KR100730453B1 - Vacuum drying apparatus and method - Google Patents
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Abstract
돌비(突沸 : bumping)를 발생하지 않고 기판의 주면(主面)에 형성된 박막을 신속하게 건조시키는 것이 가능한 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서, 지지 핀(21)을 지지판(22)과 함께 상승시켜 기판(W)의 주면과 챔버(10)의 상면(14)과의 거리를 작게 한 상태에서 소량의 배기량으로 배기를 행한 후, 지지 핀(21)을 지지판(22)과 함께 하강시켜 기판(W)의 주면과 챔버(10)의 상면(14)과의 거리를 크게 한 상태에서 다량의 배기량으로 배기를 행한다. It is an object of the present invention to provide a pressure reduction drying apparatus and a pressure reduction drying method capable of rapidly drying a thin film formed on a main surface of a substrate without generating bumps, and the support pins 21 are supported. The support pins 21 are supported by the support plate 22 after exhausting with a small amount of exhaust gas while being raised together with the 22 and the distance between the main surface of the substrate W and the upper surface 14 of the chamber 10 is reduced. The air is discharged with a large amount of exhaust gas in a state in which the distance between the main surface of the substrate W and the upper surface 14 of the chamber 10 is increased along with the downward movement.
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다.1 is a schematic diagram of a vacuum drying apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다.2 is a schematic view of a vacuum drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다. 3 is a schematic view of a reduced pressure drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다.It is a flowchart which shows the drying operation by the pressure reduction drying apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다.5 is a flowchart showing a drying operation by the vacuum drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 6은 감압 건조 동작시의 챔버(10) 내의 진공도의 변화를 도시하는 설명도이다.FIG. 6 is an explanatory diagram showing a change in the degree of vacuum in the
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다.7 is a schematic diagram of a vacuum drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다.It is a flowchart which shows the drying operation by the pressure reduction drying apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다.It is a flowchart which shows the drying operation by the pressure reduction drying apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
도 10은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다. It is a schematic diagram of the pressure reduction drying apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.
도 11은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작 을 도시하는 플로우 챠트이다.It is a flowchart which shows the drying operation by the pressure reduction drying apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.
도 12는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다.It is a flowchart which shows the drying operation by the pressure reduction drying apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 챔버 11 : 덮개부10 chamber 11 cover part
12 : 패킹 13 : 기부(基部)12
14 : 상면 15 : 오목부14: upper surface 15: recessed portion
21 : 지지 핀 22 : 지지판21: support pin 22: support plate
31 : 배기구 32 : 관로31: exhaust port 32: pipeline
33 : 댐퍼 34 : 진공 펌프33: damper 34: vacuum pump
41 : 판 형상 부재 43 : 에어 실린더41 plate member 43: air cylinder
W : 기판 W: Substrate
본 발명은, 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum drying apparatus and a vacuum drying method.
예를 들면, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 패널용 유리 기판 혹은 반도체 제조 장치용 마스크 기판 등의 기판에 도포된 포토 레지스트 등의 박막을 감압 건조하는 감압 건조 장치는, 일본국 특개평 7-283108호 공보에 개시되어 있다. 이 특개평 7-283108호 공보에 기재의 감압 건조 장치에 있어서는, 기판을 반입한 챔버 내를 진공 펌프에 의해 감압하는 것으로, 레지스트액 성분의 중심인 용제의 증발을 촉진하고, 포토레지스트를 신속하게 건조시키도록 하고 있다. 이러한 감압 건조 장치를 사용하여 포토레지스트를 건조시킨 경우에는, 바람이나 열 등의 외적 요인의 영향을 방지하여, 포토레지스트를 얼룩없이 건조시키는 것이 가능해진다. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-283108 discloses a reduced pressure drying device for vacuum drying a thin film such as a photoresist applied to a substrate such as a glass substrate for a semiconductor wafer, a liquid crystal display panel, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus. Is disclosed. In the vacuum drying apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-283108, by depressurizing the inside of a chamber into which a substrate is loaded by a vacuum pump, the evaporation of the solvent, which is the center of the resist liquid component, is promoted, and the photoresist is quickly carried out. It is supposed to dry. When the photoresist is dried using such a vacuum drying apparatus, the influence of external factors such as wind and heat can be prevented, and the photoresist can be dried without spots.
이러한 감압 건조 장치를 사용한 경우, 감압 건조 처리를 개시한 직후에 돌비라고 불리는 현상이 발생하는 경우가 있다. 이는, 기판 표면에 도포된 포토레지스트 중의 용제 성분이 급격히 증발하여 돌연 비등함에 의해 생기는 현상이다. 이러한 돌비가 발생한 경우에는, 탈포(脫泡)라고 불리는, 포토 레지스트의 표면에 작은 거품이 형성되는 현상이 생겨, 그 기판의 사용이 불가능해 진다. When using such a vacuum drying apparatus, the phenomenon called a dolby may arise immediately after starting a vacuum drying process. This is a phenomenon caused by sudden boiling of the solvent component in the photoresist applied on the substrate surface. When such a dolby generate | occur | produces, the phenomenon which a small bubble forms on the surface of photoresist called defoaming arises, and the use of the board | substrate becomes impossible.
이 때문에, 감압 건조 처리의 초기 단계에서는, 챔버 내에서 저속으로 배기를 행하여, 탈포의 발생을 방지할 필요가 있다. 따라서, 포토 레지스트의 건조까지, 긴 시간을 요한다는 문제가 있다. For this reason, in the initial stage of a pressure reduction drying process, it is necessary to exhaust | exhaust at low speed in a chamber, and to prevent generation | occurrence | production of defoaming. Therefore, there is a problem that it takes a long time until drying the photoresist.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 돌비가 발생하지 않고 기판의 주면에 형성된 박막을 신속하게 건조하는 것이 가능한 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in order to solve the said subject, Comprising: It aims at providing the pressure reduction drying apparatus and the pressure reduction drying method which can dry the thin film formed in the main surface of a board | substrate quickly without a dolby generating.
청구항 1에 기재의 발명은, 기판의 주면에 형성된 박막을 감압 건조하는 감압 건조 장치에 있어서, 기판의 주위를 덮는 챔버와, 그 주면이 위쪽을 향한 기판을 수평으로 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재를 승강시키는 승강 수단과, 챔 버에 있어서의 지지 수단에 의해 지지된 기판의 주면과는 대향하지 않는 위치에 형성된 배기구와, 배기구를 통해 배기를 행하는 배기 수단과, 배기 수단에 의한 배기량을 적어도 2단계로 제어하는 배기량 제어 수단을 구비하고, 승강 수단에 의해 기판을 지지한 지지 부재를 상승시켜, 기판의 주면과 챔버의 상면의 거리를 작게 한 상태에서, 배기 제어 수단에 의해 소량의 배기량으로 배기를 행한 후, 승강 수단에 의해 기판을 지지한 지지 부재를 하강시켜, 기판의 주면과 챔버의 상면의 거리를 크게 한 상태에서, 배기 제어 수단에 의해 다량의 배기량으로 배기를 행하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a pressure reduction drying apparatus for drying a thin film formed on a main surface of a substrate under reduced pressure, comprising: a chamber covering the substrate, a support member for supporting the substrate horizontally upward, and the support; Lifting means for raising and lowering the member, an exhaust port formed at a position not facing the main surface of the substrate supported by the support means in the chamber, an exhaust means for exhausting through the exhaust port, and an exhaust amount from the exhaust means With a displacement control means for controlling in two stages, the support member supporting the substrate is lifted by the lifting means, and in a state where the distance between the main surface of the substrate and the upper surface of the chamber is reduced, After exhausting, the support member which supported the board | substrate was lowered by elevating means, and in the state which enlarged the distance of the main surface of a board | substrate and the upper surface of a chamber, Characterized in that performing the exhaust gas in a large amount of displacement by the control means.
청구항 2에 기재의 발명은, 청구항 1에 기재의 발명에 있어서, 배기구는 챔버의 저면에 형성된다. In the invention according to claim 2, in the invention according to
청구항 3에 기재의 발명은, 기판의 주면에 형성된 박막을 감압 건조하는 감압 건조 장치에 있어서, 기판의 주위를 덮는 챔버와, 그 주면이 위쪽을 향한 기판을 수평으로 지지하는 지지 부재와, 지지 부재에 의해 지지된 기판의 주면과 대향하는 위치에 설치된 판 형상 부재와, 판 형상 부재를 승강시키는 승강 수단과, 판 형상 부재에 대해, 기판과는 반대측에 형성된 배기구와, 배기구를 통해 배기를 행하는 배기 수단과, 배기 수단에 의한 배기량을 적어도 2단계로 제어하는 배기량 제어 수단을 구비하고, 승강 수단에 의해 판 형상 부재를 하강시켜, 기판의 주면과 판 형상 부재의 거리를 작게 한 상태에서, 배기 제어 수단에 의해 소량의 배기량으로 배기를 행한 후, 승강 수단에 의해 판 형상 부재를 상승시켜, 기판의 주면과 판 형상 부재와의 거리를 크게 한 상태에서, 배기 제어 수단에 의해 다량의 배기량으 로 배기를 행하는 것을 특징으로 한다. Invention of Claim 3 WHEREIN: The pressure reduction drying apparatus which pressure-drys the thin film formed in the main surface of the board | substrate, WHEREIN: The chamber which covers the periphery of a board | substrate, the support member which horizontally supports the board | substrate with its main surface facing upwards, and a support member A plate-shaped member provided at a position opposed to the main surface of the substrate supported by the substrate, elevating means for elevating the plate-shaped member, an exhaust port formed on the side opposite to the substrate with respect to the plate-shaped member, and an exhaust gas exhausting through the exhaust port. Means and an exhaust amount control means for controlling the exhaust amount by the exhaust means in at least two stages, and the elevating means lowers the plate-like member so as to reduce the distance between the main surface of the substrate and the plate-shaped member. After exhausting by a small amount of exhaust gas by the means, the plate-shaped member is raised by the elevating means, and the distance between the main surface of the substrate and the plate-shaped member is increased. In one state, the exhaust gas is exhausted by a large amount of exhaust gas by means of exhaust control means.
청구항 4에 기재의 발명은, 기판의 주면에 형성된 박막을 감압 건조하는 감압 건조 장치에 있어서, 기판의 주위를 덮는 챔버와, 그 주면이 위쪽을 향한 기판을 수평으로 지지하는 지지 부재와, 챔버에 있어서의 지지 수단에 의해 지지된 기판의 주면과는 대향하지 않는 위치에 형성된 배기구와, 배기구를 통해 배기를 행하는 배기 수단과, 배기 수단에 의한 배기량을 적어도 2단계로 제어하는 배기량 제어 수단을 구비하고, 챔버에 있어서의 지지 부재에 의해 지지된 기판의 주면과 대향하는 위치에는, 기판의 주면 중앙부에 있어서 기판의 주면에서 가장 멀리 떨어지고, 기판의 주면 단 가장자리에 근접함에 따라서 기판의 주면에 근접하는 형상의 오목부가 형성되어 있고, 배기 제어 수단에 의해 소량의 배기량으로 배기를 행한 후, 다량의 배기량으로 배기를 행하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a pressure reduction drying apparatus for vacuum-drying a thin film formed on a main surface of a substrate, comprising: a chamber covering a substrate, a support member for horizontally supporting a substrate whose main surface is upward, and a chamber. An exhaust port formed at a position not opposed to the main surface of the substrate supported by the support means in the air, an exhaust means for exhausting air through the exhaust port, and an exhaust amount control means for controlling the exhaust amount by the exhaust means in at least two stages; At a position opposed to the main surface of the substrate supported by the supporting member in the chamber, the shape of which is farthest from the main surface of the substrate in the central portion of the main surface of the substrate and closes to the main surface of the substrate as the end surface of the substrate approaches the edge of the main surface. Is formed, the exhaust gas is exhausted by a small amount of exhaust by the exhaust control means, and then exhausted by a large amount of exhaust That performs characterized.
청구항 5에 기재의 발명은, 청구항 4에 기재의 발명에 있어서, 배기구는 챔버의 저면에 형성된다. In the invention according to
청구항 6에 기재의 발명은, 기판의 주면에 형성된 박막을 감압 건조하는 감압 건조 방법에 있어서, 기판을 챔버 내에 반입하여 지지 부재상에 얹는 반입 공정과, 기판의 주면과 상기 챔버의 상면의 거리를 작게 한 상태에서, 챔버에 있어서의 지지 수단에 의해 지지된 기판의 주면과는 대향하지 않는 위치에 형성된 배기구에서 소량의 배기량으로 배기를 행하는 제1 건조 공정과, 기판의 주면과 챔버의 상면과의 거리를 크게 한 상태에서, 배기구에서 다량의 배기량으로 배기를 행하는 제2 건조 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. According to the sixth aspect of the present invention, there is provided a pressure reduction drying method in which a thin film formed on a main surface of a substrate is dried under reduced pressure, the carrying-in step of loading the substrate into a chamber and placing the substrate on a support member, and a distance between the main surface of the substrate and the upper surface of the chamber. In the small state, the first drying step of exhausting the exhaust gas with a small amount of exhaust gas at an exhaust port formed at a position not facing the main surface of the substrate supported by the supporting means in the chamber, and between the main surface of the substrate and the upper surface of the chamber It is characterized by including the 2nd drying process which exhausts by a large amount of exhaust amount in an exhaust port in the state which enlarged the distance.
청구항 7에 기재의 발명은, 기판의 주면에 형성된 박막을 감압 건조하는 감압 건조 방법에 있어서, 기판을 챔버 내에 반입하여, 기판의 주면이 챔버 내에 설치된 판 형상 부재와 대향하는 상태에서 기판을 지지 부재상에 얹는 반입 공정과, 기판의 주면과 판 형상 부재의 거리를 작게 한 상태에서, 판 형상 부재에 대해 기판과는 반대측에 형성된 배기구에서 소량의 배기량으로 배기를 행하는 제1 건조 공정과, 기판의 주면과 판 형상 부재의 거리를 크게 한 상태에서, 배기구에서 다량의 배기량으로 배기를 행하는 제2 건조 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. According to the invention described in claim 7, the pressure-sensitive drying method for drying the thin film formed on the main surface of the substrate under reduced pressure, wherein the substrate is loaded into the chamber, and the substrate is supported by the substrate while the main surface of the substrate faces the plate-shaped member provided in the chamber. A first drying step of carrying out a step of carrying out the step of carrying out a step of exhausting the plate-shaped member from the exhaust port formed on the side opposite to the substrate with respect to the plate-shaped member in a state where the distance between the main surface of the substrate and the plate-shaped member is reduced; It is characterized by including the 2nd drying process which exhausts by a large amount of exhaust amount at an exhaust port in the state which enlarged the distance of a principal surface and a plate-shaped member, It is characterized by the above-mentioned.
청구항 8에 기재의 발명은, 기판의 주면에 형성된 박막을 감압 건조하는 감압 건조 방법에 있어서, 기판의 주면 중앙부에 있어서 기판의 주면에서 가장 멀리 떨어지고, 기판의 주면 단 가장자리에 근접함에 따라서 기판의 주면에 근접하는 형상의 오목부가 형성된 상면을 갖는 챔버 내에 기판을 반입하여 지지 부재상에 얹는 반입 공정과, 챔버에 있어서의 지지 수단에 의해 지지된 기판의 주면과는 대향하지 않는 위치에 형성된 배기구에서 소량의 배기량으로 배기를 행하는 제1 건조 공정과, 배기구에서 다량의 배기량으로 배기를 행하는 제2 건조 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. According to the invention of claim 8, in the reduced pressure drying method for drying the thin film formed on the main surface of the substrate under reduced pressure, the main surface of the substrate is located farthest away from the main surface of the substrate in the central portion of the main surface of the substrate and close to the edge of the main surface of the substrate. A small amount of the carrying-in step of bringing a substrate into a chamber having an upper surface with a concave portion having a shape close to the upper surface thereof, and placing it on a support member, and an exhaust port formed at a position not facing the main surface of the substrate supported by the supporting means in the chamber. And a second drying step of evacuating with a large exhaust amount at an exhaust port and a second drying step of evacuating with a large amount of exhaust at an exhaust port.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 의거해 설명한다. 도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described based on drawing. 1 to 3 are schematic views of a reduced pressure drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
이 감압 건조 장치는, 덮개부(11)와, 패킹(12)과, 기부(13)로 이루어지는 챔버(10)와, 기판(W)을 지지하는 지지 핀(21)이 세워져 설치된 지지판(22)을 구비한 다. 기판(W)은 챔버(10) 내에서, 그 주면이 위쪽을 향한 수평 자세로 지지 핀(21)에 의해 지지된다. The pressure reduction drying apparatus includes a
챔버(10)에 있어서의 기부(13)에는, 배기구(31)가 형성되어 있다. 이 배기구(31)는, 관로(32)에 의해, 진공 펌프(34)와 접속되어 있다. 그리고, 배기구(31)와 진공 펌프(34)의 사이에는, 배기구(31)로부터의 배기량을 2단계로 제어가능한 댐퍼(33)가 설치되어 있다. 또한, 진공 펌프(34)에 대신해 배기 팬 등을 사용해도 된다. 또한, 댐퍼(33)에 대신해 유량 가변 밸브 등을 사용해도 된다. The
또한, 지지판(22)은, 지지봉(24)을 통해 승강 기구(25)와 연결되어 있다. 지지 핀(21)은 지지판(22)과 함께, 승강 기구(25)의 작용에 의해, 도시하지 않은 반송 아암과의 사이에서 기판(W)을 주고받는 기판(W)의 수수(受授) 위치와, 각각 높이가 다른 제1, 제2 건조 위치의 3개소의 높이 위치 사이를 승강 가능하게 되어 있다.In addition, the
다음에, 이 감압 건조 장치에 의해 기판의 주면에 형성된 박막을 건조시키는 건조 동작에 대해서 설명한다. 도 4 및 도 5는, 본 발명의 제1 실시형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다.Next, the drying operation | movement which dries the thin film formed in the main surface of the board | substrate by this reduced pressure drying apparatus is demonstrated. 4 and 5 are flowcharts showing a drying operation by the vacuum drying apparatus according to the first embodiment of the present invention.
기판(W)의 주면에 형성된 박막을 건조시키는 경우에는, 최초에, 도 1에 도시하는 바와 같이 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시켜, 챔버(10)를 개방한다(단계 S11). 다음에, 기판(W)을 지지한 도시하지 않은 반송 아암이 챔버(10) 내에 진입한다(단계 S12). When drying the thin film formed in the main surface of the board | substrate W, the lid part 11 in the
다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 도 1에 도시하는 기판(W)의 수수 위치까지 상승한다(단계 S13). 이에 따라, 반송 아암에 지지되어 있던 기판(W)이, 지지 핀(21)에 의해 지지된다. 그리고, 반송 아암이 챔버(10) 내에서 퇴출한다(단계 S14). Next, by the drive of the elevating
다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 도 2에 도시하는 제1 건조 위치까지 하강한다(단계 S15). 그리고, 도 2에 도시하는 바와 같이, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 하강시켜, 챔버(10)를 폐지한다(단계 S16). 이 상태에서는, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리는, 작아진다. Next, by the drive of the
이 상태에서, 진공 펌프(34)와 댐퍼(33)의 작용에 의해, 소량의 배기량으로 배기를 행한다(단계 S17). 이 때, 이 감압 건조 장치에 있어서는, 배기구(31)가 챔버(10)의 바닥부에 형성되어 있다. 이 때문에, 이 배기구(31)로부터 배기를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면에 있어서, 그 중앙으로부터 단 가장자리를 향하는 공기류가 발생한다. In this state, by the action of the
또한, 이 배기구(31)를 챔버(10)의 바닥부에 형성하는 대신에, 챔버(10)의 측면 등, 지지 핀(21)에 지지된 기판(W)의 주면과는 대향하지 않는 그 밖의 위치에 형성해도 된다. 또한, 이 실시 형태에서는, 배기구(31)를 지지판(22)의 아래쪽 위치에 배치하고 있다. 이 때문에, 지지판(22)을 배기구(31)에 과도하게 접근시키면, 배기구(31)로부터의 배기 동작에 지장을 초래한다. 장치의 크기를 작게 하기 위해서 지지판(22)과 배기구(31)를 접근시킬 필요가 있는 경우에는, 배기구(31)를 평면에서 봐서 지지판(22)의 외측에 형성하도록 해도 된다. In addition, instead of forming this
도 2에 도시하는 상태에서는, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리가 작게 설정되어 있다. 이는 이 거리를 크게 한 경우에는, 감압 건조 처리를 개시한 직후의 활발한 건조 동작에 의해 돌비라고 불리는 현상이 발생하기 때문이다. 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 작게 설정한 경우에는, 이러한 활발한 건조 동작을 방지할 수 있어, 돌비에 의한 탈포의 발생을 방지할 수 있다. In the state shown in FIG. 2, the distance between the main surface of the board | substrate W and the
이 때, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리는, 15㎜ 이하로 하는 것이 바람직하고, 2㎜ 내지 10㎜로 하는 것이 특히 바람직하다. At this time, the distance between the main surface of the substrate W and the
이와 같이 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 작게 설정한 다음에, 소량의 배기량에 의해 감압 건조를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면에 있어서의 중앙으로부터 단 가장자리를 향하는 느린 공기류에 의해, 돌비에 의한 탈포를 방지한 상태에서, 적절한 감압 건조를 실행하는 것이 가능해진다. 단, 기판(W)의 주면 중앙부의 박막 부분에 대해서는, 충분한 건조를 행할 수 없다.Thus, after setting the distance between the main surface of the board | substrate W and the
상술한 제1 건조 공정을 개시하여 일정한 시간이 경과하면(단계 S18), 진공 펌프(34)와 댐퍼(33)의 작용에 의해, 다량의 배기량으로 배기를 행한다(단계 S19). 이 때에는, 기판(W)의 주면에 있어서, 그 중앙으로부터 단 가장자리를 향하는 비교적 큰 공기류가 발생한다. 그리고, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 도 3에 도시하는 제2 건조 위치까지 하강한다(단계 S20). When a predetermined time elapses after starting the above-described first drying step (step S18), the
이와 같이 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 크게 설정한 후에, 다량의 배기량에 의해 감압 건조를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면 전역에 걸쳐, 신속하게 건조가 행해진다. 그러나, 상술한 제1 건조 공정에서 박막은 어느정도 건조해 있으므로, 돌비에 의한 탈포가 발생하는 일은 없다. Thus, after setting the distance of the main surface of the board | substrate W and the
이 때, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리는, 20㎜ 이상 50㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 이 거리는, 챔버(10) 내의 체적, 즉, 배기를 행해야 되는 분위기의 양에 따라 제약되므로, 50㎜보다도 큰 값으로 하는 것은 바람직하지 않다. At this time, it is preferable that the distance between the main surface of the board | substrate W and the
상술한 제2 건조 공정에서, 도시하지 않은 센서에 의해 챔버(10) 내의 진공도가 미리 설정한 값에 도달하면(단계 S21), 챔버 내에 질소 가스를 퍼지(purge)한다(단계 S22). 그리고, 챔버(10) 내가 대기압으로 되면, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시켜, 챔버(10)를 개방한다(단계 S23). 다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 도 1에 도시하는 기판(W)의 수수 위치까지 상승한다(단계 S24). In the above-mentioned 2nd drying process, when the vacuum degree in the
이 상태에서, 도시하지 않은 반송 아암이 챔버(10) 내에 진입한다(단계 S25). 그리고, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 도 2에 도시하는 제1 건조 위치까지 하강한다(단계 S26). 이에 따라, 지지 핀(21)에 지지되어 있던 기판(W)이 반송 아암에 의해 지지된다. 그리고, 기판(W)을 지지한 반송 아암이 챔버(10)내에서 퇴출한다(단계 S27). In this state, the conveyance arm which is not shown in figure enters the chamber 10 (step S25). And the
도 6은 상술한 감압 건조 동작 시의 챔버(10)내의 진공도의 변화를 도시하는 설명도이다.FIG. 6 is an explanatory diagram showing a change in the degree of vacuum in the
이 도면에 있어서, 가로축은 시간(초)을 표시하고, 세로축은 진공도(Torr)를 대수로 표시하고 있다. 영역 A는 상술한 제1 건조 공정을, 영역 B는 제2 건조 공정을, 또한 영역 C는 질소 가스에 의한 퍼지 공정을 나타낸다. 또한, 부호 P는 대기압을 나타낸다. In this figure, the horizontal axis represents time (seconds), and the vertical axis represents the vacuum degree (Torr) in logarithms. Region A represents the first drying process described above, region B represents the second drying process, and region C represents the purge process using nitrogen gas. In addition, the code P represents atmospheric pressure.
이상과 같이, 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 감압 건조 장치에 의하면, 기판(W)의 주면과 챔버(10)의 상면(14)과의 거리를 작게 한 상태에서 소량의 배기량으로 배기를 행한 후, 기판(W)의 주면과 챔버(10)의 상면(14)과의 거리를 크게 한 상태에서 다량의 배기량으로 배기를 행하므로, 돌비가 생기지 않고 기판(W)의 주면에 형성된 박막을 신속하게 건조시키는 것이 가능해진다. As described above, according to the pressure reduction drying apparatus in the first embodiment of the present invention, the exhaust gas is discharged with a small amount of exhaust gas in a state in which the distance between the main surface of the substrate W and the
다음에, 본 발명의 다른 실시형태에 대해서 설명한다. 도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다. Next, another embodiment of the present invention will be described. 7 is a schematic diagram of a vacuum drying apparatus according to a second embodiment of the present invention.
상술한 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 있어서는, 기판(W)을 승강시키는 것으로, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 변경하고 있고, 또한, 배기구(35)가 챔버(10)의 바닥부에 형성되어 있다. 한편, 이 제2 실시 형태에서는, 챔버(10) 내에 배치된 판 형상 부재(41)를 승강시킴으로써, 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)의 거리를 변경하고 있고, 또한, 배기구(31)가 챔버(10)의 상면(14)에 형성되어 있다. 그 밖의 구성에 있어서는, 상술한 제1 실시형태와 동일하다. In the pressure reduction drying apparatus which concerns on 1st Embodiment mentioned above, the board | substrate W is raised and lowered, and the distance between the main surface of the board | substrate W and the
이 제2 실시 형태에 있어서, 판 형상 부재(41)는, 한 쌍의 에어 실린더(43)의 실린더 로드(42)에 연결되어 있고, 한 쌍의 에어 실린더(43)의 구동에 의해 승강하는 구성으로 되어 있다. 또한, 이 제2 실시 형태에 있어서도, 챔버(10)의 상면(14)에 형성된 배기구(35)로부터 배기를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면에서, 그 중앙으로부터 단 가장자리로 향하는 공기류가 발생한다. In this 2nd Embodiment, the plate-shaped
다음에, 제2 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의해 기판의 주면에 형성된 박막을 건조하는 건조 동작에 대해서 설명한다. 도 8 및 도 9는, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다. 또한, 상술한 제1 실시 형태와 동일한 부분에 대해서는, 설명을 간략화하고 있다. Next, a drying operation for drying the thin film formed on the main surface of the substrate by the reduced pressure drying apparatus according to the second embodiment will be described. 8 and 9 are flowcharts illustrating a drying operation by the vacuum drying apparatus according to the second embodiment of the present invention. In addition, description is simplified about the part same as 1st Embodiment mentioned above.
최초에, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시켜, 챔버(10)를 개방한다(단계 S31). 다음에, 기판(W)을 지지한 도시하지 않은 반송 아암이 챔버(10) 내에 진입한다(단계 S32). Initially, the lid part 11 in the
다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 기판(W)의 수수 위치까지 상승한다(단계 S33). 이에 따라, 반송 아암에 지지되어 있던 기판(W)이, 지지 핀(21)에 의해 지지된다. 그리고, 반송 아암이 챔버(10) 내에서 퇴출한다(단계 S34). Next, by the drive of the elevating
다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 도 7에 도시하는 건조 위치까지 하강한다(단계 S35). 그리고, 도 7에 도시하는 바와 같이, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 하강시켜, 챔버(10)를 폐지한다(단계 S36). 이 상태에서는, 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)의 거리는 작아진다. Next, by the drive of the elevating
이 상태에서, 진공 펌프(34)와 댐퍼(33)의 작용에 의해, 소량의 배기량으로 배기를 행한다(단계 S37). 이 때, 이 감압 건조 장치에 있어서는, 배기구(35)가 챔버(10)의 상면(14)에 형성되어 있다. 이 때문에, 이 배기구(35)로부터 배기를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면에 있어서, 그 중앙으로부터 단 가장자리로 향하는 공기류가 발생한다. In this state, by the action of the
도 7에 도시하는 상태에서는, 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)와의 거리가 작게 설정되어 있다. 이 때문에, 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 돌비에 의한 탈포의 발생을 방지할 수 있다. In the state shown in FIG. 7, the distance between the main surface of the board | substrate W and the plate-shaped
이와 같이 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)의 거리를 작게 설정한 다음에, 소량의 배기량에 의해 감압 건조를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면에 있어서의 중앙으로부터 단 가장자리로 향하는 느린 공기류에 의해, 돌비에 의한 탈포를 방지한 상태에서, 적절한 감압 건조를 실행하는 것이 가능해진다. 단, 기판(W)의 주면 중앙부의 박막 부분에 대해서는, 충분한 건조를 행할 수 없다. Thus, when setting the distance of the main surface of the board | substrate W and the plate-shaped
상술한 제1 건조 공정을 개시하여 일정한 시간이 경과하면(단계 S38), 진공 펌프(34)와 댐퍼(33)의 작용에 의해, 다량의 배기량으로 배기를 행한다(단계 S39). 이 때에는, 기판(W)의 주면에서, 그 중앙으로부터 단 가장자리로 향하는 비교적 큰 공기류가 발생한다. 그리고, 한 쌍의 에어 실린더(43)의 구동에 의해, 판 형상 부재(41)가 상승한다(단계 S40). When a predetermined time elapses after starting the above-described first drying process (step S38), the
이와 같이 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)의 거리를 크게 설정한 다음 에, 다량의 배기량에 의해 감압 건조를 행한 경우에는, 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 기판(W)의 주면 전역에 걸쳐, 신속하게 건조가 행해진다. 그러나, 상술한 제1 건조 공정에서 박막은 어느 정도 건조해 있으므로, 돌비에 의한 탈포가 발생하는 일은 없다. Thus, when setting the distance of the main surface of the board | substrate W and the plate-shaped
상술한 제2 건조 공정에서, 도시하지 않은 센서에 의해 챔버(10) 내의 진공도가 미리 설정한 값에 도달하면(단계 S41), 챔버 내에 질소 가스를 퍼지한다(단계 S42). 그리고, 챔버(10) 내가 대기압으로 되면, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시켜, 챔버(10)를 개방한다(단계 S43). 다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 기판(W)의 수수 위치까지 상승한다(단계 S44). In the above-mentioned 2nd drying process, when the vacuum degree in the
이 상태에서, 도시하지 않은 반송 아암이 챔버(10) 내에 진입한다(단계 S45). 그리고, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 건조 위치까지 하강한다(단계 S46). 이에 따라, 지지 핀(21)에 지지되어 있던 기판(W)이 반송 아암에 의해 지지된다. 그리고, 기판(W)을 지지한 반송 아암이 챔버(10) 내에서 퇴출한다(단계 S47). In this state, the conveyance arm which is not shown in figure enters the chamber 10 (step S45). Then, by the driving of the elevating
이상과 같이, 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 감압 건조 장치에 의하면, 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)와의 거리를 작게 한 상태에서 소량의 배기량으로 배기를 행한 후, 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)와의 거리를 크게 한 상태에서 다량의 배기량으로 배기를 행하므로, 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 돌비가 생기지 않고 기판(W)의 주면에 형성된 박막을 신속하게 건조시키는 것 이 가능해진다. As described above, according to the vacuum drying apparatus according to the second embodiment of the present invention, after exhausting with a small amount of exhaust gas in a state in which the distance between the main surface of the substrate W and the plate-shaped
또한, 본 제2 실시 형태에 있어서의 기판(W)의 주면과 판 형상 부재(41)의 거리는, 상술한 제1 실시 형태에 있어서의 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리와 동일하게 설정할 수 있다. In addition, the distance between the main surface of the board | substrate W in this 2nd Embodiment, and the plate-shaped
다음에, 본 발명의 다른 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 10은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 감압 건조 장치의 개요도이다. Next, another embodiment of the present invention will be described. It is a schematic diagram of the pressure reduction drying apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention.
상술한 제1 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 있어서는, 기판(W)을 승강시킴으로써, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 변경하고 있는데, 본 제3 실시 형태에서는, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 변경하는 대신에, 챔버(10)의 덮개부(11)에 있어서의 지지 핀(21)에 의해 지지된 기판(W)의 주면과 대향하는 위치에, 기판(W)의 주면 중앙부에 있어서 기판(W)의 주면에서 가장 멀리 떨어지고, 기판(W)의 주면 단 가장자리에 근접함에 따라서 기판(W)의 주면에 근접하는 형상의 오목부(15)를 형성하고 있다. 그 밖의 구성에 대해서는, 상술한 제1 실시 형태와 동일하다. In the pressure reduction drying apparatus which concerns on 1st Embodiment mentioned above, the distance of the main surface of the board | substrate W and the
다음에, 제3 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의해 기판의 주면에 형성된 박막을 건조하는 건조 동작에 대해서 설명한다. 도 11 및 도 12는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 감압 건조 장치에 의한 건조 동작을 도시하는 플로우 챠트이다. 또한, 상술한 제1 실시 형태와 동일한 부분에 대해서는, 설명을 간략화하고 있다. Next, the drying operation which dries the thin film formed in the main surface of the board | substrate by the pressure reduction drying apparatus which concerns on 3rd Embodiment is demonstrated. 11 and 12 are flowcharts illustrating a drying operation by the vacuum drying apparatus according to the third embodiment of the present invention. In addition, description is simplified about the part same as 1st Embodiment mentioned above.
최초에, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시켜, 챔버(10)를 개방한다(단계 S51). 다음에, 기판(W)을 지지한 도시하지 않은 반송 아암이 챔버(10)내에 진입한다(단계 S52). Initially, the lid part 11 in the
다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 기판(W)의 수수 위치까지 상승한다(단계 S53). 이에 따라, 반송 아암에 지지되어 있던 기판(W)이, 지지 핀(21)에 의해 지지된다. 그리고, 반송 아암이 챔버(10) 내에서 퇴출한다(단계 S54). Next, by the drive of the elevating
다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 건조 위치까지 하강한다(단계 S55). 그리고, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 하강시켜, 챔버(10)를 폐지한다(단계 S56). Next, by the drive of the
이 상태에서, 진공 펌프(34)와 댐퍼(33)의 작용에 의해, 소량의 배기량으로 배기를 행한다(단계 S57). 이 때, 이 감압 건조 장치에 있어서는, 배기구(31)가 챔버(10)의 바닥부에 형성되어 있다. 이 때문에, 이 배기구(31)로부터 배기를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면에 있어서, 그 중앙으로부터 단 가장자리로 향하는 공기류가 발생한다. In this state, by the action of the
이 상태에서는, 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리가 비교적 작게 설정되어 있다. 이는 이 거리를 크게 잡은 경우에는, 감압 건조 처리를 개시한 직후의 활발한 건조 동작에 의해 돌비라고 불리는 현상이 발생하기 때문이다. 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 작게 설정한 경우에는, 이러한 활발한 건조 동작을 방지할 수 있어, 돌비에 의한 탈포의 발생을 방지할 수 있다. In this state, the distance between the main surface of the board | substrate W and the
이와 같이 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 작게 설정한 후에, 소량의 배기량에 의해 감압 건조를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면에 있어서의 중앙으로부터 단 가장자리로 향하는 느린 공기류에 의해, 돌비에 의한 탈포를 방지한 상태에서, 적절한 감압 건조를 실행하는 것이 가능해진다. 그리고, 이 실시 형태에 있어서는, 챔버(10)의 덮개부(11)에 있어서의 지지 핀(21)에 의해 지지된 기판(W)의 주면과 대향하는 위치에, 기판(W)의 주면 중앙부에 있어서 기판(W)의 주면에서 가장 멀리 떨어지고, 기판(W)의 주면 단 가장자리에 근접함에 따라서 기판(W)의 주면에 근접하는 형상의 오목부(15)가 형성되어 있다. 따라서, 기판(W)의 주면 중앙부의 박막 부분에 대해서도, 건조가 촉진된다. Thus, after setting the distance between the main surface of the board | substrate W and the
상술한 제1 건조 공정을 개시하여 일정한 시간이 경과하면(단계 S58), 진공 펌프(34)와 댐퍼(33)의 작용에 의해, 다량의 배기량으로 배기를 행한다(단계 S59). 이 때에는, 기판(W)의 주면에 있어서, 그 중앙으로부터 단 가장자리로 향하는 비교적 큰 공기류가 발생한다. When a predetermined time elapses after starting the above-described first drying step (step S58), the
이와 같이 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리를 크게 설정한 후에, 다량의 배기량에 의해 감압 건조를 행한 경우에는, 기판(W)의 주면 전역에 걸쳐, 신속하게 건조가 행해진다. 특히, 본 실시 형태에 있어서는, 챔버(10)의 덮개부(11)에 형성된 오목부(15)의 작용에 의해, 통상 건조가 촉진되기 어려운 기판(W)의 중앙 부근에서도, 신속한 건조가 실행된다. 이 때, 상술한 제1 건조 공정에서 박막은 어느 정도 건조해 있으므로, 돌비에 의한 탈포가 발생하는 일은 없다. Thus, after setting the distance of the main surface of the board | substrate W and the
또한, 본 제3 실시 형태에 있어서의 기판(W)의 주면과 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)의 상면(14)과의 거리는, 가장 큰 값을 취하는 기판(W)의 중앙부에서 10㎜ 내지 20㎜로 하는 것이 바람직하고, 가장 작은 값을 취하는 기판(W)의 단 가장자리 부근에서 2㎜ 내지 10㎜로 하는 것이 바람직하다. In addition, the distance between the main surface of the board | substrate W in this 3rd Embodiment, and the
상술한 제2 건조 공정에서, 도시하지 않은 센서에 의해 챔버(10) 내의 진공도가 미리 설정한 값에 도달하면(단계 S60), 챔버 내에 질소 가스를 퍼지한다(단계 S61). 그리고, 챔버(10) 내가 대기압으로 되면, 챔버(10)에 있어서의 덮개부(11)를 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시켜, 챔버(10)를 개방한다(단계 S62). 다음에, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 기판(W)의 수수 위치까지 상승한다(단계 S63). In the above-mentioned 2nd drying process, when the vacuum degree in the
이 상태에서, 도시하지 않은 반송 아암이 챔버(10) 내에 진입한다(단계 64). 그리고, 승강 기구(25)의 구동에 의해, 지지 핀(21)이 지지판(22)과 함께 건조 위치까지 하강한다(단계 S65). 이에 따라, 지지 핀(21)에 지지되어 있던 기판(W)이 반송 아암에 의해 지지된다. 그리고, 기판(W)을 지지한 반송 아암이 챔버(10) 내에서 퇴출한다(단계 S66). In this state, a conveyance arm (not shown) enters the chamber 10 (step 64). Then, by the driving of the elevating
이상과 같이, 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 감압 건조 장치에 의하면, 챔버(10)의 덮개부(11)에 형성된 오목부(15)의 작용에 의해, 돌비가 생기지 않고 기판(W)의 주면에 형성된 박막을 신속하게 건조하는 것이 가능해진다. As mentioned above, according to the pressure reduction drying apparatus in 3rd Embodiment of this invention, the board | substrate W does not produce a dolby by the action of the recessed
청구항 1 내지 청구항 8에 기재의 발명에 의하면, 돌비가 발생하지 않고 기 판의 주면에 형성된 박막을 신속하게 건조시키는 것이 가능해진다. According to the invention described in
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