JP2008108917A - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008108917A JP2008108917A JP2006290383A JP2006290383A JP2008108917A JP 2008108917 A JP2008108917 A JP 2008108917A JP 2006290383 A JP2006290383 A JP 2006290383A JP 2006290383 A JP2006290383 A JP 2006290383A JP 2008108917 A JP2008108917 A JP 2008108917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state imaging
- imaging device
- pixels
- peripheral wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 238000009812 interlayer coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- -1 wiring Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上を図る。
【解決手段】固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。
【選択図】図１
【解決手段】固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。
【選択図】図１
Description
本発明は、固体撮像装置、及びこの固体撮像装置を備える電子機器に関する。
固体撮像装置は、デジタルスチルカメラ、デジタル一眼レフカメラ、デジタルビデオカメラなど、携帯端末をはじめとする各種電子機器の画像入力装置として、広く用いられている。
固体撮像装置は、多数の画素（画素セル）が、２次元マトリクス状、例えばアレイ状に配置された構造を有する。画素は、少なくとも、光を電子に変換する受光部であるフォトダイオードと、転送部とを有する。転送部は、例えばＣＣＤ（charged couplingdevice）型の固体撮像装置では、ＣＣＤ素子による垂直転送部と水平転送部を備え、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）型の固体撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）では、フォトダイオードからの電子を電圧に変換して増幅転送する増幅回路部を備える。
固体撮像装置は、多数の画素（画素セル）が、２次元マトリクス状、例えばアレイ状に配置された構造を有する。画素は、少なくとも、光を電子に変換する受光部であるフォトダイオードと、転送部とを有する。転送部は、例えばＣＣＤ（charged couplingdevice）型の固体撮像装置では、ＣＣＤ素子による垂直転送部と水平転送部を備え、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）型の固体撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）では、フォトダイオードからの電子を電圧に変換して増幅転送する増幅回路部を備える。
固体撮像装置において、多数の画素は互いに隣り合っているため、ある画素のフォトダイオードに向かって入射してきた光の一部が、隣接する画素に混入（クロストーク）してしまうことがある。
クロストークは、一部の入射光が変調（反射，回折，散乱など）することによって生じる。そして、このような画素間のクロストークが生じると、出力、つまり得られる画像データにも影響が生じる。すなわち、黒色であるはずの画像で明点が生じるなど、本来得られるべき画像データを正確に得ることができなくなる。
クロストークは、一部の入射光が変調（反射，回折，散乱など）することによって生じる。そして、このような画素間のクロストークが生じると、出力、つまり得られる画像データにも影響が生じる。すなわち、黒色であるはずの画像で明点が生じるなど、本来得られるべき画像データを正確に得ることができなくなる。
この、クロストークの発生について、前述の変調が反射である場合を例として、具体的に説明する。
図８に、従来の固体撮像装置の画素構成を示す。
従来の固体撮像装置１０１においては、画素１０１ａ（セルサイズｘ´）の、フォトダイオード１１７を含む半導体基板の表面で、フォトダイオード１１７に向かって入射してきた光（図中Ｌ１´）の一部が反射し、隣接画素へと漏れ出してしまう。このため、画素間のクロストークは、ＣＣＤ型／ＣＭＯＳ型を問わず、フォトダイオードを有するすべての固体撮像装置において、避けることのできない問題となる。
この問題への対策として、基板表面に反射防止膜を設けるなどの手法が提案されている。しかし、この手法では、分光特性が変化するなど、別の問題を生じてしまうことが知られている。
図８に、従来の固体撮像装置の画素構成を示す。
従来の固体撮像装置１０１においては、画素１０１ａ（セルサイズｘ´）の、フォトダイオード１１７を含む半導体基板の表面で、フォトダイオード１１７に向かって入射してきた光（図中Ｌ１´）の一部が反射し、隣接画素へと漏れ出してしまう。このため、画素間のクロストークは、ＣＣＤ型／ＣＭＯＳ型を問わず、フォトダイオードを有するすべての固体撮像装置において、避けることのできない問題となる。
この問題への対策として、基板表面に反射防止膜を設けるなどの手法が提案されている。しかし、この手法では、分光特性が変化するなど、別の問題を生じてしまうことが知られている。
また、入射光の中には、フォトダイオードに至る前に周囲の部材に反射するものがある（図中Ｌ２´）。例えば、フォトダイオードの周囲に多層構造の周辺配線部１１４が設けられている固体撮像装置においては、この周辺配線部１１４の配線（図８では、第１配線１１１，第２配線１１２、第３配線１１３）で繰り返し反射され、基板表面での反射光（Ｌ１´）とは別の経路で、隣接画素へと漏れ出し、混入する。
このような、繰り返し反射によるクロストークをも防止する手法として、画素間に遮光を目的とする壁を別途設けた構成なども提案されている。しかし、この手法では、壁の形成のために別途工程を設ける必要があり、煩雑である。また、このような壁の設置は、画素面積の拡大を要するため、装置の小型化を阻害することにもなる。
特開２００５−２７７４０４号公報
このような、繰り返し反射によるクロストークをも防止する手法として、画素間に遮光を目的とする壁を別途設けた構成なども提案されている。しかし、この手法では、壁の形成のために別途工程を設ける必要があり、煩雑である。また、このような壁の設置は、画素面積の拡大を要するため、装置の小型化を阻害することにもなる。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、より簡潔に画素間のクロストークが抑制される固体撮像装置と、この固体撮像装置を備える電子機器を提供することにある。
本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられることを特徴とする。
本発明に係る電子機器は、固体撮像装置を備える電子機器であって、前記固体撮像装置は、光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像装置によれば、周辺配線部の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられることから、クロストークの低減による画質向上が図られる。
本発明に係る電子機器によれば、固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上が図られることから、高画質の画像データを扱うことが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
なお、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置（ＣＭＯＳイメージセンサ）は、ＣＣＤ型の固体撮像装置に比べ、クロストークの発生及び影響の点構造的に不利とされている。
また、ＣＭＯＳイメージセンサは、画素内に複数のトランジスタを備えているために、トランジスタに加えて、トランジスタを選択する為の配線をも設けられる必要がある。したがって、ＣＭＯＳイメージセンサは、画素内で配線の占める割合がＣＣＤ型の固体撮像装置よりも高くなることが避けられない。つまり、配線やトランジスタの占有面積によってフォトダイオードの開口面積が制限される。近年、画素の微細化によって、この制限は更に厳しくなりつつある。
また、ＣＭＯＳイメージセンサは、画素内に複数のトランジスタを備えているために、トランジスタに加えて、トランジスタを選択する為の配線をも設けられる必要がある。したがって、ＣＭＯＳイメージセンサは、画素内で配線の占める割合がＣＣＤ型の固体撮像装置よりも高くなることが避けられない。つまり、配線やトランジスタの占有面積によってフォトダイオードの開口面積が制限される。近年、画素の微細化によって、この制限は更に厳しくなりつつある。
また、このように画素内の配線が増えると、これらの各配線を同層（同一の深さ，高さ）に設けることによって配線同士が極端に近接して配置されざるを得なくなるため、接触するおそれも強くなる。よって、接触をより確実に避けるために、ＣＭＯＳイメージセンサの配線は、多層構造による周辺配線層として形成される。
しかし、このような多層構造によれば、配線同士の接触は抑制されるものの、フォトダイオードが設けられている半導体基板の表面から多層構造の上までは、非常に高さ（深さ）の大きな構造になってしまう。そのため、外部から入射した光がフォトダイオードに到達するまでの距離が長く、配線の数及び占有空間も増大してしまうため、入射光が基板に到達する前に、前述した変調（基板表面や配線における反射，回折，散乱）が生じやすい。
しかし、このような多層構造によれば、配線同士の接触は抑制されるものの、フォトダイオードが設けられている半導体基板の表面から多層構造の上までは、非常に高さ（深さ）の大きな構造になってしまう。そのため、外部から入射した光がフォトダイオードに到達するまでの距離が長く、配線の数及び占有空間も増大してしまうため、入射光が基板に到達する前に、前述した変調（基板表面や配線における反射，回折，散乱）が生じやすい。
よって、本実施形態では、本発明によって特に改善が図られる固体撮像装置の例として、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置を例として、説明を行う。
本実施形態に係る固体撮像装置は、列（カラム）毎にアナログ／デジタル変換器を有するＭＯＳ増幅型固体撮像装置である。
この固体撮像装置は、一般に、光電変換部つまりフォトダイオードを有する画素が、多数、２次元マトリクス状に規則性を有して、例えば垂直方向及び水平方向に列及び行として規則的な配列とされた撮像領域と、垂直駆動部及び水平転送部による転送部、及び出力部とによって構成されている。具体的には、撮像領域２に複数の画素１ａが２次元行列状に配置され、垂直信号線３、カラム部４、水平信号線５に接続された出力回路６、垂直駆動回路７、水平駆動回路８及び制御回路９を有して、固体撮像装置１が構成される。
この固体撮像装置は、一般に、光電変換部つまりフォトダイオードを有する画素が、多数、２次元マトリクス状に規則性を有して、例えば垂直方向及び水平方向に列及び行として規則的な配列とされた撮像領域と、垂直駆動部及び水平転送部による転送部、及び出力部とによって構成されている。具体的には、撮像領域２に複数の画素１ａが２次元行列状に配置され、垂直信号線３、カラム部４、水平信号線５に接続された出力回路６、垂直駆動回路７、水平駆動回路８及び制御回路９を有して、固体撮像装置１が構成される。
制御回路９は、入力クロックや、動作モードなどを指令するデータをＭＯＳイメージセンサの外部から受け取り、それに従って以下の各部の動作に必要なクロックやパルスを供給する。
垂直駆動回路７は、画素部の行を選択し、その行の画素に図示しない横方向の制御配線を通して必要なパルスが供給される。
カラム部４には、カラム信号処理回路１０が列に対応して並ぶ。カラム信号処理回路１０は、１行分の画素の信号を受けて、その信号にＣＤＳ（Correlated Double Sampling：固定パターンノイズ除去の処理）や信号増幅やＡＤ変換などの処理を行う。
水平駆動回路８は、カラム信号処理回路１０を順番に選択し、その信号を水平信号線５に導く。出力回路６は、水平信号線５の信号を処理して出力する。例えばバッファリングだけする場合もあるし、その前に黒レベル調整、列ばらつき補正、信号増幅、色関係処理などを行うこともある。
また、画素１ａは、１つの光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と、複数のＭＯＳトランジスタとによって構成される。
垂直駆動回路７は、画素部の行を選択し、その行の画素に図示しない横方向の制御配線を通して必要なパルスが供給される。
カラム部４には、カラム信号処理回路１０が列に対応して並ぶ。カラム信号処理回路１０は、１行分の画素の信号を受けて、その信号にＣＤＳ（Correlated Double Sampling：固定パターンノイズ除去の処理）や信号増幅やＡＤ変換などの処理を行う。
水平駆動回路８は、カラム信号処理回路１０を順番に選択し、その信号を水平信号線５に導く。出力回路６は、水平信号線５の信号を処理して出力する。例えばバッファリングだけする場合もあるし、その前に黒レベル調整、列ばらつき補正、信号増幅、色関係処理などを行うこともある。
また、画素１ａは、１つの光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と、複数のＭＯＳトランジスタとによって構成される。
本実施形態に係る固体撮像装置１においては、図２に模式的断面図を示すように、光電変換部１７を有する画素１ａ（セルサイズｘ）において、光電変換部１７の周囲の少なくとも一部に、第１配線１１，第２配線１２，第３配線１３の多層構造による周辺配線部１４が設けられる。そして、この周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層１１及び１２または１２及び１３を連結する、遮光性の層間連結材１５が設けられる。このようにして、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４は、前述した変調によるクロストークを抑制する遮光体１６として構成される。
すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置１においては、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４つまり遮光体１６が設けられているため、基板表面における変調によるクロストークの抑制（図中Ｌ１）、及び配線における変調によるクロストークの抑制（図中Ｌ２）によって、ある画素１ａから隣接画素へのクロストークが、低減される。
なお、層間連結材１５は、埋め込み性の良い材料、例えばタングステン（Ｗ）によって構成することが好ましい。また、本実施形態において遮光性とは、可視光域の少なくとも一部において、反射ないし吸収する特性を有していれば良い。
すなわち、本実施形態に係る固体撮像装置１においては、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４つまり遮光体１６が設けられているため、基板表面における変調によるクロストークの抑制（図中Ｌ１）、及び配線における変調によるクロストークの抑制（図中Ｌ２）によって、ある画素１ａから隣接画素へのクロストークが、低減される。
なお、層間連結材１５は、埋め込み性の良い材料、例えばタングステン（Ｗ）によって構成することが好ましい。また、本実施形態において遮光性とは、可視光域の少なくとも一部において、反射ないし吸収する特性を有していれば良い。
本実施形態に係る固体撮像装置１において、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４、つまり遮光体１６は、画素１ａの光電変換部１７の周囲のうち、少なくとも、隣接画素の光電変換部１７との間に配置することが好ましいと考えられる。すなわち、図３に示すように、ある画素１ｂの光電変換部１７と、この画素１ｂに対して、複数のトランジスタ等が設けられる増幅回路部１８を介することなく直接的に隣接する、隣接画素１ｃの光電変換部１７との間に、遮光体１６が設けられることにより、従来特に問題が発生しやすかった画素間におけるクロストークを抑制することができる。
また、層間連結材１５を備えた周辺配線部１４、つまり遮光体１６は、画素１ａの光電変換部１７の周囲のうち、例えば複数箇所に設けられた構成とすれば、より好ましいと考えられる。すなわち、図４に示すように、増幅回路部１８を介することなく直接的に隣接する画素１ｂ及び画素１ｃの間（、そして画素１ｄ及び画素１ｅの間）のみならず、増幅回路部１８を介して比較的間接的に隣接する、画素１ｂ及び画素１ｄの間（、そして画素１ｃ及び画素１ｅの間）にも遮光体１６を設ける構成とすれば、より好ましいと考えられる。このようにすることにより、従来増幅回路部１８を介して生じていたクロストークを抑制できるとともに、各画素中の複数箇所において遮光体１６が設けられることにより、より遮光の領域を大きくとることができ、より大幅なクロストークの抑制を図ることができるためである。
なお、層間連結材１５が設けられる周辺配線部１４は、光電変換部１７で生じた電荷を変換伝達するための増幅回路部１８を含めても良い。すなわち、遮光体１６を構成する周辺配線部１４の各配線は、増幅回路部１８に直接関係のある配線であっても良いし、そうでなくても良い。
また、遮光体１６を構成する周辺配線部１４及び層間連結材１５のうち、少なくとも一方は、特定の電位に接地されることが好ましい。これは、例えば製造時に電荷が生じやすい工程（プラズマエッチングなど）がある場合、接地しないと特性の不安定化につながるおそれがあるためである。
また、遮光体１６を構成する周辺配線部１４及び層間連結材１５のうち、少なくとも一方は、特定の電位に接地されることが好ましい。これは、例えば製造時に電荷が生じやすい工程（プラズマエッチングなど）がある場合、接地しないと特性の不安定化につながるおそれがあるためである。
また、図５に示すように、層間連結材１５は、多数の画素１ｆがマトリクス状に配列された２次元に関して、直線状に配置されることが好ましい。直線状の配置の具体例としては、複数の（一組の）層間連結材１５を直線状に配置する構成のほか、直線的な形状を有する層間連結材１５ａとしても良い。
なお、これらの直線状に配置される層間連結材１５（または直線的形状の層間連結材１５ａ）の長さ（図中ｙ）は、前述した２次元に関して多角形状（本実施形態では四角形）とされる画素１ｆの長さ（図中ｚ）よりも短くする、或いは、多角形状の最長対角線よりも短くすることが好ましい。これは、固体撮像装置における、多数の画素の光学的対称性を向上させるためには、層間連結材１５を画素（画素セル）ごとに配置することが好ましいと考えられるためである。
なお、これらの直線状に配置される層間連結材１５（または直線的形状の層間連結材１５ａ）の長さ（図中ｙ）は、前述した２次元に関して多角形状（本実施形態では四角形）とされる画素１ｆの長さ（図中ｚ）よりも短くする、或いは、多角形状の最長対角線よりも短くすることが好ましい。これは、固体撮像装置における、多数の画素の光学的対称性を向上させるためには、層間連結材１５を画素（画素セル）ごとに配置することが好ましいと考えられるためである。
ここで、画素１ａに用いられ得る回路構成について説明する。
まず、例えば図３に示す所謂３トランジスタ型の構成が挙げられる。
この回路構成においては、フォトダイオード（ＰＤ）のカソード（ｎ領域）が、転送トランジスタＴｒ１を介して増幅トランジスタＴｒ３のゲートに接続される。この増幅トランジスタＴｒ３のゲートと電気的に繋がったノードをフローティング・ディフージョン（ＦＤ）と呼ぶ。転送トランジスタＴｒ１はフォトダイオード（ＰＤ）とフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）との間に接続され、ゲートに転送線２１を介して転送パルスφＴＲＧが与えられることによりオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）で光電変換された信号電荷をフローティング・ディフージョン（ＦＤ）に転送する。
この回路構成においては、フォトダイオード（ＰＤ）のカソード（ｎ領域）が、転送トランジスタＴｒ１を介して増幅トランジスタＴｒ３のゲートに接続される。この増幅トランジスタＴｒ３のゲートと電気的に繋がったノードをフローティング・ディフージョン（ＦＤ）と呼ぶ。転送トランジスタＴｒ１はフォトダイオード（ＰＤ）とフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）との間に接続され、ゲートに転送線２１を介して転送パルスφＴＲＧが与えられることによりオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）で光電変換された信号電荷をフローティング・ディフージョン（ＦＤ）に転送する。
リセットトランジスタＴｒ２は、ドレインが画素電源Ｖｄｄ１に接続され、ソースがフローティング・ディフージョン（ＦＤ）に接続される。リセットトランジスタＴｒ２は、ゲートにリセット線２２を介してリセットパルスφＲＳＴが与えられことによってオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）からフローティング・ディフージョン（ＦＤ）への信号電荷の転送に先立って、フローティング・ディフージョン（ＦＤ）の電荷を画素電源Ｖｄｄ１に捨てることによりフローティング・ディフージョン（ＦＤ）をリセットする。
増幅トランジスタＴｒ３は、ゲートがフローティング・ディフージョン（ＦＤ）に接続され、ドレインが画素電源Ｖｄｄ２に接続され、ソースが垂直信号線２３に接続される。増幅トランジスタＴｒ３は、リセットトランジスタＴｒ２によってリセットした後のフローティング・ディフージョン（ＦＤ）の電位をリセットレベルとして垂直信号線に出力し、さらに転送トランジスタＴｒ１によって信号電荷を転送した後のフローティング・ディフージョン（ＦＤ）の電位を信号レベルとして垂直信号線２３に出力する。
なお、画素の駆動に伴い画素電源Ｖｄｄ１が高レベルと低レベルとに切り換えられる影響を受け、増幅トランジスタＴｒ３のドレインは変動する。
なお、画素の駆動に伴い画素電源Ｖｄｄ１が高レベルと低レベルとに切り換えられる影響を受け、増幅トランジスタＴｒ３のドレインは変動する。
一方、画素１ａに用いられ得る他の回路構成としては、例えば図４に示す所謂４トランジスタ型の構成が挙げられる。
この回路構成においては、光電変換素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）に加えて４つのトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４が設けられる。ここで、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４は、例えばＮチャネルのＭＯＳトランジスタにとして構成される。
フォトダイオード（ＰＤ）は、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷（ここでは、電子）に光電変換する。フォトダイオード（ＰＤ）のカソード（ｎ型領域）は、転送トランジスタＴｒ１を介して増幅トランジスタＴｒ３のゲートと接続されている。この増幅トランジスタＴｒ３のゲートと電気的に繋がったノードがフローティングディフュージョン（ＦＤ）となる。
横方向の配線、即ち転送線２４、リセット線２５および選択線２６は、同一行の画素について共通となっており、垂直駆動回路７によって制御される。但し、画素１ａのｐウェル電位を固定するためのウェル配線２７は、グランド電位に固定されている。
この回路構成においては、光電変換素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）に加えて４つのトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４が設けられる。ここで、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４は、例えばＮチャネルのＭＯＳトランジスタにとして構成される。
フォトダイオード（ＰＤ）は、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷（ここでは、電子）に光電変換する。フォトダイオード（ＰＤ）のカソード（ｎ型領域）は、転送トランジスタＴｒ１を介して増幅トランジスタＴｒ３のゲートと接続されている。この増幅トランジスタＴｒ３のゲートと電気的に繋がったノードがフローティングディフュージョン（ＦＤ）となる。
横方向の配線、即ち転送線２４、リセット線２５および選択線２６は、同一行の画素について共通となっており、垂直駆動回路７によって制御される。但し、画素１ａのｐウェル電位を固定するためのウェル配線２７は、グランド電位に固定されている。
また、この構成において、転送トランジスタＴｒ１は、フォトダイオード（ＰＤ）のカソードとフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）との間に接続され、ゲートに転送線２４を介して転送パルスφＴＲＧが与えられることによってオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）で光電変換された光電荷をフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）に転送する。
リセットトランジスタＴｒ２は、ドレインが画素電源Ｖｄｄに、ソースがフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）にそれぞれ接続され、ゲートにリセット線２５を介してリセットパルスφＲＳＴが与えられることによってオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）からフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）への信号電荷の転送に先立って、フローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電荷を画素電源Ｖｄｄに捨てることによってこのフローティングディフュージョン（ＦＤ）をリセットする。
増幅トランジスタＴｒ３は、ゲートがフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）に、ドレインが画素電源Ｖｄｄにそれぞれ接続され、リセットトランジスタＴｒ２によってリセットした後のフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電位をリセットレベルとして出力し、さらに転送トランジスタＴｒ１によって信号電荷を転送した後のフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電位を信号レベルとして出力する。
選択トランジスタＴｒ４は、例えば、ドレインが増幅トランジスタＴｒ３のソースに、ソースが垂直信号線２８にそれぞれ接続され、ゲートに選択線２６を介して選択パルスφＳＥＬが与えられることによってオン状態となり、画素１ａを選択状態として増幅トランジスタＴｒ３から出力される信号を垂直信号線２８に中継する。
リセットトランジスタＴｒ２は、ドレインが画素電源Ｖｄｄに、ソースがフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）にそれぞれ接続され、ゲートにリセット線２５を介してリセットパルスφＲＳＴが与えられることによってオン状態となり、フォトダイオード（ＰＤ）からフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）への信号電荷の転送に先立って、フローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電荷を画素電源Ｖｄｄに捨てることによってこのフローティングディフュージョン（ＦＤ）をリセットする。
増幅トランジスタＴｒ３は、ゲートがフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）に、ドレインが画素電源Ｖｄｄにそれぞれ接続され、リセットトランジスタＴｒ２によってリセットした後のフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電位をリセットレベルとして出力し、さらに転送トランジスタＴｒ１によって信号電荷を転送した後のフローティング・ディフュージョン（ＦＤ）の電位を信号レベルとして出力する。
選択トランジスタＴｒ４は、例えば、ドレインが増幅トランジスタＴｒ３のソースに、ソースが垂直信号線２８にそれぞれ接続され、ゲートに選択線２６を介して選択パルスφＳＥＬが与えられることによってオン状態となり、画素１ａを選択状態として増幅トランジスタＴｒ３から出力される信号を垂直信号線２８に中継する。
なお、本実施形態に係る固体撮像装置１は、これら３トランジスタ型と４トランジスタ型の、いずれの構成をもとり得る。
＜実施例＞
本発明の実施例について説明する。
本実施例では、本実施形態に係る固体撮像装置のシミュレーションによる検討を行った結果について、説明する。
本発明の実施例について説明する。
本実施例では、本実施形態に係る固体撮像装置のシミュレーションによる検討を行った結果について、説明する。
本実施形態に係る固体撮像装置について、シミュレータを用いて検証を行った。その結果、半導体基板表面で反射し、その反射光が最上位の配線メタルの裏面で反射することによるクロストークが、大幅に低減されることを確認することができた。
また、配線の多層構造の内容に応じて値は変動したが、例えば周辺配線部が３層の積層配線構造を持つＣＭＯＳイメージセンサにおいては、主に最上層に位置する配線メタルの裏面で反射し、その後０回〜数回の反射を経て隣接画素へ混入していた成分によるクロストークが、１０〜３０％改善されることを確認することができた。
また、配線の多層構造の内容に応じて値は変動したが、例えば周辺配線部が３層の積層配線構造を持つＣＭＯＳイメージセンサにおいては、主に最上層に位置する配線メタルの裏面で反射し、その後０回〜数回の反射を経て隣接画素へ混入していた成分によるクロストークが、１０〜３０％改善されることを確認することができた。
以上の実施の形態及び実施例で説明したように、本実施形態に係る固体撮像装置によれば、層間連結材が、光の混入を防ぐ壁の役割を果たすため、クロストークの低減による画質向上が図られる。
また、この固体撮像装置によって電子機器を構成すれば、固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上が図られることから、高画質の画像データを扱うことが可能となる。
また、この固体撮像装置によって電子機器を構成すれば、固体撮像装置において、クロストークの低減による画質向上が図られることから、高画質の画像データを扱うことが可能となる。
特に、軽量化及び小型化の要求に応じて画素サイズが微細化されている固体撮像装置、つまり、画素間の分離幅が光学的に十分とれない固体撮像装置や、配線の占める割合が高い固体撮像装置においては、本発明構成は従来構成に比べて大幅な特性改善が期待できる。微細加工技術の進歩などによって画素サイズが微細化された固体撮像装置は、画素サイズが大きい場合に比べて、繰り返し反射などによる隣接画素への光の混入が生じやすくなるが、本発明構成によれば、この生じやすい混入によるクロストークが、大幅に抑制されるためである。
また、本実施形態に係る固体撮像装置においては、半導体基板や配線及び層間膜等に起因する、拡散光，散乱光，反射光の抑制を図る。したがって、光電変換部に向かうもともとの入射光を遮ることがないため、感度や光学的な開口面積を劣化させることを回避することができる。
また、本実施形態に係る固体撮像装置の製造においては、特段の工程を追加する必要がなく、多層構造の配線を連結する層間連結材の形成態様（形成位置や形状などのパターン）を選定することによってクロストークの低減を図ることができる。したがって、工程数の増加を必要としないため、コストや製造タクトの低減も図られる。更に、ウェーハプロセスの新規条件出し（条件の設計及び設定）なども必要としないため、遮光体の基本設計が完了した後、製造現場への導入を迅速に行うことができる。
また、本実施形態に係る固体撮像装置の製造においては、特段の工程を追加する必要がなく、多層構造の配線を連結する層間連結材の形成態様（形成位置や形状などのパターン）を選定することによってクロストークの低減を図ることができる。したがって、工程数の増加を必要としないため、コストや製造タクトの低減も図られる。更に、ウェーハプロセスの新規条件出し（条件の設計及び設定）なども必要としないため、遮光体の基本設計が完了した後、製造現場への導入を迅速に行うことができる。
なお、以上の実施の形態の説明で挙げた使用材料及びその量、処理時間及び寸法などの数値的条件は好適例に過ぎず、説明に用いた各図における寸法形状及び配置関係も概略的なものである。すなわち、本発明は、この実施の形態に限られるものではない。
例えば、前述の実施形態では、層間連結材を備えた周辺配線部（遮光体）を、固体撮像装置の画素ごとに設ける場合を例として説明を行ったが、遮光体の配置はこれに限られない。すなわち、すべての画素に一定の数で層間連結材や遮光体が設けられる構成に限られず、例えば四角形の画素の場合に、２辺に設けられた画素と４辺に設けられた画素とが混在していても良い。また、複数の画素を１ユニットとして、このユニットを囲うように層間連結材や遮光体が設けられていても良い。また、複数の画素間で、画素の担う色（例えば赤，緑，青）が異なる箇所にのみ、層間連結材や遮光体が設けられていても良い。
また、前述の実施形態では、多数の画素が２次元マトリクス状に配列された固体撮像装置の例について説明を行ったが、多数の画素が１次元的（１次元状）に配列された、所謂リニアセンサに適用することも可能であることは言うまでもない。リニアセンサに適用する場合には、特に明暗境界部での特性改善が図られると考えられる。
また、前述の実施形態では、多数の画素が２次元マトリクス状に配列された固体撮像装置の例について説明を行ったが、多数の画素が１次元的（１次元状）に配列された、所謂リニアセンサに適用することも可能であることは言うまでもない。リニアセンサに適用する場合には、特に明暗境界部での特性改善が図られると考えられる。
また、例えば、前述の実施形態では、遮光性について、可視光域の少なくとも一部において反射ないし吸収する特性を有していれば良いとしたが、更に紫外光を反射ないし吸収する特性を有していても良い。
また、前述の実施の形態では、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置の例について説明したが、本発明に係る固体撮像装置によって、ＣＣＤ型の固体撮像装置を構成することも可能である。
また、例えば、本発明に係る固体撮像装置は、ワンチップとして形成された素子状のものでもよいし、複数のチップから構成されるもの、更にはモジュールとして構成されたものでもよいなど、本発明は、種々の変形及び変更をなされうる。
また、前述の実施の形態では、ＣＭＯＳ型の固体撮像装置の例について説明したが、本発明に係る固体撮像装置によって、ＣＣＤ型の固体撮像装置を構成することも可能である。
また、例えば、本発明に係る固体撮像装置は、ワンチップとして形成された素子状のものでもよいし、複数のチップから構成されるもの、更にはモジュールとして構成されたものでもよいなど、本発明は、種々の変形及び変更をなされうる。
１・・・固体撮像装置、１ａ〜１ｆ・・・画素、２・・・撮像領域、３・・・垂直信号線、４・・・カラム部、５・・・水平信号線、６・・・出力回路、７・・・垂直駆動回路、８・・・水平駆動回路、９・・・制御回路、１０・・・カラム信号処理回路、１１・・・第１配線、１２・・・第２配線、１３・・・第３配線、１４・・・周辺配線部、１５・・・層間連結材、１６・・遮光体、１７・・・光電変換部（フォトダイオード）、１８・・・増幅回路部、２１・・・転送線、２２・・・リセット線、２３・・・垂直信号線、２４・・・転送線、２５・・・リセット線、２６・・・選択線、２７・・・ウェル配線、２８・・・垂直信号線
Claims (10)
- 光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、
前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、
前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられる
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記周辺配線部が、前記光電変換部と、隣接画素の光電変換部との間に設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記周辺配線部が、前記光電変換部の周囲の複数箇所に設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記周辺配線部に、複数の前記層間連結材が設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記周辺配線部が、前記光電変換部で生じた電荷を変換伝達する増幅回路部を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記層間連結材及び前記周辺配線部の少なくとも一方が、特定の電位に接地される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記層間連結材が、前記２次元に関して直線状に設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記画素が、前記２次元に関して多角形状に設けられ、
前記２次元に関して、前記層間連結材の長さが、前記多角形状の最長辺よりも短い
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 前記画素が、前記２次元に関して多角形状に設けられ、
前記２次元に関して、前記層間連結材の長さが、前記多角形状の最長対角線よりも短い
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。 - 固体撮像装置を備える電子機器であって、
前記固体撮像装置は、
光電変換部を有する画素が、多数、１次元状または２次元マトリクス状に配置された固体撮像装置であって、
前記多数の各画素において、光電変換部の周囲の少なくとも一部に、多層構造による周辺配線部が設けられ、
前記周辺配線部の少なくとも一部に、前記多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材が設けられる
ことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006290383A JP2008108917A (ja) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| TW096136899A TWI357658B (en) | 2006-10-25 | 2007-10-02 | Solid-state imaging device and electronic device |
| US11/877,318 US7728268B2 (en) | 2006-10-25 | 2007-10-23 | Solid-state imaging device and electronic device |
| KR1020070107255A KR101426951B1 (ko) | 2006-10-25 | 2007-10-24 | 고체 촬상 장치 및 전자 장치 |
| CN201010574509.9A CN102082158B (zh) | 2006-10-25 | 2007-10-25 | 固态成像设备和电子设备 |
| CNA2007101814420A CN101170119A (zh) | 2006-10-25 | 2007-10-25 | 固态成像设备和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006290383A JP2008108917A (ja) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010058508A Division JP2010177681A (ja) | 2010-03-15 | 2010-03-15 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008108917A true JP2008108917A (ja) | 2008-05-08 |
Family
ID=39329119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006290383A Pending JP2008108917A (ja) | 2006-10-25 | 2006-10-25 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7728268B2 (ja) |
| JP (1) | JP2008108917A (ja) |
| KR (1) | KR101426951B1 (ja) |
| CN (2) | CN101170119A (ja) |
| TW (1) | TWI357658B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216826A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器及びカメラモジュール |
| JP2013058661A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
| US9153490B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090025818A (ko) * | 2007-09-07 | 2009-03-11 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
| US20100002115A1 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | Xinqiao Liu | Method for Fabricating Large Photo-Diode Arrays |
| JP5385564B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2014-01-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5476745B2 (ja) * | 2009-03-05 | 2014-04-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP5633323B2 (ja) * | 2010-11-11 | 2014-12-03 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP2013187360A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
| KR101924996B1 (ko) | 2012-03-29 | 2018-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| GB2529567B (en) * | 2015-09-22 | 2016-11-23 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Light shield for light sensitive elements |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267544A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2002100798A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-04-05 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JP2003282850A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| JP2006210582A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2006237576A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Ｃｍｏｓイメージ・センサ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3992504B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2007-10-17 | 富士通株式会社 | Ｃｍｏｓイメージセンサ |
| JP2004063778A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子 |
| US7742088B2 (en) * | 2002-11-19 | 2010-06-22 | Fujifilm Corporation | Image sensor and digital camera |
| JP2004265932A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-24 | Canon Inc | 放射線撮像装置 |
| JP4075773B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2008-04-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2005227684A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ製造装置、電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP2005277404A (ja) | 2004-02-24 | 2005-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
| JP4711061B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2011-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
-
2006
- 2006-10-25 JP JP2006290383A patent/JP2008108917A/ja active Pending
-
2007
- 2007-10-02 TW TW096136899A patent/TWI357658B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-10-23 US US11/877,318 patent/US7728268B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-24 KR KR1020070107255A patent/KR101426951B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-25 CN CNA2007101814420A patent/CN101170119A/zh active Pending
- 2007-10-25 CN CN201010574509.9A patent/CN102082158B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267544A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2002100798A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-04-05 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JP2003282850A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| JP2006210582A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2006237576A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | Ｃｍｏｓイメージ・センサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216826A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器及びカメラモジュール |
| US9153490B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and electronic device |
| JP2013058661A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Sony Corp | 固体撮像素子および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101170119A (zh) | 2008-04-30 |
| CN102082158B (zh) | 2015-06-03 |
| CN102082158A (zh) | 2011-06-01 |
| TW200830543A (en) | 2008-07-16 |
| US7728268B2 (en) | 2010-06-01 |
| KR20080037554A (ko) | 2008-04-30 |
| US20080099867A1 (en) | 2008-05-01 |
| KR101426951B1 (ko) | 2014-08-06 |
| TWI357658B (en) | 2012-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11282881B2 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus | |
| JP2008108917A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
| US9472589B2 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
| JP5476745B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
| TWI412271B (zh) | 固態成像裝置、相機、及電子裝置 | |
| JP2014192348A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2007157912A (ja) | 固体撮像装置 | |
| WO2015125611A1 (ja) | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 | |
| US7652707B2 (en) | Pixel circuit with reduced wiring | |
| JP7103385B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
| CN111149351A (zh) | 固态成像元件和固态成像装置 | |
| JP2010177681A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
| US8576312B2 (en) | Solid-state image pickup device with particular pixel arrangement | |
| JP4288135B2 (ja) | Ｍｏｓ型イメージセンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080314 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090928 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100315 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100405 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100611 |