JP2006238265A5 - - Google Patents

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  1. 基板と、該基板上に形成された固定電極と、該固定電極と間隙を介して対向し、前記固定電極に対向する部分の周囲の複数箇所で前記基板上の支持固定部に固定されてなる可動電極とを有する振動子構造体において、
    前記固定電極と前記支持固定部との間に前記可動電極に対向する補助電極を備え、電位制御により前記補助電極と前記可動電極との間に生ずる静電力を変化可能に制御する補助制御手段を設けたことを特徴とする振動子構造体。
  2. 複数の前記補助電極が前記固定電極の周囲にそれぞれ形成されていることを特徴とする
    請求項1に記載の振動子構造体。
  3. 前記可動電極には、前記補助電極に対向する位置に隣接部分よりも拡幅した補助被動部
    が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の振動子構造体。
  4. 前記可動電極は、前記固定電極に対向する位置に設けられた主被動部と、該主被動部と
    前記支持固定部との間に設けられ、前記主被動部よりも細幅に形成された支持梁部と、前
    記支持梁部の途中において前記補助電極に対向する位置に設けられ、前記支持梁部よりも
    広幅に形成された補助被動部とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の振動子構造体。
  5. 前記補助制御手段は、前記補助電極の電位を、前記可動電極の電位若しくは該電位によ
    り近い第1電位と、前記可動電極の電位に対して前記第1電位との電位差が大きい第2電
    位との間で切り替えるスイッチを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に
    記載の振動子構造体。
  6. 静電力を受けていない状態で、前記可動電極における前記補助電極と対向する部分は、
    前記可動電極における前記固定電極と対向する部分よりも前記基板側に配置されているこ
    とを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の振動子構造体。
  7. 前記可動電極における前記補助電極に対向する部分の前記基板側への移動可能範囲は、
    前記可動電極における前記固定電極に対向する部分の前記基板側への移動可能範囲よりも
    小さいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の振動子構造体。
  8. 前記補助電極と前記可動電極との間には絶縁膜が介在していることを特徴とする請求項
    1乃至7のいずれか一項に記載の振動子構造体。
  9. 前記補助電極は前記基板の表層部に形成された不純物領域であり、前記絶縁膜は、前記
    基板の表面上に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の振動子構造体。
  10. 基板と、該基板上に形成された固定電極と、該固定電極と間隙を介して対向し、前記固定電極に対向する部分の周囲の複数箇所で前記基板上の支持固定部に固定されてなる可動電極とを有する振動子構造体の製造方法において、
    前記基板若しくは前記基板上に前記固定電極及びこれとは別の補助電極を形成する工程
    と、
    前記補助電極及び前記固定電極の上方に間隔を介して対向し、前記補助電極及び前記固
    定電極に対向する部分の周囲の複数箇所で前記基板上に支持固定される可動電極を形成す
    る工程と、
    を有することを特徴とする振動子構造体の製造方法。
  11. 前記補助電極と前記可動電極との間に配置されるべき絶縁層を形成する工程をさらに有
    することを特徴とする請求項10に記載の振動子構造体の製造方法。
  12. 前記補助電極は、前記基板の表層部に形成された不純物領域であることを特徴とする請
    求項10又は11に記載の振動子構造体の製造方法。
  13. 前記可動電極を形成する工程は、前記基板上に犠牲層を形成する段階と、前記犠牲層上
    に前記可動電極を形成する段階と、前記犠牲層を除去して前記間隙を形成する段階とを有
    することを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載の振動子構造体の製造方法。
  14. 前記犠牲層を形成する段階では、前記補助電極上の層厚が前記固定電極上の層厚よりも
    小さく形成されることを特徴とする請求項13に記載の振動子構造体の製造方法。
  15. 前記補助被動部と前記補助電極の少なくとも一方の対向面状には他方に向けて突出する
    凸部が設けられていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の振動子構造体。
  16. 前記補助被動部と前記補助電極の少なくとも一方の対向面上に他方に向けて突出する凸
    部を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項10乃至14のいずれか一項に
    記載の振動子構造体の製造方法。
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