JP2006233187A - 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】発光材料として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物を用いた高分子発光素子を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）で示される繰り返し単位を１種類以上有する高分子化合物であって、更に下記式（Ｂ）で示される構造を含む高分子化合物。
−Ａｒ− （Ａ）
［式中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基又は金属錯体構造を有する２価の基を表す。］

（Ｂ）
（式中、Ａ環及びＢ環は独立に置換基を有していてもよい芳香環を表す。Ｘ₁は−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ₁）−、−Ｃ（Ｒ₁）（Ｒ₂）−、−Ｃ（Ｒ₂）（Ｒ₂）−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｎ（Ｒ₁）−、−Ｓｉ（Ｒ₁）（Ｒ₁）−を表す。Ｒ^*は水素原子又は１価若しくは２価の基を表し、Ｒ₁は水素原子又は１価の基を表し、Ｒ₂はヘテロ原子を有する１価の基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂は同一でも異なっていてもよい。）
【選択図】なし

Description

本発明は、高分子化合物および該高分子化合物を用いた高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということがある。）に関する。

高分子量の発光材料は、低分子量の発光材料とは異なり溶媒に可溶で塗布法により発光素子における発光層を形成できることから種々検討されており、その例としては、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体などが知られている。

本発明の目的は、発光材料として有用な新規な高分子化合物、該高分子化合物を用いた高分子発光素子を提供することにある。

すなわち本発明は、以下［１］〜［３］の高分子化合物を提供するものである。
［１］ 下記式（Ａ）で示される繰り返し単位を１種類以上有する高分子化合物であって、さらに下記式（Ｂ）で示される構造を含むことを特徴とする高分子化合物。

−Ａｒ− （Ａ）

［式中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基若しくは金属錯体構造を有する２価の基を表す。］

（Ｂ）
（式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表す。Ｘ₁は−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ₁）−、−Ｃ（Ｒ₁）（Ｒ₂）−、−Ｃ（Ｒ₂）（Ｒ₂）−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｎ（Ｒ₁）−、−Ｓｉ（Ｒ₁）（Ｒ₁）−を表す。Ｒ^*は水素原子または１価もしくは２価の基を表し、Ｒ₁は水素原子または１価の基を表し、Ｒ₂はヘテロ原子を有する１価の基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂が複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい）
［２］ 下記式（２）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする前記高分子化合物。

（２）
〔Ｚは、−ＣＲ₃＝ＣＲ₄−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｊおよびｋはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｍは、０または１を示す。Ａ₁は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基、１価の複素環基または２価の基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｊおよびｋは、それぞれ独立に０から３の整数を示す。Ｒが複数存在する場合、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。〕
［３］ 下記式（３）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする前記高分子化合物。

（３）
〔式中、Ａ₂は、それぞれ独立に、下式（４）
＊−（Ａｒ₁）ｊ₁―（Ｘ）ｋ₁−（Ａｒ₂）ｐ₁−（Ｙ）ｑ₁− （４）
（式中、Ａｒ₁およびＡｒ₂はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ｘは、―Ｒ₇−、−Ｏ―Ｒ₇−、−Ｒ₇−Ｏ−、−Ｒ₇−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₇−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｒ₇−Ｎ（Ｒ₂₀）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（Ｏ）−を表し、Ｙは、−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｊ₁、ｋ₁、ｐ₁およびｑ₁は、それぞれ独立に０または１であり、Ｒ₇は、アルキレン基を表し、Ｒ₂₀は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表し、＊はＮと結合する部位を表す。）
で示される基を示し、ｎ₁およびｎ₂は、それぞれ独立に０または１を表し、Ｒは、前記と同じである。複数のＲは同一であってもよいし、異なっていてもよい。〕

本発明の高分子化合物は、発光材料として有用である。該高分子化合物を用いた高分子発光素子は高性能であり、バックライトとしての面状光源，フラットパネルディスプレイ等の装置として使用できる。

本発明の高分子化合物は、前記式（Ａ）で示される繰り返し単位を１種類以上含み、さらに前記式（Ｂ）で示される構造を含む。

高分子化合物中に前記式（Ｂ）で示される構造を含むとしては、前記式（Ｂ）で示される構造を高分子化合物の主鎖、側鎖、末端のいずれかに含む場合、若しくは部分構造として前記式（Ｂ）を含む構造を高分子化合物の主鎖、側鎖、末端のいずれかに含む場合があげられる。

部分構造として前記式（Ｂ）を含む構造としては、例えば下記構造があげられる。

［式中、Ａ環、Ｘ₁およびＲ^*は前述と同じ意味を表す。Ｂ’環およびＣ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環を表す。］

前記式（Ｂ）で示される構造は、高分子化合物中の主鎖中に１個含む場合、繰り返し高分子化合物の主鎖中に単位として含む場合、高分子化合物の側鎖中に含む場合、高分子化合物の末端に含む場合がある。

前記式（Ｂ）で示される構造は、高分子化合物中の主鎖中に繰り返し単位として含む場合、発光効率の観点からは、本発明の高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計の０．１モル％以上含むことが好ましく、０．１モル％以上９０モル％以下であることがより好ましい。

上記式（Ｂ）で示される構造が下記式（Ｂ−２）で示される場合、高分子化合物の側鎖または末端に存在する。これらの場合、高分子化合物の繰り返し単位に前記式（Ｂ）で示される構造を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。

（Ｂ−２）

前記式（Ｂ）で示される構造を高分子化合物の主鎖中に含む場合、前記式（Ｂ）の部位において分岐していてもよい。

前記式（Ｂ）において、Ａ環およびＢ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環を表す。該芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、テトラセン環、ペンタセン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チオフェンオキシド環、ベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンオキシド環、フラン環、ベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、ジベンゾピロール環、シロール環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、ボロール環、ベンゾボロール環、ジベンゾボロール環などの複素芳香環が挙げられる。耐熱性、蛍光強度、素子特性等の観点から、芳香族炭化水素環であることが好ましく、中でもベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が好ましい。また、前記式（Ｂ）を含む構造の上記例示において、Ｂ’環およびＣ環の具体例としては、上記Ａ環およびＢ環と同様のものが挙げられる。

Ａ環とＢ環との組合せとして、好ましくはベンゼン環とベンゼン環、ベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフェナントレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフェナントレン環、アントラセン環とフェナントレン環の組合せが挙げられ、ベンゼン環とベンゼン環の組み合わせがより好ましい。

前記式（Ｂ）におけるＲ^*は、水素原子；アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基、１価の複素環基等の１価の基；２価の基を示す。

発光効率の観点からは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基または１価の複素環基であることが好ましい。溶解性の観点からは、アルキル基、アリールアルキル基またはアリールオキシアルキル基が好ましい。

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールオキシアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルオキシ−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。１価の複素環基は、炭素数が通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

本発明の高分子化合物において、前記式（Ｂ）で示される構造からなる高分子化合物の発光波長が前記式（Ａ）で示される構造からなる高分子化合物の発光波長よりも３０ｎｍ以上長波長であることが、発光効率の観点から好ましい。

式中、Ｘ₁は−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ₁）−、−Ｃ（Ｒ₁）（Ｒ₂）−、−Ｃ（Ｒ₂）（Ｒ₂）−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｎ（Ｒ₁）−、−Ｓｉ（Ｒ₁）（Ｒ₁）−を表す。これらの中では、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。ここで、Ｒ₁は独立に、水素原子；アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基、１価の複素環基等の１価の基を示す。Ｒ₂は独立にヘテロ原子を有する１価の基（具体的には、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルオキシアルキル基、アルキルアミノアルキル基、アルキルチオアルキル基、アリールオキシ基、アリールオキシアルキル基、１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されたアルキル基、１価の複素環基などが挙げられる。）

前記式（Ｂ）で示される構造の中では、下記式（１）で示される構造が好ましい。

（１）
〔式中、Ａ₁は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基、１価の複素環基または２価の基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｚ^*は、独立に、直接結合またはＲを表す。ＪおよびＫは、それぞれ独立に０から３の整数を示す。Ｊ１およびＫ１は、それぞれ独立に０または１を示す。Ｒが複数存在する場合、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。〕

前記式（１）において、ＪおよびＫは、それぞれ独立に０から３の整数を示す。また、前記式（１）で示される構造が、前記式（２）で示される構造となる場合には、該式（１）中のＪおよびＫは０から３の整数を示し、Ｊ１およびＫ１は共に１であり、Ｚは直接結合（即ち、結合手）を示す。この場合、前記式（１）中、ＪおよびＫは、合成の容易さからは、０が好ましく、溶解性、発光効率等の観点からは、１〜３が好ましい。

前記式（Ａ）において、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基若しくは金属錯体構造を有する２価の基を表す。

ここに、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた残りの原子団であり、炭素数は、通常６〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。ここに芳香族炭化水素には縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセニレン基（下図の式１４〜１９）、ビフェニレン基（下図の式２０〜２５）、トリフェニレン基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３８）、スチルベン−ジイル（下図ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル（下図Ｅ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル（下図Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）などが例示される。
中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基（下図の式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（下図ＡからＤ）、ジスチルベン−ジイル（下図Ｅ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル（下図Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）が好ましい。

上記式１〜３８、Ａ〜Ｋにおいて、Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｒが複数個存在する場合、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。

ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、 ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。

アルキルシリル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数は通常１〜６０程度であり、具体的には、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ｉ−プロピルシリル基、ブチルシリル基、ｉ−ブチルシリル基、ｔ−ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキシルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、２−エチルヘキシルシリル基、デシルシリル基、３，７−ジメチルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基が好ましい。

アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアルキルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度であり、具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。

アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

アリールオキシ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。

アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

アリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

アリールアルケニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルケニル基が好ましい。

アリールアルキニル基としては、炭素数は通常８〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₂〜Ｃ₁₂アルキニル基が好ましい。

アリールアミノ基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。

１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいう。１価の複素環基は、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

上記置換基がアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。ヘテロ原子またはヘテロ原子を含む基としては、例えば、以下の基が挙げられる。

ここで、Ｒ’としては、例えば、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜６０の１価の複素環基が挙げられる。

２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいい、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む基；ピリジン−ジイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素環基：（下図の式９９〜１０８）が挙げられる。
ヘテロ原子として硫黄などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１０９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、酸素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１１〜１１７）が挙げられる。

上記式３９〜１１７において、Ｒは、前記と同じ意味を表す。

２価の芳香族アミン基とは、芳香族アミンから水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、炭素数には置換基の炭素数は含まない。２価の芳香族アミン基としては、例えば、下記一般式（５）で示される基が挙げられる。

式中、Ａｒ₅およびＡｒ₇はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基、一般式（６）で表される基、または一般式（７）で表される基である。Ａｒ₆は、置換基を有していてもよいアリール基、一般式（８）で表される基または一般式（９）で表される基を示す。また、Ａｒ₅とＡｒ₆の間、Ａｒ₅とＡｒ₇の間、またはＡｒ₆とＡｒ₇の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₈およびＡｒ₉は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基を示す。Ｒ₇およびＲ₈は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｌは０または１である。

式中、Ａｒ₁₀およびＡｒ₁₁は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₂は、置換基を有していてもよいアリール基である。また、Ａｒ₁₀とＡｒ₁₂の間、Ａｒ₁₀とＡｒ₁₁の間、またはＡｒ₁₁とＡｒ₁₂の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₁₃は、置換基を有していてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₆およびＡｒ₁₇は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基である。また、Ａｒ₁₃とＡｒ₁₆の間、Ａｒ₁₃とＡｒ₁₇の間、またはＡｒ₁₆とＡｒ₁₇の間に環を形成していてもよい。

式中、Ａｒ₁₄は、置換基を有していてもよいアリーレン基を示す。Ａｒ₁₅は、置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ｒ₁₁およびＲ₁₂は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｒは０または１である。

上記式（５）のＡｒ₅、Ａｒ₇、式（６）のＡｒ₈、Ａｒ₉、式（７）のＡｒ₁₀、Ａｒ₁₁、式（８）のＡｒ₁₃、式（９）のＡｒ₁₄は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。
また上記式（５）のＡｒ_6、上記式（７）のＡｒ₁₂、上記式（８）のＡｒ₁₆とＡｒ₁₇、上記式（９）のＡｒ₁₅はアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、シアノ基等の置換基を有していてもよい。

２価の芳香族アミン基として、具体的には以下の基が例示される。

上記式１１８〜１２２において、Ｒは、前記と同じ意味を表す。

ここで、本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましく、Ｒのうちの１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。
Ｒのうち、アルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよい。直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示される。

また、金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、その例としては、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。

金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の１２６〜１３２が例示される。

上記の式１２６〜１３２においてＲは、前記で示したものと同じものが例示される。

本発明の高分子化合物の中では、発光波長を変える観点から、前記式（２）で示される繰り返し単位を含むことが好ましい。
また、発光波長の制御の行いやすさ、分子量の制御の行いやすさ、合成の行いやすさの観点からは、前記式（２）で示される繰り返し単位からなる高分子化合物であって、ｍが０であることを特徴とする高分子化合物が好ましい。

（２）

Ｚは、−ＣＲ₃＝ＣＲ₄−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｍは、０または１を示す。光酸化安定性の観点からは、ｍは、０であることが好ましい。Ａ₁，Ｒは前記と同様の意味を表す。ｊおよびｋは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。合成の容易さからは、０が好ましく、溶解性、発光効率等の観点からは、１〜３が好ましい。

式（２）で示される繰り返し単位の具体例を以下に示す。

本発明の高分子化合物の中では、発光効率を高める観点、発光波長を変える観点から、さらに下記式（３０）で示される繰り返し単位を含むものが好ましい。
−Ａｒ₁−（Ｚ’）ｐ− （３０）

上記式（３０）におけるＡｒ₁は、アリーレン基、２価の複素環基、または２価の芳香族アミン基である。Ａｒ₁で表されるアリーレン基、２価の複素環基および２価の芳香族アミン基は、前記Ａｒで説明し例示したものと同じである。

上記式（３０）において、Ｚ’は、−ＣＲ₅＝ＣＲ₆−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₅およびＲ₆はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｐは、０または１を示す。安定性の観点からは、−ＣＲ₅＝ＣＲ₆−であることが好ましい。発光波長の長波長化の観点からは、−ＣＲ₅＝ＣＲ₆−であることが好ましい。光酸化安定性の観点からは、ｐは、０であることがより好ましい。

上記式（２）で示される繰り返し単位の合計は全繰り返し単位の０．１モル％以上１００モル％以下であり、１モル％以上１００モル％以下が好ましい。

式（２）及び（３０）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物の中で、式（２）および式（３０）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の５０モル％以上であるものが発光効率の観点からより好ましい。かつ式（２）および式（３０）で示される繰り返し単位の合計に対して、式（２）で示される繰り返し単位が０．１モル％以上９０モル％以下であるものが発光効率の観点からより好ましい。

実質的に、式（２）および（３０）で示される繰り返し単位からなるものとして、具体的には、式（２）で示される繰り返し単位として、下記から選ばれる１種類以上と、

式（３０）で示される繰り返し単位として下記から選ばれる１種類以上との共重合体が好ましい。

（ただし、Ｒは、前記と同様の意味を表す。）

本発明の高分子化合物の中では、発光効率の観点から、下記式（３）で示される繰り返し単位を含むものが好ましい。

（３）
〔式中、Ａ₂は、下式（４）
＊−（Ａｒ₁）ｊ₁―（Ｘ）ｋ₁−（Ａｒ₂）ｐ₁−（Ｙ）ｑ₁− （４）
（式中、Ａｒ₁およびＡｒ₂はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ｘは、―Ｒ₇−、−Ｏ―Ｒ₇−、−Ｒ₇−Ｏ−、−Ｒ₇−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₇−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｒ₇−Ｎ（Ｒ₂₀）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（Ｏ）−を表し、Ｙは、−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｊ₁、ｋ₁、ｐ₁およびｑ₁は、それぞれ独立に０または１であり、Ｒ₇は、アルキレン基を表し、Ｒ₂₀は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表し、＊はＮと結合する部位を表す。）
で示される基を示し、ｎ₁およびｎ₂は、それぞれ独立に０または１を表し、Ｒは前記と同様であり、複数のＲは同一であってもよいし、異なっていてもよい。〕

前記式（３）におけるＡ₂は、前記式（４）で示される基である。

前記式（４）におけるＡｒ₁およびＡｒ₂は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を示す。ここで、Ａｒ₁およびＡｒ₂は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基などの置換基を有していてもよい。Ａｒ₁、Ａｒ₂が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。

前記式（４）において、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた残りの原子団であり、炭素数は、通常６〜６０程度である。炭素数には置換基の炭素数は含まない。ここに芳香族炭化水素には縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基の具体例としては、上図の式１〜３８、Ａ〜Ｋが挙げられる。２価の複素環基は、前記式（１）について説明したものと同じであり、具体例としては、上図の式３９〜１１７が挙げられる。２価の芳香族アミン基は、前記式（１）について説明したものと同じであり、具体例としては、上図の式１１８〜１２２が挙げられる。

前記式（４）において、Ｘは、―Ｒ₇−、−Ｏ―Ｒ₇−、−Ｒ₇−Ｏ−、−Ｒ₇−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₇−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｒ₇−Ｎ（Ｒ₂₀）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−を表す。Ｒ₇は、アルキレン基を表す。溶解性の観点や合成の容易さからは、―Ｒ₇−、−Ｒ₇−Ｏ−であることが好ましい。

前記式（４）において、Ｙは、−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−、−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₂₀は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基である。−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−が安定性の観点から好ましい。

前記式（４）において、ｊ₁、ｋ₁、ｐ₁およびｑ₁は、それぞれ独立に０または１である。発光効率、溶解性や合成の容易さからは、ｑ₁が０であり、ｋ₁が１であり、Ｘが、―Ｒ₇−、−Ｒ₇−Ｏ−であることが好ましい。ｑ₁が０であり、ｐ₁が１であり、Ａｒ₂がフェニレンであり、Ｘが、―Ｒ₇−、−Ｒ₇−Ｏ−であることがより好ましい。また、安定性の観点からは、ｑ₁が０であることが好ましい。

前記式（３）において、n₁およびｎ₂は、それぞれ独立に０または１である。発光効率、溶解性の観点や合成の容易さからは、n₁およびｎ₂の少なくとも一方が、１であることが好ましい。n₁およびｎ₂が、１であることがより好ましい。

式（３）で示される繰り返し単位の合計は全繰り返し単位の０．１モル％以上１００モル％以下が好ましい。

また、発光波長を変える観点からは、前記式（３）で示される繰り返し単位からなる高分子化合物であって、ｎ₁およびｎ₂がともに０である高分子化合物が好ましい。

本発明の高分子化合物の中では、発光効率を高める観点、発光波長を変える観点から、さらに下記式（３１）で示される繰り返し単位を含むものも好ましい。
−Ａｒ₄−（Ｚ）_t− （３１）
〔ここで、Ａｒ₄は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を示す。Ｚは、−ＣＲ₈＝ＣＲ₉−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₈およびＲ₉はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｔは、０または１を示す。〕

式（３１）で示される繰り返し単位として具体的には、上記式１から１１７、上記式ＡからＩ、Ｋ、上記式１１８〜１２２、および下記式１３３〜１４０に記載の構造のものが挙げられる。中でも、フェニレン基（例えば、上図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（上図の式４〜１３）、アントラセニレン基（上図の式１４〜１９）、ビフェニレン基（上図の式２０〜２５）、トリフェニレン基（上図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（上図の式２９〜３８）、ジベンゾフランージイル基（上図の式８５〜８７）、ジベンゾチオフェンージイル基（上図の式８８〜９０）、スチルベン−ジイル基（上図のＡ〜Ｄ）、ジスチルベン−ジイル基（上図のＥ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル基（上図の式Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）、２価の芳香族アミン基（上図の式１１８〜１１９、１２２）、アリーレンビニレン基（下図の式１３３〜１４０）などが好ましく、中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレンージイル基（上図の式３６〜３８）、ジベンゾフランージイル基（上図の式８５〜８７）、ジベンゾチオフェンージイル基（上図の式８８〜９０）、スチルベン−ジイル基（上図のＡ〜Ｄ）、ジスチルベン−ジイル基（上図のＥ，Ｆ）、ベンゾフルオレン−ジイル基（上図の式Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｋ）、２価の芳香族アミン基が特に好ましい。

ここにＲは前記と同じ意味を表す。

ここで、本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましく、Ｒのうちの１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。Ｒのうち、アルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよい。直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示される。

実質的に、式（３）および（３１）で示される繰り返し単位からなるものとして、具体的には、式（３）で示される繰り返し単位として、下記から選ばれる１種類以上と、

（ただし、ＲおよびＲ₇は、前記と同様の意味を表す。）

式（３１）で示される繰り返し単位として下記から選ばれる１種類以上との共重合体が例示される。

（ただし、Ｒは、前記と同様の意味を表す。）

式（３）及び（３１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物の中で、式（３）および式（３１）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の５０モル％以上であるものが発光効率の観点からより好ましい。かつ式（３）および式（３１）で示される繰り返し単位の合計に対して、式（３）で示される繰り返し単位が０．１モル％以上９０モル％以下であるものが発光効率の観点からより好ましい。

本発明の高分子化合物は、典型的には、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であり、２×１０³〜１０⁷であることが好ましい。

また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、また、例えば、ビニレン基を介してアリール基または複素環基と結合している構造であっても良い。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。

なお、本発明の高分子化合物は、蛍光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で上記、式（３）及び（３１）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよいが、実質的に式（1）で示される繰り返し単位からなるもの、実質的に式（３）および（３１）で示される繰り返し単位からなるものが好ましい。
繰り返し単位が、ビニレンや非共役部分で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらのビニレンや非共役部分が含まれていてもよい。上記非共役部分を含む結合構造としては、以下に示すもの、以下に示すものとビニレン基を組み合わせたもの、および以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒ’は炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。

本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高い高分子化合物を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。

本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、薄膜からの発光やりん光を利用するので本発明の高分子化合物としては、固体状態で蛍光またはりん光を有するものが好ましい。

本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
前記式（２）で示される繰り返し単位を含む本発明の高分子化合物は、例えば、下記式で示される化合物を原料の一つとして縮合重合することにより製造することができる。

（式中、Ｒ、ｊ、ｋおよびＡ₁は、式（２）と同じ。Ｄ₁およびＤ₂はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、シアノメチル基またはビニル基を示す。）
ここにアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。
ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｍｅ₂Ｘｈ^―、−ＣＨ₂Ｓ⁺Ｐｈ₂Ｘｈ^― （Ｘｈはハロゲン原子を示す。）
ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｐ⁺Ｐｈ₃Ｘｈ^― （Ｘｈはハロゲン原子を示す。）
ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ₂Ｐ（Ｏ）（ＯＲ'''）₂
（Ｒ'''はアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を示す。）
モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。

縮合重合の方法としては、例えば、主鎖にビニレン基を有する場合には、必要に応じてその他の単量体を用いて、例えば、〔１〕アルデヒド基を有する化合物とホスホニウム塩基を有する化合物とのＷｉｔｔｉｇ反応による重合、〔２〕アルデヒド基とホスホニウム塩基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、〔３〕ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合〔４〕ビニル基とハロゲン原子とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合、〔５〕アルデヒド基を有する化合物とアルキルホスホネート基を有する化合物とのＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合〔６〕アルデヒド基とアルキルホスホネート基とを有する化合物のＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、〔７〕ハロゲン化メチル基を２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、〔８〕スルホニウム塩基を２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、〔９〕アルデヒド基を有する化合物とアセトニトリル基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合〔１０〕アルデヒド基とアセトニトリル基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、〔１１〕アルデヒド基を２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。

また、本発明の高分子化合物の製造方法として、例えば、〔１２〕Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、〔１３〕Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、〔１４〕Ｎｉ（０）触媒により重合する方法、〔１５〕ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは〔１６〕適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。

Ｎｉ（０）触媒を用いた反応としては、ゼロ価ニッケル錯体｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝の存在下、重合する方法が例示される。
ゼロ価ニッケル錯体としては、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケルなどが例示され、中でも、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）が、汎用性で安価という観点で好ましい。
また、中性配位子を添加することが、収率向上の観点から好ましい。
ここに、中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ‘−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子；トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン等の第三ホスフィン配位子などが例示され、汎用性、安価の点で含窒素配位子が好ましく、２，２’−ビピリジルが高反応性、高収率の点で特に好ましい。 特に、重合体の収率向上の点から、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を含む系に中性配位子として２，２’−ビピリジルを加えた系が好ましい。
重合溶媒としては、重合を阻害しないものであれば特に限定されないが、例えば、アミド系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒などが挙げられる。
ここに、アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒としては、芳香族炭化水素化合物からなる溶媒であり、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ブチルベンゼン、ナフタリン、テトラリン等が挙げられ、トルエン、キシレン、テトラリン、テトラメチルベンゼンなどが好ましい。
また、エーテル系溶媒としては、酸素原子で炭化水素基が結合した化合物からなる溶媒であり、例えば、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等が挙げられ、高分子化合物に対する良溶媒である、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどが好ましい。
また、重合性、溶解性を改良する観点から、これら溶媒を混合して用いてもよい。

重合反応は、通常アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下、行われる。
重合時間は、通常０．５〜１００時間程度であるが、製造コストの点から、３０時間以内が好ましい。
重合温度は、通常０〜２００℃程度であるが、高収率、低加熱費の点から、０〜１００℃が好ましい。

Ｐｄ触媒の存在下反応させる例としては、例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応が挙げられる。
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に用いられるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］錯体、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)パラジウム錯体などが例示される。
リン配位子としては、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンなどが例示される。
例えば、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］を用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩をモノマーに対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。溶媒としては、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。
これらのうち、 Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。さらに、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が原料の入手しやすさと重合反応操作の簡便さからより好ましい。

本発明の高分子化合物を製造終了後、必要に応じ、酸洗浄、アルカリ洗浄、中和、水洗浄、有機溶媒洗浄、再沈殿、遠心分離、抽出、カラムクロマトグラフィーなどの慣用の分離操作、精製操作、乾燥その他の操作に供してもよい。

本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、本発明の製造方法においては、上記分離操作、精製操作を十分行い、未反応モノマー、副生成物、触媒残渣などを十分除いておくことが好ましい。
乾燥の際には、残存する溶媒が十分に除去される条件であればよい。高分子化合物の変質を防止するために、不活性な雰囲気で遮光して乾燥することが好ましい。また、高分子化合物が熱的に変質しない温度で乾燥することが好ましい。

本発明の高分子化合物は、発光材料として用いることができる。さらに、電荷輸送性材料、有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

本発明の高分子化合物を少なくとも１種類と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料とを含有させることにより、組成物を調製することができる。なお、以下の説明において、「高分子化合物」とは、組成物を含む概念である。

本発明の高分子化合物は、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の薄膜の製造にも有用である。これらの薄膜は、通常、１ｎｍ〜１μｍ、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有する膜である。また、この有機半導体薄膜を用いることにより、該有機半導体薄膜を有する有機トランジスタを製造することが可能である。

次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、発光層を有し、該発光層が本発明の発光材料を含むことを特徴とする。

また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。

本発明の高分子ＬＥＤには少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子ＬＥＤ；少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤも含まれる。

例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p）の構造が挙げられる。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
u）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
v）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
w）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
x）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
y）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
z）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ab）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

本発明の高分子ＬＥＤにおける発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に上記高分子化合物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高分子化合物以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子化合物を含む発光層と積層されていてもよい。
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体、２−フェニルピリジンもしくはその誘導体の金属錯体、アセチルアセトンもしくはその誘導体の金属錯体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

高分子ＬＥＤ作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

インク組成物（例えば、印刷法等では溶液として用いられる）としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよい。
該インク組成物は、本発明の高分子化合物以外に、通常は溶媒を含み、また正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、粘度および/または表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた該インク組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中の溶媒の割合は、該インク組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、さらに好ましく９０ｗｔ％〜９９．８ｗｔ％である。
該インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、２５℃において０．５〜５００mＰa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法などインク組成物が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において０．５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。

インク組成物に用いる溶媒としては、本発明の高分子化合物を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。

溶媒の種類としては、本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。

本発明のインク組成物が含むことができる添加剤のなかで、正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体があげられる。
電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体があげられる。
発光材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などがあげられる。
安定剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などがあげられる。
粘度および/または表面張力を調節するための添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すれば良い。

前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良い。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、あるいは本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すれば良い。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。

酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良く、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。酸化防止剤を用いることにより、本発明の高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。

本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、高分子化合物の溶解度パラメータとの差が１０以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。

溶媒の溶解度パラメーターと本発明の高分子化合物の溶解度パラメーターは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、１９７６年）」に記載の方法で求めることができる。

インク組成物に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。

発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

本発明において、陽極および陰極からなる電極の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

また、陽極および陰極からなる電極間に、電荷輸送層と発光層とを有し、該電荷輸送層が本発明の高分子化合物を含む高分子ＬＥＤも可能である。

本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライトとして用いることができる。

本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、数平均分子量、重量平均分子量については、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量、重量平均分子量を求めた。

合成例１ <単量体（２）の合成>
単量体（２）

（化合物Ｄの合成）

化合物Ｄ
不活性雰囲気下、３００ｍｌ三つ口フラスコに１‐ナフタレンボロン酸５．００ｇ（２９ｍｍｏｌ）、２−ブロモベンズアルデヒド６．４６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０.０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、トルエン３６ｍｌ、イオン交換水３６ｍｌを入れ、室温で撹拌しつつ２０分間アルゴンバブリングした。続いてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６．８ｍｇ（０.１５ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で撹拌しつつ１０分間アルゴンバブリングした。１００℃に昇温し、２５時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。トルエン：シクロヘキサン＝１：２混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで生成することにより、化合物Ｄ５.１８ｇ（収率８６％）を白色結晶として得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ₃）：
δ７．３９〜７．６２（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｍ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ）、８．１２（ｄｄ、２Ｈ）、９．６３（ｓ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）⁺ ２３３

（化合物Ｅの合成）

化合物Ｅ
不活性雰囲気下で３００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｄ ８．００ｇ（３４.４ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ４６ｍｌを入れ、−７８℃まで冷却した。続いてｎ−オクチルマグネシウムブロミド（１.０ｍｏｌ／ｌＴＨＦ溶液）５２ｍｌを３０分かけて滴下した。滴下終了後０℃まで昇温し、１時間撹拌後、室温まで昇温して４５分間撹拌した。氷浴して１Ｎ塩酸２０ｍｌを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後トルエン：ヘキサン＝１０：１混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｅ７．６４ｇ（収率６４％）を淡黄色のオイルとして得た。ＨＰＬＣ測定では２本のピークが見られたが、ＬＣ−ＭＳ測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。

（化合物Ｆの合成）

化合物Ｆ
不活性雰囲気下、５００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｅ（異性体の混合物）５.００ｇ（１４.４ｍｍｏｌ）と脱水ジクロロメタン７４ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後室温で４時間撹拌した。撹拌しながらエタノール１２５ｍｌをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出、２回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｆ３．２２ｇ（収率６８％）を無色のオイルとして得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ₃）：
δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．０３〜１．２６（ｍ、１４Ｈ）、２．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０５（ｔ、１Ｈ）、７．３５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．５９〜７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３５（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）⁺ ３２９

（化合物Ｇの合成）

化合物Ｇ
不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコにイオン交換水２０ｍｌをいれ、撹拌しながら水酸化ナトリウム１８．９ｇ（０.４７ｍｏｌ）を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、トルエン２０ｍｌ、化合物Ｆ５.１７ｇ（１５.７ｍｍｏｌ）、臭化トリブチルアンモニウム１．５２ｇ（４.７２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃に昇温した。臭化ｎ−オクチルを滴下し、滴下終了後５０℃で９時間反応させた。反応終了後トルエンで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｇ５．１３ｇ（収率７４％）を黄色のオイルとして得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ₃）：
δ０．５２（ｍ、２Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２０（ｍ、２２Ｈ）、２．０５（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｄ、１Ｈ）、７．４０〜７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．６３（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３１（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）⁺ ４４１

（化合物Ｈの合成）

化合物Ｈ
空気雰囲気下、５０ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｇ４．００ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）と酢酸：ジクロロメタン＝１：１混合溶媒５７ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム７．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完溶するまで加えた。室温で２０時間撹拌後、５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０ｍｌを加えて反応を停止し、クロロホルムで有機層を抽出、炭酸カリウム水溶液で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで２回精製した後、エタノール：ヘキサン＝１：１、続いて１０：１混合溶媒で再結晶することにより、化合物Ｈ４．１３ｇ（収率７６％）を白色結晶として得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ₃）：
δ０．６０（ｍ、２Ｈ）、０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．３８（ｍ、２２Ｈ）、２．０９（ｔ、４Ｈ）、７．６２〜７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．８９（ｓ、１Ｈ）、８．２０（ｄ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）⁺ ５９８
ここで得られた化合物Ｈを単量体（２）とする。

実施例１
＜高分子化合物１の合成＞
単量体（１）

単量体（１）０．０７ｇと単量体（２）０．８１ｇと２，２‘−ビピリジル０．６３ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）５０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ni(COD)₂｝１．1ｇを加え、室温で約１０分間攪拌した後、昇温し、６０℃で３時間反応した。なお、反応は窒素雰囲気中で行った。
この反応液を冷却した後、エタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液を加え、約１時間攪拌した。この溶液を室温で一夜静置した後、生成した沈殿をろ過することにより、回収した。次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液をろ過することにより、不溶物を除去した。次に、このトルエン溶液を、１規定の塩酸で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、イオン交換水で洗浄した後、静置、分液して、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、これを減圧乾燥して、重合体０．１３ｇを得た。得られた重合体を高分子化合物１と呼ぶ。

該高分子化合物１のポリスチレン換算の数平均分子量は、６．５×１０⁴であり、重量平均分子量は３．３×１０⁵であった。仕込みから推定される高分子化合物１に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例２
＜高分子化合物２の合成＞
単量体（１）０．０７ｇとＮ，Ｎ’−（４−ｔｅｒｔ．ブチルー２，６−ジメチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’―（４−ブロモフェニル）−１，４−フェニレンジアミン１．０ｇと２，２‘−ビピリジル０．６３ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）５０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ni(COD)₂｝１．１ｇを加え、室温で約１０分間攪拌した後、昇温して、６０℃で３時間反応した。なお、反応は窒素雰囲気中で行った。
この反応液を冷却した後、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液を加え、約１時間攪拌した。この溶液を室温で一夜静置した後、生成した沈殿をろ過することにより、回収した。次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液をろ過することにより、不溶物を除去した。次に、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通過させることにより精製した。次に、このトルエン溶液を、１規定の塩酸で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、イオン交換水で洗浄した後、静置、分液して、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、これを減圧乾燥して、重合体０．１４ｇを得た。得られた重合体を高分子化合物２と呼ぶ。

該高分子化合物２のポリスチレン換算の数平均分子量は、４．８×１０³であり、重量平均分子量は５．８×１０³であった。仕込みから推定される高分子化合物２に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例３
＜高分子化合物３の合成＞
単量体（１）０．０３５ｇと単量体（２）０．９０ｇと２，２‘−ビピリジル０．６３ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）６０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ni(COD)₂｝１．1ｇを加え、室温で約１０分間攪拌した後、昇温し、６０℃で３時間反応した。なお、反応は窒素雰囲気中で行った。
この反応液を冷却した後、メタノール５０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液を加え、約１時間攪拌した。この溶液を室温で一夜静置した後、生成した沈殿をろ過することにより、回収した。次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液をろ過することにより、不溶物を除去した。次に、このトルエン溶液を、１規定の塩酸で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、イオン交換水で洗浄した後、静置、分液して、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、これを減圧乾燥して、重合体０．３ｇを得た。得られた重合体を高分子化合物３と呼ぶ。

該高分子化合物３のポリスチレン換算の数平均分子量は、８．９×１０⁴であり、重量平均分子量は４．９×１０⁵であった。仕込みから推定される高分子化合物３に含まれる
繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例４
＜高分子化合物４の合成＞
単量体（１）０．０７ｇと２，７−ジブロモー９，９−ジオクチルフルオレン０．５９ｇとブロモー９，９−ジイソペンチルフルオレン０．１２５ｇと２，２’― ビピリジル０．６３ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）６０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を１．１ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液を冷却した後、この溶液に、メタノール５０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶媒をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿をろ過により、回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥した。次に、この沈殿をトルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、１規定塩酸で洗浄した。静置、分液した後、次に、このトルエン溶液を、約３％のアンモニア水で洗浄した。静置、分液した後、次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄した。静置、分液して、精製したトルエン溶液を得た。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈精製した。得られた沈殿を減圧乾燥して、重合体０．１８ｇを得た。この重合体を、高分子化合物４と呼ぶ。
この高分子化合物４のポリスチレン換算数平均分子量は、９．８ｘ１０⁴であり、重量平均分子量は、５．７ｘ１０⁵であった。

仕込みから推定される高分子化合物４に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例５
＜吸収スペクトル、蛍光スペクトルの測定＞
高分子化合物１から４は、クロロホルムに溶解させることができた。その０．２％クロロホルム溶液を用いて、石英板上にスピンコートして高分子化合物の薄膜を作成した。この薄膜の蛍光スペクトルをＪＡＳＣＯ ＦＰ−６５００ ｓｐｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｏｍｅｔｅｒで測定した。高分子化合物１〜４の蛍光ピーク波長を表１に示した。

実施例６
＜素子の作成および評価＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上２００℃で１０分間乾燥した。次に、高分子化合物４の１．５ｗｔ％トルエン溶液を用いてスピンコートにより１２０ｎｍの厚みで成膜した。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着した後、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いで、アルミニウムを約７０ｎｍ蒸着して、高分子ＬＥＤを作製した。なお、真空度が１ｘ１０^-4Ｐａ以下に到達した後に、金属の蒸着を開始した。
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から、５００ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。１００ｃｄ／ｍ²におけるＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値は、ｘ＝０．２３、ｙ＝０．４９であり、発光色は青緑色であった。なお、ＥＬ発光の強度は、電流密度にほぼ比例していた。また、該素子は、９．１Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は、０．２６ｃｄ／Ａであった。

合成例２ <単量体（３）の合成>
単量体（３）

４−ブロムフェノールに、アルカリ存在下、１，５−ジヨードペンタンを反応させて、１−（１−ヨードペンチルオキシ）−４−ブロムベンゼン｛化合物（Ａ）｝を得た。
化合物（Ａ）

化合物（Ａ）９．０ｇとキナクリドン１．２５ｇとベンジルトリエチルアンモニウムクロライド０．９１ｇとを１，２−ジクロロベンゼン７０ｇに溶解した。この溶液に、４０％水酸化ナトリウム水溶液６０ｇを加え、激しく攪拌、１１０℃で、２５時間反応した。
なお、反応は、窒素雰囲気中でおこなった。
反応後、この反応溶液を冷却した。静置したところ、分液したので、１，２−ジクロロベンゼン溶液を、分液により回収した。この１，２−ジクロロベンゼン溶液にトルエンを加えた後、この溶液を、水洗した。水洗後、分液により油層を回収し、静置したところ、沈殿が生成した。次に、この溶液をろ過して、生成した沈殿を回収した。
次に、この沈殿を、エタノールで洗浄し、減圧乾燥した後、クロロホルムに溶解した。この溶液を、ろ過して、不溶物を除去した後、アルミナを充填したカラムを用いて、精製した。
得られた溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。次に、生成した沈殿を、ろ過操作により回収した。この沈殿を、減圧乾燥して、単量体（３）を１００ｍｇ得た。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ₃）：
δ１．７６〜２．１５（１２Ｈ）、４．０１（４Ｈ）、４．５６（４Ｈ）、６．７７〜６．８２（４Ｈ）、７．２５〜７．７９（１０Ｈ）、８．５６〜８．７７（４Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）⁺ ７９５

実施例７ ＜高分子化合物（５）の合成＞
単量体（３）１５ｍｇと単量体（２）７２０ｍｇと２，２’−ビピリジル０．５３ｇとをテトラヒドロフラン（脱水）５０ｇに溶解した後、窒素ガスでバブリングして、系内を窒素ガス置換した。この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ni(COD)₂｝０．９４ｇを加え、室温で約１０分間攪拌した後、昇温し、６０℃で３時間反応した。なお、反応は窒素雰囲気中で行った。
この反応液を冷却した後、メタノール４０ｍｌ／イオン交換水４０ｍｌ混合溶液を加え、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿をろ過することにより、回収した。次に、この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液をろ過することにより、不溶物を除去した。次に、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通過させることにより精製した。次に、このトルエン溶液を、１規定の塩酸で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄した後、静置、分液してトルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、イオン交換水で洗浄した後、静置、分液して、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をメタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。生成した沈殿を回収し、エタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．１６ｇを得た。得られた重合体を高分子化合物（５）と呼ぶ。

該高分子化合物（５）のポリスチレン換算の数平均分子量は、５．２×１０⁴であり、重量平均分子量は２．３×１０⁵であった。仕込みから推定される高分子化合物（５）に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

比較例１
＜高分子化合物（６）の合成＞
単量体（３）を除いた他は、実施例７と同様にして、重合体を得た。得られた重合体を高分子化合物（６）と呼ぶ。

該高分子化合物（６）のポリスチレン換算の数平均分子量は、８．２×１０⁴であり、重量平均分子量は２．５×１０⁵であった。仕込みから推定される高分子化合物（６）に含まれる繰り返し単位の構造を下記に示す。

実施例８
＜吸収スペクトル、蛍光スペクトルの測定＞
高分子化合物（５）、（６）は、トルエンに容易に溶解させることができた。その０．８％トルエン溶液を石英板上にスピンコートして重合体の薄膜を作成した。この薄膜の蛍光スペクトルをＪＡＳＣＯ ＦＰ−６５００ ｓｐｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｏｍｅｔｅｒで測定した。
高分子化合物（５）の蛍光ピーク波長は、５２４ｎｍであり、高分子化合物（６）の蛍光ピーク波長は、４５０ｎｍであった。

実施例９
＜素子の作成および評価＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上２００℃で１０分間乾燥した。次に、高分子化合物（５）の１．５ｗｔ％トルエン溶液を用いてスピンコートにより７５ｎｍの厚みで成膜した。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着した後、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いで、アルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、高分子ＬＥＤを作製した。なお、真空度が１ｘ１０^-4Ｐａ以下に到達した後に、金属の蒸着を開始した。
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から、５２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。１００ｃｄ／ｍ²におけるＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値は、ｘ＝０．３５、ｙ＝０．５９であり、発光色は緑色であった。なお、ＥＬ発光の強度は、電流密度にほぼ比例していた。また、該素子は、５．６Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は、０．９１ｃｄ／Ａであった。

比較例２
＜素子の作成および評価＞
高分子化合物（５）の代わりに、高分子化合物（６）を用いた他は、実施例９と同様にしてＥＬ素子を作成した。
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から、４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。１００ｃｄ／ｍ²におけるＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値は、ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１６であり、発光色は青色であった。なお、ＥＬ発光の強度は、電流密度にほぼ比例していた。また、該素子は、３．６Ｖから発光開始が見られ、最大発光効率は、０．４ｃｄ／Ａであった。

Claims (25)

1. 下記式（Ａ）で示される繰り返し単位を１種類以上有する高分子化合物であって、さらに下記式（Ｂ）で示される構造を含むことを特徴とする高分子化合物。
   
   −Ａｒ− （Ａ）
   
   ［式中、Ａｒは、アリーレン基、２価の複素環基、２価の芳香族アミン基若しくは金属錯体構造を有する２価の基を表す。］
   

   

   （Ｂ）
   （式中、Ａ環及びＢ環はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香環を表す。Ｘ₁は−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ₁）−、−Ｃ（Ｒ₁）（Ｒ₂）−、−Ｃ（Ｒ₂）（Ｒ₂）−、−Ｂ（Ｒ₁）−、−Ｎ（Ｒ₁）−、−Ｓｉ（Ｒ₁）（Ｒ₁）−を表す。Ｒ^*は水素原子または１価もしくは２価の基を表し、Ｒ₁は水素原子または１価の基を表し、Ｒ₂はヘテロ原子を有する１価の基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂が複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい）
2. 請求項１記載の高分子化合物であって、前記式（Ｂ）で示される構造からなる高分子化合物の発光波長が前記式（Ａ）で示される構造からなる高分子化合物の発光波長よりも３０ｎｍ以上長波長であることを特徴とする高分子化合物。
3. 下記式（１）で示される構造を有することを特徴とする請求項１又は２記載の高分子化合物。
   

   

   （１）
   〔式中、Ａ₁は、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基、１価の複素環基または２価の基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。Ｚ^*は、独立に、直接結合またはＲを表す。ＪおよびＫは、それぞれ独立に０から３の整数を示す。Ｊ１およびＫ１は、それぞれ独立に０または１を示す。Ｒが複数存在する場合、それらは同一であってもよいし、異なっていてもよい。〕
4. 下記式（２）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項３記載の高分子化合物。
   

   

   （２）
   〔Ｚは、−ＣＲ₃＝ＣＲ₄−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₃およびＲ₄はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｊおよびｋはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。ｍは、０または１を示す。Ａ₁およびＲは、前記と同じである。〕
5. さらに下記式（３０）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項４記載の高分子化合物。
   − Ａｒ₁−（Ｚ’）ｐ− （３０）
   〔ここで、Ａｒ₁は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を示す。Ｚ’は、−ＣＲ₅＝ＣＲ₆−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₅およびＲ₆はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｐは、０または１を示す。〕
6. 前記式（２）で示される繰り返し単位からなる高分子化合物であって、ｍが０であることを特徴とする高分子化合物。
7. 下記式（３）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項３記載の高分子化合物。
   

   

   （３）
   〔式中、Ａ₂は、それぞれ独立に、下式（４）
   ＊−（Ａｒ₁）ｊ₁―（Ｘ）ｋ₁−（Ａｒ₂）ｐ₁−（Ｙ）ｑ₁− （４）
   （式中、Ａｒ₁およびＡｒ₂はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を表し、Ｘは、―Ｒ₇−、−Ｏ―Ｒ₇−、−Ｒ₇−Ｏ−、−Ｒ₇−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｒ₇−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｒ₇−Ｎ（Ｒ₂₀）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（Ｏ）−を表し、Ｙは、−Ｃ（Ｒ₂₀）＝Ｃ（Ｒ₂₀）−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｊ₁、ｋ₁、ｐ₁およびｑ₁は、それぞれ独立に０または１であり、Ｒ₇は、アルキレン基を表し、Ｒ₂₀は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を表し、＊はＮと結合する部位を表す。）
   で示される基を示し、ｎ₁およびｎ₂は、それぞれ独立に０または１を表し、Ｒは、前記と同じである。複数のＲは同一であってもよいし、異なっていてもよい。〕
8. さらに下記式（３１）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項７記載の高分子化合物。
   −Ａｒ₄−（Ｚ''）_t− （３１）
   〔ここで、Ａｒ₄は、アリーレン基、２価の複素環基または２価の芳香族アミン基を示す。Ｚ''は、−ＣＲ₈＝ＣＲ₉−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。Ｒ₈およびＲ₉はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。ｔは、０または１を示す。〕
9. 前記式（３）で示される繰り返し単位からなる高分子化合物であって、ｎ₁およびｎ₂がともに０であることを特徴とする高分子化合物。
10. ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物。
11. 正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物の少なくとも１種類とを含有することを特徴とする組成物。
12. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物もしくは請求項１１記載の組成物を含有することを特徴とするインク組成物。
13. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物もしくは請求項１１記載の組成物を含有することを特徴とする薄膜。
14. 請求項１〜１０のいずれか一項の記載の高分子化合物もしくは請求項１１記載の組成物を含有する導電性薄膜。
15. 請求項１〜１０のいずれか一項の記載の高分子化合物もしくは請求項１１記載の組成物を含有する有機半導体薄膜。
16. 請求項１５に記載の有機半導体薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
17. 陽極及び陰極からなる電極間に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１１に記載の組成物を含む有機層を有することを特徴とする高分子発光素子。
18. 前記有機層が発光層である請求項１７記載の高分子発光素子。
19. 前記発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料又は発光材料を含む請求項１８記載の高分子発光素子。
20. 陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層が請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１１に記載の組成物を含む請求項１７記載の高分子発光素子。
21. 陽極及び陰極からなる電極間に、発光層と電荷輸送層とを有し、該電荷輸送層と電極との間に電荷注入層を有し、該電荷注入層が請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子化合物又は請求項１１に記載の組生物を含む請求項１７記載の高分子発光素子。
22. 請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
23. 請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
24. 請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
25. 請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。