JP2006237381A - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 長秒撮影モードの露光期間(長秒蓄積期間)内に、周辺回路の基準電圧である第1の基準電圧Vss1(接地電圧)とは異なる第2の基準電圧Vss2を、光電変換部とドレイン領域とが形成されているウェルに印加する。第2の基準電圧Vss2の極性は、ウェルの導電型がP型であるときはプラス、N型であるときはマイナスとする。
【選択図】 図6
Description
固体撮像装置およびその駆動方法を提供することを目的とする。
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係るMOS型固体撮像装置(増幅型イメージセンサ)の単位画素部の平面図である。また、図1(b)は、図1(a)のA−A’線断面図である。この単位が素部は、半導体基板10のウェル5に形成された光電変換部2、正孔蓄積層3およびドレイン領域4と、ウェル5上に絶縁膜9を挟んで形成されたゲート電極とを備えている。ウェル5と正孔蓄積層3の導電型はP型であり、光電変換部2とドレイン領域4の導電型はN型である。光電変換部2とウェル5とのPN接合によってフォトダイオードが構成されている。光電変換部2とドレイン領域4とを含む領域の周囲には、素子分離領域11が形成されている。正孔蓄積層3は、暗出力を抑制する目的で設けられた領域である。
に応じた電圧信号が現れる。次に、水平走査回路17が垂直信号線を順次選択すると、選択された垂直信号線上の電圧信号は、ノイズ除去回路116でノイズを除去された後に、増幅回路18で増幅若しくはインピーダンス変換されて、出力端子19から外部に出力される。この繰り返しによって、一画像データが取得される。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法を説明する図であって、垂直ブランキングタイミング、ゲート電圧およびウェル電圧のタイミングチャートである。なお、この駆動方法を行う装置は、第1の実施形態で説明したものと同じであるため、その説明を省略する。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の回路図である。また、図8は、垂直走査回路15と受光領域30とを通る線における概略断面図である。本実施形態に係る固体撮像装置では、周辺回路領域40のウェルである周辺回路ウェル45と、受光領域30のウェルである受光部ウェル35とが、電気的に分離された別のウェルになっている。
2 光電変換部
3 正孔蓄積層
4 ドレイン領域
5 ウェル
6 ゲート電極
7 増幅トランジスタ
8 リセットトランジスタ
9 絶縁膜
10 半導体基板
11 分離領域
12 基準電圧配線
13 バックゲート領域
14 単位画素部
15 垂直走査回路
16 ノイズ除去回路
17 水平走査回路
18 増幅回路
19 出力端子
20a チップ
20b チップ
24 基準電圧供給端子
30 受光領域
32 受光部基準電圧配線
34 基準電圧供給端子
35 受光部ウェル
40 周辺回路領域
42 周辺回路基準電圧配線
44 基準電圧供給端子
45 周辺回路ウェル
101 トランジスタ
102 光電変換部
103 正孔蓄積層
104 ドレイン領域
105 ウェル
106 ゲート電極
107 増幅トランジスタ
108 リセットトランジスタ
109 絶縁膜
110 基板
111 分離領域
112 基準電圧配線
113 バックゲート領域
Claims (5)
- 半導体基板のウェル上に、マトリクス状に配置された単位画素部とその周辺回路とを備えた固体撮像装置であって、
半導体基板の表面から内部に形成した第1導電型のウェルと、
周辺回路の基準電圧となる第1の基準電圧と、当該第1の電圧よりも絶対値が大きく電源電圧と同じ極性の第2の基準電圧とを、前記ウェルに切り替えて供給する基準電圧供給配線とを備え、
前記単位画素部は、
前記ウェルの表面から内部に形成した第2の導電型領域であって、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する光電変換部と、
前記ウェル上に形成され、前記周辺回路から電圧の供給を受けて前記光電変換部に蓄積された電荷を転送するゲート電極と、
前記ウェルの表面から内部に形成した第2導電型の領域であって、前記ゲート電極によって転送された信号電荷を一時的に蓄積するドレイン領域とを含む、固体撮像装置。 - 前記ウェルは、
前記単位画素部が配置された受光部ウェルと、
前記周辺回路が配置された周辺回路ウェルとを含み、
前記基準電圧供給配線は、
前記受光部ウェルに前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧とを切り替えて供給する受光部基準電圧配線と、
前記周辺回路ウェルに前記第1の基準電圧を供給する周辺回路基準電圧配線とを含む、請求項1に記載の固体撮像装置。 - 入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する光電変換部と、電圧の供給を受けて前記光電変換部に蓄積された電荷を転送するゲート電極と、前記ゲート電極によって転送された信号電荷を一時的に蓄積するドレイン領域とを含む単位画素部がマトリクス状に配置された受光部と、その周辺回路とが、半導体基板のウェル上に形成された固体撮像装置の駆動方法であって、
前記ウェルに、前記周辺回路の基準電圧となる第1の基準電圧と、当該第1の基準電圧よりも絶対値が大きく電源電圧と同じ極性の第2の基準電圧とを切り替えて供給する、固体撮像装置の駆動方法。 - 前記ウェルは、
前記単位画素部が配置された受光部ウェルと、
前記周辺回路が配置された周辺回路ウェルとを含み、
前記受光部ウェルに、前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧とを切り替えて供給し、前記周辺回路ウェルに前記第1の基準電圧を常時供給することを特徴とする、請求項3に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記ウェルに、基本的には第1の基準電圧を供給し、露光時間内には第2の基準電圧を供給することを特徴とする、請求項3に記載の固体撮像装置の駆動方法。
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