JP2006242594A - 3軸加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents
3軸加速度センサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006242594A JP2006242594A JP2005054874A JP2005054874A JP2006242594A JP 2006242594 A JP2006242594 A JP 2006242594A JP 2005054874 A JP2005054874 A JP 2005054874A JP 2005054874 A JP2005054874 A JP 2005054874A JP 2006242594 A JP2006242594 A JP 2006242594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- weight body
- gap
- manufacturing
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】センサ感度を高く維持したままで薄型化することができ、製造工程数も少なく、簡単な構成の3軸加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の3軸加速度センサ1は、重錘体22と、重錘体22を自由下垂状態に支持する重錘体支持部15と、重錘体22および重錘体支持部15と所定間隔をおいて外側に設けられた枠23と、枠23と重錘体支持部15とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子13が設けられた複数の可撓性の梁とを備えている。この3軸加速度センサ1では、重錘体22は、シリコンより比重が大きい材料、例えば、パイレックスガラスから構成されるとともに、その表面が平坦なパッケージ30の底部上に
3軸加速度センサ本体を設置した状態において、重錘体22とパッケージ30の底部との間には、所定長のギャップを有している。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の3軸加速度センサ1は、重錘体22と、重錘体22を自由下垂状態に支持する重錘体支持部15と、重錘体22および重錘体支持部15と所定間隔をおいて外側に設けられた枠23と、枠23と重錘体支持部15とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子13が設けられた複数の可撓性の梁とを備えている。この3軸加速度センサ1では、重錘体22は、シリコンより比重が大きい材料、例えば、パイレックスガラスから構成されるとともに、その表面が平坦なパッケージ30の底部上に
3軸加速度センサ本体を設置した状態において、重錘体22とパッケージ30の底部との間には、所定長のギャップを有している。
【選択図】図1
Description
本発明は、3軸加速度センサおよびその製造方法に関する。
従来より、3軸方向の加速度を検出することができる3軸加速度センサとして、可撓性を有する複数の薄肉の梁と、この複数の梁によって揺動自在に、すなわち、自由下垂状態に支持される重錘体と、複数の梁上に設けられている複数のピエゾ抵抗素子を金属配線によって接続することにより構成されるブリッジ回路とを備えたものが知られている。
このような3軸加速度センサでは、重錘体が自由下垂状態で支持されるように、台座部分に予めギャップが形成されているような構成が一般的であり、3軸加速度センサ全体の高さをある程度以下に押さえることが困難である。
この問題を解決するものとして、重錘体の底面に所定の不純物層を設け、この不純物層を除去することにより、重錘体の厚さを薄くし、上述のような台座を必要としない3軸加速度センサが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記特許文献1に記載の製造方法によって製造される3軸加速度センサは、薄型化が可能になったものの、重錘体部分を除去していることにより、重錘体自体の重さが軽くなってしまい、3軸加速度センサの感度が悪くなってしまうという問題がある。
また、特許文献1の製造方法では、所定の不純物層を設けた後、それを除去することにより、3軸加速度センサを製造しているので、工程数が多く、煩雑であるという問題もある。
本発明は、これらの問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、センサ感度を高く維持したままで薄型化することができ、製造工程数も少なく、簡単な構成の3軸加速度センサおよびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の一面において、本発明の3軸加速度センサは、重錘体と、該重錘体を自由下垂状態に支持する重錘体支持部と、前記重錘体および前記重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠と、該枠と前記重錘体支持部とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子が設けられた複数の可撓性の梁とを備える3軸加速度センサにおいて、
前記重錘体は、シリコンより比重が大きい材料から構成されるとともに、表面が平坦なパッケージ上に前記3軸加速度センサを設置した状態において、所定長のギャップを有することを特徴とする。
前記重錘体は、シリコンより比重が大きい材料から構成されるとともに、表面が平坦なパッケージ上に前記3軸加速度センサを設置した状態において、所定長のギャップを有することを特徴とする。
このように、本発明の3軸加速度センサは、重錘体がシリコンよりも比重の大きい材料から構成されているので、所定長のギャップを構成するために、重錘体の底部が一部取り除かれているとしても、十分なセンサ感度を確保することができるとともに、3軸加速度センサを小型化・薄型化することができる。
また、本発明の3軸加速度センサでは、前記シリコンより比重が大きい材料は、パイレックスガラス(「パイレックス」は登録商標)であることが好ましい。
ピエゾ抵抗素子を備える梁部分や重錘体支持部は、通常シリコンからなる半導体基板から構成され、シリコンとパイレックスガラスとは陽極接合により容易に接合することができるので、このような3軸加速度センサを容易に製造することができる。
さらに、前記所定長は、5〜20μmであることが好ましい。重錘体の底部とパッケージ面との間にこの程度のギャップが存在することにより、3軸加速度センサの測定可能領域の加速度において、重錘体が十分に揺動することができるとともに、重錘体の過度の移動を抑制することができる。
また、本発明の別の面において、本発明の3軸加速度センサの製造方法は、
半導体基板に一方の表面に複数のピエゾ抵抗素子を形成する工程と、
重錘体を支持する重錘体支持部および該重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠の一部とを前記半導体基板の他方の表面に形成するとともに、前記重錘体支持部と前記枠とを連結するように設けられた複数の可撓性の梁を形成する工程と、
シリコンより比重が大きい材料からなる基板の一方の表面に、所定の深さを有するギャップを形成する工程と、
前記重錘体支持部および前記枠の一部が形成された前記半導体基板の面に、前記基板の前記ギャップと反対の表面を接合する工程と、
前記基板の一部を除去することにより、前記枠と、前記重錘体支持部に自由下垂状態に支持された前記重錘体とを形成する工程と、
を有することを特徴とする。
半導体基板に一方の表面に複数のピエゾ抵抗素子を形成する工程と、
重錘体を支持する重錘体支持部および該重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠の一部とを前記半導体基板の他方の表面に形成するとともに、前記重錘体支持部と前記枠とを連結するように設けられた複数の可撓性の梁を形成する工程と、
シリコンより比重が大きい材料からなる基板の一方の表面に、所定の深さを有するギャップを形成する工程と、
前記重錘体支持部および前記枠の一部が形成された前記半導体基板の面に、前記基板の前記ギャップと反対の表面を接合する工程と、
前記基板の一部を除去することにより、前記枠と、前記重錘体支持部に自由下垂状態に支持された前記重錘体とを形成する工程と、
を有することを特徴とする。
本発明の3軸加速度センサの製造方法によれば、予めギャップを形成した台座部を形成して接合する工程を省略することができるので、製造工程を簡略化することができるとともに、重錘体がシリコンよりも比重の大きい材料から構成されるので、センサ感度を高く維持したまま、小型化・薄型化された3軸加速度センサを製造することができる。
また、本発明の3軸加速度センサの製造方法では、前記ギャップ形成工程において、前記ギャップは、ブラストにより形成されるのが好ましい。これにより、簡単な方法で重錘体を構成する基板にギャップを形成することができる。なお、このようなブラストとしては、サンドブラストなどが挙げられる。
さらに、本発明の3軸加速度センサの製造方法では、前記シリコンより比重が大きい材料は、パイレックスガラスであるのが好ましい。
ピエゾ抵抗素子を備える梁部分や重錘体支持部は、通常シリコンからなる半導体基板から構成され、シリコンとパイレックスガラスとは陽極接合により容易に接合することができるので、このような3軸加速度センサを容易に製造することができる。
また、前記接合工程では、前記ギャップの形成された位置と前記重錘体支持部の形成された位置とが鉛直方向において概ね重なるようにアライメントをとっているのが好ましい。
重錘体を形成するための基板としては、通常、上述のように、パイレックスガラスなどの透明または半透明のものを用いているので、アライメントをとる際にギャップと重錘体支持部との位置関係を視覚的に確認することができる。したがって、アライメントの際に困難な作業が要求されることがない。
上述したおよび他の本発明の目的、構成および利点は、添付図面を参照して行う以下の好適実施形態の説明からより明らかとなるであろう。
以下、本発明の3軸加速度センサについて、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の3軸加速度センサの縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図1中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
本発明の3軸加速度センサ1は、図1に示すように、重錘体支持部15を備えるシリコン基板(半導体基板)10と、この重錘体支持部15に自由下垂状態で支持される重錘体22と、この重錘体22を取り囲むように、重錘体22と所定間隔をおいて外側に設けられる枠23と、枠23の底面に接合されるパッケージ30とを備えている。
シリコン基板10では、図示していないが、重錘体支持部15は、4本の梁によって支持されており、各梁には、所定数量のピエゾ抵抗素子13(図1の断面では、4つのピエゾ抵抗素子13を示している)がその表面付近に設けられている。ここで、所定方向の加速度がこの3軸加速度センサ1に加えられると、重錘体22が対応する方向に揺動し、それによって、所定のピエゾ抵抗素子13が弾性変形して、その抵抗値が変化する。本発明の3軸加速度センサ1は、ピエゾ抵抗素子13の抵抗変化をブリッジ回路により検出して、3軸方向の加速度を検出することができるものである。
重錘体22および枠23は、本実施形態では、パイレックスガラスから構成される。パイレックスガラスは、シリコンよりも比重が大きいので、重錘体22をシリコンから構成した場合に比べ、3軸加速度センサ1のセンサ感度を高いものとすることができる。なお、重錘体22および枠23の構成材料は、パイレックスガラスに限定されず、シリコンよりも比重が大きければよいが、後述する製造工程を考慮すると、透明か半透明の物質を用いるのが好ましい。
また、図1に示すように、3軸加速度センサ本体をパッケージ30の平坦な平面上に設置した状態において、重錘体22とパッケージ30の底面との間には、所定長のギャップが存在している。本発明の3軸加速度センサ1では、このようなギャップを有することにより、重錘体支持部15によって重錘体22を自由下垂状態に支持することができる。なお、このような構成とすることにより、重錘体22の揺動を十分に担保することができるとともに、重錘体22の過度の移動を抑制することができる。このような観点から、このギャップは、5〜20μm程度の長さであるのが好ましい。
なお、図示していないが、シリコン基板10の上面では、梁上の複数のピエゾ抵抗素子13は、アルミ配線(金属配線)によって相互に接続されており、端部においてはこれらのピエゾ抵抗素子13の抵抗値を出力するための複数のアルミパッド(電極パッド)に接続されている。また、各アルミパッド(図示せず)は、ワイヤボンディングにより図示しないセンサ駆動用のICなどに接続されている。
次に、本発明の3軸加速度センサ1の製造方法を、図2および図3を用いて、詳細に説明する。図2および図3は、図1に示す3軸加速度センサの製造方法を示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図2および図3中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
まず、図2(a)に示すようなシリコン基板10を用意する。本実施形態では、シリコン基板10の厚さは、例えば、200μmである。
シリコン基板10を酸化性雰囲気中で加熱することによって、シリコン基板10の上下面にシリコン酸化層11および12を形成する。なお、シリコン酸化層11および12の厚さは、それぞれ0.5〜3.0μmであることが好ましい。シリコン酸化層11の形成後、このシリコン酸化層11側から不純物、例えばボロンを注入し、熱処理を行うことで不純物をシリコン基板10中に拡散させる。これにより、図2(b)に示すように、シリコン酸化層11とシリコン基板10との界面近傍に複数のピエゾ抵抗素子13(この断面図では、4つ)を形成する(ピエゾ抵抗素子形成工程)。
形成したピエゾ抵抗素子13の概ね下方に位置するシリコン酸化層12の一部をエッチングにより除去し、シリコン基板10のシリコン酸化層12に覆われていない部分を再度エッチングすることにより、図2(c)に示すような断面略台形の凹部14を形成する。
次いで、シリコン酸化層11上の規定部分(すなわち、梁になる部分)に、フォトリソグラフィーによりレジスト層(図示せず)を形成し、レジスト層の存在しない部分のシリコン酸化層11をプラズマエッチング等のドライエッチングにより除去する。これにより、図2(d)に示すように、枠部分(枠の一部)と重錘体支持部15とを連結する複数の可撓性の梁を形成する(梁形成工程)。なお、図示のように、梁部分はピエゾ抵抗素子13の抵抗値が加速度によって変化するよう、すなわち、加速度によってピエゾ抵抗素子13部分が弾性変形をするように、十分に薄くなっており、本実施形態では、その厚さは14μm程度である。
なお、図示を省略したが、複数のピエゾ抵抗素子13を形成した後、シリコン酸化層11の上面側からアルミニウムを蒸着させて、蒸着したアルミニウム層上にパターニングを行った後、エッチングすることにより、アルミ配線(金属配線)およびアルミパッド(図示せず)を形成している。
次に、シリコンより比重が大きいパイレックスガラスからなるガラス基板20を用意し、図3(a)に示すように、ガラス基板20の底面側(一方の表面)に、例えば、サンドブラストなどのブラストや、ケミカルエッチング、ミリング、反応性イオンエッチング(RIE)などのエッチングあるいは機械加工法などにより、所定の深さを有するギャップ21を形成する(ギャップ形成工程)。これにより、後に形成される重錘体22が揺動可能なスペースを確保することができる。なお、ガラス基板20の厚さは、200〜500μmであり、ギャップ21の深さは5〜20μmであるのが好ましい。ブラストを用いた場合には、後の工程で重錘体22を形成するガラス基板20に簡単な方法でギャップ21を形成することができる。
そして、図3(b)に示すように、上述のように形成されたシリコン基板10の下面、すなわち、重錘体支持部15が形成されている面に、ギャップ21を形成したガラス基板20の上面(ギャップ21と反対の表面)を陽極接合によって接合する(基板接合工程)。この場合、後述する重錘体形成工程において重錘体22の底面とパッケージ30の上面との間にギャップ21を正確に形成するために、この基板接合工程では、ガラス基板20におけるギャップ21が形成された位置と、シリコン基板10における重錘体支持部15が形成された位置とが鉛直方向において概ね重なるようアライメントをとることが好ましい。重錘体22を形成するためのガラス基板20としては、通常、上述のように、パイレックスガラスなどの透明または半透明のものを用いているので、アライメントをとる際にギャップ21と重錘体支持部15との位置関係を視覚的に確認することができる。したがって、アライメントの際に困難な作業が要求されることはない。
次いで、図3(c)に示すように、ガラス基板20の下面側から、図中の上方向にダイシングすることにより、ガラス基板20の一部を除去し、重錘体支持部15に自由下垂状態に支持される重錘体22と、この重錘体22と所定間隔をおいて外側に設けられた枠23とを形成する(重錘体形成工程)。
その後、図1に示すような所定の深さを持つ箱状のパッケージ30内に3軸加速度センサ本体を配置して、パッケージ30に直接接合・固定することにより、本発明の3軸加速度センサ1が完成する。上述のように、重錘体22の底面とパッケージ30の底部との間には、ギャップ形成工程において形成されたギャップ21が設けられ、これにより、重錘体22は、重錘体支持部15によって自由下垂状態に(揺動可能に)支持されている。
以上説明したように、本実施形態の3軸加速度センサ1では、ギャップ21を形成したガラス基板20を用いて重錘体22を形成しているので、予めギャップを形成した台座を必要とせず、その台座分だけ3軸加速度センサ1を小型化・薄型化することができる。また、本発明の3軸加速度センサ1の重錘体22は、シリコンより比重が大きい材料(本実施形態では、パイレックスガラス)から構成されているので、重錘体22を上述のようにギャップ21分だけ薄くしたとしても、3軸加速度センサ1のセンサ感度を高い状態に維持することができる。
また、本発明の3軸加速度センサ1の製造方法では、予めギャップを形成した台座を形成する工程を必要とせず、枠23を直接パッケージ30に接合・固定するようにしているので、3軸加速度センサ1の製造において工程数を削減することができる(製造工程を簡略化することができる)。
さらに、本発明の3軸加速度センサ1の製造方法では、重錘体22をパイレックスガラスから構成したので、ギャップ21のアライメントの際には視覚的に確認することができる。
以上、本発明の3軸加速度センサおよび3軸加速度センサの製造方法を図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態の内容に限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができる。また、任意の構成のものを付加することもできる。
例えば、本実施形態では、重錘体22および枠23を構成する基板をパイレックスガラスからなるガラス基板20として説明したが、本発明は、これに限定されず、タングステンなどのパイレックスガラスよりも比重の大きい金属からなる金属基板などを用いる構成としてもよい。この場合には、上述のアライメントの際に視覚的に確認できない場合も考えられるが、公知の適切な方法を用いることにより、必要十分なアライメントをとることは可能である。
1 3軸加速度センサ
10 シリコン基板
11 シリコン酸化層
12 シリコン酸化層
13 ピエゾ抵抗素子
14 断面略台形の凹部
15 重錘体支持部
20 ガラス基板
21 ギャップ用凹部
22 重錘体
23 枠
30 パッケージ
10 シリコン基板
11 シリコン酸化層
12 シリコン酸化層
13 ピエゾ抵抗素子
14 断面略台形の凹部
15 重錘体支持部
20 ガラス基板
21 ギャップ用凹部
22 重錘体
23 枠
30 パッケージ
Claims (7)
- 重錘体と、該重錘体を自由下垂状態に支持する重錘体支持部と、前記重錘体および前記重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠と、該枠と前記重錘体支持部とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子が設けられた複数の可撓性の梁とを備える3軸加速度センサにおいて、
前記重錘体は、シリコンより比重が大きい材料から構成されるとともに、表面が平坦なパッケージ上に前記3軸加速度センサを設置した状態において、所定長のギャップを有することを特徴とする3軸加速度センサ。 - 前記シリコンより比重が大きい材料は、パイレックスガラスである請求項1に記載の3軸加速度センサ。
- 前記所定長は、5〜20μmである請求項1または2に記載の3軸加速度センサ。
- 半導体基板に一方の表面に複数のピエゾ抵抗素子を形成する工程と、
重錘体を支持する重錘体支持部および該重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠の一部とを前記半導体基板の他方の表面に形成するとともに、前記重錘体支持部と前記枠とを連結するように設けられた複数の可撓性の梁を形成する工程と、
シリコンより比重が大きい材料からなる基板の一方の表面に、所定の深さを有するギャップを形成する工程と、
前記重錘体支持部および前記枠の一部が形成された前記半導体基板の面に、前記基板の前記ギャップと反対の表面を接合する工程と、
前記基板の一部を除去することにより、前記枠と、前記重錘体支持部に自由下垂状態に支持された前記重錘体とを形成する工程と、
を有することを特徴とする3軸加速度センサの製造方法。 - 前記ギャップ形成工程において、前記ギャップは、ブラストにより形成される請求項4に記載の3軸加速度センサの製造方法。
- 前記シリコンより比重が大きい材料は、パイレックスガラスである請求項4または5に記載の3軸加速度センサの製造方法。
- 前記接合工程では、前記ギャップの形成された位置と前記重錘体支持部の形成された位置とが鉛直方向において概ね重なるようにアライメントをとっている請求項4ないし6のいずれかに記載の3軸加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005054874A JP2006242594A (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 3軸加速度センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005054874A JP2006242594A (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 3軸加速度センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006242594A true JP2006242594A (ja) | 2006-09-14 |
Family
ID=37049175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005054874A Pending JP2006242594A (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 3軸加速度センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006242594A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009266928A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Yamaha Corp | Memsおよびmems製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03276072A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Wako:Kk | 加速度検出装置用信号処理回路 |
JPH05288771A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-02 | Fujikura Ltd | ダイヤフラム式加速度センサ及びその製造方法 |
JPH07283419A (ja) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Nikon Corp | 半導体センサ及びその製造方法 |
JPH10111311A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-04-28 | Nikon Corp | 半導体加速度センサ、および、その製造方法 |
JP2002372549A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Tokai Rika Co Ltd | 加速度センサデバイス |
JP2004245760A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Wacoh Corp | 圧力と加速度との双方を検出するセンサおよびその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005054874A patent/JP2006242594A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03276072A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Wako:Kk | 加速度検出装置用信号処理回路 |
JPH05288771A (ja) * | 1992-04-09 | 1993-11-02 | Fujikura Ltd | ダイヤフラム式加速度センサ及びその製造方法 |
JPH07283419A (ja) * | 1994-04-06 | 1995-10-27 | Nikon Corp | 半導体センサ及びその製造方法 |
JPH10111311A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-04-28 | Nikon Corp | 半導体加速度センサ、および、その製造方法 |
JP2002372549A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Tokai Rika Co Ltd | 加速度センサデバイス |
JP2004245760A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Wacoh Corp | 圧力と加速度との双方を検出するセンサおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009266928A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Yamaha Corp | Memsおよびmems製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10371714B2 (en) | Teeter-totter type MEMS accelerometer with electrodes on circuit wafer | |
JP2006250581A (ja) | 3軸加速度センサモジュールおよびその製造方法 | |
JP2006029827A (ja) | 慣性センサ | |
JP2010112930A (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
JP6468167B2 (ja) | 力学量センサ | |
JP2009027016A (ja) | 物理量センサ及びその製造方法 | |
JP2005249454A (ja) | 容量型加速度センサ | |
JP2008060135A (ja) | センサーユニットおよびその製造方法 | |
US20170107098A1 (en) | Microelectromechanical system and fabricating process | |
JP2006084326A (ja) | 半導体力学量センサおよびその製造方法 | |
JP2006349563A (ja) | 慣性力センサ | |
JP2006242594A (ja) | 3軸加速度センサおよびその製造方法 | |
JP2007263766A (ja) | センサ装置 | |
JP2008008672A (ja) | 加速度センサ | |
JP2006275961A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
JP2006208272A (ja) | 半導体多軸加速度センサ | |
JP2006090975A (ja) | 3軸加速度センサおよびその製造方法 | |
JP4665733B2 (ja) | センサエレメント | |
JP2008082953A (ja) | ピエゾ抵抗型加速度センサー | |
JP2008034448A (ja) | センサーユニットおよびその製造方法 | |
JP2006105618A (ja) | 3軸加速度センサおよびその製造方法 | |
JP5146097B2 (ja) | Mems | |
JP5929645B2 (ja) | 物理量センサ | |
JP5069410B2 (ja) | センサエレメント | |
JP2007127654A (ja) | マイクロメカニカルデバイス、共鳴構造、およびマイクロメカニカルデバイスの励起方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091215 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100601 |