設置する必要がないので、全体として装置の占有面積を低減することができる。   As described above, the reduced-pressure drying apparatus 1 has a function of reducing the pressure inside the chamber 10, and has a heating unit 30 for heating the substrate in the chamber 10 and a cooling for cooling the substrate in the chamber 10. Part 40. For this reason, the vacuum drying apparatus 1 can heat and cool the substrate without carrying it after performing the vacuum drying treatment on the substrate. Therefore, the reduced-pressure drying process, the heating process, and the cooling process can be quickly performed as a whole. Moreover, since it is not necessary to install separate apparatuses for the heat treatment and the cooling process, the area occupied by the apparatus can be reduced as a whole.

また、この減圧乾燥装置１の加熱部３０は、基板９を上方側から加熱する。このため、非加熱時の余熱が基板９に影響を与える恐れは少ない。また、この減圧乾燥装置１の冷却部４０は、基板９の下方側に配置されている。このため、非冷却時に冷却プレート４１が基板９に熱的影響を与える恐れは少ない。したがって、加熱ムラや冷却ムラを発生させることなく、基板９を加熱および冷却することができる。   The heating unit 30 of the vacuum drying apparatus 1 heats the substrate 9 from above. For this reason, there is little possibility that the residual heat at the time of non-heating will affect the substrate 9. The cooling unit 40 of the vacuum drying apparatus 1 is disposed on the lower side of the substrate 9. For this reason, there is little possibility that the cooling plate 41 thermally affects the substrate 9 during non-cooling. Therefore, the substrate 9 can be heated and cooled without causing uneven heating or cooling.

また、加熱部３０は、チャンバ１０内の減圧が開始され、所定時間が経過した後に基板９に熱を与える。このため、加熱部３０が基板に熱を与えるときには、既にフォトレジストの減圧乾燥処理がある程度進行している。したがって、フォトレジストの突沸や、急激な乾燥によって加熱が不均一となることなどを防止しつつ、基板９を加熱することができる。   Further, the heating unit 30 applies heat to the substrate 9 after a predetermined time has elapsed after the decompression of the chamber 10 is started. For this reason, when the heating unit 30 applies heat to the substrate, the reduced-pressure drying process of the photoresist has already progressed to some extent. Therefore, it is possible to heat the substrate 9 while preventing the photoresist from bumping and the heating from becoming non-uniform due to rapid drying.

＜３．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記の例では、ステップＳ４の冷却処理において吐出部５１ａ，５１ｂ，５１ｃからの窒素ガスの吐出を行っていたが、冷却処理の初期段階では窒素ガスの吐出を行わず、冷却処理の途中から窒素ガスの吐出を行うようにしてもよい。このようにすれば、基板９をより緩やかに冷却することができるため、冷却ムラの発生をより低減させることができる。 <3. Modification>
As mentioned above, although one Embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said example. For example, in the above example, the nitrogen gas is discharged from the discharge portions 51a, 51b, and 51c in the cooling process in step S4. However, in the initial stage of the cooling process, the nitrogen gas is not discharged and the cooling process is in progress. Nitrogen gas may be discharged from the nozzle. In this way, since the substrate 9 can be cooled more slowly, the occurrence of uneven cooling can be further reduced.

また、上記の例では、減圧乾燥処理（ステップＳ２）の途中から基板９の加熱（ステップＳ３）を開始していたが、他のタイミングで加熱を開始してもよい。例えば、減圧乾燥処理が完了し、チャンバ１０の内部を復圧させた後に基板９の加熱を開始してもよい。また、減圧乾燥処理の初期段階（例えば、図９中のＴ１の間）に基板９の加熱を開始してもよい。なお、加熱部３０は、ステップＳ３よりも前において必ずしも停止させておく必要はない。例えば、ステップＳ３よりも前において、基板９に熱を与えない程度にランプヒータ３１を予熱しておき、ステップＳ３において、ランプヒータ３１の出力を上げて基板９に熱を与えるようにしてもよい。   In the above example, the heating of the substrate 9 (step S3) is started in the middle of the reduced-pressure drying process (step S2). However, the heating may be started at another timing. For example, heating of the substrate 9 may be started after the vacuum drying process is completed and the pressure inside the chamber 10 is restored. In addition, heating of the substrate 9 may be started at an initial stage of the reduced-pressure drying process (for example, during T1 in FIG. 9). In addition, the heating part 30 does not necessarily need to be stopped before step S3. For example, before step S3, the lamp heater 31 may be preheated to the extent that heat is not applied to the substrate 9, and in step S3, the output of the lamp heater 31 may be increased to apply heat to the substrate 9. .

また、上記の例では、基板保持ピン２１を昇降移動させることにより、加熱部３０に対して基板９を接近および離間させていたが、基板９の高さ位置を固定し、基板９に対して加熱部３０を接近および離間させる構成であってもよい。例えば、ランプヒータ３１および拡散板３２を１つの支持部材に接続し、所定の昇降機構によって支持部材を昇降させることにより、ランプヒータ３１および拡散板３２を一体的に昇降移動させる構成としてもよい。また、同様に、冷却プレート４１を昇降移動させる構成としてもよい。   In the above example, the substrate holding pin 21 is moved up and down to bring the substrate 9 close to and away from the heating unit 30. However, the height position of the substrate 9 is fixed and the substrate 9 is fixed. The structure which makes the heating part 30 approach and separate may be sufficient. For example, the lamp heater 31 and the diffusion plate 32 may be connected to one support member, and the lamp heater 31 and the diffusion plate 32 may be integrally moved up and down by moving the support member up and down by a predetermined lifting mechanism. Similarly, the cooling plate 41 may be moved up and down.

また、上記の例では、加熱部３０にランプヒータ３１を使用していたが、ランプヒータ３１の代わりにニクロム線などの他の加熱源を使用してもよい。ただし、ランプヒータ３１は非加熱時の余熱が極めて小さく、必要なときにだけ基板９に熱量を与えることができるという利点を有する。   In the above example, the lamp heater 31 is used for the heating unit 30, but another heating source such as a nichrome wire may be used instead of the lamp heater 31. However, the lamp heater 31 has an advantage that the residual heat when not heated is extremely small, and heat can be given to the substrate 9 only when necessary.

また、上記の例では、石英ガラスにより構成された拡散板３２を使用していたが、アルミニウム（Ａｌ）等の金属により構成された拡散板３２を使用してもよい。ただし、石英ガラスにより構成された拡散板３２は、蓄熱量が極めて小さく、必要なときにだけ基板９に熱量を伝達できるという利点を有する。   In the above example, the diffusion plate 32 made of quartz glass is used. However, the diffusion plate 32 made of a metal such as aluminum (Al) may be used. However, the diffusion plate 32 made of quartz glass has an advantage that the amount of heat storage is extremely small and the amount of heat can be transmitted to the substrate 9 only when necessary.

また、上記の減圧乾燥装置は、液晶表示装置用の角形ガラス基板を処理するものであったが、本発明の減圧乾燥装置は、半導体ウエハ、ＰＤＰ用ガラス基板、光ディスク用基板等の他の基板に対して処理を行うものであってもよい。   In addition, the above-described reduced-pressure drying apparatus is for processing a square glass substrate for a liquid crystal display device. However, the reduced-pressure drying apparatus of the present invention is another substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for PDP, or an optical disk substrate. May be processed.

本発明の一実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the reduced pressure drying apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 制御部と各部との接続構成を示したブロック図である。It is the block diagram which showed the connection structure of a control part and each part. 減圧乾燥装置による処理の流れを示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the flow of the process by a reduced pressure drying apparatus. 減圧乾燥装置の動作状態図である。It is an operation state figure of a vacuum dryer. 減圧乾燥装置の動作状態図である。It is an operation state figure of a vacuum dryer. 減圧乾燥装置の動作状態図である。It is an operation state figure of a vacuum dryer. 減圧乾燥装置の動作状態図である。It is an operation state figure of a vacuum dryer. 減圧乾燥装置の動作状態図である。It is an operation state figure of a vacuum dryer. チャンバ内の圧力の変化を示した図である。It is the figure which showed the change of the pressure in a chamber.

符号の説明Explanation of symbols

１ 減圧乾燥装置
９ 基板
１０ チャンバ
２０ 基板保持部
２１ 基板保持ピン
２３ 昇降機構
３０ 加熱部
３１ ランプヒータ
３２ 拡散板
４０ 冷却部
４１ 冷却プレート
５０ 給気部
５１ａ，５１ｂ，５１ｃ 吐出部
５２ｅ，５２ｆ，５２ｇ 開閉弁
６０ 排気部
６２ｅ 排気ポンプ
７０ 制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum drying apparatus 9 Substrate 10 Chamber 20 Substrate holding part 21 Substrate holding pin 23 Lifting mechanism 30 Heating part 31 Lamp heater 32 Diffusion plate 40 Cooling part 41 Cooling plate 50 Air supply part 51a, 51b, 51c Discharge part 52e, 52f, 52g On-off valve 60 Exhaust part 62e Exhaust pump 70 Control part

Claims (10)

基板の主面に形成された薄膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置において、
基板の周囲を覆うチャンバと、
前記チャンバの内部において、主面を上方に向けた状態で基板を支持する支持手段と、
前記チャンバの内部を減圧する減圧手段と、
前記支持手段に支持された基板を上方側から加熱する加熱手段と、
を備え、
前記加熱手段は、前記減圧手段による減圧が開始され、所定時間が経過した後に基板に熱を与え、
前記減圧手段は、前記加熱手段による加熱時に前記チャンバ内を復圧させることを特徴とする減圧乾燥装置。 In a vacuum drying apparatus for vacuum drying a thin film formed on a main surface of a substrate,
A chamber covering the periphery of the substrate;
A support means for supporting the substrate with the main surface facing upward in the chamber;
Decompression means for decompressing the interior of the chamber;
Heating means for heating the substrate supported by the support means from above;
With
The heating means starts pressure reduction by the pressure reduction means , and gives heat to the substrate after a predetermined time has elapsed ,
The decompression drying apparatus , wherein the decompression means restores the pressure in the chamber during heating by the heating means . 請求項１に記載の減圧乾燥装置において、
前記加熱手段は、
光を照射することで熱を発生させるランプヒータと、
前記ランプヒータから発生する熱を拡散する拡散板と
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。 The vacuum drying apparatus according to claim 1,
The heating means includes
A lamp heater that generates heat by irradiating light; and
A reduced-pressure drying apparatus comprising: a diffusion plate that diffuses heat generated from the lamp heater. 請求項１または請求項２に記載の減圧乾燥装置において、
前記加熱手段と基板との間の距離を調節する第１の距離調節手段を更に備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 The reduced-pressure drying apparatus according to claim 1 or 2,
A reduced-pressure drying apparatus further comprising first distance adjusting means for adjusting a distance between the heating means and the substrate. 請求項３に記載の減圧乾燥装置において、
前記第１の距離調節手段は、前記加熱手段による加熱時に、前記加熱手段と基板とを徐々に接近させることを特徴とする減圧乾燥装置。 The reduced-pressure drying apparatus according to claim 3,
The reduced-pressure drying apparatus characterized in that the first distance adjusting means gradually brings the heating means and the substrate closer during heating by the heating means. 請求項１から請求項４までのいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記加熱手段に対して気体を供給する加熱部パージ手段を更に備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 In the vacuum drying apparatus according to any one of claims 1 to 4,
A reduced-pressure drying apparatus further comprising a heating part purge unit that supplies gas to the heating unit . 請求項１から請求項５までのいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
基板が前記支持手段に支持されるときの前記チャンバ内における基板位置の温度は、４０℃以下であることを特徴とする減圧乾燥装置。 In the vacuum drying apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The reduced-pressure drying apparatus characterized in that the temperature of the substrate position in the chamber when the substrate is supported by the support means is 40 ° C. or less . 請求項１から請求項６までのいずれかに記載の減圧乾燥装置において、
前記チャンバの内部において、基板を下方側から冷却する冷却手段を更に備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 In the vacuum drying apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The reduced-pressure drying apparatus further comprising cooling means for cooling the substrate from the lower side inside the chamber . 請求項７に記載の減圧乾燥装置において、
前記冷却手段と基板との間の距離を調節する第２の距離調節手段を更に備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 The reduced-pressure drying apparatus according to claim 7 ,
The reduced-pressure drying apparatus further comprising second distance adjusting means for adjusting a distance between the cooling means and the substrate . 請求項７または請求項８に記載の減圧乾燥装置において、
前記支持手段に支持された基板に対して気体を供給する基板パージ手段を更に備えることを特徴とする減圧乾燥装置。 The reduced-pressure drying apparatus according to claim 7 or 8 ,
A vacuum drying apparatus, further comprising a substrate purging unit that supplies a gas to the substrate supported by the supporting unit . 請求項９に記載の減圧乾燥装置において、
前記基板パージ手段は、前記冷却手段による冷却が開始され、所定時間が経過した後に気体の供給を開始することを特徴とする減圧乾燥装置。 The reduced-pressure drying apparatus according to claim 9 ,
The reduced pressure drying apparatus according to claim 1, wherein the substrate purging unit starts the gas supply after a predetermined time has elapsed after the cooling by the cooling unit is started .
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