JP2006237576A - Ｃｍｏｓイメージ・センサ - Google Patents
Ｃｍｏｓイメージ・センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006237576A JP2006237576A JP2006000869A JP2006000869A JP2006237576A JP 2006237576 A JP2006237576 A JP 2006237576A JP 2006000869 A JP2006000869 A JP 2006000869A JP 2006000869 A JP2006000869 A JP 2006000869A JP 2006237576 A JP2006237576 A JP 2006237576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- cmos image
- layer
- light
- photosensitive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 70
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】クロストークを防止、或いは、減少させる遮光体を有するイメージ・センサを提供する。
【解決手段】CMOS撮像装置用の遮光体110を提供するシステムおよび方法を提供する。この遮光体110は、感光素子112と隣接する回路との間の地点を覆って形成される構造体から成る。この構造体は、感光素子112の上を覆って誘電体層212に形成された、金属，合金，金属化合物，若しくはそれと同等の遮光材料から形成される。
【選択図】図１
【解決手段】CMOS撮像装置用の遮光体110を提供するシステムおよび方法を提供する。この遮光体110は、感光素子112と隣接する回路との間の地点を覆って形成される構造体から成る。この構造体は、感光素子112の上を覆って誘電体層212に形成された、金属，合金，金属化合物，若しくはそれと同等の遮光材料から形成される。
【選択図】図１
Description
本発明は、イメージ・センサに関するものであり、とりわけ、導電性材料から成る遮光体を有するCMOSイメージ・センサに関するものである。
相補型金属酸化膜半導体（CMOS）イメージ・センサは、CMOSイメージ・センサ固有の確かな利点のため、従来の電荷結合素子（CCD）を上回る人気を博しつつある。殊にCMOSイメージ・センサは、概して低電圧で動作し、電力消費が少なく、イメージ・データへのランダム・アクセスが可能であり、さらには混載CMOSプロセスにより生産することもできるし、集積単一チップ型カメラの実現を可能にする。
一般的に、CMOSイメージ・センサは、感光CMOS回路を利用して、光エネルギーを電気エネルギーに変換する。感光CMOS回路は一般的に、シリコン基板に形成されるフォト・ダイオードから構成される。フォト・ダイオードが露光される場合、電荷がフォト・ダイオード中に誘起される。フォト・ダイオードは、主としてMOSスイッチ・トランジスタに接続され、このトランジスタは、フォト・ダイオードの電荷をサンプリングするのに利用される。感光CMOS回路の上を覆ってフィルターを配置することにより、色彩を決定することもできる。
CMOSイメージ・センサは、一般的にCMOSイメージ画素の配列で構成され、各CMOSイメージ画素は、トランジスタ（スイッチング・トランジスタおよびリセット・トランジスタ）、コンデンサ、感光素子（例えば、フォト・ダイオード）を有している。各画素はさらにカラー・フィルターを備えてもよく、感光素子により受取った光の色を確定している。絞りは、普通、感光素子の上を覆って形成され、他の回路から到来する光を遮光する一方で、その受光素子を露光する。
特開平１１−３１７５１２号公報
しかしながら、絞りに対して傾斜した角度で受け入れられた光によって、回路の他の部分に電流を発生させるクロストークが原因で、CMOSイメージ・センサの性能，感度および解像度は劣化する。この結果、受取った光の大きさが不当に増幅されて、色彩があせるか、或いは画像がぼけたりする可能性がある。その上、絞りに対して傾斜した角度で受け入れられた光は、さらに隣接する画素に電流を発生させる。フィルターが使用されている場合、隣接する画素による受光電流は、各画素により受け入れられた色彩を誤って表示するという有害な結果をもたらすことになる。
従って、クロストークを防止、或いは減少させる遮光体を有するイメージ・センサの必要性がある。
本発明の好ましい実施例により、これらの問題と、その他の問題が、全般的に解決或いは回避され、全般的に技術的な利点が達成される。本発明の好ましい実施例は、皮膜の層間剥離欠陥と接触腐食欠陥を防止、或いは減少させる金属間誘電体を有する装置と製造方法を提供するものである。
本発明の一つの実施例は、CMOSイメージ・センサを提供する。このCMOSイメージ・センサは、基板に設けた感光素子と、前記基板上に形成される一乃至複数の誘電体層と、複数の前記誘電体層に形成される導電性材料と、から構成され、前記導電性材料は、前記感光素子と隣接する回路との間の地点を覆って配置され、さらにこの導電性材料は、前記複数の誘電体層を貫通して形成される少なくとも単一のプラグを備えている。
本発明のもう一つの実施例は、CMOSイメージ・センサの形成方法を提供する。この方法は、基板上に感光素子を形成し、前記基板上を覆って複数の誘電体層を形成し、前記感光素子と隣接する回路との間の地点を覆って配置されるように、前記複数の前記誘電体層に開口部を形成し、この開口部を導電性材料で充填することからなる。
本発明のさらにもう一つの実施例は、CMOSイメージ・センサを提供する。このCMOSイメージ・センサは、基板に設けたフォト・ダイオードおよびピン層と、前記基板上に形成される一乃至複数の誘電体層と、複数の前記誘電体層に形成された金属から成る遮光体と、から構成され、前記遮光体は、前記フォト・ダイオードと隣接するMOS回路との間の地点を覆って配置され、さらにこの遮光体は、前記複数の誘電体層を貫通して形成される単一のプラグを備え、前記MOS回路は、スイッチング・トランジスタおよびリセット・トランジスタから構成される。
この概念と開示した特定の実施例は、本発明と同様な目的を達成するために、別な構造や製造方法への変更や設計の基本として、容易に利用できることは、当業者により十分理解されるであろう。添付の請求項に示すように、上記と均等な構造は、本発明の精神と範囲から逸脱しないことを、当業者は明確に理解するであろう。
本実施例の好ましい製造方法と利用は、下記に詳細に検討する。本発明は、多岐にわたる特定の概念において具現され得る適用可能な多くの発明思想を、提供するものであることが理解されよう。議論される特定の実施例は、本発明を製造および使用する特定の方法を説明しているに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
図１を参照すると、ここには本発明の実施例による遮光体110の平面図が示されており、この遮光体110は、感光素子112と隣接する回路との間の地点を覆って、当該感光素子112の周囲に配置される。正方形を有する遮光体110が示されているが、これは説明の目的のためだけに示されていることに留意されたい。遮光体110は、隣接する感光素子（図示せず）および／または隣接する他の回路（図示せず）をクロストークから実質的に保護すれば、どのような形状を有していても良い。例えば、遮光体110の形状は、楕円，円，長方形，八角形などでもよい。さらに遮光体110は、感光素子112を完全に包囲しなくともよく、従って、感光素子112の周囲で不連続であってもよい。
感光素子112は、光エネルギーに晒されると電流を発生するものであれば、どのような素子でもよい。例えば感光素子112は、PN接合フォト・ダイオード，PNPフォト・ダイオード，NPNフォト・ダイオード，若しくは同等のものを形成するために、基板にイオン打ち込み法による不純物打ち込みを行なうことで、形成されてもよい。本発明の好ましい実施例では、PNPフォト・ダイオードを使用し、例えば感光素子112は、Ｎ型領域に形成されるＰ型ピン層から構成してもよく、前記Ｎ型領域はＰ型半導体基板上に形成される。
図１の矢印で方向を示すごとく、遮光体110の外部から到来する光は反射され、その結果、遮光体110の外部から到来する光の感光素子112に与える影響が防止或いは減少される。この特別な作用は、感光素子112の表面に対し傾斜した角度をもって到来する光に関して特に有効であり、感光素子112が、隣接するセルからの光による影響を受けることを防止する。さらに、感光素子112により検出されるべき光が、隣接するセルに影響を及ぼすことを防止する。
下記に詳細に亘って検討するが、遮光体110は、通常は基板に形成される感光素子112の上にある一乃至複数の金属層に配置される。一つの実施例においては、遮光体110は、一乃至複数の金属間誘電体層を貫通して形成されるビアから成る。別な実施例においては、遮光体110は、ビアにより相互接続される金属配線であってもよい。両実施例において、遮光体110は、金属，合金，金属化合物，若しくは同等のもので形成されるのが好ましい。これらの材料は、遮光体を通過して隣接する感光素子および／または回路に達する光量を防止、或いは減少させるような、比較的高反射率を有するものであることが分かっている。さらに、これらの材料を使用することは、通常の工程（プロセス）ステップ中に、僅かな工程ステップを追加したり、さもなければ工程ステップを追加することなく、遮光体110の組立てを可能にする。より正確に言えば、通常のプロセスにおいて使用されるマスクおよびパターンを変更することにより、遮光体110を形成することが可能である。
好ましい実施例において、図１に示す感光素子112は、単独の素子（例えば、フォト・ダイオード）を備えている。他の回路（スイッチング・トランジスタ、リセット・トランジスタなどのMOS回路）は、遮光体110の外側に配置され、この他の回路が光に曝されたり、光の影響を受けたるすることを防止するのが好ましい。この他の回路は、しかしながら、遮光体内に配置されてもよい。さらに、隣接する回路が、一乃至複数の隣接する光センサ素子とスイッチングMOS電界効果トランジスタを有していてもよい。
図２は、本発明の実施例に基づく遮光体の第一実施例における断面図である。この断面図は、図１のＡ−Ａ線に沿って作成されたものである。図２に示すように、感光素子112は、基板210に形成される。基板210は、シリコン，ゲルマニュウム，シリコン・ゲルマニュウム，傾斜型シリコン・ゲルマニュウム，セミコンダクタ・オン・インシュレータ，カーボン，水晶，サファイア，ガラス，若しくは同等のもので形成され、多層化（例えば、ひずみ層）されたものでもよい。感光素子112がPNPフォト・ダイオードである実施例においては、基板210がＰ型（或いは、Ｐウェルを含んだ）基板となる。
層間誘電体（ILD）層212は、基板210上を覆って形成される。ILD層212は、例えば、酸化シリコン，リン・シリケート・ガラス（PSG），ボロン・リン・シリケート・ガラス（BPSG），フッ化シリケート・ガラス（FSG），若しくは同等の低誘電率材料から、従来技術で知られている任意の適切な方法により形成される。一つの実施例では、ILD層212は、テトラエチル・オルソシリケート（TEOS）と酸素を前躯体として使用して、化学的気相堆積法（CVD）により形成される。ILD層212は、約2500Åから約10000Åの間の厚さが好ましい。またILD層212として、その他の厚さおよび材料を使用してもよい。
一乃至複数の金属間誘電体（IMD）層214が、ILD層212の上を覆って形成される。IMD層214は、例えば、フッ化シリケート・ガラス（FSG），カーボンドープ・フッ化シリケート・ガラス，カーボンドープ・酸化シリコン（例えば、カリフォルニア州、サンタ・クララにあるアプライド・マテリアル社製のブラック・ダイヤモンド（登録商標）），若しくは同等の低誘電率材料から、従来技術で知られている任意の適切な方法で形成される。一般的に、IMD層214は一乃至複数の層からなり、種々のエレクトロニクス部品間の導通を可能にする導電性配線（図示せず）を、その上部に形成してもよい。一つの好ましい実施例において、IMD層214は、従来方法で形成される高密度プラズマ（HDP）酸化物、或いは同じく従来方法で形成されるプラズマ（PE）酸化物から形成してもよい。しかしながら、IMD層214として、他の種類の誘電体材料を使用してもよい。IMD層214は、約2000Åから約8000Åの間の厚さが好ましい。
保護層216は、IMD層214の上を覆って形成される。この保護層216は、最上部の金属層の上を覆って形成され、この金属層を保護する（当該金属層は、図２に示されていない）。保護層216は、例えばHDP酸化物，PE酸化物，PEナイトライド，或いはこれらの組み合わせのような、IMD層214と同じもので、従来の方法で形成される誘電体材料からなる。保護層216は、約2000Åから約10000Åの間の厚さが好ましい。
その後、遮光体110が形成される。遮光体110は、一乃至複数の保護層216とIMD層214とを貫通して形成される少なくとも単一のプラグ（埋込部）である連続障壁を備えるのが好ましく、また反射特性の良い材料から形成されるのが好ましい。図２に説明する実施例において、保護層216とIMD層214に、開口部をドライエッチング処理により形成してもよく、このドライエッチング処理は、開口部の深さを、エッチング処理時間により制御する。開口部は、約0.1μmから0.5μm間の幅を有するのが好ましいが、約0.2μmの厚さがより好ましい。代わりの実施例において、ILD層212が部分的或いは完全に除去されるように、保護層216，IMD層214およびILD層212における開口部を、ドライエッチングにより形成してもよい。
ILD層212，IMD層214および保護層216の間にエッチング停止層を配置してもよく、また配置しなくともよい。好ましい実施例においては、これらの層間には、エッチング停止層は形成されていない。この実施例において、単一の工程ステップで開口部をエッチングしてもよい。しかしながら、エッチング停止層を利用する場合は、エッチング工程を複数のエッチングステップで構成してもよく、誘電体層とエッチング停止層とを貫通してエッチングが行われる。
開口部の形成が終了すると、この開口部は、導電性材料即ち光阻止材218で充填される。光阻止材218は、その反射特性により、金属，合金，金属合成物，若しくは同等のものが好ましい。導電性材料の幅は、約0.1μｍから約0.5μｍの間が好ましく、その高さは0.3μmより高いことが好ましい。一実施例においては、この開口部は、化学的気相堆積法（CVD）のプロセスを使用して、例えば単一の層のTiN（窒化チタン）で充填される。タングステンなどの他の材料や耐熱金属、或いはこれらの組み合わせを使用してもよい。
表面に堆積する余剰材料を、化学機械研磨（CMP）やプラズマ・エッチ・バックのような処理によって除去してもよい。例えば、感光素子112の上方に堆積されることがある光阻止材218は、その感光素子112に光を到達させるために、除去されなければならない。受光素子112の上方に位置していない領域の保護層216表面には、光阻止材218が残留してもよく、この結果、光が感光素子112周囲の他の回路へ及ぼす悪影響を、減少或いは防止することに注目すべきである。
図３は、本発明の実施例による遮光体の、第二実施例の断面図である。この断面図は、図１におけるＡ−Ａ線における断面図である。この実施例は、遮光体110が、多層構造から構成される以外は、図２に示す実施例に類似している。図２においては、同様の参照番号は、同様の要素を参照するものである。特に図３における遮光体110は、第一の層310と第二の層312とから構成される。幾つかの工程の中で、この種の構造は、CMOSイメージ・センサを作成するのに既に実行された各工程ステップと、より一貫して両立することが可能である。例えば、阻止／接着層（例えば、第一の層310）の上に導電性層（例えば、第二の層312）を形成することは、ビアと相互接続部にとって共通なことである。共通するプロセスと構造を利用することで、僅かな工程ステップを追加したり、さもなければ工程ステップを追加することなく、遮光体110を形成することが可能になる。
一つの実施例において、第一の層310は、チタン，窒化チタン，タンタル，窒化タンタル，若しくは同等のものからなる一乃至複数の層で形成され、CVD法によって約100Åから約1000Åの結合厚さに堆積される。第二の層312は、金属，合金，金属化合物，若しくは同等のものからなる不透明材料、或いはタングステンまたはアルミニュウムなどの反射材料で形成される。第二の層312がタングステンで形成される典型的な実施例において、従来技術であるCVD法や、或いはスパッタ法により、第二の層312を堆積してもよい。
図２を参照して上記に説明した保護層216の表面から、第一の層310と第二の層312の余剰材料を除去するために、一つのエッチング工程、若しくは複数のエッチング工程を利用してもよい。
以上、本発明とその利点を詳細に説明したが、添付される請求項により規定される本発明の精神と範囲から逸脱することなく、ここに種々の変更，置換，代替が可能となる。例えば、様々な種類の材料や方法を、本発明の範囲内で可能である。
さらに、本発明の範囲を、明細書で説明したプロセス，装置，製造，物体の組合せ，手段，方法とステップについての特別な実施例に限定する意図はない。本発明の開示から当業者が理解するように、現存する若しくは将来開発される同一の機能を当業者がほぼ実行し、或いは、ここに説明した実施例に相当するとものと同じ機能を実行し、同じ結果を実現するプロセス，装置，製造，物体の組合せ，手段，方法あるいはステップを、本発明により利用してもよい。従って、添付の請求項は、こうしたプロセス，装置，製造，物体の組合せ，手段，方法あるいはステップの範囲内を包含するように意図されている。
110 遮光体（導電性材料）
112 感光素子
210 基板
212，214 誘電体層
310 第一の層
312 第二の層
112 感光素子
210 基板
212，214 誘電体層
310 第一の層
312 第二の層
Claims (11)
- 基板に設けた感光素子と、
前記基板上に形成される一乃至複数の誘電体層と、
複数の前記誘電体層に形成され、前記感光素子と隣接する回路との間の地点を覆って配置され、かつ前記複数の誘電体層を貫通して形成される少なくとも単一のプラグを備えた導電性材料と、から構成されることを特徴とするCMOSイメージ・センサ。 - 前記隣接する回路が、一乃至複数の隣接する光センサ素子とスイッチングMOS電界効果トランジスタを有することを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 前記導電性材料が、金属，合金，或いは金属化合物から構成されることを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 前記導電性材料が、一乃至複数の層から構成されることを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 第一の層が窒化チタンから構成され、第二の層がタングステンから構成されることを特徴とする請求項４記載のCMOSイメージ・センサ。
- 前記導電性材料が、窒化チタンからなる単一の層で構成されることを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 前記感光素子を覆って配置されるカラー・フィルターをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 前記導電性材料の幅が、約0.1μｍから約0.5μｍであることを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 前記導電性材料の高さが、0.3μmより高いことを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 前記導電性材料が、前記感光素子のほぼ周囲に形成されることを特徴とする請求項１記載のCMOSイメージ・センサ。
- 基板に設けたフォト・ダイオードおよびピン層と、
前記基板上に形成される一乃至複数の誘電体層と、
複数の前記誘電体層に形成される金属から成り、前記フォト・ダイオードと、スイッチング・トランジスタおよびリセット・トランジスタから成る隣接するMOS回路との間の地点を覆って配置され、さらに前記複数の誘電体層を貫通して形成される単一のプラグを備えた遮光体と、から構成されることを特徴とするCMOSイメージ・センサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/066,432 US7935994B2 (en) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | Light shield for CMOS imager |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006237576A true JP2006237576A (ja) | 2006-09-07 |
| JP4436326B2 JP4436326B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=36911822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006000869A Active JP4436326B2 (ja) | 2005-02-24 | 2006-01-05 | Ｃｍｏｓイメージ・センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7935994B2 (ja) |
| JP (1) | JP4436326B2 (ja) |
| CN (1) | CN100413082C (ja) |
| TW (1) | TWI260742B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008108917A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP2008244269A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009239053A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置 |
| US8217361B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-07-10 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Ultraviolet sensor |
| US8421136B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-04-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication process thereof |
| KR101290033B1 (ko) | 2011-11-30 | 2013-07-30 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 후면 조명 이미지 센서 칩들에서의 금속 차폐층 및 이를 형성하는 방법 |
| US8710606B2 (en) | 2011-03-16 | 2014-04-29 | Seiko Epson Corporation | Optical sensor and electronic apparatus |
| JP2014082310A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Canon Inc | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム |
| US8976357B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-03-10 | Seiko Epson Corporation | Optical sensor and electronic apparatus utilizing an angle limiting filter |
| JP2015099151A (ja) * | 2010-03-05 | 2015-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 光学センサー及び電子機器 |
| JP2017188522A (ja) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | フォトセンサ及びフォトセンサを有する表示装置 |
| US10241033B2 (en) | 2010-03-05 | 2019-03-26 | Seiko Epson Corporation | Spectroscopic sensor device and electronic equipment |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100720466B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
| US7750470B2 (en) * | 2007-02-08 | 2010-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods for planarization of dielectric layer around metal patterns for optical efficiency enhancement |
| JP2009021415A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP5538807B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム |
| US8283754B2 (en) * | 2010-08-13 | 2012-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Seal ring structure with metal pad |
| CN102222677B (zh) * | 2011-06-22 | 2016-06-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 图像传感器的遮光结构、图像传感器 |
| US8947551B2 (en) | 2011-07-29 | 2015-02-03 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for frame rotation in the JPEG compressed domain |
| US20130200396A1 (en) * | 2012-02-06 | 2013-08-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Prevention of light leakage in backside illuminated imaging sensors |
| US8772898B2 (en) | 2012-02-09 | 2014-07-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Lateral light shield in backside illuminated imaging sensors |
| US8803271B2 (en) * | 2012-03-23 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structures for grounding metal shields in backside illumination image sensor chips |
| US8698217B2 (en) * | 2012-03-23 | 2014-04-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shield structures in backside illumination image sensor chips |
| US9349902B2 (en) * | 2012-06-01 | 2016-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for reducing irregularities on the surface of a backside illuminated photodiode |
| US9041081B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-05-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors having buried light shields with antireflective coating |
| US9786702B2 (en) | 2012-09-20 | 2017-10-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Backside illuminated image sensors having buried light shields with absorptive antireflective coating |
| CN102891159B (zh) * | 2012-10-25 | 2018-10-16 | 上海集成电路研发中心有限公司 | Cmos影像传感器的像元结构及其制造方法 |
| US9305952B2 (en) | 2013-08-27 | 2016-04-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with inter-pixel light blocking structures |
| TWI553381B (zh) * | 2015-02-09 | 2016-10-11 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| US20170288067A1 (en) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Optical sensor shield |
| US10284836B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-05-07 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Depth camera light leakage avoidance |
| US10483310B2 (en) * | 2017-03-03 | 2019-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof |
| US10367018B2 (en) | 2017-11-08 | 2019-07-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
| EP3667720B1 (en) | 2018-12-10 | 2022-09-21 | IMEC vzw | Apex angle reduction in a led device with a led array |
| US11251219B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-02-15 | Sensors Unlimited, Inc. | Low capacitance photo detectors |
| US20230089511A1 (en) * | 2021-09-17 | 2023-03-23 | Magvision Semiconductor (Beijing) Inc. | Deep trench isolation structure for image sensor |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120781B2 (ja) | 1989-12-12 | 1995-12-20 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPH04321273A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-11 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
| US5668024A (en) * | 1996-07-17 | 1997-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | CMOS device structure with reduced risk of salicide bridging and reduced resistance via use of a ultra shallow, junction extension, ion implantation process |
| US6229165B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-05-08 | Ntt Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US6169317B1 (en) * | 1998-02-13 | 2001-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and image sensor |
| NL1011381C2 (nl) * | 1998-02-28 | 2000-02-15 | Hyundai Electronics Ind | Fotodiode voor een CMOS beeldsensor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| JPH11284158A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sony Corp | 固体撮像素子と固体撮像素子の製造方法 |
| US6435117B2 (en) * | 1998-05-01 | 2002-08-20 | L&P Property Management Company | Printing and quilting method and apparatus |
| US6071826A (en) | 1999-02-12 | 2000-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of manufacturing CMOS image sensor leakage free with double layer spacer |
| US6326652B1 (en) * | 1999-06-18 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc., | CMOS imager with a self-aligned buried contact |
| US6350127B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of manufacturing for CMOS image sensor |
| US6229191B1 (en) | 1999-11-19 | 2001-05-08 | Agilent Technologies, Inc. | Conductive guard rings for elevated active pixel sensors |
| JP4703807B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2011-06-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3827909B2 (ja) | 2000-03-21 | 2006-09-27 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2001284568A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| US6514785B1 (en) | 2000-06-09 | 2003-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | CMOS image sensor n-type pin-diode structure |
| US7139028B2 (en) * | 2000-10-17 | 2006-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| US7847829B2 (en) | 2001-01-09 | 2010-12-07 | Sony Corporation | Image processing apparatus restoring color image signals |
| US6710370B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-03-23 | Xerox Corporation | Image sensor with performance enhancing structures |
| US6791130B2 (en) * | 2002-08-27 | 2004-09-14 | E-Phocus, Inc. | Photoconductor-on-active-pixel (POAP) sensor utilizing a multi-layered radiation absorbing structure |
| JP2003282850A (ja) | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| CN1236498C (zh) * | 2002-05-17 | 2006-01-11 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Cmos影像感测元件 |
| US7405757B2 (en) * | 2002-07-23 | 2008-07-29 | Fujitsu Limited | Image sensor and image sensor module |
| JP2004104203A (ja) | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US6730899B1 (en) | 2003-01-10 | 2004-05-04 | Eastman Kodak Company | Reduced dark current for CMOS image sensors |
| US7215361B2 (en) * | 2003-09-17 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Method for automated testing of the modulation transfer function in image sensors |
| JP2004228425A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| US6812539B1 (en) | 2003-04-10 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Imager light shield |
| JP4426273B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2010-03-03 | イノテック株式会社 | Ｍｏｓ型固体撮像装置及びその製造方法 |
| US6927432B2 (en) * | 2003-08-13 | 2005-08-09 | Motorola, Inc. | Vertically integrated photosensor for CMOS imagers |
| JP2005079338A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその製造方法 |
| US20050045927A1 (en) | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Jin Li | Microlenses for imaging devices |
| US7375033B2 (en) * | 2003-11-14 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Multi-layer interconnect with isolation layer |
| KR100595899B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100689885B1 (ko) | 2004-05-17 | 2007-03-09 | 삼성전자주식회사 | 광감도 및 주변광량비 개선을 위한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-02-24 US US11/066,432 patent/US7935994B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-03 TW TW094126339A patent/TWI260742B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-09 CN CNB2005101024502A patent/CN100413082C/zh active Active
-
2006
- 2006-01-05 JP JP2006000869A patent/JP4436326B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-06 US US13/081,120 patent/US8383440B2/en active Active
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008108917A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP2008244269A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US8217361B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-07-10 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Ultraviolet sensor |
| JP2009239053A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置 |
| US8421136B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-04-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication process thereof |
| US10241033B2 (en) | 2010-03-05 | 2019-03-26 | Seiko Epson Corporation | Spectroscopic sensor device and electronic equipment |
| JP2015099151A (ja) * | 2010-03-05 | 2015-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 光学センサー及び電子機器 |
| US8976357B2 (en) | 2011-03-16 | 2015-03-10 | Seiko Epson Corporation | Optical sensor and electronic apparatus utilizing an angle limiting filter |
| US8710606B2 (en) | 2011-03-16 | 2014-04-29 | Seiko Epson Corporation | Optical sensor and electronic apparatus |
| US9224773B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
| US9620555B2 (en) | 2011-11-30 | 2017-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
| KR101290033B1 (ko) | 2011-11-30 | 2013-07-30 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 후면 조명 이미지 센서 칩들에서의 금속 차폐층 및 이를 형성하는 방법 |
| US10276621B2 (en) | 2011-11-30 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
| US11018176B2 (en) | 2011-11-30 | 2021-05-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
| JP2014082310A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Canon Inc | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム |
| JP2017188522A (ja) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | フォトセンサ及びフォトセンサを有する表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7935994B2 (en) | 2011-05-03 |
| CN100413082C (zh) | 2008-08-20 |
| CN1825605A (zh) | 2006-08-30 |
| JP4436326B2 (ja) | 2010-03-24 |
| US20110183460A1 (en) | 2011-07-28 |
| TWI260742B (en) | 2006-08-21 |
| TW200631134A (en) | 2006-09-01 |
| US20060186547A1 (en) | 2006-08-24 |
| US8383440B2 (en) | 2013-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4436326B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージ・センサ | |
| US9666628B2 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
| JP5357441B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| US9437635B2 (en) | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same and camera | |
| TWI299565B (en) | An image sensing device and fabrication thereof | |
| TWI407553B (zh) | 具有深光反射溝渠之背照式影像感測器 | |
| CN107482028B (zh) | 降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构 | |
| US20200161357A1 (en) | Image pickup device and method for manufacturing image pickup device | |
| US7633106B2 (en) | Light shield for CMOS imager | |
| JP2009021415A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US7875917B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| US20070241418A1 (en) | Image sensing device and fabrication method thereof | |
| JP2008192951A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2008091643A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US11177309B2 (en) | Image sensor with pad structure | |
| KR20050032448A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| CN101308821B (zh) | 制造图像传感器的方法 | |
| WO2013054535A1 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US7683411B2 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
| JP2009194145A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2009146957A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 | |
| JP4725092B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2006108442A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR20110068679A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| JP2007208131A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090601 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091207 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4436326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |