JP2001181619A - エレクトロルミネセント装置 - Google Patents

エレクトロルミネセント装置

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JP2001181619A
JP2001181619A JP2000320865A JP2000320865A JP2001181619A JP 2001181619 A JP2001181619 A JP 2001181619A JP 2000320865 A JP2000320865 A JP 2000320865A JP 2000320865 A JP2000320865 A JP 2000320865A JP 2001181619 A JP2001181619 A JP 2001181619A
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hexyl
butyl
hexyloxy
polymer
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Jianmin Shi
シ ジャミン
Shiying Zheng
チェン シイン
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Eastman Kodak Co
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 EL装置に有用なエネルギーバンドギャップ
の大きな発光性ポリマー材料を提供すること。 【解決手段】 アノード、カソード及び前記アノードと
カソードとの間に配置されたポリマー発光材料を含んで
なり、前記ポリマー発光材料が一般式Iで表される9,
10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン系ポリマーを
含むことを特徴とするエレクトロルミネセント装置。 (式中、R1 、R2 、R3 、R4 はアルキル基、アルコ
キシ基、置換または非置換のアリール基、置換または非
置換のヘテロアリール基、F、Cl、Br、シアノもし
くはニトロ基を表し、Xは結合基、Yは一種以上のコモ
ノマー単位であって、アルキル基、アルケニル基、アリ
ール基、ヘテロアリール基または共役基を表す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はエレクトロルミネセ
ント(EL)装置に関し、より詳細には、ポリマー系E
L装置の発光材料としてナフチルアントラセン系ポリマ
ーを使用することに関する。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネセント装置は、電流の
通過に応じて発光する光電子装置である。ELの物理モ
デルは電子と正孔の放射再結合である。発光ダイオード
(LED)という用語は、電流−電圧挙動が非線形であ
るEL装置を記述するものとして一般に使用されてい
る。すなわち、当該EL装置を通る電流はEL装置に印
加された電圧の極性に依存することを意味する。LED
の製造には有機材料も無機材料も用いられている。Zn
S/Sn、Ga/Bs、Ga/Asのような無機材料が
半導体レーザー、小面積ディスプレイ、LEDランプ、
等に用いられている。しかしながら、無機材料には、加
工がしにくく、しかも大面積及び高効率青光が得られに
くいという欠点がある。
【0003】EL装置の発光材料として用いられる有機
ポリマーには、製造が簡易化される、動作電圧が低い、
大面積のフルカラーディスプレイが得られる、等、無機
材料に優る利点がいくつかある。1990年、Burroughesら
は、ポリ(フェニルビニレン)(PPV)のような共役
ポリマーをEL材料として最初に導入した(Burroughe
s, J.H. Nature 1990, 347, 539-41)。その後の相当な
進歩により、高分子LEDの安定性、効率及び耐久性は
改良されている(Sheats, J.R. et al. Science1996, 2
73, 884-888; Berggren, M. et al. Nature 1994, 372,
444-6; Holmes,A. B. et al. WO94/29883 (1994);及び
Spreitzer et al., Adv. Mater. 1998,10(16), 134
0)。フルカラーELディスプレイ用途には安定で青発
光効率及び輝度の高い材料が望まれるので、エネルギー
バンドギャップが大きくて青光を発するポリマーが重要
な材料となる。このような基本材料があれば、他の色
は、ダウンヒル型エネルギー伝達過程(downhill energy
transfer process)によって得ることが可能である。例
えば、青色ELホスト材料に少量の緑色発光性材料又は
赤色発光性材料をドーピングすることにより、緑色又は
赤色のEL発光を得ることができる。
【0004】青色発光を得るために共役ポリマーの主鎖
に非共役スペーサー基を組み込む方法は、共役を破壊し
てエネルギーバンドギャップを大きくする上で有効な方
法である。これらのスペーサー基は、通常、共役の延長
を防止すると共に、当該ポリマーの溶解度及びフィルム
形成特性に寄与する。この方法で、青色発光性PPV(A
guiar, M et al. Macromolecules 1995, 28, 4598-60
2)、ポリチオフェン(Andersson, M.R. et al. Macromol
ecules 1995, 28, 7525-9)及びPPP(Hilberer,A et a
l. Macromolecules 1995, 28, 4525-9)が調製されてい
る。しかしながら、このようなスペーサー基は電荷担体
の注入及び移動に対する障壁として作用し得るため、し
きい値電圧及び動作電圧が高くなる。したがって、フル
カラーディスプレイ用の駆動電圧の低い加工可能な新規
の青色発光性ポリマーの開発が望まれている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ポリ
マーEL装置に有用なエネルギーバンドギャップが大き
い発光性ポリマー材料を提供することにある。本発明の
別の目的は、青色光を発するエネルギーバンドギャップ
が大きい発光性ポリマーを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、アノー
ド、カソード及び当該アノードと当該カソードとの間に
配置されたポリマー発光材料を含んでなり、当該ポリマ
ー発光材料が下式(I)で表される9,10−ジ−(2
−ナフチル)アントラセン系ポリマーを含むことを特徴
とするエレクトロルミネセント装置において達成され
る。
【0007】
【化42】
【0008】上式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は、各
々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキルもしく
はアルコキシ、炭素原子数6〜28のアリールもしくは
置換アリール、炭素原子数4〜40のヘテロアリールも
しくは置換ヘテロアリール、F、Cl、Br、シアノ基
又はニトロ基を表し、Xは結合基を表し、そしてYは、
一種以上のコモノマー単位であって置換もしくは無置換
のアルキル、アルケニル、アリールもしくはヘテロアリ
ール又は共役基であるものを含む。
【0009】本発明は、溶解度が良好で、熱安定性も高
いといったいくつかの利点を有する高分子発光材料を提
供する。エネルギーバンドギャップの大きな基本発色団
である9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセンを
利用し、そのポリマー鎖にエネルギーバンドギャップの
小さい発色団を導入することにより、他の色を発する発
光性コポリマーを設計し製造することが容易にできる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、式(I)に示したよう
な、溶解度が良好で熱安定性も高い9,10−ジ−(2
−ナフチル)アントラセンを含有する発光性ポリマーを
提供する。発色団の9,10−ジ−(2−ナフチル)ア
ントラセンは、譲受人共通の米国特許第5,935,7
21号(Shi ら)に記載されているように、高効率で安
定なEL装置の製造に特に有用であることが示されてい
る。さらに、9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラ
セン発色団は大きなエネルギーバンドギャップを有す
る。エネルギーバンドギャップとは、最高被占軌道(H
OMO)と最低空軌道(LUMO)との間のエネルギー
準位差をいう。第二のコモノマー単位Yを組み込むこと
により、(1)ポリマーの溶解度をさらに高めること、
(2)電子又は正孔の輸送能力を向上させること、及び
(3)ポリマーの発光色を調節すること、をはじめとす
るいくつかの目的を達成することができる。したがっ
て、第二のコモノマー単位Yは、溶解度、電子もしくは
正孔を輸送する移動性、又はエネルギーバンドギャップ
の小さい発光部位を改良する基であることができる。緑
色又は赤色の発光性ポリマーは分子内エネルギーダウン
ヒル伝達を介して得ることができる。
【0011】式(I)に示したポリマーは9,10−ジ
−(2−ナフチル)アントラセンを含むポリマーであっ
て、R1 、R2 、R3 及びR4 は、各々独立に、水素、
炭素原子数1〜24のアルキルもしくはアルコキシ、炭
素原子数6〜28のアリールもしくは置換アリール、炭
素原子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロ
アリール、F、Cl、Br、シアノ基又はニトロ基を表
す。例えば、R1 、R 2 、R3 及びR4 は、水素、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、エチルヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、
ヘキサデシル、シクロヘキシル、シクロペンチル、メト
キシ、エトキシ、ブトキシ、ヘキシルオキシ、エチルヘ
キシルオキシ、メトキシエトキシエチル、メトキシエチ
ルオキシエトキシエチル、フェニル、トリル、ナフチ
ル、キシレン、アントラセン、フェナントレン、フェニ
ルメチレンフェニル、ベンジル、フェノキシ、ピリジル
又はチオフェニルを表すことができる。R1 、R2 、R
3 及びR4 は水素、t−ブチル、フェニル、2−エチル
ヘキシルオキシ又は4−メトキシフェニルであることが
好ましい。Xは結合基を表し、以下のグループを含む
が、これらに限定はされない。 第1グループ:炭素−炭素結合による結合基
【0012】
【化43】
【0013】上式中、Rは水素、炭素原子数1〜24の
アルキル、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換
アリール、炭素原子数4〜40のヘテロアリールもしく
は置換ヘテロアリール、F、Cl、Br又はシアノ基を
表す。 第2グループ:エーテル又はチオエーテルによる結合基
【0014】
【化44】
【0015】第3グループ:エステルによる結合基
【0016】
【化45】
【0017】第4グループ:無水物による結合基
【0018】
【化46】
【0019】第5グループ:カーボネートによる結合基
【0020】
【化47】
【0021】第6グループ:スルホン又はスルフィンに
よる結合基
【0022】
【化48】
【0023】第7グループ:アミンによる結合基
【0024】
【化49】
【0025】上式中、Rは水素、炭素原子数1〜24の
アルキル、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換
アリール又は炭素原子数4〜40のヘテロアリールもし
くは置換ヘテロアリールを表す。 第8グループ:アミドによる結合基
【0026】
【化50】
【0027】上式中、Rは水素、炭素原子数1〜24の
アルキル、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換
アリール又は炭素原子数4〜40のヘテロアリールもし
くは置換ヘテロアリールを表す。 第9グループ:ウレアによる結合基
【0028】
【化51】
【0029】上式中、Rは水素、炭素原子数1〜24の
アルキル、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換
アリール又は炭素原子数4〜40のヘテロアリールもし
くは置換ヘテロアリールを表す。 第10グループ:アリールによる結合基
【0030】
【化52】
【0031】上式中、Arは炭素原子数6〜28のアリ
ールもしくは置換アリール又は炭素原子数4〜40のヘ
テロアリールもしくは置換ヘテロアリールを表し、nは
1〜6の整数を表す。
【0032】Yは、一種以上の第二のコモノマー単位で
あって、置換もしくは無置換のアルキル、アルケニル、
アリールもしくはヘテロアリール又は他の共役基を表
す。二以上の基が含まれる場合、それらの基は異なって
いてもよい。アルキル基には1〜28個の炭素原子が含
まれる。置換又は無置換アリール基には6〜28個の炭
素原子が含まれ、例えば、フェニル基、ビフェニル基、
ナフチル基、アントラセン基、フルオレン基、フェナン
トレン基、スピロフェニル基、ペリレン基又はピレン基
が含まれる。置換又は無置換ヘテロアリール基には4〜
40個の炭素原子が含まれ、例えば、ピリジン、チオフ
ェン、ピロール、ビチオフェン、フラン、ベンゾフラ
ン、ベンズイミダゾール、ベンゾオキサゾール、キノキ
サリン、フェニルキノリン、ジフェニルオキサジアゾー
ル又はカルバゾールが含まれる。
【0033】上記の置換基のいずれにも、炭素原子数1
〜24のアルキルもしくはアルコキシ、炭素原子数6〜
28のアリールもしくは置換アリール、炭素原子数4〜
28のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリール、
F、Cl、Br、シアノ基又はニトロ基が含まれる。Y
は以下のグループに分けることができる。 第1グループ:式(II)のアルキル基 −R− (II) 上式中、Rは1〜24個の炭素原子を含み、さらにN、
S、F、Cl、Br又はSi原子を含むこともできる。
以下の分子構造式はアルキル基の具体例を構成する。
【0034】
【化53】 ポリマー1:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
H、m=6 ポリマー2:R1 =n−ヘキシル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、m=4 ポリマー3:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオ
キシ、m=6
【0035】
【化54】 ポリマー4:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
H、m=6 ポリマー5:R1 =n−ヘキシル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、m=4 ポリマー6:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオ
キシ、m=6 ポリマー7:R1 =R2 =n−ヘキシル、m=8 ポリマー8:R1 =R2 =H、m=12
【0036】
【化55】 ポリマー9:R1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオキ
シ、p=4、q=3 ポリマー10:R1 =n−ヘキシル、R2 =t−ブチ
ル、p=4、q=3 ポリマー11:R1 =n−ヘキシル、R2 =t−ブチ
ル、p=4、q=5
【0037】
【化56】 ポリマー12:R1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオ
キシ、X=O、p=6 ポリマー13:R1 =n−ヘキシル、R2 =2−エチル
ヘキシルオキシ、X=O、p=4 ポリマー14:R1 =2−エチルヘキシル、R2 =t−
ブチル、X=S、p=4 ポリマー15:R1 =n−ヘキシルオキシ、R2 =t−
ブチル、X=S、p=4
【0038】
【化57】 ポリマー16:R1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオ
キシ、p=6 ポリマー17:R1 =n−ヘキシル、R2 =2−エチル
ヘキシルオキシ、p=4 ポリマー18:R1 =2−エチルヘキシル、R2 =t−
ブチル、p=4 ポリマー19:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、p=4
【0039】
【化58】 ポリマー20:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、p=4、q=3 ポリマー21:R1 =t−ブチル、R2 =2−エチルヘ
キシル、p=4、q=5 ポリマー22:R1 =n−ヘキシル、R2 =2−エチル
ヘキシルオキシ、p=4、q=5
【0040】
【化59】 ポリマー23:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、m=8 ポリマー24:R1 =t−ブチル、R2 =2−エチルヘ
キシル、m=4 ポリマー25:R1 =n−ヘキシル、R2 =2−エチル
ヘキシルオキシ、m=2
【0041】
【化60】 ポリマー26:R1 =R2 =H、m=11 ポリマー27:R1 =t−ブチル、R2 =2−エチルヘ
キシル、m=7 ポリマー28:R1 =t−ブチル、R2 =H、m=11 ポリマー29:R1 =n−ヘキシル、R2 =2−エチル
ヘキシルオキシ、m=5 ポリマー30:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、m=11
【0042】第2グループ:式(III) の結合基Zで連結
された二つのアリール基
【0043】
【化61】
【0044】上式中、Ar1 及びAr2 は6〜28個の
炭素原子を含む置換又は無置換芳香族基を表し、そして
Zは、0〜12個の炭素原子を含み、さらにN、Si、
O、Cl、F、Br又はS原子を含むことができる、二
価の結合基を表す。下記の分子構造式は式(III) を含む
上記基の具体例を構成する。
【0045】
【化62】 ポリマー31:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H、p=6 ポリマー32:R1 =R3 =H、R2 =2−エチルヘキ
シルオキシ、p=12 ポリマー33:R1 =n−ヘキシル、R2 =R3 =H、
p=12 ポリマー34:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
キシル、p=6)
【0046】
【化63】 ポリマー35:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H、R4 =CH 3 、X=C ポリマー36:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H、R4 =CF 3 、X=C ポリマー37:R1 =t−ブチル、R2 =2−エチルヘ
キシルオキシ、R4 =CF3 、R3 =H、X=C ポリマー38:R1 =n−ヘキシル、R2 =n−ヘキシ
ルオキシ、R3 =H、R 4 =CF3 、X=C ポリマー39:R1 =t−ブチル、R2 =2−エチルヘ
キシルオキシ、R3 =H、R4 =CF3 、X=Si ポリマー40:R1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオ
キシ、R3 =H、R4 =CF3 、X=Si
【0047】
【化64】 ポリマー41:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H、R4 =CH 3 、X=C ポリマー42:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H、R4 =CF 3 、X=C ポリマー43:R1 =t−ブチル、R2 =2−エチルヘ
キシルオキシ、R3 =H、R4 =CF3 、X=Si ポリマー44:R1 =R2 =R3 =H、R4 =CH3
X=C ポリマー45:R1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオ
キシ、R3 =H、R4 =CF3 、X=Si
【0048】
【化65】 ポリマー46:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =R4 =CH 3 ポリマー47:R1 =R2 =H、R3 =R4 =CH3 ポリマー48:R1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオ
キシ、R3 =n−ブチル、R4 =CH3
【0049】
【化66】 ポリマー49:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =CH3 、R 4 =H、X=C ポリマー50:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =CH3 、R4 =H、X=C ポリマー51:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =n−ブチル、R4 =H、X=Si ポリマー52:R1 =R2 =R4 =H、R3 =CF3
X=C ポリマー53:R1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオ
キシ、R3 =CH3 、R 4 =n−ブチル、X=Si
【0050】
【化67】 ポリマー54:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=n−ブチル、R3 =フェニル ポリマー55:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =フェニル ポリマー56:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =n−ブチル ポリマー57:R1 =n−ヘキシル、R2 =2−エチル
ヘキシルオキシ、R3 =フェニル
【0051】
【化68】 ポリマー58:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =n−ヘキシル ポリマー59:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =n−ヘキシル ポリマー60:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =n−ヘキシル ポリマー61:R1 =t−ブチル、R2 =H、R3 =2
−エチルヘキシル ポリマー62:R1 =H、R2 =n−ヘキシルオキシ、
3 =n−ヘキシル ポリマー63:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =4−メチルオキシフェニル
【0052】
【化69】 ポリマー64:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、X=O ポリマー65:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、X=S ポリマー66:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、X=O ポリマー67:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=n−ヘキシル、X=O
【0053】
【化70】 ポリマー68:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =R4 =n−ヘキシル ポリマー69:R1 =n−ヘキシル、R2 =H、R3
4 =n−ヘキシル ポリマー70:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R4 =4−メチルオキシフェニル ポリマー71:R1 =R2 =n−ヘキシルオキシ、R3
=R4 =n−ヘキシル
【0054】
【化71】 ポリマー72:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H ポリマー73:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ ポリマー74:R1 =R2 =n−ヘキシル ポリマー75:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=t−ブチル
【0055】
【化72】 ポリマー76:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H ポリマー77:R1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H ポリマー78:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =H ポリマー79:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
キシルオキシ
【0056】
【化73】 ポリマー80:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H ポリマー81:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =n−ヘキシルオキシ ポリマー82:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =H ポリマー83:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、R3 =n−ヘキシルオキシ 第3グループ:式(IV)の芳香族炭化水素
【0057】
【化74】
【0058】上式中、Arは炭素原子数6〜28の置換
又は無置換アリール基を表す。下記の分子構造式は式
(IV)による上記基の具体例を構成する。
【0059】
【化75】 ポリマー84:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H、p=0 ポリマー85:R1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H、
p=1 ポリマー86:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =H、p=2 ポリマー87:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
キシルオキシ、p=1
【0060】
【化76】 ポリマー88:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=H、m=5 ポリマー89:R1 =n−ヘキシル、R2 =H、m=1
7 ポリマー90:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、m=7 ポリマー91:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
キシルオキシ、m=9
【0061】
【化77】 ポリマー92:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =H ポリマー93:R1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H ポリマー94:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
キシルオキシ ポリマー95:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =H
【0062】
【化78】 ポリマー96:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル
オキシ、R3 =R4 =H ポリマー97:R1 =2−エチルヘキシル、R2 =R4
=H、R3 =n−ヘキシルオキシ ポリマー98:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
=R3 =n−ヘキシルオキシ、R4 =H ポリマー99:R1 =n−ヘキシル、R2 =R3 =n−
ヘキシルオキシ、R3 =R4 =H
【0063】
【化79】 ポリマー100:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ルオキシ、R3 =R4 =H、p=q=1 ポリマー101:R1 =2−エチルヘキシル、R2 =R
4 =H、R3 =n−ヘキシルオキシ、p=q=1 ポリマー102:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =n−ヘキシルオキシ、R4 =H、p=q=2 ポリマー103:R1 =n−ヘキシル、R2 =R3 =n
−ヘキシルオキシ、R4=H、p=q=2 ポリマー104:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H、R4 =n−ヘキシル、p=q=2 ポリマー105:R1 =n−ヘキシル、R2 =R4 =n
−ヘキシルオキシ、R3=H、p=q=2
【0064】
【化80】 ポリマー106:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ルオキシ、R3 =R4 =H ポリマー107:R1 =2−エチルヘキシル、R2 =R
4 =H、R3 =n−ヘキシルオキシ ポリマー108:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =n−ヘキシルオキシ、R4 =H ポリマー109:R1 =n−ヘキシル、R2 =R3 =n
−ヘキシルオキシ、R3=R4 =H
【0065】
【化81】 ポリマー110:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H ポリマー111:R1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H ポリマー112:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシルオキシ ポリマー113:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシルオキシ
【0066】
【化82】 ポリマー114:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H ポリマー115:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=H ポリマー116:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシル
【0067】
【化83】 ポリマー117:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H ポリマー118:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=H ポリマー119:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシル ポリマー120:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシル
【0068】
【化84】 ポリマー121:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=H ポリマー122:R1 =R2 =R3 =n−ヘキシル ポリマー123:R1 =R3 =2−エチルヘキシルオキ
シ、R2 =H
【0069】
【化85】 ポリマー124:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=H ポリマー125:R1 =R2 =R3 =n−ヘキシル ポリマー126:R1 =R3 =2−エチルヘキシルオキ
シ、R2 =H ポリマー127:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H 第4グループ:式(V)の二重結合により連結された芳
香族炭化水素
【0070】
【化86】
【0071】上式中、Ar1 及びAr2 は炭素原子数6
〜28の置換又は無置換アリール基を表し、R’及び
R”は水素、炭素原子数1〜12のアルキル基、Cl、
Br、F又はシアノ基を表し、そしてpは1〜3の整数
を表す。下記の分子構造式は式(V)による上記基の具
体例を構成する。
【0072】
【化87】 ポリマー128:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =R4 =R5 =H ポリマー129:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=R4 =R5 =H ポリマー130:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R5 =H、R 4 =n−ヘキシルオキシ ポリマー131:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R4 =R5 =H、R 3 =CN ポリマー132:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=CN、R4 =R5 =H
【0073】
【化88】 ポリマー133:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =R4 =R5 =H ポリマー134:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=R4 =R5 =H ポリマー135:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R5 =H、R 4 =n−ヘキシルオキシ ポリマー136:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R4 =R5 =H、R 3 =CN ポリマー137:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=CN、R4 =R5 =H
【0074】
【化89】 ポリマー138:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =R4 =R5 =H ポリマー139:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=R4 =R5 =H ポリマー140:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R5 =H、R 4 =n−ヘキシルオキシ ポリマー141:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R4 =R5 =H、R 3 =CN ポリマー142:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=CN、R4 =R5 =H
【0075】
【化90】 ポリマー143:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =R4 =R5 =H ポリマー144:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=R4 =R5 =H ポリマー145:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R5 =H、R 4 =n−ヘキシルオキシ ポリマー146:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R4 =R5 =H、R 3 =CN ポリマー147:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=CN、R4 =R5 =H
【0076】
【化91】 ポリマー148:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =R4 =R5 =H、p=q=r=1 ポリマー149:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=R4 =R5 =H、p=q=r
=1 ポリマー150:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R5 =H、R 4 =n−ヘキシルオキシ、p=
q=2、r=1 ポリマー151:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R4 =R5 =H、R 3 =CN、p=q=r=1 ポリマー152:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=CN、R4 =R5 =H、p=
q=r=2
【0077】
【化92】 ポリマー153:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =R4 =R5 =H、p=q=r=1 ポリマー154:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=R4 =R5 =H、p=q=r
=1 ポリマー155:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R5 =H、R 4 =n−ヘキシルオキシ、p=
q=2、r=1 ポリマー156:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R4 =R5 =H、R 3 =CN、p=q=r=1 ポリマー157:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、R3=CN、R4 =R5 =H、p=
q=r=2 第5グループ:式(VI)のヘテロ芳香族
【0078】
【化93】
【0079】上式中、Wは、少なくとも一種以上のN、
S又はO原子を含む炭素原子数4〜40の置換又は無置
換ヘテロアリール基を表す。下記の分子構造式は式(V
I)による上記基の具体例を構成する。
【0080】
【化94】 ポリマー158:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H、p=1 ポリマー159:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H、p=2 ポリマー160:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシル、p=1 ポリマー161:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ルオキシ、R3 =H、p=1
【0081】
【化95】 ポリマー162:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H、R4 =n−ヘキシル、p=1 ポリマー163:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =H、R4 =2−エチルヘキシル、p=2 ポリマー164:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシル、R4 =2−エチルヘキシ
ル、p=2 ポリマー165:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =n−ヘキシル、R4 =2−エチルヘキシル、
p=3
【0082】
【化96】 ポリマー166:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =R4 =H、p=r=0、q=1 ポリマー167:R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
ル、R3 =R4 =2−エチルヘキシル、p=r=1、q
=2 ポリマー168:R1 =R4 =2−エチルヘキシルオキ
シ、R2 =R3 =H、p=r=q=1 ポリマー169:R1 =R2 =2−エチルヘキシルオキ
シ、R3 =R4 =H、p=r=1、q=2 ポリマー170:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =2−
エチルヘキシルオキシ、R4 =H、p=r=1、q=2
【0083】
【化97】 ポリマー171:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、p=q=1、X=O ポリマー172:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、p=q=1、X=S ポリマー173:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、p=q=1、X=n−ヘキシル ポリマー174:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、p=q=2、X=O ポリマー175:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、p=q=2、X=S ポリマー176:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシル、p=q=2、X=N−ヘキシル
【0084】
【化98】 ポリマー177:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H ポリマー178:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =フェニル ポリマー179:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシル ポリマー180:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシルオキシ ポリマー181:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシルオキシ、R3 =H
【0085】
【化99】 ポリマー182:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H ポリマー183:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =フェニル ポリマー184:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシル ポリマー185:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシルオキシ ポリマー186:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =n−ヘキシルオキシ、R3 =H
【0086】
【化100】 ポリマー187:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H ポリマー188:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =フェニル ポリマー189:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシル ポリマー190:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシル
【0087】
【化101】 ポリマー191:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =R3 =H ポリマー192:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =フェニル ポリマー193:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシル ポリマー194:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシル
【0088】
【化102】 ポリマー195:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =メチル ポリマー196:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =フェニル ポリマー197:R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
ヘキシル ポリマー198:R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
2 =H、R3 =n−ヘキシル
【0089】式(I)において、Yは上記基の一種であ
っても二種以上の組合せであってもよい。具体的な分子
構造式は上記構造式のいずれの組合せであってもよい。
【0090】本発明に用いられるポリマーの重合法及び
分子量に特に制限はない。ポリマーの分子量は1000
以上、好ましくは3000以上である。当該ポリマーは
縮重合法、好ましくは、Pd触媒による鈴木カップリン
グ法(Miyaura, N. et al. Chem. Rev. 1995, 95, 2457)
のような交差カップリング反応によるか、又は塩基存在
下でのジアミン、ジアルコールもしくはジフェノールと
ジ(酸塩化物)との縮合反応により合成することができ
る。
【0091】鈴木カップリング反応は、芳香族ボロン酸
(boronic acid)誘導体の芳香族ハロゲン化物とのカップ
リングについて宮浦らが最初に報告したものである(Mi
yaura et al. Synthetic Comm. 1981, 11(7), 513)。そ
れ以降、この反応は各種用途向けポリマーの合成に広く
利用されている(Ranger, M. et al. Macromolecules19
97, 30, 7686-7691; Kim, S. et al. Macromolecules 1
998, 31, 964-974;及び Ng, P.K. Macromol. Rapid Com
mun. 1997, 18, 1009-1016)。EL装置用の共役ポリマ
ーを合成するための変法が Inbasekaranらにより報告さ
れている(Inbasekaran, M. et al. 米国特許第 5,777,0
70号(1998))。本発明により、上記ポリマーを芳香族ジ
ボロン酸エステルと芳香族二臭化物との鈴木カップリン
グ反応により合成した。芳香族ジボロン酸エステルは、
対応する二ハロゲン化物をn−BuLiとトリメチルボ
レートで処理した後、ジアルコールでエステル化するこ
とにより合成した。ポリマーとモノマーの合成経路を経
路1〜6に示す。
【0092】図1に、有機EL装置を構築するために用
いられる基本構造を示す。それは正孔輸送層30と電子
輸送層40を含む二層構造である。電子輸送層40は、
電場発光が発生する発光層でもある。それらが一緒にな
ってEL媒体50を形成する。アノード20が正孔輸送
層に隣接し、そしてカソード60が電子輸送層40に隣
接する。基板は層10である。本図は例示目的にすぎ
ず、個々の層厚は実際の厚さに比例したものではない。
【0093】図2に、EL装置の別の構成を示す。これ
は変型二層構造である。EL媒体は正孔輸送層と電子輸
送層との間に発光層を含む。この発光層は電場発光が発
生する層である。このように、層300は正孔輸送層で
あり、層400は発光層であり、層500は電子輸送層
であり、そしてそれらが一緒になってエレクトロルミネ
セント媒体600を形成する。層200はアノードであ
り、また層700はカソードである。基板は層100で
ある。本図は例示目的にすぎず、個々の層厚は実際の厚
さに比例したものではない。
【0094】この二層型EL装置が、高い発光効率と低
い動作電圧を提供する基本構造である。装置性能を高め
るために別のEL装置構造体が実証されている。これら
の別の構造体には、基本の二層構造の他に、(a)米国
特許第4,356,429号に記載の正孔注入層;
(b)米国特許第5,776,622号に記載のアルカ
リ金属又はアルカリ土類金属のハロゲン化物によるカソ
ード改質;(c)譲受人共通の米国特許出願第09/1
91,705号に記載のプラズマ蒸着フルオロカーボン
によるアノード改質;及び(d)米国特許第4,76
9,292号に記載の正孔輸送層と電子輸送層との間に
挿入されたドーピングされた発光層、のような特徴が含
まれる。
【0095】図3に、EL装置のさらに別の構成を示
す。それは発光層3000がアノード2000とカソー
ド4000の間に挟まれている単層構造である。発光層
3000は電荷担体層としても作用する。このように、
単層3000がエレクトロルミネセント媒体である。基
板は層1000である。本図は例示目的にすぎず、個々
の層厚は実際の厚さに比例したものではない。
【0096】本発明の好適なEL装置構造は、アノード
と、カソードと、単層のエレクトロルミネセント媒体と
を含む単層構造である。このエレクトロルミネセント層
は発光層であり、電子及び正孔を輸送することもでき
る。この層の主機能は電場発光のための効率的な発光中
心を提供することである。この層は、上記ポリマーの一
種もしくは二以上のポリマーの配合物、又は一種以上の
蛍光色素(FD)でドーピングされたポリマーを含むこ
とができる。通常、蛍光色素は、ホストポリマーの数モ
ル%以下の水準で存在させるが、EL発光を蛍光色素の
ものよりも優勢にさせるには十分である。この方法によ
り、高効率EL装置を構築することができる。同時に、
発光波長の異なる蛍光色素を使用してEL装置の色を調
節することができる。蛍光色素混合物を使用することに
より、個々の蛍光色素のスペクトルが合体したEL色特
性が得られる。このドーパント計画については米国特許
第4,769,292号にEL装置についてかなり詳し
く記載されている。ホスト材料中に存在させる場合に発
光色相を調節することができるドーパントとして蛍光色
素を選ぶ際の重要な基準は、エネルギーバンドギャップ
の比較対照である。ホスト材料からドーパント分子へエ
ネルギーを効率よく移動させるのに必要な条件は、ドー
パントのエネルギーバンドギャップがホストポリマーの
それよりも小さいことである。発光層中のドーパントと
して使用するのに好適な蛍光色素として、クマリン類、
スチルベン類、ジスチリルスチルベン類、アントラセン
誘導体類、テトラセン、ペリレン類、ローダミン類及び
アリールアミン類が挙げられが、これらに限定はされな
い。EL装置の発光層の好適な蛍光色素の分子構造を以
下に列挙する。
【0097】
【化103】
【0098】
【化104】
【0099】
【化105】
【0100】
【化106】
【0101】
【化107】
【0102】上記ポリマーは、そのポリマー溶液をスピ
ン塗布又はインクジェット印刷することにより高品質透
明薄膜として付着させることができる。スピン塗布法に
より層3000を形成させることが好ましく、また一種
類のみのポリマーを単層のエレクトロルミネセント媒体
として付着させることが好ましい。フルオロカーボンで
改質したアノードを形成するのに用いる好適な材料は、
先に引用した米国特許出願第09/191,705号に
記載されている。本発明のEL装置のカソードを形成す
るのに用いる好適な材料は、米国特許第5,429,8
84号及び同第5,776,622号に記載されている
Mg、Li又はこれらの合金である。
【0103】
【実施例】本発明とその利点を以下の具体的実施例によ
りさらに説明する。 モノマーの合成 本発明に用いられるモノマーは特に限定される必要はな
い。得られたポリマーが一般式(I)を満たすポリマー
である限り、いずれのモノマーでも使用することができ
る。典型的なモノマー及びポリマーの合成を経路1〜6
に示す。
【0104】
【化108】
【0105】
【化109】
【0106】
【化110】
【0107】
【化111】
【0108】
【化112】
【0109】実施例1:1,3−ジ(2−(6−ブロモ
ナフトキシ))−2−プロパノール(化合物1)の合成 6−ブロモ−2−ヒドロキシ−ナフタレン(66.7
g、0.299モル)とNaOH(7.4g、0.18
5モル)を500mLのジオキサンに懸濁させ、反応が
均一になるまで30分間加熱した。エピクロロヒドリン
(11.5g、0.124モル)を滴下し、反応を20
時間加熱還流させた。褐色の反応混合物を1Lの水に注
ぎ込み、そして灰色析出物を濾過し、水及びメタノール
で洗浄し、真空下で乾燥した。その後、粗生成物をアセ
トンから再結晶化したところ、41.3gの高純度生成
物が得られた(収率67%)。 1HNMR(CDC
3 )δ(ppm):4.28−4.35(m,5H)、
4.50−4.55(m,1H)、7.15(d,J=
2.2Hz,2H)、7.18(dd,J1 =8.9H
z,J2 =2.4Hz,2H)、7.48(dd,J1
=8.7Hz,J2 =1.8Hz,2H)、7.56
(d,J=8.8Hz,2H)、7.64(d,J=
8.9Hz,2H)、7.91(d,J=1.1Hz,
2H);13CNMR(CDCl3 ):66.07、6
7.87、105.32、115.04、118.3
6,126.84、127.04、127.70、12
7.76、128.24、131.32、155.4
0;M.p.148−150℃;FD−MS:m/z5
00(M+
【0110】実施例2:1,3−ジ(2−(6−ブロモ
ナフトキシ))−2−ドデシルオキシプロパン(化合物
2)の合成 500mLの丸底フラスコに、1,3−ジ(2−(6−
ブロモナフトキシ))−2−プロパノール(化合物1)
(30.0g、0.060モル)と、NaOH(7.2
g、0.18モル)と、NaHSO4 (20.4g、
0.060モル)と、1−ブロモドデカン(44.9
g、0.18モル)と、水30mLと、THF160m
Lとを入れた。反応を二日間加熱還流させた。室温にま
で冷却した後、250mLの水を加え、反応をエーテル
で抽出(6×200mL)した。有機相を一緒にしてM
gSO4 で乾燥し、そして濃縮した。粗生成物をCH2
Cl2/ヘキサン(15/85)を溶離液とするシリカ
ゲル系カラムクロマトグラフィーで精製したところ、2
5.2gの高純度生成物が白色粉末として得られた(収
率63%)。 1HNMR(CDCl3 )δ (ppm):0.
87(t,J=6.9Hz,3H)、1.25−1.3
9(m,18H)、1.60−1.70(m,2H)、
3.73(t,J=6.6Hz,2H)、4.13−
4.18(m,1H)、4.26−4.37(m,4
H)、7.16(d,J=2.2Hz,2H)、7.1
9(dd,J1 =8.9Hz,J2 =1.8Hz,2
H)、7.48(dd,J1 =8.8Hz,J2 =1.
8Hz,2H)、7.57(d,J=8.8Hz,2
H)、7.63(d,J=8.9Hz,2H)、7.9
1(d,J=1.4Hz,2H);13CNMR(CDC
3 ):14.10、22.67、26.05、29.
33、29.44、29.61、29.65、30.0
3、31.90、67.76、71.16、76.4
0、106.95、117.22、119.85,12
8.35、128.51、129.64、130.1
3、132.94、156.92;M.p.99−10
1℃;FD−MS:m/z668(M+
【0111】実施例3:ビス−2,2−ジメチルトリメ
チレンジボロネート(化合物3)の合成 第一工程:ジボロン酸の合成 ビスブロミド化合物2(12.0g、0.018モル)
を150mLの無水THFに溶かし、−78℃に冷却し
た。この溶液に、n−BuLi溶液(33.8mL、
1.6Mヘキサン溶液、0.054モル)を温度が−6
0℃より低く維持されるよう徐々に添加した。混合物を
−78℃で1時間攪拌し、そしてトリメチルボレート
(8.1mL、0.072モル)をゆっくり添加した。
反応混合物をゆっくりと室温まで温め、室温で一晩攪拌
した。反応を希HCl溶液で停止させ、窒素下で1時間
攪拌した。次いで、反応混合物をエーテルで5回抽出
し、そしてMgSO4 で乾燥した。溶剤を蒸発させ、そ
の粗生成物を精製することなくジボラネートの合成に使
用した。 第二工程:ビス−2,2−ジメチルトリメチレンジボラ
ネートの合成 粗ジボロン酸及び2,2−ジメチルプロパン−1,3−
ジオール(ネオペンチルグリコール)(3.8g、0.
037モル)をトルエンに溶かし、Dean-Starkトラップ
下、激しく還流させながら加熱した。反応完了後、トル
エンを蒸発させ、粗生成物をヘキサンからオフホワイト
の7.7gの針状結晶として再結晶化させた(収率57
%)。 1HNMR(CDCl3 )δ (ppm):0.85
(t,J=6.9Hz,3H)、1.02(s,12
H)、1.24−1.34(m,18H)、1.58−
1.65(m,2H)、3.71(t,J=6.6H
z,2H)、3.79(s,8H)、4.11−4.1
6(m,1H)、4.24−4.36(m,4H)、
7.17(s,2H)、7.14(d,J=8.5H
z,2H)、7.67(dd,J=8.2Hz,2
H)、7.75(d,J=8.8Hz,2H)、7.8
(d,J=8.3Hz,2H)、7.91(s,2
H);13CNMR(CDCl3 ):14.11、21.
93、22.68、26.07、29.35、29.4
7、29.63、29.66、30.06、31.9
2、67.83、71.15、72.37、76.4
7、106.77、118.61、125.77,12
8.62、130.26、130.66、134.8
0、136.13、157.38;M.p.59−61
℃;FD−MS:m/z726(M+
【0112】実施例4:4−t−ブチル−2−ベンゾイ
ル安息香酸(化合物4)の合成 凝縮器を具備した3口丸底フラスコに窒素下、4−t−
ブチル−フタル酸無水物(36.0g、176ミリモ
ル)とt−ブチルベンゼンを入れた。反応中に放出され
るHClを捕捉するための水ガストラップに凝縮器を結
合した。AlCl 3 (56.0g、420ミリモル)を
少しずつ加えると、その間に混合物が暗褐色に変わっ
た。濃厚混合物では攪拌が困難となった。反応を70℃
で1時間加熱した後、室温にまで冷却した。そのフラス
コに氷をゆっくりと加え、次いで濃HCl溶液を加え
た。フラスコの底に大きな固形塊が付着した。これを水
で数回洗浄し、次いでCH2 Cl2 に溶解し、水で洗浄
し、Na2 SO4 で乾燥し、濃縮したところ、油状固体
が得られた。ヘキサンを添加して超音波処理した後、濾
過して青白色の固体を集めた。乾燥すると白色固体の生
成物32.0g(収率54%)が得られた。 1HNMR
(CDCl3 )δ (ppm):1.33(s,18H)、
7.30(d,J=8.0Hz,1H)、7.43
(d,J=8.3Hz,2H)、7.63−7.70
(m,3H)、8.08(s,1H);13CNMR(C
DCl3 ):30.98、34.92、125.36、
125.41、127.78,127.84、128.
02、129.51、129.60、129.81、1
34.56、139.83、152.94、156.8
0、170.80、196.89
【0113】実施例5:2,6/2,7−ジ−t−ブチ
ル−アントラキノン(化合物5)の合成 丸底フラスコに4−t−ブチル−2−ベンゾイル安息香
酸4(32.0g、95ミリモル)を入れ、次いで発煙
硫酸(30%、290mL)を添加した。反応混合物は
黒色になり、反応温度を120℃に上げて3時間攪拌し
た。混合物を氷中に注ぎ込んだ。水性混合物をCH2
2 で抽出(5×)し、Na2 SO4 で乾燥し、濃縮し
たところ、暗色固体が得られた。この固体を、CH2
2 を溶離液とするシリカゲルカラムを通過させた。濃
縮後、黄褐色の固体をヘキサンから再結晶化し、黄色結
晶の生成物21.0g(収率69%)を得た。 1HNM
R(CDCl3 )δ (ppm):1.42(s,18H)、
7.80(d,J=8.2Hz,1H)、7.81
(d,J=8.2Hz)、8.20(d,J=8.2H
z,1H)、8.22(d,J=8.2Hz,1H)、
8.31(s,2H); 13CNMR(CDCl3 ):3
1.01、35.58、123.83、123.90、
127.17,127.28、131.08、131.
15、131.34、131.42、133.40、1
33.49、157.94、158.05、182.7
6、183.78
【0114】実施例6:2,6/2,7−ジ−t−ブチ
ル−アントラセン(化合物6)の合成 丸底フラスコに2,6−ジ−t−ブチル−アントラキノ
ン5(10.0g、313ミリモル)と、錫(18.0
g、151ミリモル)と、50mLの氷酢酸とを加えて
加熱還流した。加熱中、アントラキノン5が溶液とな
り、そして新たな固形分が析出し始めた。3時間後、T
LCは出発原料5のすべてが消失したことを示した。室
温にまで冷却した後、混合物を氷中に注ぎ込み、30分
間攪拌した。CH2 Cl2 を添加し、そして分離した
後、水層をCH2 Cl2 (3×)で抽出した。有機層を
一緒にしてNa2 SO4 で乾燥し、濃縮したところ、粘
性のある油状固体が得られた。これをさらに精製するこ
となく後続の反応に用いた。その油状固体を110mL
のイソプロピルアルコールに溶かし、NaBH4 (1
3.0g、333ミリモル)を少しずつ添加した。反応
を一晩還流した。TLCは反応の完結を示した。室温に
まで冷却した後、反応をHCl(6M)溶液で中和し、
その間に溶液から固体が析出した。さらに水を追加し、
減圧濾過により生成物を集め、これを水で徹底的に洗浄
して炉で乾燥したところ、8.80gの生成物(収率9
7%)が得られた。 1HNMR(CDCl3 )δ (pp
m):1.43(s,18H)、7.48−7.53
(m,2H)、7.85−7.91(m,2H)、8.
26−8.30(m,2H);13CNMR(CDC
3 ):30.98、34.89、122.17、12
2.25、124.51、124.70、124.9
1、125.36、125.80、127.71、12
7.77、130.05、130.45、131.5
5、131.96、147.23、147.43
【0115】実施例7:2,6/2,7−ジ−t−ブチ
ル−9,10−ジブロモアントラセン(化合物7)の合
成 2,6−ジ−t−ブチル−アントラセン6(4.0g、
13.8ミリモル)を150mLのCCl4 に溶かし、
次いで臭素(1.42mL、27.6ミリモル)を滴下
した。室温で一晩攪拌した後、TLCは反応の完結を示
した。反応混合物を水に注ぎ込み、チオ硫酸ナトリウム
の濃縮溶液を添加した。60分間攪拌した後、層を分離
させ、水層をCH2 Cl2 (3×)で抽出し、有機層を
一緒にしてNa2 SO4 で乾燥し、濃縮したところ、黄
色固体が得られた。この固体をEtOHから再結晶化し
て高純度生成物6.02g(収率97%)を得た。 1
NMR(CDCl3 )δ (ppm):1.48(s,18
H)、7.69−7.71(m,2H)、8.45−
8.51(m,2H);13CNMR(CDCl3 ):3
0.88、35.28、122.59、122.93、
126.87、128.00、129.88、130.
64、149.77;M.p.150−152℃;FD
−MS:m/z368(M+
【0116】実施例8:ジ−(2−(6−メトキシナフ
チル)アントラセン(化合物8)の合成 丸底フラスコに、窒素下で、マグネシウムの削り屑
(5.55g、231ミリモル)と、30mLのTHF
と、2個のヨウ素結晶とを入れた。フラスコを50℃に
加熱し、グリニャール反応の開始を助けるためにジブロ
モエタンを使用した。2−ブロモ−6−メトキシナフタ
レン(50.0g、211ミリモル)を400mLのT
HFに溶かしたものを90分かけて滴下し、その間穏や
かに還流するように加熱した。滴下後、反応混合物をさ
らに2時間還流させた。丸底フラスコに、窒素下で、
9,10−ジブロモアントラセン(23.63g、7
0.3ミリモル)と、300mLのTHFと、触媒量の
ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(II)とを入れた。次いで、先に調製したグリニャール
試薬を温かいうちにダブルエンド型ニードル移送により
添加した。添加後、反応混合物を一晩還流させた。室温
にまで冷却した後、析出した固形分を真空濾過で集め、
そしてエーテル、THF及び水で洗浄した。集めた固形
分をビーカーに入れ、HCl(6M)を添加し、さらに
エタノールを追加した。この混合物を60分間攪拌し、
その固形分を真空濾過により再度集めた。その生成物を
洗浄液が中性になるまで洗浄した。乾燥後、固形分をC
2 Cl2 中で60分間穏やかに還流させた。高純度生
成物を濾過して乾燥したところ85.2gの固体が得ら
れた(収率82%)(AA8790−34)。 1HNM
R(CDCl3 )δ(ppm):3.97(s,6H)、
7.29(dd,J1 =8.9Hz,J2 =2.4H
z,2H)、7.40(d,J=6.9Hz,2H)、
7.41(d,J=6.9Hz,2H)、7.53
(d,J=2.2Hz,2H)、7.57(d,J=
8.0Hz,2H)、7.64(d,J=6.8Hz,
2H)、7.65(d,J=6.8Hz,2H)、7.
94(d,J=9Hz,2H)、7.97(s,2
H)、8.10(d,J=8.4Hz,2H);FD−
MS:m/z490(M+
【0117】実施例9:ジ−(2−(6−ヒドロキシナ
フチル)アントラセン(化合物9)の合成 凝縮器を具備した丸底フラスコに、窒素下で、出発材料
(35.0g、71.4ミリモル)と、ピリジン塩酸塩
(72.0g、682ミリモル)と、105mLのフェ
ニルエーテル−ビフェニル共晶とを入れた。反応を2日
間還流させた後、若干冷ました。ヘキサンを添加して混
合物の凝固を防止し、その混合物を30分間攪拌した。
固形分を真空濾過で集めた。固体生成物をエタノール入
りの三角フラスコに添加し、70℃で2時間加熱した。
冷却後、固形分を濾過して集め、オーブンで乾燥する
と、高純度生成物28.5g(収率86%)が得られ
た。その生成物を重合の前に昇華させた。元素分析値:
34222 の理論値:C88.30%、H4.80
%;測定値:C88.02%、H4.91%
【0118】実施例10:2,6−ジ(2−エチルヘキ
シルオキシ)アントラキノン(化合物10)の合成 2,6−ジヒドロキシアントラキノン(100.0g、
0.42モル)と2−エチルヘキシルブロミド(16
5.0g、0.86モル)とを1LのDMFに溶かし
た。この溶液に無水K2 CO3 (120.0g、0.8
7モル)を添加した。その反応を90℃で一晩加熱し
た。DMFの大部分を除去し、500mLの水を加え
た。反応をエーテルで抽出し(3×400mL)、ブラ
インで洗浄し(1×200mL)、そしてMgSO4
乾燥した。溶剤を除去し、その粗生成物をメタノールか
ら再結晶化したところ、黄色の粉末生成物125.21
g(収率65%)が得られた。 1HNMR(CDC
3 )δ (ppm):0.92−0.98(m,12H,C
3 )、1.34−1.54(m,16H)、1.75
−1.81(m,2H,C(CH3 ))、4.02
(d,J=5.5Hz,4H,OCH2 )、7.19
(d,J=8.4Hz,2H)、7.70(s,2
H)、8.19(d,J=8.5Hz,2H);13CN
MR(CDCl3 ):11.12、14.06、23.
04、23.88、29.08、30.51、39.3
4、71.34、110.64、120.84、12
7.00、129.62、135.88、164.2
9、182.27;M.p.49−51℃;FD−M
S:m/z464(M+
【0119】実施例11:2,6−ジ(2−エチルヘキ
シルオキシ)アントラセン(化合物11)の合成 1Lの丸底フラスコに2,6−ジ(2−エチルヘキシル
オキシ)アントラキノン1(75.0g、0.16モ
ル)と、錫(80.0g、0.67モル)と、375m
Lの酢酸とを加えた。反応を2時間還流させたところ、
その間に反応がスラリー化した。反応を室温にまで冷却
し、その最上層をデカントした。固形分をCH2 Cl2
で洗浄した。有機相を一緒にして水、飽和NaHCO3
溶液及びブラインで洗浄し、MgSO4 で乾燥した。溶
剤を除去したところ72.05gの黄色固体が得られ
た。この黄色固体を200mLのイソプロパノールに溶
かし、そしてNaBH4 (6.50g、0.17モル)
を300mLのイソプロパノールに溶かした溶液に滴下
した。反応を一晩加熱還流した。室温にまで冷却した
後、反応を希HCl溶液で停止させ、その後水に注ぎ込
んだ。黄色沈殿物を濾過して集め、水及びエタノールで
洗浄し、乾燥させたところ、黄色粉末55.21g(2
段階の収率78%)が得られた。 1HNMR(CDCl
3 )δ (ppm):0.92−1.62(m,14H,アル
キル)、1.79−1.87(m,1H,アルキル)、
3.99(d,J=5.7Hz,2H,OCH2 )、
7.14(d,J=9.4Hz,2H)、7.17
(s,2H,アントラセンの1及び5)、8.17
(s,2H,アントラセンの9及び10);13CNMR
(CDCl3 ):11.19、14.10、23.1
0、24.07、29.18、30.72、39.4
4、70.48、104.58、120.85、12
4.09,128.71、129.06、131.3
0、156.22;M.p.60−62℃;FD−M
S:m/z436(M+
【0120】実施例12:9,10−ジブロモ−2,6
−ジ(2−エチルヘキシルオキシ)アントラセン(化合
物12)の合成 2,6−ジ(2−エチルヘキシルオキシ)アントラセン
2(13.50g、0.031モル)を150mLのD
MFに添加して0℃に冷却した。この懸濁液に、60m
LのDMF中のNBS(11.60g、0.065モ
ル)を添加した。NBSの添加により、反応は透明にな
り、暗緑色に変わった。反応を窒素下で室温で攪拌し
た。反応を200mLの水に注ぎ込み、塩化メチレンで
抽出した(3×300mL)。有機相を一緒にして水
(3×100mL)及びブライン(1×100mL)で
徹底的に洗浄し、MgSO4 で乾燥した。溶剤を除去し
た後、暗褐色の残留物をヘキサンで洗浄し、緑がかった
黄色の結晶を集めた。粗結晶をアセトンから再結晶化し
てフレーク状の緑がかった黄色の蛍光性生成物を得た。
濾液を一緒にし、シリカゲルによるクロマトグラフィー
でヘキサンを溶離液として精製した。全体の収量:5.
5g(収率30%)。 1HNMR(CDCl3 )δ(pp
m):0.93−1.70(m,14H,アルキル)、
1.81−1.89(m,1H,アルキル)、3.12
(d,J=5.4Hz,2H,OCH2 )、7.34
(d,J=.2Hz,2H)、8.00(d,J=9.
2Hz,2H)、8.71(s,2H,アントラセンの
1及び5);13CNMR(CDCl3 ):11.12、
14.10、23.08、23.93、29.15、3
0.52、39.88、72.76、107.74、1
17.02、125.27,129.51、129.7
5、130.12、152.87;M.p.103−1
05℃;FD−MS:m/z590(M+
【0121】ポリマーの合成 実施例13:ポリマー26の合成 2,2−ジメチルトリメチレンジボロネート3(1.5
0g、2.0ミリモル)と、9,10−ジブロモアント
ラセン(0.68g、2.0ミリモル)と、 Aliquat
(商標)336 (0.11g、0.25ミリモル)とを
8.6mLのトルエンに溶かした。この溶液に2モル/
LのNa2 CO3 水溶液(3.3mL、6.6ミリモ
ル)を添加した。反応混合物を乾燥窒素で15分間バブ
リングし、そして触媒のテトラキス(トリフェニルホス
フィン)パラジウム(71mg、3モル%)を添加し
た。反応を24時間加熱して激しく還流させ、そしてブ
ロモ基を末端封鎖するため少量のフェニルボロン酸を添
加した。反応を13時間加熱し、そしてブルモベンゼン
を添加することによりボロネート基を末端封鎖した。反
応をさらに6時間加熱した後、200mLのメタノール
に注ぎ込んだ。析出したポリマーをメタノールと希HC
l溶液で洗浄し、そして乾燥すると明黄色の粉末状ポリ
マーが得られた。次いで、当該ポリマーをソックスレー
抽出器によりアセトンで一晩抽出してオリゴマーと残留
触媒を除去した。ポリマーをTHFからメタノールへ3
回再沈殿させて最終ポリマー1.00g(収率71%)
を得た。
【0122】実施例14:ポリマー28の合成 ポリマー26の合成に用いた手順に従った。2,2−ジ
メチルトリメチレンジボロネート3(1.50g、2.
0ミリモル)と、9,10−ジブロモ−2,6/2,7
−ジ(t−ブチル)アントラセン7(0.91g、2.
0ミリモル)と、 Aliquat(商標)336 (0.11g、
0.25ミリモル)とを8.6mLのトルエンに溶かし
た。この溶液に2モル/LのNa2 CO3 水溶液(3.
3mL、6.6ミリモル)とパラジウム触媒(71m
g、3モル%)を添加した。重合及び精製後、1.15
gのオフホワイト色のポリマーが得られた。
【0123】実施例15:ポリマー30の合成 ポリマー26の合成に用いた手順に従った。2,2−ジ
メチルトリメチレンジボロネート3(1.50g、2.
0ミリモル)と、9,10−ジブロモ−2,6−ジ(2
−エチルヘキシルオキシル)アントラセン12(1.2
1g、2.0ミリモル)と、 Aliquat(商標)336
(0.11g、0.25ミリモル)とを8.6mLのト
ルエンに溶かした。この溶液に2モル/LのNa2 CO
3 水溶液(3.3mL、6.6ミリモル)とパラジウム
触媒(71mg、3モル%)を添加した。重合及び精製
後、1.15gの黄緑色のポリマーが得られた。
【0124】実施例16:ポリマー47の合成 ジ−ナフタノール9(0.72g、1.6ミリモル)を
12mLの無水ピリジンに溶かし、その混合物を氷浴中
で0℃に冷却し、30分間攪拌した。3−(4−カルボ
キシフェニル)−2,3−ジヒドロ−1,1,3−トリ
メチル−1H−インデン−5−カルボン酸(0.56
g、1.6ミリモル)を固体として添加し、そして反応
を室温で3時間攪拌したところ、その間に反応の粘度が
非常に高くなり、ゲル状の固形分が生じた。反応を10
0mLの10%HCl水溶液に注ぎ込み、析出したポリ
マーを濾過し、水及びメタノールで洗浄した。ポリマー
を塩化メチレンとヘキサフルオロイソプロパノール(H
FIP)の70:30(v/v)混合溶剤に再溶解さ
せ、そしてエタノール中に析出させた。オフホワイト色
のポリマーを集め、乾燥したところ、1.00g(収率
86%)が得られた。
【0125】実施例17:ポリマー8の合成 ポリマー47の合成に用いた手順に従った。16mLの
無水ピリジン中でジ−ナフタノール9(1.15g、
2.5ミリモル)をドデカンジオイルジクロリド(0.
66g、2.5ミリモル)と反応させて、オフホワイト
色の固体として1.5gのポリマーを得た(収率92
%)。
【0126】実施例18:ポリマー89の合成 ポリマー47の合成に用いた手順に従った。16mLの
無水ピリジン中でジ−ナフタノール9(0.99g、
2.1ミリモル)を5−(オクタデシルオキシ)イソフ
タロイルジクロリド(1.02g、2.1ミリモル)と
反応させて、オフホワイト色の固体として1.6gのポ
リマーを得た(収率87%)。
【0127】実施例19:ポリマー52の合成 ジ−ナフタノール9(0.66g、1.4ミリモル)を
12mLの無水NMPに溶かし、トリエチルアミン
(0.32g、3.2ミリモル)を添加した。その混合
物を0℃に冷却し、30分間攪拌した。4,4−(ヘキ
サフルオロイソプロピリデン)ビス(ベンゾイルクロリ
ド)(0.61g、1.4ミリモル)を固体として添加
した。反応は粘性となり、室温で一晩攪拌した。反応混
合物を150mLの水に注ぎ込んだ。析出したポリマー
を濾過し、3/7HFIP/塩化メチレンに再溶解さ
せ、そしてメタノール中に析出させた。さらに2回析出
させた後、ポリマーを集めて乾燥したところ、オフホワ
イト色の固体が1.00g(収率88%)得られた。
【0128】実施例20:ポリマー44の合成 ポリマー52の合成に用いた手順に従った。トリエチル
アミン(0.48g、0.47ミリモル)の存在下、2
0mLの無水NMP中でジ−ナフタノール9(1.00
g、2.2ミリモル)をビスフェノールAビス(クロロ
ホルメート)(0.78g、2.2ミリモル)と反応さ
せて、オフホワイト色の固体として1.3gのポリマー
を得た(収率90%)。
【0129】EL装置の製作及び性能 実施例21 本発明の要件を満たすEL装置を以下のようにして構築
した。有機EL媒体は単層のポリマー薄膜を有する。 (a)インジウム錫酸化物(ITO)を被覆したガラス
基板を、市販の洗剤で超音波処理し、次いで脱イオン水
でリンスし、続いてトルエン蒸気で脱脂処理し、その後
紫外線とオゾンに数分間晒した。 (b)ポリマーのトルエン溶液(30mLのトルエンに
30mg含む)を2μmのPTFEフィルターで濾過し
た。次いで、そのポリマー溶液をITO上に回転速度を
制御しながらスピン塗布した。ポリマー薄膜の厚さは5
00〜700Åの間とした。 (c)ポリマー薄膜の上に、MgとAgを10:1の原
子比で含む厚さ2000Åのカソード層を付着させた。
【0130】上記の手順でEL装置の付着を完了した。
その後、周囲環境から保護するため、装置を乾燥グロー
ブボックスの中で気密包装した。EL装置の青色光は、
約10Vにおいて約50cd/m2 の出力を示した。表
1に、本発明で合成したポリマーの特性をまとめた。ポ
リマーは妥当な分子量を有し、また高い熱分解開始温度
d を示した。ポリマーの希薄溶液及び固体薄膜からU
Vスペクトル及びフォトルミネセンス(PL)スペクト
ルが得られ、またITO/ポリマー/Mg:Ag系EL
装置からELスペクトルが得られた。EL装置の製作は
実施例21で説明した。図4及び図5は、それぞれポリ
マー26及び28のUV、PL及びELの各スペクトル
を示したものである。図6は、ポリマー28によるEL
装置の電圧−電流特性を示したものである。
【0131】
【表1】
【0132】注釈:a=THF中ポリスチレン標品を用
いたサイズ排除クロマトグラフィーで測定した重量平均
分子量;b=0.01Mテトラブチルアンモニウムアセ
テートを含有する20/80ジクロロ酢酸/ジクロロメ
タン中ポリスチレン標品を用いたサイズ排除クロマトグ
ラフィーで測定した重量平均分子量;c=観測不可;d
=400nmで励起、残りのポリマー薄膜は370nm
で励起;UVとPLはどちらも希トルエン溶液中で測定
した。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるポリマーを使用できる二層型EL
装置の断面図である。
【図2】本発明によるポリマーを使用できる変型二層型
EL装置の断面図である。
【図3】本発明によるポリマーを使用できる単層型EL
装置の断面図である。
【図4】ポリマー26の吸収及びフォトルミネセンスス
ペクトル並びにポリマー26で製作した単層型EL装置
のエレクトロルミネセンススペクトルを示すグラフであ
る。
【図5】ポリマー28の吸収及びフォトルミネセンスス
ペクトル並びにポリマー28で製作した単層型EL装置
のエレクトロルミネセンススペクトルを示すグラフであ
る。
【図6】ポリマー28で製作した単層型EL装置の電圧
−電流密度及び発光特性を示すグラフである。
【符号の説明】
10、100、1000…基板 200、2000…アノード 30、300…正孔輸送層 40、500…電子輸送層 50、600…エレクトロルミネセント媒体 60、700、4000…カソード 400、3000…発光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08G 69/32 C08G 69/32 71/02 71/02 73/00 73/00 75/20 75/20 H05B 33/14 H05B 33/14 B

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アノード、カソード及び前記アノードと
    前記カソードとの間に配置されたポリマー発光材料を含
    んでなり、前記ポリマー発光材料が下式で表される9,
    10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン系ポリマーを
    含むことを特徴とするエレクトロルミネセント装置。 【化1】 (上式中、 R1 、R2 、R3 及びR4 は、各々独立に、水素、炭素
    原子数1〜24のアルキルもしくはアルコキシ、炭素原
    子数6〜28のアリールもしくは置換アリール、炭素原
    子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリ
    ール、F、Cl、Br、シアノ基又はニトロ基を表し、 Xは結合基を表し、そしてYは、一種以上のコモノマー
    単位であって置換もしくは無置換のアルキル、アルケニ
    ル、アリールもしくはヘテロアリール又は共役基である
    ものを含む。)
  2. 【請求項2】 アノード、カソード及び前記アノードと
    前記カソードとの間に配置されたポリマー発光材料を含
    んでなり、前記ポリマー発光材料が下式で表される9,
    10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン系ポリマーを
    含むことを特徴とするエレクトロルミネセント装置。 【化2】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H、p
    =6;R1 =R3 =H、R2 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、p=12;R1 =n−ヘキシル、R2 =R3 =H、
    p=12;又はR1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
    キシル、p=6); 【化3】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H、R
    4 =CH3 、X=C;R1 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、R2 =R3 =H、R4 =CF3 、X=C;R1 =t
    −ブチル、R2 =2−エチルヘキシルオキシ、R4 =C
    3 、R3 =H、X=C;R1 =n−ヘキシル、R2
    n−ヘキシルオキシ、R3 =H、R4 =CF3 、X=
    C;R1 =t−ブチル、R2 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、R3 =H、R4 =CF 3 、X=Si;又はR1
    H、R2 =2−エチルヘキシルオキシ、R3 =H、R4
    =CF3 、X=Si); 【化4】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H、R
    4 =CH3 、X=C;R1 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、R2 =R3 =H、R4 =CF3 、X=C;R1 =t
    −ブチル、R2 =2−エチルヘキシルオキシ、R3
    H、R4 =CF 3 、X=Si;R1 =R2 =R3 =H、
    4 =CH3 、X=C;又はR1 =H、R2 =2−エチ
    ルヘキシルオキシ、R3 =H、R4 =CF3 、X=S
    i); 【化5】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =R
    4 =CH3 ;R1 =R2 =H、R3 =R4 =CH3 ;又
    はR1 =H、R2 =2−エチルヘキシルオキシ、R3
    n−ブチル、R4 =CH 3 ); 【化6】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =C
    3 、R4 =H、X=C;R1 =t−ブチル、R2 =n
    −ヘキシルオキシ、R3 =CH3 、R4 =H、X=C;
    1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3
    n−ブチル、R4 =H、X=Si;R1 =R2 =R4
    H、R3 =CF3 、X=C;又はR1 =H、R2 =2−
    エチルヘキシルオキシ、R3 =CH3 、R4 =n−ブチ
    ル、X=Si); 【化7】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ブチル、
    3 =フェニル;R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
    ルオキシ、R3 =フェニル;R1 =2−エチルヘキシル
    オキシ、R2 =H、R3 =n−ブチル;又はR1 =n−
    ヘキシル、R2 =2−エチルヘキシルオキシ、R3 =フ
    ェニル); 【化8】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =n
    −ヘキシル;R1 =t−ブチル、R2 =H、R3 =2−
    エチルヘキシル;R1 =H、R2 =n−ヘキシルオキ
    シ、R3 =n−ヘキシル;又はR1 =2−エチルヘキシ
    ルオキシ、R2 =H、R3 =4−メチルオキシフェニ
    ル); 【化9】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、X=O;
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、X=S;
    1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、X=
    O;又はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−
    ヘキシル、X=O); 【化10】 (上式中、R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
    H、R3 =R4 =n−ヘキシル;R1 =n−ヘキシル、
    2 =H、R3 =R4 =n−ヘキシル;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =n−ヘキシル、R3 =R4 =4−メチルオキ
    シフェニル;又はR1 =R2 =n−ヘキシルオキシ、R
    3 =R4 =n−ヘキシル); 【化11】 (上式中、R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
    H;R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ;R
    1 =R2 =n−ヘキシル;又はR1 =2−エチルヘキシ
    ルオキシ、R2 =t−ブチル); 【化12】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3 =H;又はR1
    t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘキシルオキシ);又は 【化13】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシル、R3 =n−ヘキ
    シルオキシ;R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオ
    キシ、R3 =H;又はR1 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、R2 =H、R3 =n−ヘキシルオキシ)
  3. 【請求項3】 アノード、カソード及び前記アノードと
    前記カソードとの間に配置されたポリマー発光材料を含
    んでなり、前記ポリマー発光材料が下式で表される9,
    10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン系ポリマーを
    含むことを特徴とするエレクトロルミネセント装置。 【化14】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H、p
    =0;R1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H、p=1;
    1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3
    H、p=2;又はR1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−
    ヘキシルオキシ、p=1); 【化15】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、m=5;
    1 =n−ヘキシル、R2 =H、m=17;R1 =t−
    ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、m=7;又はR1
    =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘキシルオキシ、m=
    9); 【化16】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =R3 =n−ヘキシルオキシ;又はR1 =t−
    ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3 =H); 【化17】 (上式中、 R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3
    4 =H;R1 =2−エチルヘキシル、R2 =R4
    H、R3 =n−ヘキシルオキシ;R1 =2−エチルヘキ
    シルオキシ、R2 =R3 =n−ヘキシルオキシ、R4
    H;又はR1 =n−ヘキシル、R2 =R3 =n−ヘキシ
    ルオキシ、R3 =R4 =H); 【化18】 (上式中、 R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3
    4 =H、p=q=1;R1 =2−エチルヘキシル、R
    2 =R4 =H、R3 =n−ヘキシルオキシ、p=q=
    1;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =n
    −ヘキシルオキシ、R4 =H、p=q=2;R1 =n−
    ヘキシル、R2 =R3 =n−ヘキシルオキシ、R4
    H、p=q=2;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
    2 =R3 =H、R4 =n−ヘキシル、p=q=2;又は
    1 =n−ヘキシル、R2 =R4 =n−ヘキシルオキ
    シ、R3 =H、p=q=2); 【化19】 (上式中、 R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3
    4 =H;R1 =2−エチルヘキシル、R2 =R4
    H、R3 =n−ヘキシルオキシ;R1 =2−エチルヘキ
    シルオキシ、R2 =R3 =n−ヘキシルオキシ、R4
    H;又はR1 =n−ヘキシル、R2 =R3 =n−ヘキシ
    ルオキシ、R3 =R4 =H); 【化20】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =R2 =n−ヘキシル、R3 =H;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =R3 =n−ヘキシルオキシ;又はR1 =2−
    エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =n−ヘキシル
    オキシ); 【化21】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、
    3 =H;又はR1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
    キシル); 【化22】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、
    3 =H;R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘキシ
    ル;又はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、
    3 =n−ヘキシル); 【化23】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシ
    ル、R3 =H;R1 =R2 =R3 =n−ヘキシル;又は
    1 =R3 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H);
    又は 【化24】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシ
    ル、R3 =H;R1 =R2 =R3 =n−ヘキシル;R1
    =R3 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H;又はR
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H)
  4. 【請求項4】 アノード、カソード及び前記アノードと
    前記カソードとの間に配置されたポリマー発光材料を含
    んでなり、前記ポリマー発光材料が下式で表される9,
    10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン系ポリマーを
    含むことを特徴とするエレクトロルミネセント装置。 【化25】 〔上式中、 R1 、R2 、R3 及びR4 は、各々独立に、水素、炭素
    原子数1〜24のアルキルもしくはアルコキシ、炭素原
    子数6〜28のアリールもしくは置換アリール、炭素原
    子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリ
    ール、F、Cl、Br、シアノ基又はニトロ基を表し、 Xは結合基を表し、そしてYは、下式: 【化26】 (上式中、Ar1 及びAr2 は炭素原子数6〜28の置
    換又は無置換アリール基を表し、R’及びR”は水素、
    炭素原子数1〜12のアルキル基、Cl、Br、F又は
    シアノ基を表し、そしてpは1〜3の整数を表す。)で
    表されるものを含む。〕
  5. 【請求項5】 アノード、カソード及び前記アノードと
    前記カソードとの間に配置されたポリマー発光材料を含
    んでなり、前記ポリマー発光材料が下式で表される9,
    10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン系ポリマーを
    含むことを特徴とするエレクトロルミネセント装置。 【化27】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =R4
    5 =H;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n
    −ヘキシル、R3 =R4 =R5 =H;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =n−ヘキシル、R3 =R5 =H、R4 =n−
    ヘキシルオキシ;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
    2 =R4 =R5 =H、R3 =CN;又はR1 =2−エチ
    ルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、R3 =CN、
    4 =R5 =H); 【化28】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =R4
    5 =H;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n
    −ヘキシル、R3 =R4 =R5 =H;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =n−ヘキシル、R3 =R5 =H、R4 =n−
    ヘキシルオキシ;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
    2 =R4 =R5 =H、R3 =CN;又はR1 =2−エチ
    ルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、R3 =CN、
    4 =R5 =H); 【化29】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =R4
    5 =H;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n
    −ヘキシル、R3 =R4 =R5 =H;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =n−ヘキシル、R3 =R5 =H、R4 =n−
    ヘキシルオキシ;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
    2 =R4 =R5 =H、R3 =CN;又はR1 =2−エチ
    ルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、R3 =CN、
    4 =R5 =H); 【化30】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =R4
    5 =H;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n
    −ヘキシル、R3 =R4 =R5 =H;R1 =t−ブチ
    ル、R2 =n−ヘキシル、R3 =R5 =H、R4 =n−
    ヘキシルオキシ;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
    2 =R4 =R5 =H、R3 =CN;又はR1 =2−エチ
    ルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、R3 =CN、
    4 =R5 =H); 【化31】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =R4
    5 =H、p=q=r=1;R1 =2−エチルヘキシル
    オキシ、R2 =n−ヘキシル、R3 =R4 =R5 =H、
    p=q=r=1;R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
    ル、R3 =R5 =H、R4 =n−ヘキシルオキシ、p=
    q=2、r=1;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
    2 =R4 =R5 =H、R3 =CN、p=q=r=1;又
    はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシ
    ル、R3 =CN、R4 =R5 =H、p=q=r=2);
    又は 【化32】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =R4
    5 =H、p=q=r=1;R1 =2−エチルヘキシル
    オキシ、R2 =n−ヘキシル、R3 =R4 =R5 =H、
    p=q=r=1;R1 =t−ブチル、R2 =n−ヘキシ
    ル、R3 =R5 =H、R4 =n−ヘキシルオキシ、p=
    q=2、r=1;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R
    2 =R4 =R5 =H、R3 =CN、p=q=r=1;又
    はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシ
    ル、R3 =CN、R4 =R5 =H、p=q=r=2)
  6. 【請求項6】 アノード、カソード及び前記アノードと
    前記カソードとの間に配置されたポリマー発光材料を含
    んでなり、前記ポリマー発光材料が下式で表される9,
    10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン系ポリマーを
    含むことを特徴とするエレクトロルミネセント装置。 【化33】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H、p
    =1;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3
    H、p=2;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
    H、R3 =n−ヘキシル、p=1;又はR1 =t−ブチ
    ル、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3 =H、p=1); 【化34】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H、R
    4 =n−ヘキシル、p=1;R1 =t−ブチル、R2
    n−ヘキシル、R3 =H、R4 =2−エチルヘキシル、
    p=2;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、
    3 =n−ヘキシル、R4 =2−エチルヘキシル、p=
    2;又はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3
    =n−ヘキシル、R4 =2−エチルヘキシル、p=
    3); 【化35】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =R4
    H、p=r=0、q=1;R1 =t−ブチル、R2 =n
    −ヘキシル、R3 =R4 =2−エチルヘキシル、p=r
    =1、q=2;R1 =R4 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、R2 =R3 =H、p=r=q=1;R1 =R2 =2
    −エチルヘキシルオキシ、R3 =R4 =H、p=r=
    1、q=2;又はR1 =t−ブチル、R2 =R3 =2−
    エチルヘキシルオキシ、R4 =H、p=r=1、q=
    2); 【化36】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、p=q=
    1、X=O;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
    H、p=q=1、X=S;R1 =2−エチルヘキシルオ
    キシ、R2 =H、p=q=1、X=n−ヘキシル;R1
    =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、p
    =q=2、X=O;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、
    2 =n−ヘキシル、p=q=2、X=S;又はR1
    2−エチルヘキシルオキシ、R2 =n−ヘキシル、p=
    q=2、X=N−ヘキシル); 【化37】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =フェ
    ニル;R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘキシル;
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =n
    −ヘキシルオキシ;又はR1 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3 =H); 【化38】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =フェ
    ニル;R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘキシル;
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =n
    −ヘキシルオキシ;又はR1 =2−エチルヘキシルオキ
    シ、R2 =n−ヘキシルオキシ、R3 =H); 【化39】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =フェ
    ニル;R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘキシル;
    又はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3
    =n−ヘキシル); 【化40】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =R3 =H;R
    1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =フェ
    ニル;R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘキシル;
    又はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3
    =n−ヘキシル);又は 【化41】 (上式中、 R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R3 =メ
    チル;R1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2 =H、R
    3 =フェニル;R1 =t−ブチル、R2 =R3 =n−ヘ
    キシル;又はR1 =2−エチルヘキシルオキシ、R2
    H、R3 =n−ヘキシル)
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