JP6747815B2 - Vacuum drying apparatus and vacuum drying method - Google Patents

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Description

本発明は、塗布装置により基板上に形成された塗布膜を乾燥させる乾燥装置及び乾燥方法であって、特に基板を収容するチャンバ内を大気圧よりも減圧させて乾燥させる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法に関するものである。 The present invention relates to a drying device and a drying method for drying a coating film formed on a substrate by a coating device, and in particular, a reduced pressure drying device and a reduced pressure drying for reducing the pressure inside a chamber accommodating the substrate to a pressure lower than atmospheric pressure. It is about the method.

液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの（塗布基板と称す）が使用されている。この塗布基板は、塗布装置により基板上にレジスト液が均一に塗布されることによって塗布膜が形成され、その後、減圧乾燥装置により塗布膜を乾燥させることにより生産される。 A flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display has a substrate coated with a resist solution (referred to as a coated substrate). The coated substrate is produced by uniformly coating the resist liquid on the substrate by a coating device to form a coating film, and then drying the coating film by a reduced pressure drying device.

減圧乾燥装置は、チャンバ部の基板収容部に基板が収容された状態で、基板収容部を減圧させることにより基板上の塗布膜を乾燥させるようになっている（下記特許文献１参照）。具体的には、図６に示すように、基板１００がチャンバ部１０１の基板収容部１０２に供給されると、基板１００の裏面にプレートから突出した複数のピン１０３を当接させることによって支持される。そして、この支持された状態で基板収容部１０２を排気させると、基板収容部１０２が減圧環境下になることにより、基板１００上の塗布膜を形成する溶媒が蒸発し塗布膜を乾燥させることができる。 The reduced-pressure drying device is configured to dry the coating film on the substrate by depressurizing the substrate housing portion while the substrate is housed in the substrate housing portion of the chamber portion (see Patent Document 1 below). Specifically, as shown in FIG. 6, when the substrate 100 is supplied to the substrate housing portion 102 of the chamber portion 101, the substrate 100 is supported by abutting a plurality of pins 103 protruding from the plate on the back surface of the substrate 100. It Then, if the substrate housing portion 102 is evacuated in this supported state, the substrate housing portion 102 is placed in a reduced pressure environment, so that the solvent forming the coating film on the substrate 100 is evaporated and the coating film is dried. it can.

具体的には、減圧乾燥装置は、図７に示すように基板収容部１０２の圧力が制御される。すなわち、チャンバ部１０１の基板収容部１０２に基板１００が収容されると、風ムラ等の影響を抑えるため最初は緩やかに減圧される（緩排気工程）。そして、ある程度減圧させた後、急速に減圧させて（急排気工程）、チャンバ部１０１内の圧力を溶媒の飽和蒸気圧に調節する。すなわち、基板収容部１０２が飽和蒸気圧に調節された状態で塗布膜を乾燥させることにより（本乾燥工程）、塗布膜の乾燥状態を向上させて基板１００と塗布膜との密着性、及び、塗布膜の品質を向上させることができる。 Specifically, in the reduced pressure drying device, the pressure of the substrate housing unit 102 is controlled as shown in FIG. 7. That is, when the substrate 100 is accommodated in the substrate accommodating portion 102 of the chamber portion 101, the pressure is gently depressurized at first in order to suppress the influence of wind unevenness and the like (slow evacuation step). Then, after the pressure is reduced to some extent, the pressure is rapidly reduced (rapid evacuation process) to adjust the pressure in the chamber 101 to the saturated vapor pressure of the solvent. That is, by drying the coating film in the state where the substrate containing section 102 is adjusted to the saturated vapor pressure (main drying step), the dry state of the coating film is improved and the adhesion between the substrate 100 and the coating film, and The quality of the coating film can be improved.

特開２００５−３２９３０３号公報JP, 2005-329303, A

しかし、近年では、タクトタイムの短縮を図るため、チャンバ部１０１を減圧させる真空ポンプ１０４が大容量化されている。すなわち、真空ポンプ１０４の大容量化に伴って、真空ポンプ１０４の吸引力が大きくなっており、チャンバ部１０１を急速に減圧させることができるためタクトタイムを短縮させることができる。ところが、真空ポンプ１０４の吸引力が大きくなるに伴い、チャンバ部１０１内を飽和蒸気圧付近に調節することが困難になり高品質な塗布膜を形成するのが困難であるという問題があった。 However, in recent years, in order to reduce the tact time, the vacuum pump 104 for depressurizing the chamber section 101 has been increased in capacity. That is, as the capacity of the vacuum pump 104 increases, the suction force of the vacuum pump 104 increases, and the chamber unit 101 can be depressurized rapidly, so that the tact time can be shortened. However, as the suction force of the vacuum pump 104 increases, it becomes difficult to adjust the inside of the chamber unit 101 to a saturated vapor pressure, and it is difficult to form a high-quality coating film.

すなわち、真空ポンプ１０４がチャンバ部１０１の基板収容部１０２に連結される配管経路１０５には、開度を調節する吸引調節弁１０６が設けられているが、真空ポンプ１０４の吸引力が大きくなると、少しの開度調節でもチャンバ内の圧力が大きく変化してしまう。そのため、基板収容部１０２が飽和蒸気圧に達した場合、吸引調節弁１０６で調節しても基板収容部１０２の圧力変化が大きく、基板収容部１０２を長時間に亘って飽和蒸気圧に維持することが困難であった。このように、真空ポンプ１０４が大容量化した場合には吸引調節弁１０６でチャンバ部１０１内を飽和蒸気圧付近に精度よく調節するのが難しくなり、塗布膜を安定して乾燥させるのが困難になるという問題があった。 That is, the suction control valve 106 that adjusts the opening degree is provided in the pipe path 105 that connects the vacuum pump 104 to the substrate housing portion 102 of the chamber unit 101. However, when the suction force of the vacuum pump 104 increases, Even if the opening degree is adjusted a little, the pressure in the chamber changes greatly. Therefore, when the substrate housing part 102 reaches the saturated vapor pressure, the pressure change in the substrate housing part 102 is large even if it is adjusted by the suction control valve 106, and the substrate housing part 102 is maintained at the saturated vapor pressure for a long time. Was difficult. As described above, when the capacity of the vacuum pump 104 is increased, it is difficult to accurately adjust the inside of the chamber portion 101 to a saturated vapor pressure by the suction control valve 106, and it is difficult to stably dry the coating film. There was a problem of becoming.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、チャンバ部を減圧させる真空ポンプが大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above problems, and a reduced pressure drying apparatus and a reduced pressure drying method capable of stably drying a coating film even when a vacuum pump for depressurizing a chamber portion has a large capacity. The purpose is to provide.

上記課題を解決するために本発明の減圧乾燥装置は、基板上に塗布された塗布膜を減圧環境下で乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板が収容される基板収容部を有するチャンバ部と、基板収容部を吸引することにより基板収容部の圧力を減圧させる吸引減圧部と、を備え、前記チャンバ部には、前記基板収容部に気体を供給することにより前記吸引減圧部の減圧速度を抑えて前記基板収容部を所定の圧力に調節する減圧調節部を有しており、前記吸引減圧部は、前記基板収容部に連結される吸引配管とこの吸引配管の開度を調節する吸引調節弁とを有しており、前記減圧調節部は、前記基板収容部に連結されるリーク配管とこのリーク配管の開度を調節するリーク調節弁とを有しており、前記吸引調節弁と前記リーク調節弁のそれぞれの開度が調節されることにより、前記基板収容部を所定の圧力に調節され、前記吸引配管が前記基板収容部と連結される吸引連結部と、前記リーク配管が前記基板収容部と連結されるリーク連結部とは、前記吸引連結部と前記リーク連結部との間に基板が配置されるのを避けた位置に配置され、前記吸引連結部と、前記リーク連結部とが、前記チャンバ部の底面に設けられていることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a reduced pressure drying apparatus of the present invention is a reduced pressure drying apparatus for drying a coating film applied on a substrate under a reduced pressure environment, and a chamber section having a substrate accommodation section in which a substrate is accommodated. A suction depressurization unit that depressurizes the pressure of the substrate storage unit by suctioning the substrate storage unit, and supplies a gas to the substrate storage unit in the chamber unit to reduce the depressurization speed of the suction depressurization unit. suppressed and have a vacuum adjustment section for adjusting the substrate receiving portion to a predetermined pressure, the depressurized suction unit, suction adjusted to adjust the degree of opening of the suction pipe and the suction pipe is connected to the substrate receiving portion A valve, the decompression control unit has a leak control valve for adjusting the opening of the leak pipe and the leak pipe connected to the substrate housing unit, the suction control valve and the By adjusting the opening degree of each of the leak control valves, the substrate containing portion is adjusted to a predetermined pressure, and the suction pipe connecting the suction pipe to the substrate containing portion, and the leak pipe to the substrate. The leak connecting part connected to the housing part is arranged at a position avoiding the substrate being arranged between the suction connecting part and the leak connecting part, and the suction connecting part and the leak connecting part are arranged. Is provided on the bottom surface of the chamber section .

上記減圧乾燥装置によれば、チャンバ部の基板収容部に気体を供給する減圧調節部を有しているため、吸引減圧部（例えば真空ポンプ）が大容量化された場合でも、基板収容部を所定の圧力に調節することができる。すなわち、吸引減圧部により基板収容部を吸引すると基板収容部が減圧されるが、減圧調節部から基板収容部に気体が供給されることにより、供給された気体が排気され基板収容部の減圧状態を緩和することができる。すなわち、吸引減圧部の大容量化により基板収容部が急速に減圧されると、減圧調節部から基板収容部に大量の気体が供給されることにより、基板収容部の減圧状態が緩和され、基板収容部の減圧速度を低下させることができる。すなわち、吸引減圧部から吸引される吸引量と減圧調節部から供給される気体の量を調節することにより、基板収容部の圧力を所定の圧力（例えば、塗布膜を形成する溶媒の飽和蒸気圧）に調節し、この圧力状態を維持することができる。したがって、チャンバ部の基板収容部を減圧させる真空ポンプが大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができ、基板と塗布膜との密着性を向上させることができる。 According to the above-described reduced-pressure drying apparatus, since the decompression adjustment unit that supplies gas to the substrate accommodation unit of the chamber unit is provided, even if the suction decompression unit (for example, the vacuum pump) has a large capacity, the substrate accommodation unit can be operated. It can be adjusted to a predetermined pressure. That is, when the suction/decompression unit sucks the substrate accommodation unit, the substrate accommodation unit is decompressed, but the gas is supplied from the decompression adjustment unit to the substrate accommodation unit so that the supplied gas is exhausted and the decompression state of the substrate accommodation unit. Can be relaxed. That is, when the substrate accommodation section is rapidly decompressed by increasing the capacity of the suction decompression section, a large amount of gas is supplied from the decompression adjustment section to the substrate accommodation section, so that the decompression state of the substrate accommodation section is relaxed, It is possible to reduce the depressurization rate of the housing portion. That is, by adjusting the amount of suction sucked from the suction depressurization unit and the amount of gas supplied from the depressurization adjustment unit, the pressure of the substrate housing unit is set to a predetermined pressure (for example, the saturated vapor pressure of the solvent forming the coating film). ) To maintain this pressure condition. Therefore, even when the capacity of the vacuum pump for depressurizing the substrate housing portion of the chamber portion is increased, the coating film can be dried stably and the adhesion between the substrate and the coating film can be improved.

そして、リーク配管から供給された気体が吸引配管に流れるが、基板はこれら吸引配管の吸引連結部とリーク配管のリーク連結部との間を避けて配置されるため、基板上に形成された塗布膜が気体の流れの影響を受けることを抑えることができる。 Then, the gas supplied from the leak pipe flows to the suction pipe, but since the substrate is arranged so as to avoid the space between the suction connection part of these suction pipes and the leak connection part of the leak pipe, the coating formed on the substrate It is possible to prevent the membrane from being affected by the gas flow.

本発明の減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法によれば、チャンバ部内を減圧させる真空ポンプが大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができる。 According to the reduced-pressure drying apparatus and the reduced-pressure drying method of the present invention, the coating film can be stably dried even when the volume of the vacuum pump for reducing the pressure inside the chamber is increased.

本発明の一実施形態における減圧乾燥装置のチャンバ蓋部とチャンバ本体が閉じた状態を示す図である。It is a figure showing the state where the chamber lid part and chamber body of the decompression drying device in one embodiment of the present invention were closed. 上記減圧乾燥装置のチャンバ蓋部とチャンバ本体が離間した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which the chamber cover part and chamber body of the said reduced pressure drying apparatus were spaced apart. 上記減圧乾燥装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation|movement of the said reduced pressure drying apparatus. 上記減圧乾燥装置の基板収容部の圧力変化を示す図である。It is a figure which shows the pressure change of the substrate accommodation part of the said reduced pressure drying apparatus. 他の実施形態における減圧乾燥装置を示す図である。It is a figure which shows the reduced pressure drying apparatus in other embodiment. 従来の減圧乾燥装置を示す図である。It is a figure which shows the conventional reduced pressure drying apparatus. 従来の減圧乾燥装置の基板収容部の圧力変化を示す図である。It is a figure which shows the pressure change of the substrate accommodation part of the conventional reduced pressure drying apparatus.

本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。 Embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図１、図２は、本発明の一実施形態における減圧乾燥装置を概略的に示す図であり、図１は、減圧乾燥装置のチャンバ蓋部１０とチャンバ本体２０が閉じた状態を示す図であり、図２はチャンバ蓋部１０とチャンバ本体２０が離間した状態を示す図である。 1 and 2 are diagrams schematically showing a reduced pressure drying apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a diagram showing a state in which a chamber lid 10 and a chamber body 20 of the reduced pressure drying apparatus are closed. 2 is a diagram showing a state in which the chamber lid portion 10 and the chamber body 20 are separated from each other.

図１、図２に示すように、減圧乾燥装置は、基板１上に形成されたレジスト液などの塗布膜を乾燥させるものであり、基板１を収容するチャンバ部２と、このチャンバ部２を減圧させる吸引減圧部３とを備えている。そして、チャンバ部２に基板１を収容した状態でチャンバ部２内を減圧環境に維持することにより基板１上に形成された塗布膜を乾燥できるようになっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the reduced-pressure drying apparatus is for drying a coating film such as a resist solution formed on a substrate 1, and includes a chamber portion 2 for housing the substrate 1 and the chamber portion 2. And a suction decompression unit 3 for decompressing. Then, the coating film formed on the substrate 1 can be dried by maintaining the inside of the chamber portion 2 in a reduced pressure environment with the substrate 1 accommodated in the chamber portion 2.

なお、以下の説明では、図１における紙面上側を減圧乾燥装置の上方、図１における紙面下側を減圧乾燥装置の下方として説明を進めることとする。 In the following description, the upper side of the paper in FIG. 1 will be referred to as the upper side of the reduced pressure drying apparatus, and the lower side of the paper in FIG.

チャンバ部２は、チャンバ本体２０とチャンバ蓋部１０とを備えている。チャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０に対して開閉できるように形成されており、チャンバ蓋部１０が閉状態では、図１に示すように、チャンバ蓋部１０とチャンバ本体２０とで基板１を収容する基板収容部３０が形成されるようになっている。 The chamber section 2 includes a chamber body 20 and a chamber lid section 10. The chamber lid 10 is formed so as to be opened and closed with respect to the chamber body 20, and when the chamber lid 10 is in the closed state, the chamber lid 10 and the chamber body 20 cover the substrate 1 as shown in FIG. 1. A substrate housing portion 30 for housing is formed.

チャンバ本体２０は、塗布膜が形成された基板１を保持するものである。チャンバ本体２０は、上面が開放された箱状部材であり、チャンバ本体２０内に基板１を保持することができる。具体的には、チャンバ本体２０は、平板形状のプレート部２２を有しており、このプレート部２２上に基板１を載置することができる。すなわち、プレート部２２には、複数のピン孔が形成されており、このピン孔からリフトピン２３が突出するようになっている。そして、この突出した複数のリフトピン２３の先端部分に基板１が載置されることにより基板１が保持されるようになっている。 The chamber body 20 holds the substrate 1 on which the coating film is formed. The chamber body 20 is a box-shaped member having an open upper surface, and can hold the substrate 1 in the chamber body 20. Specifically, the chamber body 20 has a flat plate-shaped plate portion 22, and the substrate 1 can be placed on the plate portion 22. That is, the plate portion 22 is formed with a plurality of pin holes, and the lift pins 23 project from the pin holes. The substrate 1 is held by placing the substrate 1 on the tip portions of the plurality of protruding lift pins 23.

具体的には、プレート部２２には、ピン孔に対応する位置にピン収容孔が形成されており、このピン収容孔にリフトピン２３が埋設されている。このリフトピン２３は、プレート部２２の下側に設けられた駆動装置（不図示）と接続されており、この駆動装置を駆動させることにより、リフトピン２３が昇降動作するとともに、任意の位置で停止できるようになっている。本実施形態では、リフトピン２３が基部２１内に収容される収容位置と、プレート部２２から突出し基板１の受渡しを行う基板受渡位置（図２参照）と、乾燥工程を行う乾燥位置（図１参照）とに停止できるように設定されている。そして、リフトピン２３が基板受渡位置に位置した状態で基板１がリフトピン２３の先端部分に載置されると、リフトピンを所定量だけ下降させて基板１が乾燥位置に位置した状態で保持される。なお、このピン収容孔にはシールが設けられており、リフトピン２３が突出した状態であってもピン収容孔から基板収容部３０の大気の漏れを防止できるようになっている。 Specifically, the plate portion 22 has a pin accommodating hole formed at a position corresponding to the pin hole, and the lift pin 23 is embedded in the pin accommodating hole. The lift pin 23 is connected to a drive device (not shown) provided on the lower side of the plate portion 22. By driving this drive device, the lift pin 23 moves up and down and can be stopped at any position. It is like this. In the present embodiment, the storage position where the lift pins 23 are stored in the base portion 21, the substrate transfer position where the lift pins 23 are protruded from the plate part 22 to transfer the substrate 1 (see FIG. 2), and the drying position where the drying process is performed (see FIG. 1). ) And is set to stop. Then, when the substrate 1 is placed on the tip portion of the lift pin 23 in a state where the lift pin 23 is located at the substrate delivery position, the lift pin is lowered by a predetermined amount and the substrate 1 is held in the state where it is located at the drying position. It should be noted that a seal is provided in the pin accommodating hole so that even if the lift pin 23 is in a protruding state, it is possible to prevent the atmospheric air from leaking into the substrate accommodating portion 30 from the pin accommodating hole.

また、チャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０とともにチャンバ部２内に基板収容部３０を形成するものである。チャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０に対して開閉できるようになっており、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に対して、昇降動作可能に形成されている。すなわち、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に対して上昇することによって開状態が形成され、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に対して下降し当接することによって閉状態が形成される。このチャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０に保持された基板１を覆う形状を有しており、チャンバ本体２０と対面する平板状の平板部１１と、この平板部１１の外周縁からチャンバ本体２０側に突出し、保持された基板１を囲む形状を有する側壁部１２とを有している。すなわち、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に当接した状態では、チャンバ蓋部１０の側壁部１２がチャンバ本体２０に当接することにより、基板１を収容可能な基板収容部３０が形成されるようになっている。 Further, the chamber lid 10 forms the substrate housing 30 in the chamber 2 together with the chamber body 20. The chamber lid 10 can be opened and closed with respect to the chamber body 20, and the chamber lid 10 is formed to be movable up and down with respect to the chamber body 20. That is, the open state is formed by raising the chamber lid 10 with respect to the chamber body 20, and the closed state is formed by lowering and contacting the chamber lid 10 with the chamber body 20. The chamber lid portion 10 has a shape that covers the substrate 1 held by the chamber body 20, and has a flat plate-shaped flat plate portion 11 facing the chamber main body 20 and an outer peripheral edge of the flat plate portion 11 from the chamber main body 20. And a side wall portion 12 having a shape that surrounds the held substrate 1 and that protrudes to the side. That is, when the chamber lid 10 is in contact with the chamber body 20, the side wall portion 12 of the chamber lid 10 is in contact with the chamber body 20 to form the substrate housing portion 30 capable of housing the substrate 1. It has become.

チャンバ蓋部１０の平板部１１の基板収容部３０側は、平滑な平坦状に形成されている。すなわち、基板収容部３０を吸引した際に発生する気流（大気の流れ）が妨げられないように形成されている。また、基板収容部３０側の裏面側には、リブ（不図示）が取付けられており、基板収容部３０が減圧された場合に平板部１１が変形するのを防止できるようになっている。これにより、基板収容部３０内の大気が吸引されて基板収容部３０内が減圧された場合であっても、平板部１１の基板収容部３０側が平坦度を維持することができ、基板収容部３０の気流の乱れによって生じる乾燥ムラの発生を抑えることができるようになっている。 The flat plate portion 11 of the chamber lid portion 10 on the side of the substrate housing portion 30 is formed into a smooth and flat shape. That is, it is formed so that the air flow (flow of the atmosphere) generated when the substrate housing portion 30 is sucked is not obstructed. Further, a rib (not shown) is attached to the back surface side of the substrate housing portion 30 side so that the flat plate portion 11 can be prevented from being deformed when the substrate housing portion 30 is decompressed. As a result, even when the atmosphere in the substrate housing portion 30 is sucked and the inside of the substrate housing portion 30 is depressurized, the flatness of the flat plate portion 11 on the substrate housing portion 30 side can be maintained, and the substrate housing portion can be maintained. It is possible to suppress the occurrence of uneven drying caused by the turbulence of the air flow of 30.

また、側壁部１２の基板収容部３０側は、平板部１１と同様に平滑な平坦状に形成されており、基板収容部３０の大気の流れが妨げられないように形成されている。また、側壁部１２には、チャンバ本体２０の基部２１と当接する面にシール部材１３が設けられている。このシール部材１３は、保持された基板１を囲むように環状に形成されている。したがって、チャンバ蓋部１０を下降させてチャンバ本体２０に当接させた場合に、シール部材１３がチャンバ本体２０に当接して押圧されることにより、基板収容部３０が密封状態にすることができる。 Further, the side wall 12 on the side of the substrate housing portion 30 is formed in a smooth and flat shape similarly to the flat plate portion 11, and is formed so as not to obstruct the air flow in the substrate housing portion 30. Further, the side wall portion 12 is provided with a seal member 13 on a surface thereof that abuts the base portion 21 of the chamber body 20. The seal member 13 is formed in an annular shape so as to surround the held substrate 1. Therefore, when the chamber cover 10 is lowered and brought into contact with the chamber body 20, the seal member 13 comes into contact with the chamber body 20 and is pressed, whereby the substrate housing portion 30 can be brought into a sealed state. ..

また、チャンバ部２には、吸引減圧部３が設けられており、吸引減圧部３により基板収容部３０を減圧させることができる。吸引減圧部３は、吸引力を発生させる真空ポンプ３１と、この真空ポンプ３１と基板収容部３０とを連結する吸引配管３２とを有している。すなわち、吸引配管３２が基板収容部３０と吸引連結部３３で連結されており、真空ポンプ３１を作動させると吸引配管３２を通じて吸引連結部３３に吸引力が発生し、基板収容部３０の大気が吸引される。これにより基板収容部３０は、大気圧よりも小さい所定の圧力に減圧されるようになっている。 A suction decompression unit 3 is provided in the chamber unit 2, and the substrate decompression unit 3 can be decompressed by the suction decompression unit 3. The suction decompression unit 3 includes a vacuum pump 31 that generates a suction force, and a suction pipe 32 that connects the vacuum pump 31 and the substrate housing unit 30. That is, the suction pipe 32 is connected to the substrate housing portion 30 by the suction connecting portion 33, and when the vacuum pump 31 is operated, a suction force is generated in the suction connecting portion 33 through the suction pipe 32, and the atmosphere of the substrate housing portion 30 is changed. Be sucked. As a result, the substrate housing section 30 is depressurized to a predetermined pressure smaller than atmospheric pressure.

また、本実施形態における吸引連結部３３は、チャンバ部２の底面中央部分であって、リフトピン２３により乾燥位置に保持された基板１の中心位置に対向する位置に１つのみ設けられている。したがって、基板収容部３０の大気は、基板１の中心位置に対向する位置に向かう気流が発生し、吸引連結部３３を通じて排気される。なお、本実施形態では、１つの孔で構成される吸引連結部３３が基板１の中心位置に対向する位置に１つのみ設けられているが、複数の孔から構成される吸引連結部３３であってもよい。この場合であっても、複数の孔から構成される吸引連結部３３の排気領域の中心位置が、保持された基板１の中心位置と対向する位置に設けてあれば、基板１の全周に亘って均一な吸引力を発生させることができる。 Further, only one suction connection part 33 in the present embodiment is provided in the central portion of the bottom surface of the chamber part 2 at a position facing the center position of the substrate 1 held in the dry position by the lift pins 23. Therefore, in the atmosphere of the substrate housing portion 30, an airflow is generated toward the position facing the central position of the substrate 1, and is exhausted through the suction connection portion 33. In addition, in the present embodiment, only one suction connecting portion 33 formed of one hole is provided at a position facing the central position of the substrate 1, but the suction connecting portion 33 formed of a plurality of holes is used. It may be. Even in this case, if the center position of the exhaust region of the suction connecting portion 33 composed of a plurality of holes is provided at a position facing the center position of the held substrate 1, the entire circumference of the substrate 1 will be obtained. A uniform suction force can be generated throughout.

また、吸引配管３２には、この吸引配管３２を開閉する開閉弁３５とは別に、吸引調節弁３６が設けられている。この吸引調節弁３６は、基板収容部３０の吸引流量を調節するものである。すなわち、真空ポンプ３１が作動した状態で吸引調節弁３６を調節することにより、基板収容部３０の吸引量を調節することができる。具体的には、真空ポンプ３１の作動中に吸引調節弁３６を開放すると基板収容部３０から吸引される吸引量が最大になり基板収容部３０の圧力を急速に減圧させることができる。また、吸引調節弁３６を絞ることにより吸引量を低下させ、吸引調節弁３６の開放時に比べて基板収容部３０の減圧速度を低下させることができる。 Further, the suction pipe 32 is provided with a suction adjustment valve 36 in addition to the opening/closing valve 35 that opens and closes the suction pipe 32. The suction control valve 36 adjusts the suction flow rate of the substrate housing section 30. That is, by adjusting the suction control valve 36 while the vacuum pump 31 is operating, the suction amount of the substrate housing portion 30 can be adjusted. Specifically, when the suction control valve 36 is opened during the operation of the vacuum pump 31, the suction amount sucked from the substrate housing portion 30 becomes maximum and the pressure of the substrate housing portion 30 can be rapidly reduced. Further, the suction amount can be reduced by squeezing the suction control valve 36, and the depressurization speed of the substrate housing unit 30 can be reduced compared to when the suction control valve 36 is opened.

また、チャンバ部２には、減圧調節部４が設けられており、基板収容部３０の減圧速度を調整することができるようになっている。この減圧調節部４は、気体が充填されたエアタンク４１と、このエアタンク４１と基板収容部３０とを連結するリーク配管４２とを有している。 Further, the chamber unit 2 is provided with a decompression adjusting unit 4 so that the decompression speed of the substrate accommodating unit 30 can be adjusted. The decompression control unit 4 has an air tank 41 filled with gas, and a leak pipe 42 connecting the air tank 41 and the substrate housing unit 30.

エアタンク４１には、本実施形態では窒素ガスが収容されており、エアタンク４１内の圧力は大気圧よりも大きい圧力に維持されている。すなわち、エアタンク４１に貯留された窒素ガスが、リーク配管４２を通じて基板収容部３０との連結箇所であるリーク連結部４３から供給されるようになっている。本実施形態では、リーク連結部４３がチャンバ本体２０の底面２１に設けられており、吸引連結部３３に近い位置に設けられている。したがって、リーク連結部４３から供給された窒素ガスは、すぐに吸引連結部３３から吸引されやすくなっている。なお、エアタンク４１に貯留される気体は、窒素ガス以外にも空気等、塗布膜に化学的に影響しない気体であればよい。 In this embodiment, nitrogen gas is stored in the air tank 41, and the pressure inside the air tank 41 is maintained at a pressure higher than atmospheric pressure. That is, the nitrogen gas stored in the air tank 41 is supplied from the leak connecting portion 43, which is a connecting portion with the substrate housing portion 30, through the leak pipe 42. In the present embodiment, the leak connecting portion 43 is provided on the bottom surface 21 of the chamber body 20, and is provided at a position near the suction connecting portion 33. Therefore, the nitrogen gas supplied from the leak connecting portion 43 is likely to be immediately sucked from the suction connecting portion 33. The gas stored in the air tank 41 may be gas other than nitrogen gas, such as air, as long as it does not chemically affect the coating film.

また、リーク配管４２には、リーク配管４２を開閉する開閉弁４５とは別に、リーク調節弁４６が設けられている。このリーク調節弁４６は、エアタンク４１からの気体の流量を調節するものであり、基板収容部３０に供給される気体の量を調節することができる。すなわち、リーク調節弁４６の開度を最大にすることによりエアタンク４１内の窒素ガスの最大量が基板収容部３０に供給され、リーク調節弁４６を絞ることにより供給される窒素ガスの量を少なくすることができる。 The leak pipe 42 is provided with a leak control valve 46 in addition to the opening/closing valve 45 that opens and closes the leak pipe 42. The leak adjustment valve 46 adjusts the flow rate of gas from the air tank 41, and can adjust the amount of gas supplied to the substrate housing section 30. That is, the maximum amount of nitrogen gas in the air tank 41 is supplied to the substrate accommodating portion 30 by maximizing the opening degree of the leak control valve 46, and the amount of nitrogen gas supplied by narrowing the leak control valve 46 is reduced. can do.

この減圧調節部４により、基板収容部３０の減圧速度を調節することができる。すなわち、吸引減圧部３の真空ポンプ３１の作動時には、基板収容部３０が大気圧よりも小さい圧力に調整される。したがって、この減圧状態でリーク調節弁４６を開くと、大気圧よりも大きい圧力に維持されたエアタンク４１から、大気圧よりも小さい圧力に減圧された基板収容部３０に窒素ガスが供給される。これにより、基板収容部３０は、真空ポンプ３１で吸引されるものの、新たに窒素ガスが供給されるため、真空ポンプ３１のみで減圧される場合の減圧速度に比べて減圧速度が抑えられ、基板収容部３０全体の圧力変化（低下）を抑えることができる。したがって、基板収容部３０が、ある特定の圧力に達する際にリーク調節弁４６を開くことにより、基板収容部３０の圧力変化が抑えられ、基板収容部３０を特定の圧力状態に維持したり、緩やかな減圧状態に維持したりすることができる。すなわち、真空ポンプ３１として、大容量の真空ポンプ３１を使用する場合であって、吸引調節弁３６で減圧速度を調節しきれない場合であっても、減圧調節部４のリーク調節弁４６を調節することにより基板収容部３０の圧力を所定の圧力に調節することができる。 The decompression adjusting unit 4 can adjust the decompression speed of the substrate housing unit 30. That is, when the vacuum pump 31 of the suction decompression unit 3 is operated, the substrate housing unit 30 is adjusted to a pressure smaller than the atmospheric pressure. Therefore, when the leak control valve 46 is opened in this depressurized state, nitrogen gas is supplied from the air tank 41 maintained at a pressure higher than the atmospheric pressure to the substrate housing portion 30 depressurized to a pressure lower than the atmospheric pressure. As a result, although the substrate storage unit 30 is sucked by the vacuum pump 31, nitrogen gas is newly supplied, so that the depressurization rate is suppressed as compared with the depressurization rate in the case of depressurizing only by the vacuum pump 31. It is possible to suppress the pressure change (reduction) of the entire housing section 30. Therefore, by opening the leak control valve 46 when the substrate accommodation unit 30 reaches a certain specific pressure, the pressure change of the substrate accommodation unit 30 is suppressed, and the substrate accommodation unit 30 is maintained in a specific pressure state, It is possible to maintain a gentle depressurized state. That is, even when a large-capacity vacuum pump 31 is used as the vacuum pump 31 and the depressurization rate cannot be adjusted by the suction adjustment valve 36, the leak adjustment valve 46 of the depressurization adjustment unit 4 is adjusted. By doing so, the pressure of the substrate housing portion 30 can be adjusted to a predetermined pressure.

また、本実施形態では、リーク調節弁４６は、基板収容部３０の圧力に応じて設定圧力に調節されるようになっている。具体的には、チャンバ部２には、圧力計５が設けられており、この圧力値に応じてリーク調節弁４６の開度が調節されるようになっている。例えば、基板収容部３０の塗布膜を形成する溶媒の飽和蒸気圧に設定されている場合には、真空ポンプ３１により基板収容部３０が減圧され、飽和蒸気圧に到達するとリーク調節弁４６が開かれる。そして、窒素ガスの供給量が多くなり基板収容部３０の圧力が飽和蒸気圧よりも高くなるとリーク調節弁４６が絞られる、というように基板収容部３０の圧力状態がフィードバックされることにより基板収容部３０の圧力が設定圧力に維持されるようになっている。また、設定圧力は、一定値以外にも、時間と共に減圧されるようにも設定できるようになっている。例えば、溶媒の飽和蒸気圧よりも少しだけ高い圧力から時間と共に徐々に飽和蒸気圧以下の圧力に減圧されるように設定することができ、基板収容部３０を飽和蒸気圧付近で時間と共に緩やかに減圧させることができるようになっている。 Further, in the present embodiment, the leak control valve 46 is adjusted to a set pressure according to the pressure of the substrate housing section 30. Specifically, the chamber section 2 is provided with a pressure gauge 5, and the opening degree of the leak control valve 46 is adjusted according to the pressure value. For example, when the saturated vapor pressure of the solvent that forms the coating film of the substrate storage unit 30 is set, the vacuum pump 31 depressurizes the substrate storage unit 30, and when the saturated vapor pressure is reached, the leak control valve 46 opens. Be done. Then, when the supply amount of nitrogen gas increases and the pressure of the substrate housing unit 30 becomes higher than the saturated vapor pressure, the leak control valve 46 is throttled, and the pressure state of the substrate housing unit 30 is fed back, so that the substrate housing unit 30 is housed. The pressure of the portion 30 is maintained at the set pressure. Further, the set pressure can be set not only to a fixed value but also to be reduced with time. For example, it can be set so that the pressure slightly higher than the saturated vapor pressure of the solvent is gradually reduced to a pressure equal to or lower than the saturated vapor pressure with time, and the substrate accommodation unit 30 is gradually made to be gradually saturated with pressure near the saturated vapor pressure. The pressure can be reduced.

また、リーク連結部４３がチャンバ本体２０の底面２１に設けられているため、供給された窒素ガスがすぐに吸引連結部３３から吸引される。すなわち、窒素ガスが供給されるリーク連結部４３と、基板収容部３０を吸引する吸引連結部３３とが基板１を挟まない位置、すなわち、リーク連結部４３と吸引連結部３３とが、それらを結ぶ直線が基板１と交差しない位置に設けられているため、供給された窒素ガスが気流となって基板１上の塗布膜に乾燥ムラを誘発する要因となるのを抑えることができる。 Further, since the leak connecting portion 43 is provided on the bottom surface 21 of the chamber body 20, the supplied nitrogen gas is immediately sucked from the suction connecting portion 33. That is, the leak connecting portion 43 to which the nitrogen gas is supplied and the suction connecting portion 33 that sucks the substrate housing portion 30 do not sandwich the substrate 1, that is, the leak connecting portion 43 and the suction connecting portion 33 connect them. Since the connecting straight line is provided at a position that does not intersect with the substrate 1, it is possible to prevent the supplied nitrogen gas from becoming a gas flow and causing a drying unevenness in the coating film on the substrate 1.

また、チャンバ部２には、リリース弁６が設けられている。このリリース弁６は、開閉のみを行うことができ、チャンバ部２で乾燥処理が終了した後、基板収容部３０の減圧状態を解放する場合に使用される。すなわち、減圧調節部４のリーク配管４２及びリーク調節弁４６とは別に設けられており、基板収容部３０に供給される気体の量を調節することはできず、チャンバ部２の内外を連通状態にさせるものである。 Further, the chamber portion 2 is provided with a release valve 6. The release valve 6 can be opened and closed only, and is used when releasing the depressurized state of the substrate housing unit 30 after the drying process is completed in the chamber unit 2. That is, it is provided separately from the leak pipe 42 and the leak control valve 46 of the decompression control unit 4, the amount of gas supplied to the substrate housing unit 30 cannot be adjusted, and the inside and outside of the chamber unit 2 are in communication with each other. It is something that

次に、本実施形態における減圧乾燥装置を用いた乾燥処理動作について図３に示すフローチャートに基づいて説明する。 Next, the drying processing operation using the reduced pressure drying apparatus in this embodiment will be described based on the flowchart shown in FIG.

まず、ステップＳ１により、基板搬入工程が行われる。具体的には、チャンバ本体２０のリフトピン２３が基板受渡位置で停止しており、前工程で塗布膜が形成された基板１がロボットハンド等によりリフトピン２３上に載置される。そして、リフトピン２３が乾燥位置まで収容され、チャンバ蓋部１０が下降しチャンバ本体２０に当接することにより、基板収容部３０が形成され、基板１が基板収容部３０内に保持される。 First, in step S1, the substrate loading process is performed. Specifically, the lift pins 23 of the chamber body 20 are stopped at the substrate transfer position, and the substrate 1 having the coating film formed in the previous step is placed on the lift pins 23 by a robot hand or the like. Then, the lift pins 23 are housed up to the dry position, the chamber lid 10 is lowered, and abuts against the chamber body 20, whereby the substrate housing 30 is formed, and the substrate 1 is held in the substrate housing 30.

次に、ステップＳ２により、緩排気工程が行われる。具体的には、吸引減圧部３の真空ポンプ３１を作動させ、吸引調節弁３６を絞って緩やかに排気し減圧する。すなわち、基板収容部３０には大量の大気が存在しているため、排気による大気の流れが形成されると塗布膜に乾燥ムラが形成される虞がある。その気流による乾燥ムラ影響するのを抑えるため、基板収容部３０内の大気を緩やかに排気する。 Next, in step S2, a gentle exhaust process is performed. Specifically, the vacuum pump 31 of the suction decompression unit 3 is operated, and the suction adjustment valve 36 is throttled to evacuate gently to reduce the pressure. That is, since a large amount of air is present in the substrate housing portion 30, there is a risk that unevenness in drying will be formed on the coating film when an air flow due to exhaust is formed. In order to suppress the influence of drying unevenness due to the air flow, the atmosphere in the substrate housing portion 30 is gently exhausted.

次に、ステップＳ３により急排気工程が行われる。具体的には、吸引調節弁３６を開放して急速に排気する。すなわち、塗布膜に対して基板収容部３０の排気による気流の影響が少ないと判断できる時点で吸引調節弁３６を開放し急排気を行う。なお、本実施形態では、緩排気から急排気に切り替えるタイミングは、時間で制御されている。 Next, the rapid evacuation process is performed in step S3. Specifically, the suction control valve 36 is opened to evacuate rapidly. That is, the suction control valve 36 is opened and rapid evacuation is performed at the time when it can be determined that the influence of the air flow due to the exhaust of the substrate housing portion 30 on the coating film is small. In the present embodiment, the timing of switching from slow exhaust to rapid exhaust is controlled by time.

次に、ステップＳ４により本乾燥工程が行われる。具体的には、基板収容部３０が塗布膜を形成する溶媒の飽和蒸気圧に到達した際にリーク調節弁４６が開かれることにより、基板収容部３０の圧力が飽和蒸気圧に維持される。本実施形態では、完全な飽和蒸気圧に維持するのではなく、飽和蒸気圧付近で緩やかに減圧されるようにリーク調節弁４６が制御される。これにより、塗布膜から蒸発した塗布液を吸引しつつ乾燥させることができ、基板収容部３０に浮遊した塗布液が異物として塗布膜に混入するのを抑えることができる。ここで、図４では、実線が本発明の減圧乾燥装置における圧力変化を示し、二点鎖線が従来の減圧乾燥装置における圧力変化を示している。図４に示すように、本乾燥工程における減圧速度を抑えることができるため、乾燥が進行する本乾燥工程の時間を従来に比べて長く取ることができる。すなわち、従来のように吸引調節弁３６のみで調節する場合に比べて基板収容部３０を飽和蒸気圧に長時間維持することができるため、基板１と塗布膜との密着性が向上するなど、塗布膜の品質を安定させることができる。 Next, the main drying step is performed in step S4. Specifically, when the substrate accommodation unit 30 reaches the saturated vapor pressure of the solvent forming the coating film, the leak control valve 46 is opened, so that the pressure of the substrate accommodation unit 30 is maintained at the saturated vapor pressure. In the present embodiment, the leak control valve 46 is controlled so that the saturated vapor pressure is not maintained but the pressure is gradually reduced near the saturated vapor pressure. Accordingly, the coating liquid evaporated from the coating film can be sucked and dried, and the coating liquid floating in the substrate housing section 30 can be prevented from entering the coating film as foreign matter. Here, in FIG. 4, the solid line shows the pressure change in the vacuum drying apparatus of the present invention, and the two-dot chain line shows the pressure change in the conventional vacuum drying apparatus. As shown in FIG. 4, since the depressurization rate in the main drying step can be suppressed, the time for the main drying step in which the drying progresses can be made longer than in the conventional case. That is, compared to the case where the suction control valve 36 is used alone as in the conventional case, the substrate housing portion 30 can be maintained at the saturated vapor pressure for a long time, so that the adhesion between the substrate 1 and the coating film is improved. The quality of the coating film can be stabilized.

次に、ステップＳ５により基板搬出工程が行われる。具体的には、本乾燥工程終了後、吸引減圧部３の吸引動作を停止させ、リリース弁６を開状態にすることにより基板収容部３０を大気圧に戻した後、チャンバ蓋部１０を上昇させる。そして、リフトピンを基板受渡位置まで上昇させてロボットハンド等により基板１を排出させる。 Next, a substrate unloading process is performed in step S5. Specifically, after the completion of the main drying process, the suction operation of the suction decompression unit 3 is stopped and the release valve 6 is opened to return the substrate housing unit 30 to the atmospheric pressure, and then the chamber lid unit 10 is raised. Let Then, the lift pins are raised to the substrate delivery position and the substrate 1 is ejected by a robot hand or the like.

以上、上記実施形態の減圧乾燥装置によれば、チャンバ部２の基板収容部３０に気体を供給する減圧調節部４を有しているため、吸引減圧部３（例えば真空ポンプ３１）が大容量化された場合でも、基板収容部３０を所定の圧力に調節することができる。すなわち、吸引減圧部３により基板収容部３０を吸引すると基板収容部３０が減圧されるが、減圧調節部４から基板収容部３０に気体が供給されることにより、供給された気体が排気され基板収容部３０の減圧状態を緩和することができる。すなわち、吸引減圧部３から吸引される吸引量と減圧調節部４から供給される気体の量を調節することにより、基板収容部３０の圧力を所定の圧力（例えば、溶媒の飽和蒸気圧）に調節し、この圧力状態を長時間に亘って維持することができる。
したがって、チャンバ部２の基板収容部３０を減圧させる真空ポンプ３１が大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができ、基板１と塗布膜との密着性を向上させることができる。 As described above, according to the reduced pressure drying apparatus of the above-described embodiment, since the reduced pressure adjustment unit 4 that supplies gas to the substrate housing unit 30 of the chamber unit 2 is provided, the suction reduced pressure unit 3 (for example, the vacuum pump 31) has a large capacity. Even when the substrate is accommodated, the substrate housing portion 30 can be adjusted to a predetermined pressure. That is, when the suction/decompression unit 3 sucks the substrate accommodation unit 30, the substrate accommodation unit 30 is decompressed, but the gas is supplied from the decompression adjustment unit 4 to the substrate accommodation unit 30 so that the supplied gas is exhausted. The depressurized state of the housing section 30 can be relieved. That is, by adjusting the amount of suction sucked from the suction depressurization unit 3 and the amount of gas supplied from the depressurization adjustment unit 4, the pressure of the substrate housing unit 30 becomes a predetermined pressure (for example, saturated vapor pressure of the solvent). The pressure can be adjusted and maintained in this pressure state for a long time.
Therefore, even if the vacuum pump 31 for decompressing the substrate housing portion 30 of the chamber portion 2 has a large capacity, the coating film can be dried stably, and the adhesion between the substrate 1 and the coating film can be improved. You can

また、上記実施形態では、減圧調節部４にエアタンク４１を有し、エアタンク４１内を大気圧よりも高い圧力に維持される例について説明したが、エアタンク４１内を大気圧に維持されるものであってもよい。また、エアタンク４１を備えず、リーク配管４２が大気に開放される構成であってもよく、リーク調節弁４６のみで大気を供給する構成であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, an example in which the depressurization adjusting unit 4 has the air tank 41 and the inside of the air tank 41 is maintained at a pressure higher than the atmospheric pressure has been described, but the inside of the air tank 41 is maintained at the atmospheric pressure. It may be. Further, the leak pipe 42 may be opened to the atmosphere without the air tank 41, or the atmosphere may be supplied only by the leak control valve 46.

また、上記実施形態では、チャンバ部２に設けられた圧力計５のフィードバック制御により基板収容部３０が飽和蒸気圧に調節される例について説明したが、フィードバック制御によらず、圧力計５が飽和蒸気圧を示した後、リーク調節弁４６を開き、時間と共に開度が調節されるように構成してもよい。 Further, in the above embodiment, an example in which the substrate accommodating section 30 is adjusted to the saturated vapor pressure by the feedback control of the pressure gauge 5 provided in the chamber section 2 has been described, but the pressure gauge 5 is saturated without the feedback control. After indicating the vapor pressure, the leak control valve 46 may be opened to adjust the opening with time.

また、上記実施形態では、減圧調節部４のリーク配管４２が基板収容部３０に連結される例について説明したが、リーク配管４２が吸引配管３２に連結されるものであってもよい。具体的には、図５に示すように、リーク配管４２が真空ポンプ３１と開閉弁３５との間に接続されており、エアタンク４１の気体が吸引配管３２に供給されるようになっている。そして、リーク調節弁４６を調節することにより吸引配管３２に供給される気体の流量を調節することができる。そして、吸引配管３２に供給された気体は、すぐに真空ポンプ３１により吸引される。すなわち、吸引配管３２に供給された気体が基板収容部３０に入ることなく真空ポンプ３１により吸引されるため、一度、気体が基板収容部３０に供給される場合に比べて、基板収容部３０内に供給されて気体が気流となって基板１上の塗布膜に乾燥ムラが形成されるのを抑えることができる。なお、図５の例では、リーク配管４２が真空ポンプ３１と開閉弁３５との間に接続されているが、開閉弁３５と吸引調節弁３６との間、又は、吸引調節弁３６と吸引接続部３３との間に接続してもよい。 Further, in the above embodiment, an example in which the leak pipe 42 of the decompression control unit 4 is connected to the substrate housing unit 30 has been described, but the leak pipe 42 may be connected to the suction pipe 32. Specifically, as shown in FIG. 5, the leak pipe 42 is connected between the vacuum pump 31 and the opening/closing valve 35, and the gas in the air tank 41 is supplied to the suction pipe 32. Then, the flow rate of the gas supplied to the suction pipe 32 can be adjusted by adjusting the leak adjustment valve 46. Then, the gas supplied to the suction pipe 32 is immediately sucked by the vacuum pump 31. In other words, since the gas supplied to the suction pipe 32 is sucked by the vacuum pump 31 without entering the substrate housing portion 30, the inside of the substrate housing portion 30 is compared with the case where the gas is once supplied to the substrate housing portion 30. It is possible to suppress the formation of drying unevenness in the coating film on the substrate 1 when the gas is supplied to the substrate and becomes a gas flow. Although the leak pipe 42 is connected between the vacuum pump 31 and the opening/closing valve 35 in the example of FIG. 5, it is connected between the opening/closing valve 35 and the suction adjusting valve 36 or the suction adjusting valve 36 and the suction connection. It may be connected to the portion 33.

１ 基板
２ チャンバ部
３ 吸引減圧部
４ 減圧調節部
３０ 基板収容部
３２ 吸引配管
３３ 吸引連結部
３６ 吸引調節弁
４２ リーク配管
４３ リーク連結部
４６ リーク調節弁 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 substrate 2 chamber part 3 suction decompression part 4 decompression control part 30 substrate accommodation part 32 suction pipe 33 suction connection part 36 suction control valve 42 leak pipe 43 leak connection part 46 leak control valve

Claims (1)

基板上に塗布された塗布膜を減圧環境下で乾燥させる減圧乾燥装置であって、
基板が収容される基板収容部を有するチャンバ部と、
基板収容部を吸引することにより基板収容部の圧力を減圧させる吸引減圧部と、
を備え、
前記チャンバ部には、前記基板収容部に気体を供給することにより前記吸引減圧部の減圧速度を抑えて前記基板収容部を所定の圧力に調節する減圧調節部を有しており、
前記吸引減圧部は、前記基板収容部に連結される吸引配管とこの吸引配管の開度を調節する吸引調節弁とを有しており、
前記減圧調節部は、前記基板収容部に連結されるリーク配管とこのリーク配管の開度を調節するリーク調節弁とを有しており、
前記吸引調節弁と前記リーク調節弁のそれぞれの開度が調節されることにより、前記基板収容部を所定の圧力に調節され、
前記吸引配管が前記基板収容部と連結される吸引連結部と、前記リーク配管が前記基板収容部と連結されるリーク連結部とは、前記吸引連結部と前記リーク連結部との間に基板が配置されるのを避けた位置に配置され、
前記吸引連結部と、前記リーク連結部とが、前記チャンバ部の底面に設けられていることを特徴とする減圧乾燥装置。 A reduced pressure drying apparatus for drying a coating film applied on a substrate under a reduced pressure environment,
A chamber part having a substrate housing part for housing a substrate;
A suction depressurization unit that reduces the pressure of the substrate housing unit by sucking the substrate housing unit;
Equipped with
The chamber section has a decompression adjusting section for adjusting the substrate accommodating section to a predetermined pressure by suppressing the decompression speed of the suction decompression section by supplying gas to the substrate accommodating section,
The suction decompression unit has a suction pipe connected to the substrate housing unit and a suction control valve for adjusting the opening of the suction pipe,
The decompression control unit has a leak pipe connected to the substrate housing unit and a leak control valve for adjusting the opening of the leak pipe,
By adjusting the opening of each of the suction control valve and the leak control valve, the substrate accommodation portion is adjusted to a predetermined pressure,
The suction connection part in which the suction pipe is connected to the substrate housing part, and the leak connection part in which the leak pipe is connected to the substrate storage part have a substrate between the suction connection part and the leak connection part. It is placed in a position that avoids being placed,
The reduced pressure drying apparatus, wherein the suction connection part and the leak connection part are provided on a bottom surface of the chamber part.
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