JP2006229665A - 温度補償圧電発振回路、および温度補償圧電発振回路を備えた電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 簡易な構成で高精度に温度補償電圧の設定を図ることができる温度補償圧電発振回路および、それを備えた電子装置を構成する。
【解決手段】 水晶振動子ＸＤ１にバラクタダイオードＶＤ１を接続し、バラクタダイオードＶＤ１に感温抵抗素子回路１５ａ・１５ｂを接続する。各感温抵抗素子回路は分圧回路１６を備え、分圧回路はサーミスタＴＨを含む。第１抵抗回路１７と第２抵抗回路１８とは直列に接続していて、第１抵抗回路１７と第２抵抗回路１８との接続点から分圧電圧を引き出し、感温抵抗素子回路１５ａ・１５ｂは、それぞれバラクタダイオードＶＤ１の端子に分圧電圧を常に印加するように回路を構成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、圧電発振回路、特に周囲の温度に応じて発振周波数が変化しないように圧電発振回路の発振周波数を補正する温度補償圧電発振回路、およびこれを備えた電子装置に関するものである。

一般に、発振回路は所定周波数で共振する水晶振動子等の圧電共振素子と、該圧電共振素子に接続された増幅回路とを備えている。このような水晶振動子等の圧電共振素子の共振周波数は温度依存性があり、圧電共振素子の温度に応じて共振周波数が変化する。例えば、ＡＴカット水晶振動子（以下、単に「水晶振動子」という。）は低温から高温にかけて周波数が上昇・下降・上昇する周波数温度特性を示す。
この共振周波数が変化する問題を解決する発振回路として、従来から圧電共振素子に接続されたバラクタダイオード等の可変容量素子と、周囲温度に応じて可変容量素子に印加する電圧を変化させる感温抵抗素子回路とを備えた温度補償圧電発振回路が複数提案されている（例えば、特許文献１・特許文献２・特許文献３参照）。
ここで従来の一般的な温度補償圧電発振回路である特許文献１での回路構成例を図１に示す。図１に示すように温度補償圧電発振回路１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する可変容量素子（バラクタダイオードＶＤ１）とを備える。

このバラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路５が接続される。また、バラクタダイオードＶＤ１のアノードには、バイアス回路である抵抗器Ｒ４・抵抗器Ｒ５による分圧回路の分圧点が接続され、分圧点にさらに直流電流遮断用のコンデンサＣ５が接続される。

感温抵抗素子回路５は、感温抵抗素子であるサーミスタＴＨ１・サーミスタＴＨ２・サーミスタＴＨ３と抵抗器Ｒ７・抵抗器Ｒ８・抵抗器Ｒ９を備える。サーミスタＴＨ２・サーミスタＴＨ３・抵抗器Ｒ８・抵抗器Ｒ９からなる回路は分圧回路６ａとして作用し、サーミスタＴＨ１・抵抗器Ｒ７からなる回路は分圧回路６ｂとして作用する。このため、この感温抵抗素子回路５では、分圧回路６ａと分圧回路６ｂとによって、電源電圧に対して２段階の分圧が行われる。

分圧回路６ａでは、第１抵抗回路７ａとしてサーミスタＴＨ２・抵抗器Ｒ８を直列に接続し、サーミスタＴＨ２の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子２に接続している。また第２抵抗回路８ａとしてサーミスタＴＨ３・抵抗器Ｒ９を並列に接続し、一方端を接地している。そして第１抵抗回路７ａと第２抵抗回路８ａを直列接続し、接続点を分圧回路６ｂに接続している。

分圧回路６ｂでは、第１抵抗回路７ｂであるサーミスタＴＨ１の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子２に接続している。また第２抵抗回路８ｂである抵抗器Ｒ７の一方端を分圧回路６ａの分圧点に接続している。そして、第１抵抗回路７ｂであるサーミスタＴＨ１と第２抵抗回路８ｂである抵抗器Ｒ７を直列接続し、接続点をバラクタダイオードＶＤ１のカソードに抵抗器Ｒ６を介して接続している。

このような構成のもと圧電共振素子として共振周波数が変化する水晶振動子ＸＤ１を用いた温度補償圧電発振回路１では、水晶振動子ＸＤ１と、可変容量素子であるバラクタダイオードＶＤ１との合成キャパシタンスに回路の共振周波数が依存する。そのため、バラクタダイオードＶＤ１に印加する電圧を調整すれば、バラクタダイオードＶＤ１のキャパシタンスが変化し、この結果、水晶振動子ＸＤ１との合成キャパシタンスが変化して、共振周波数が変化する。この変化量を水晶振動子ＸＤ１の温度による共振周波数の変化を打ち消すように設定しておけば、周囲温度による影響の少ない略一定の共振周波数の高周波信号を得ることができる。

そこで感温抵抗素子回路５の出力電圧をバラクタダイオードＶＤ１のカソード端子に印加して合成キャパシタンスを設定し、水晶振動子ＸＤ１との合成キャパシタンスによる共振周波数の変化と、温度変化によるバラクタダイオードＶＤ１の発振周波数の変化とを相殺させて発振器の温度補償を行っている。

すなわち上述のように水晶振動子ＸＤ１は低温から高温にかけて周波数が上昇・下降・上昇する温度特性を示すため、バラクタダイオードＤＶ１への印加電圧が低温から高温にかけて下降・上昇・下降するように感温抵抗素子回路５の感温抵抗素子の抵抗温度特性を設定する。

そこで、上述の感温抵抗素子回路５の構成では、電圧が下降してから上昇する低温の温度域、電圧が下降してから上昇する高温の温度域、全体の温度域、のそれぞれの調整用に感温抵抗素子回路５にサーミスタを３つ設けて比較的に高精度な調整を可能とする。例えばサーミスタＴＨ２と抵抗器Ｒ８を低温の温度域に対応させ、サーミスタＴＨ１と抵抗器Ｒ７を高温の温度域に対応させ、サーミスタＴＨ３と抵抗器Ｒ９を全体の温度域に対応させ調整する。このように調整することで従来は主として作用する温度域をサーミスタに対応付け、それぞれを調整することで適切な温度補償電圧が形成されるように３つのサーミスタで感温抵抗素子回路を形成していた。

このように温度補償圧電発振回路１の発振周波数の精度を向上させるためにはサーミスタの個数が複数個必要であるが、温度補償電圧の調整をさらに容易にし、より精緻に設定することができる温度補償圧電発振回路が特許文献２で示されている。この特許文献２では感温抵抗素子回路においてさらにサーミスタの個数を増やすために、分圧回路による分圧を複数回繰り返すことで、温度補償電圧の設定をより詳細に行う。

また、より広い温度範囲で温度補償電圧の調整を可能にするため、サーミスタを感温抵抗素子回路に適用した温度補償圧電発振回路をバラクタダイオードの両端に接続し、それぞれの感温抵抗素子の動作を温度によってスイッチする構成が特許文献３で示されている。
特開２００４−２７４４９１公報 特開平１１−２５１８３７号公報 実開平１−８１０１８号公報

上述の特許文献２のようにサーミスタの個数を増やすために感温抵抗素子回路を複数段の分圧回路で構成した場合、サーミスタが増えることにより温度補償電圧の調整を精緻に行うことができるようになる。しかし、単純にサーミスタ数を増やすのみでは、充分な温度補償の精度を得ることはできない。

すなわち感温抵抗素子回路を複数段に接続した分圧回路で構成すると、この感温抵抗素子回路では複数段に形成された分圧回路のうち、前段の分圧回路のダイナミックレンジよりも後段の分圧回路のダイナミックレンジが小さくなる。すなわち、感温抵抗素子回路としての出力電圧のダイナミックレンジが小さなものとなり、実装に際して必要なダイナミックレンジを得られない。そのため、従来の温度補償圧電発振回路では、特許文献２のように必要な大きさのダイナミックレンジを得るために感温抵抗素子回路に増幅器を併設する必要があり、回路構成が複雑化し部品点数が増加していた。

また、このような構成の感温抵抗素子回路では、後段の分圧回路における抵抗回路のインピーダンスを、前段の分圧回路における抵抗回路のインピーダンスよりも常に十分に大きくなるようにする必要があり、分圧の段数が多くなると、より後段の分圧回路における抵抗回路のインピーダンスは非常に大きなものになる。しかしながら、選択できるサーミスタの種類には限度があるために、実装に際して選定可能なサーミスタのＢ定数および抵抗値が制限されてしまい、また実装可能なサーミスタの数の制限が生じる。

また、サーミスタの個数を従来以上に増やすために複数段の分圧回路で感温抵抗素子回路を構成すると、抵抗の小さいサーミスタを用いる必要が生じ、そのサーミスタに流れる電流による自己発熱を無視できない場合があった。すると、そのサーミスタの温度補償電圧の設定精度の向上は困難になり、また消費電力の増加なども生じる。

さらに、特許文献３のように温度補償圧電発振回路を構成した場合には、温度域ごとに動作する感温抵抗素子回路を切り換えるスイッチ素子が必要であり、また使用時に動作しているサーミスタは、一部のみであり、感温抵抗素子回路の出力である温度補償電圧の精度向上には寄与するものではなかった。

以上のように従来の技術ではより精緻に温度補償電圧を設定するにはより複雑な回路が必要であり、高精度な設定を図ることに困難があった。

そこで本発明は、上述のさまざまな問題を解決して、簡易な構成で高精度に温度補償電圧の設定を図ることができる温度補償圧電発振回路およびそれを備えた電子装置を提供することを目的とする。

ここで分圧回路という回路を定義付ける。この分圧回路とは、第１抵抗回路と第２抵抗回路とを直列に接続し、第１抵抗回路と第２抵抗回路との接続点から分圧電圧を引き出し、第１抵抗回路と第２抵抗回路との、少なくとも一方に感温抵抗素子を備える回路とする。また、感温抵抗素子回路という回路を定義づける。この感温抵抗素子回路とは、すくなくとも１つ以上の分圧回路を備え、可変容量素子の１つの端子に常に出力電圧を印加するよう接続された回路のこととする。

なお、分圧回路の出力をそのまま感温抵抗素子回路の出力とするのはもちろんだが、分圧回路の出力を、サーミスタを含まない単なる抵抗のみの回路で更に分圧して出力するような構成についても、本発明は除外するものではない。但し、この場合の単なる抵抗のみの回路は本発明の定義による分圧回路には含めない。

本発明は上述の定義のもと、複数の感温抵抗素子回路の出力電圧を可変容量素子に常に印加する。そして、全ての感温抵抗素子回路に含まれる感温抵抗素子の合計数が４つ以上となるように、それぞれの感温抵抗素子回路を構成する。

この構成により本発明の温度補償圧電発振回路では、サーミスタを複数の感温抵抗素子回路に分けて設ける。すると、特別な回路、例えば増幅器やスイッチ回路を設けずに、簡易な回路で従来より多くの感温抵抗素子を設けることができる。それぞれの感温抵抗素子回路においては、含まれる感温抵抗素子の設定を、他の感温抵抗素子回路によらずに定めることができ、従来の全てのサーミスタを１つの感温抵抗素子回路に設けていた温度補償圧電発振回路に比べ、多くのサーミスタを設けることができる。さらに感温抵抗素子の数を、従来の３つよりも多い４つ以上とするため、温度補償電圧を高精度に設定できる。また通常は温度補償できなかった温度域でも、設定によって優れた精度で共振周波数を補償することができる。

また本発明は上述の定義のもと、少なくとも１つの感温抵抗素子回路に複数の前記分圧回路を備える。そしてその感温抵抗素子回路では、いずれかの分圧回路の分圧電圧を別の分圧回路でさらに分圧するように接続する。

このような構成により、本発明の温度補償圧電発振回路は、複数段に接続した分圧回路で感温抵抗素子回路を構成する。このように複数段で分圧回路を接続した構成では、温度補償電圧が容易に設定できる。また、従来の複数段で分圧回路を接続した構成とくらべ分圧の段数を同じまたは減らしながら、感温抵抗素子の個数を増やすことができる。

従来の場合、分圧の段数が多いため後段の分圧回路からの出力電圧のダイナミックレンジが減少していた。しかし本発明によって分圧の段数を抑制すると、実装に充分な大きさのダイナミックレンジを得ることができる。すくなくとも一つの感温抵抗素子回路で充分な大きさのダイナミックレンジを発生させると、他の感温抵抗素子回路のダイナミックレンジが小さくとも温度補償圧電発信回路として必要なダイナミックレンジを確保することができる。また従来は非常に小さな抵抗値の感温抵抗素子を用いる必要があり、すると回路に流れる電流による感温抵抗素子の自己発熱が増加するという問題があった。しかし本発明によれば小さな抵抗値の感温抵抗素子を用いることが不用になり、その結果、自己発熱の問題を解消できる。また従来は後段の分圧回路における抵抗回路のインピーダンスを大きくする必要があった。しかし本発明によれば、限られた感温抵抗素子の種類の中で実装に必要なＢ定数および抵抗値を選択しても、後段の分圧回路における抵抗回路のインピーダンスの大きさを抑制することができる。

また本発明は上述の定義のもと、分圧回路の分圧電圧を別の分圧回路でさらに分圧するように接続した感温抵抗素子回路の、分圧回路の数を最大でも２つとする。

この構成により本発明の温度補償圧電発振回路では、従来よりサーミスタの選定に制限が無くなり、抵抗温度特性であるＢ定数や無負荷時抵抗値の調整を容易にできる。また簡易な回路構造を実現できる。

また本発明は上述の定義のもと、いずれかの感温抵抗素子回路を、感温抵抗素子を１つ含む分圧回路と、感温抵抗素子を２つ含む分圧回路とで構成する。

この構成によりこの感温抵抗素子回路に含まれる感温抵抗素子の数は３つとなるとともに、その３つの感温抵抗素子の調整により、温度補償電圧の全体の曲率や傾き調整用の感温抵抗素子と、低温の温度域での曲率や傾き調整用の感温抵抗素子と、高温の温度域での曲率や傾き調整用の感温抵抗素子とを分けて行うことができるようになる。通常は２つの感温抵抗素子が含まれるほうの分圧回路を高温と低温の調整用とし、１つの感温抵抗素子が含まれるほうの分圧回路を全体の温度域の調整用とするとさらに設定が容易である。

また本発明は上述の定義のもと、複数の可変容量素子を備え、複数の感温抵抗素子回路をそれぞれ異なる可変容量素子の端子に接続する。

この構成により本発明の温度補償圧電発振回路は、可変容量素子の数が増える。すると１つの可変容量素子は複数の端子を備えるため、より多くの感温抵抗素子回路を設けることができる。これにより、簡易な回路でさらに多くの感温抵抗素子を設けるとともに、それぞれの感温抵抗素子回路に含まれる感温抵抗素子の設定を、他の感温抵抗素子回路によらずに定めることができ、サーミスタの選定上の制限が減少する。また、例えば可変容量素子の１つの端子にのみ感温抵抗素子回路を設けた場合には、その可変容量素子のキャパシタンスの設定が容易になる。

また本発明は上述の定義のもと、可変容量素子の両端の端子に、それぞれ感温抵抗素子回路を接続する。

このような構成により、この可変容量素子に印加する電圧をより精緻に設定することができる。この可変容量素子のキャパシタンスを２つの感温抵抗素子回路からの出力電圧で形成するため、可変容量素子にかかる印加電圧のダイナミックレンジを大きく設定することができる。

また本発明は上述の定義のもと、全ての前記感温抵抗素子回路のうち、２つの感温抵抗素子回路の接続構造を略同一のものとし、それぞれの感温抵抗素子回路は電源側と接地側との位置を入れ替えて上下反転させて用いる。

このような構成により、２つの感温抵抗素子回路が、ほぼ同一の接続構造で電源側の端子と接地側の端子を入れ替えて上下反転させたような回路構成となる。そのため、これらの感温抵抗素子回路の回路構成を簡易なものとすることができるとともに、容易に温度補償電圧の設定が行える。

また本発明は上述の定義のもと、最も感温抵抗素子の数が多い感温抵抗素子回路では、使用温度域での抵抗温度特性が異なる複数の感温抵抗素子を、分圧回路ごとに異ならせて配置し、最多段数の感温抵抗素子回路に用いた複数の感温抵抗素子のうちいずれかの感温抵抗素子と略同一の抵抗温度特性の感温抵抗素子のみで他の感温抵抗素子回路を構成する。

このような構成により、異なる感温抵抗素子回路との間で、用いる感温抵抗素子の種類を共通化できるため、従来よりも感温抵抗素子回路を簡易化できる。

また本発明は上述の定義のもと、３つの感温抵抗素子回路の出力電圧を複数の可変容量素子に常に印加する。そして、全ての感温抵抗素子回路に含まれる感温抵抗素子の合計数が３つとなるように、それぞれの感温抵抗素子回路を構成する。

この構成により本発明の温度補償圧電発振回路では、サーミスタを複数の感温抵抗素子回路に分けて設ける。すると感温抵抗素子の数が従来と同様に３つであっても、それぞれの感温抵抗素子回路においては、含まれる感温抵抗素子の設定を、他の感温抵抗素子回路によらずに定めることができる。

また本発明は上述の定義のもと、１つの感温抵抗素子回路に２つの前記分圧回路を備える。そしてその感温抵抗素子回路では、一方の分圧回路の分圧電圧を他方の分圧回路でさらに分圧するように接続する。そして、全ての感温抵抗素子回路に含まれる感温抵抗素子の合計数が３つとなるように、それぞれの感温抵抗素子回路を構成する。

この構成により本発明の温度補償圧電発振回路では、サーミスタを複数の感温抵抗素子回路に分けて設ける。すると感温抵抗素子の数が従来と同様に３つであっても、それぞれの感温抵抗素子回路においては、含まれる感温抵抗素子の設定を、他の感温抵抗素子回路によらずに定めることができる。このように複数段で分圧回路を接続した構成では、従来よりサーミスタの選定に制限が無くなり、抵抗温度特性であるＢ定数や無負荷時抵抗値の調整を容易にできる。また簡易な回路構造を実現できる。

また本発明は上述の定義のもと、上述の構成の温度補償圧電発振回路を備えて電子装置を構成する。

このような構成により、より高精度に温度補償のされた電子装置を得ることができる。

本発明によれば、従来の問題を解決し、簡易な回路で温度に対する周波数の安定性に優れた発振回路を形成するとともに高精度な温度補償を行う電子装置を実現できる。

以下に、第１の実施形態を示す。図２は第１の実施形態に係る温度補償圧電発振回路１１を含み、コルピッツ発振回路の負性抵抗発生部分を増幅回路１４として設けた回路図の例である。

増幅回路１４としては、ここでは上述の従来例の図１で示した増幅回路４と同一なコルピッツ発振回路の負性抵抗発生部分を設けている。そのため、図１の増幅回路４をもとにこの増幅回路１４を説明する。

増幅回路１４では、水晶振動子ＸＤ１をトランジスタＱ１のベースに接続している。また、トランジスタＱ１のコレクタを電源電圧Ｖｃｃ端子１２に接続し、エミッタを抵抗器Ｒ１およびコンデンサＣ２を介して接地している。また、トランジスタＱ１のエミッタとベースとの間には、帰還用コンデンサＣ１を接続し、ベースにはさらに抵抗器Ｒ３・抵抗器Ｒ２によるベースバイアス回路を接続している。また、トランジスタＱ１のエミッタは、コンデンサＣ３を介して信号出力Ｖｏｕｔ端子１３に接続している。また、トランジスタＱ１のコレクタはコンデンサＣ４を介して高周波的に接地している。この結果、トランジスタＱ１は水晶振動子ＸＤ１の共振周波数で負性抵抗回路として作用する。

また、図２に示すように温度補償圧電発振回路１１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路１４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する可変容量素子（バラクタダイオードＶＤ１）を備える。バラクタダイオードＶＤ１のアノードは水晶振動子ＸＤ１と接続し、このバラクタダイオードＶＤ１のアノードにはさらに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路１５ａを接続している。また、バラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路１５ｂを接続し、さらに直流電流遮断用のコンデンサＣ５を介して接地している。

感温抵抗素子回路１５ａは、感温抵抗素子である負特性のサーミスタＴＨ１・サーミスタＴＨ２・サーミスタＴＨ３と、抵抗器Ｒ７・抵抗器Ｒ８・抵抗器Ｒ９とを備えている。これらの素子のうち、サーミスタＴＨ２・サーミスタＴＨ３・抵抗器Ｒ８・抵抗器Ｒ９からなる回路は分圧回路１６ａとして作用する。また、サーミスタＴＨ１・抵抗器Ｒ７からなる回路は分圧回路１６ｂとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路１５ａは、分圧回路１６ａと分圧回路１６ｂによる２段の分圧を行う。

分圧回路１６ａでは第１抵抗回路１７ａとして、サーミスタＴＨ２・抵抗器Ｒ８を直列接続し、サーミスタＴＨ２の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子１２に接続している。また、第２抵抗回路１８ａとして、サーミスタＴＨ３・抵抗器Ｒ９を並列に接続し、一方端を接地している。そして、第１抵抗回路１７ａと第２抵抗回路１８ａを直列接続し、接続点を分圧回路１６ｂに接続している。

分圧回路１６ｂでは、第１抵抗回路１７ｂであるサーミスタＴＨ１の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子１２に接続している。また、第２抵抗回路１８ｂである抵抗器Ｒ７の一方端を分圧回路１６ａの分圧点に接続している。そして、第１抵抗回路１７ｂであるサーミスタＴＨ１と第２抵抗回路１８ｂである抵抗器Ｒ７を直列接続し、接続点をバラクタダイオードＶＤ１のアノードに抵抗器Ｒ６を介して接続している。

また、感温抵抗素子回路１５ｂは、負特性のサーミスタＴＨ４・サーミスタＴＨ５・サーミスタＴＨ６と抵抗器Ｒ１１・抵抗器Ｒ１２・抵抗器Ｒ１３を備えている。サーミスタＴＨ５・サーミスタＴＨ６・抵抗器Ｒ１２・抵抗器Ｒ１３からなる回路は分圧回路１６ｃとして作用し、また、サーミスタＴＨ４・抵抗器Ｒ１１からなる回路は分圧回路１６ｄとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路１５ｂは、分圧回路１６ｃと分圧回路１６ｄによる２段の分圧を行う。

分圧回路１６ｃでは、第１抵抗回路１７ｃとしてサーミスタＴＨ６・抵抗器Ｒ１３を並列に接続し、この並列回路の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子１２に接続している。また、第２抵抗回路１８ｃとしてサーミスタＴＨ５・抵抗器Ｒ１２を直列に接続し、サーミスタＴＨ５の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路１７ｃと第２抵抗回路１８ｃを直列接続し、接続点を分圧回路１６ｄに接続している。

分圧回路１６ｄでは、第２抵抗回路１８ｄであるサーミスタＴＨ４の一方端を接地している。また、第１抵抗回路１７ｄである抵抗器Ｒ１１の一方端を分圧回路１６ｃの分圧点に接続している。そして、第１抵抗回路１７ｄである抵抗器Ｒ１１と第２抵抗回路１８ｄであるサーミスタＴＨ４とを直列接続し、接続点をバラクタダイオードＶＤ１のカソードに抵抗器Ｒ１０を介して接続している。

ここで、サーミスタＴＨ１〜３とサーミスタＴＨ４〜６のそれぞれは、２５℃での抵抗値が略同一の抵抗値と、略同一のＢ定数を示すサーミスタ（以下定格サーミスタという。）であり、たとえば、ＴＨ１とＴＨ４、ＴＨ２とＴＨ５、ＴＨ３とＴＨ６などにそれぞれ同じ定格サーミスタを用い、それぞれの組み合わせの間で抵抗値のオーダーを違えて使用する。

以上の感温抵抗素子回路１５ａ・感温抵抗素子回路１５ｂには、電源電圧Ｖｃｃ端子１２からの電源電圧が供給され、出力電圧が３次曲線に近い温度電圧特性を示すようにそれぞれの抵抗器・サーミスタを設定する。そして、それぞれ出力電圧をバラクタダイオードＶＤ１の両端に印加する。そのため感温抵抗素子回路１５ａからの印加電圧と、感温抵抗素子回路１５ｂからの印加電圧との電位差に応じてバラクタダイオードＶＤ１のキャパシタンスが変化して容量素子として機能する。そしてこのバラクタダイオードＶＤ１のキャパシタンスと水晶振動子ＸＤ１との合成キャパシタンスにより共振周波数が定まる。

上述のように水晶振動子ＸＤ１は低温から高温にかけて周波数が上昇、下降、上昇する温度特性を示すため、バラクタダイオードＶＤ１への感温抵抗素子回路１５ａの出力電圧と感温抵抗素子回路１５ｂの出力電圧との電位差が低温から高温にかけて下降、上昇、下降するように感温抵抗素子回路１５ａ・感温抵抗素子回路１５ｂのサーミスタの抵抗温度特性を設定する。その結果、この回路の発振周波数は温度に左右されないようになる。

このように、本実施形態によれば、多くの感温抵抗素子（サーミスタ）を用いて高精度な温度補償を行いながらも増幅器などを要さない温度補償圧電発振回路を構成することができ、従来では実現できなかった個数のサーミスタを実装することができる。また、１つの感温抵抗素子回路に複数段の分圧回路を設けるために、従来は多種の抵抗温度特性のサーミスタを必要としたが、本実施形態によれば少ない種類の抵抗温度特性のサーミスタで温度補償圧電発振回路を構成することができる。

また、本実施形態のように感温抵抗素子回路１５ａ・感温抵抗素子回路１５ｂはそれぞれ上下反転させて接続したような構成とすることで、各感温抵抗素子回路の出力電圧の計算が簡易になり、容易に温度補償圧電発振回路の設計が行える。なお、必ずしもこのように上下反転させなくともよい。

なお、バラクタダイオードＶＤ１のカソードにはアノードよりも高い電圧が印加されるように温度補償電圧発生回路を設定するが、順方向電流が流れない範囲で、ある温度範囲で電圧関係が逆転しても良く、また負性抵抗発生回路は電界効果トランジスタやそれらを組み合わせた能動素子で構成しても良い。

また、本実施形態ではバラクタダイオードＶＤ１を水晶振動子ＸＤ１に直接接続しているが、例えばコンデンサを介して接続する構成のように間接的に接続していても構わない。

次に、この回路において抵抗器・サーミスタの抵抗値を以下のように設定する場合の温度補償の効果についてシミュレーションで得た結果をもとに説明する。なお、このシミュレーション時の電源電圧は２．８Ｖとした。各抵抗器は、Ｒ７を１３．２２ｋΩ、Ｒ８を１５３．６４ｋΩ、Ｒ９を６２．６２ｋΩ、Ｒ１１を１１．６６ｋΩ、Ｒ１２を１２．６４ｋΩ、Ｒ１３を２２．２０ｋΩ、とした。各サーミスタは２５℃の温度での抵抗値が、ＴＨ１とＴＨ４を４７０ｋΩ、ＴＨ２とＴＨ５を０．６８ｋΩ、ＴＨ３とＴＨ６を６８ｋΩと示すよう設定し、各サーミスタのＢ定数は、ＴＨ１とＴＨ４が４６５０、ＴＨ２とＴＨ５が４０４０、ＴＨ３とＴＨ６が４６５０を示すものとした。

ここで図１２にこれらのサーミスタの抵抗温度特性を示す。また、図１３にこの回路の水晶発振子ＸＤ１の周波数温度特性を示す。

また、この回路における水晶振動子ＸＤ１およびバラクタダイオードＶＤ１による共振周波数と、バラクタダイオードＶＤ１の両端子の電位差との関係を、一定温度、０Ｖ印加の時を基準として図１４に示す。

シミュレーションでは、それぞれの感温抵抗素子回路に含まれる抵抗器とサーミスタとを上記のように設定した。これによりサーミスタの温度に対する抵抗の変化により感温抵抗素子回路１５ａと感温抵抗素子回路１５ｂとの出力電圧も温度により変動した。図１５（ａ）に感温抵抗素子回路１５ａから出力される出力電圧、図１５（ｂ）に感温抵抗素子回路１５ｂから出力される出力電圧をそれぞれ示す。

次に、感温抵抗素子回路１５ａの出力電圧と感温抵抗素子回路１５ｂの出力電圧とをバラクタダイオードＶＤ１の両端子に印加した。その際のバラクタダイオードＶＤ１の両端にかかる電位差を図１５（ｃ）に示す。この電位差により、バラクタダイオードＶＤ１のキャパシタンスが定まり、バラクタダイオードＶＤ１と水晶振動子ＸＤ１との合成キャパシタンスにより、この温度補償圧電発振回路１１の共振周波数が定まる。この共振周波数の周波数温度特性を従来例で示した温度補償共振回路１の共振周波数とともに図１６（ａ）に示す。

以上のように各感温抵抗素子回路の出力電圧と周波数とが、水晶発振子の周波数温度特性の描く３次曲線とは逆方向に変化する３次曲線を描き、水晶発振子の温度変化による周波数の変化を打ち消したことで、図１６（ａ）のように、共振周波数の温度による変動を小さく安定したものにできた。本実施形態の回路においては、図１６（ａ）のようにほとんど全体の温度域に亘って共振周波数を変動の小さなものとすることができ、さらに、従来は温度補償の設定が困難であった例えば６０℃以上の温度域における周波数も調整可能となった。

ここで示したように感温抵抗素子回路１５ａ・感温抵抗素子回路１５ｂを上下反転させて接続し、感温抵抗素子回路１５ａ・感温抵抗素子回路１５ｂで同一の抵抗温度特性の定格サーミスタを使用することで、温度補償圧電発振回路１１全体としての定格サーミスタの種類数を抑制できる。そのため、さらに各感温抵抗素子回路の出力電圧の計算が簡易になるとともに、容易に温度補償圧電発振回路の設計が行える。なお、このシミュレーションの例では同一の定格サーミスタをいくつか用いたが、同一の定格サーミスタを用いなくともよく、その場合にはより細かな温度補償の設定ができるとともに、従来では表現できなかった温度補償電圧の波形を実現できる。また、それぞれの定格サーミスタの位置が異なっていてもよく、１つの感温抵抗素子回路内で同一の定格サーミスタを複数用いなければどのように構成してもよい。

また、このように比較的高い抵抗値のサーミスタのみで各感温抵抗素子回路を構成すると、各サーミスタの自己発熱を抑制することができ、回路全体としての消費電力も抑制することができる。

なお、ここで示したように同一の抵抗温度特性のサーミスタを各感温抵抗素子回路の対応する位置に用いなくともよく、その場合には、より温度補償の自由度が上がり、優れた温度補償を行うことができる。

また、電源電圧Ｖｃｃ端子に電圧レギュレーターを介して接続すると電源電圧の変動の影響を軽減することができる。

次に第２の実施形態の回路例を、図３に示す。

図３の温度補償圧電発振回路２１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路２４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する可変容量素子であるバラクタダイオードＶＤ１を備える。ここで増幅回路２４は前述の第１の実施形態の回路例で示した増幅回路１４と同一のものである。

バラクタダイオードＶＤ１のアノードは水晶振動子ＸＤ１と接続し、バラクタダイオードＶＤ１のアノードにはさらに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路２５ａを接続している。また、バラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路２５ｂを接続し、さらに直流電流遮断用のコンデンサＣ５を介して接地している。

ここで感温抵抗素子回路２５ａは、前述の第１の実施形態の回路例で示した感温抵抗素子回路１５ａと同一のものである。

一方、感温抵抗素子回路２５ｂは、感温抵抗素子である負特性のサーミスタＴＨ４・サーミスタＴＨ５・サーミスタＴＨ６と抵抗器Ｒ１１・抵抗器Ｒ１２・抵抗器Ｒ１３・抵抗器Ｒ１４を備えている。サーミスタＴＨ６・抵抗器Ｒ１３・抵抗器Ｒ１４からなる回路は分圧回路２６ｃとして作用する。また、サーミスタＴＨ５・抵抗器Ｒ１２からなる回路は分圧回路２６ｄとして作用する。また、サーミスタＴＨ４・抵抗器Ｒ１１からなる回路は分圧回路２６ｅとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路２５ｂは、分圧回路２６ｃと分圧回路２６ｄと分圧回路２６ｅとによる３段の分圧を行う。

分圧回路２６ｃでは、第１抵抗回路２７ｃとしてサーミスタＴＨ６・抵抗器Ｒ１３を並列に接続し、この並列回路の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子２２に接続している。また、第２抵抗回路２８ｃとして抵抗器Ｒ１４を用い、抵抗器Ｒ１４の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路２７ｃと第２抵抗回路２８ｃを直列接続し、接続点を分圧回路２６ｄに接続している。

分圧回路２６ｄでは、第１抵抗回路２７ｄである抵抗器Ｒ１２の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子２２に接続している。また、第２抵抗回路２８ｄであるサーミスタＴＨ５の一方端を分圧回路２６ｃの分圧点に接続している。そして、第１抵抗回路２７ｄである抵抗器Ｒ１２と第２抵抗回路２８ｄであるサーミスタＴＨ５とを直列接続し、接続点を分圧回路２６ｅに接続している。

分圧回路２６ｅでは、第１抵抗回路２７ｅである抵抗器Ｒ１１の一方端を分圧回路２６ｄの分圧点に接続している。また、第２抵抗回路２８ｅであるサーミスタＴＨ４の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路２７ｅである抵抗器Ｒ１１と第２抵抗回路２８ｅであるサーミスタＴＨ４とを直列接続し、接続点をバラクタダイオードＶＤ１のカソードに抵抗器Ｒ１０を介して接続している。

感温抵抗素子回路２５ｂのように３つの分圧回路による３段の分圧を行う場合、従来は分圧回路間に増幅器を設けてダイナミックレンジを所定以上にする必要があった。しかし本実施形態の場合には、一方の感温抵抗素子回路２５ａを２段の分圧を行うものとすることで、この２段の分圧を行う感温抵抗素子回路２５ａにより必要なダイナミックレンジを確保する。感温抵抗素子回路２５ａを主として作用させ、３段の分圧を行う感温抵抗素子回路２５ｂを補助的な微調整用に作用させることで、増幅器を分圧回路の間に設けなくても充分なダイナミックレンジを得ることができる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路２５ａを第１の実施形態での感温抵抗素子回路１５ａと同一なものとしたが、他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたものとしてもよく。少なくとも１つの感温抵抗素子回路が３段の分圧を行うと同様な効果を奏する。

次に第３の実施形態の回路例を図４に示す。

図４の温度補償圧電発振回路３１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路３４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する可変容量素子であるバラクタダイオードＶＤ１を備える。ここで増幅回路３４は前述の第２の実施形態の回路例で示した増幅回路２４と同一のものである。

バラクタダイオードＶＤ１のアノードは水晶振動子ＸＤ１と接続し、バラクタダイオードＶＤ１のアノードにはさらに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路３５ａを接続している。また、バラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路３５ｂを接続し、さらに直流電流遮断用のコンデンサＣ５を介して接地している。

ここで感温抵抗素子回路３５ａは、前述の第２の実施形態の回路例で示した感温抵抗素子回路２５ａと同一のものである。

一方、感温抵抗素子回路３５ｂは、感温抵抗素子である負特性のサーミスタＴＨ４・サーミスタＴＨ５・サーミスタＴＨ６と抵抗器Ｒ１１・抵抗器Ｒ１２を備えている。すると、このサーミスタＴＨ４・サーミスタＴＨ５・サーミスタＴＨ６・抵抗器Ｒ１１・抵抗器Ｒ１２が分圧回路３６ｃとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路３５ｂは、分圧回路３６ｃによる一段の分圧を行う。

この分圧回路３６ｃでは、第１抵抗回路３７ｃとしてサーミスタＴＨ４・抵抗器Ｒ１２を直列に接続し、この直列回路をサーミスタＴＨ５と並列に接続し、さらにその並列回路の一方端に抵抗器Ｒ１１を直列に接続している。そしてサーミスタＴＨ４・抵抗器Ｒ１２とサーミスタＴＨ５とから成る並列回路の、抵抗器Ｒ１２の側の端子を電源電圧Ｖｃｃ端子３２に接続している。また、第２抵抗回路３８ｃとしてサーミスタＴＨ６を用い、サーミスタＴＨ６の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路３７ｃの抵抗器Ｒ１１の一方端と第２抵抗回路３８ｃであるサーミスタＴＨ６の一方端とを直列接続し、接続点をバラクタダイオードＶＤ１のカソードに抵抗器Ｒ１０を介して接続している。

このように感温抵抗素子回路３５ｂを、１段の分圧を行うものとした場合でも感温抵抗素子回路３５ａの２段の分圧を行う感温抵抗素子回路３５ｂとともに用いることで、従来より高精度な温度補償電圧の設定とサーミスタの種類の数の抑制をすることができる。そして、１段の分圧回路３６ｃしか備えない感温抵抗素子回路３５ｂによって出力電圧のダイナミックレンジを大きくとることができる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路３５ａを第２の実施形態での感温抵抗素子回路２５ａと同一なものとしたが、他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたものとしてもよく。少なくとも１つの感温抵抗素子回路が１段の分圧を行い、他の一つの感温抵抗素子回路が２段以上の分圧を行うと同様な効果を奏する。

次に第４の実施形態の回路例を、図５に示す。

図５の温度補償圧電発振回路４１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路４４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する可変容量素子であるバラクタダイオードＶＤ１を備える。

バラクタダイオードＶＤ１のアノードは水晶振動子ＸＤ１と接続し、バラクタダイオードＶＤ１のアノードにはさらに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路４５ａを接続している。また、バラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路４５ｂを接続し、さらに直流電流遮断用のコンデンサＣ５を介して接地している。

ここで増幅回路４４は前述の第３の実施形態の回路例で示した増幅回路３４と同一のものである。また感温抵抗素子回路４５ａは、感温抵抗素子回路３５ａと同一のものである。

一方、感温抵抗素子回路４５ｂは、感温抵抗素子であるサーミスタＴＨ４・サーミスタＴＨ５・サーミスタＴＨ６・サーミスタＴＨ７と抵抗器Ｒ１１・抵抗器Ｒ１２・抵抗器Ｒ１３・抵抗器Ｒ１４を備えている。サーミスタＴＨ６・サーミスタＴＨ７・抵抗器Ｒ１３・抵抗器Ｒ１４からなる回路は分圧回路４６ｃとして作用する。また、サーミスタＴＨ５・抵抗器Ｒ１２からなる回路は分圧回路４６ｄとして作用する。また、サーミスタＴＨ４・抵抗器Ｒ１１からなる回路は分圧回路４６ｅとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路４５ｂは、分圧回路４６ｃと分圧回路４６ｄと分圧回路４６ｅとによる３段の分圧を行う。

分圧回路４６ｃでは、第１抵抗回路４７ｃとしてサーミスタＴＨ６・抵抗器Ｒ１３を並列に接続し、この並列回路の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子４２に接続している。また、第２抵抗回路４８ｃとして抵抗器Ｒ１４とサーミスタＴＨ７を接続し、サーミスタＴＨ７の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路４７ｃと第２抵抗回路４８ｃを直列接続し、接続点を分圧回路４６ｄに接続している。

分圧回路４６ｄでは、第１抵抗回路４７ｄである抵抗器Ｒ１２の一方端を分圧回路４６ｃの分圧点に接続している。また、第２抵抗回路４８ｄであるサーミスタＴＨ５の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路４７ｄである抵抗器Ｒ１２と第２抵抗回路４８ｄであるサーミスタＴＨ５とを直列接続し、接続点を分圧回路４６ｅに接続している。

分圧回路４６ｅでは、第１抵抗回路４７ｅである抵抗器Ｒ１１の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子４２に接続している。また、第２抵抗回路４８ｅであるサーミスタＴＨ４の一方端を分圧回路４６ｄの分圧点に接続している。そして、第１抵抗回路４７ｅである抵抗器Ｒ１１と第２抵抗回路４８ｅであるサーミスタＴＨ４とを直列接続し、接続点をバラクタダイオードＶＤ１のカソードに抵抗器Ｒ１０を介して接続している。

このように３つの分圧回路による３段の分圧を行い、さらに４つのサーミスタを１つの感温抵抗素子回路に設けた場合でも、従来のように増幅器を設けなくとも、一方の感温抵抗素子回路４５ａを２段の分圧を行うものとすることで、必要なダイナミックレンジを確保する。感温抵抗素子回路４５ａを主として作用させ、３段の分圧を行う感温抵抗素子回路４５ｂを補助的な微調整用に作用させることで、増幅器を分圧回路の間に設けなくとも充分なダイナミックレンジを得ることができる。そして、この４つのサーミスタにより更に高精度に温度補償の設定ができ、より多くの感温抵抗素子により優れた温度補償を行うことができる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路４５ａを第３の実施形態での感温抵抗素子回路３５ａと同一なものとしたが、他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路３５ｂや、感温抵抗素子回路３５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路４５ｂを上下反転させたものとしてもよく。少なくとも１つの感温抵抗素子回路が３段以上の分圧を行い、さらに４つ以上のサーミスタをその感温抵抗素子回路に設けた場合でも同様な効果を奏する。なお、従来の例で示した回路では増幅器を設けずに４つ以上のサーミスタで１つの分圧回路を構成することは温度補償電圧の設計上困難である。

次に第５の実施形態の回路例を、図６に示す。

図６の温度補償圧電発振回路５１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路５４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する複数の可変容量素子であるバラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２を備える。

バラクタダイオードＶＤ１のカソードは水晶振動子ＸＤ１と接続し、水晶振動子ＸＤ１と接続されたバラクタダイオードＶＤ１のカソードは、バイアス回路である抵抗器Ｒ１３・抵抗器Ｒ１４と接続し、抵抗器Ｒ１３を介して電源電圧Ｖｃｃ端子５２と接続し、抵抗器Ｒ１４を介して接地することでカソード電圧を設定している。

そして、バラクタダイオードＶＤ１のアノードには抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路５５ａを接続している。また、バラクタダイオードＶＤ１のアノードにはさらに直流電流遮断用のコンデンサＣ６の一方端を接続している。コンデンサＣ６の他方端には抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路５５ｂを接続している。また、コンデンサＣ６の前記他方端にはさらにバラクタダイオードＶＤ２のカソードを接続している。バラクタダイオードＶＤ２のアノードは接地している。

ここで増幅回路５４は前述の第１の実施形態の回路例で示した増幅回路１４と同一のものである。また感温抵抗素子回路５５ａと感温抵抗素子回路５５ｂとは、それぞれ感温抵抗素子回路１５ａ・感温抵抗素子回路１５ｂと同一のものである。

このように２つ感温抵抗素子回路で温度補償圧電発振回路を構成し、バラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２のキャパシタンスにより水晶発振子ＸＤ１との合成キャパシタンスを変化させ、共振周波数を調整可能としている。

このように、バラクタダイオードＶＤ１のアノードに感温抵抗素子回路５５ａを、バラクタダイオードＶＤ２のカソードに感温抵抗素子回路５５ｂを接続しているため、バラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２への印加電圧の設定を個別に行うことができ、設計に際して個別の感温抵抗素子回路の設計の自由度が向上する。特に、例えばバラクタダイオードＶＤ１とバラクタダイオードＶＤ２に印加電圧に対する容量変化の異なるものを用いると、一方のバラクタダイオードに電圧を印加する感温抵抗素子回路で粗い温度補償を行い、他方のバラクタダイオードに電圧を印加する感温抵抗素子回路で細かい温度補償を行うことが可能になる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路５５ａ・感温抵抗素子回路５５ｂを第１の実施形態での感温抵抗素子回路１５ａ・感温抵抗素子回路１５ａと同一なものとしたが、それぞれ他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路２５ａや、感温抵抗素子回路２５ａを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路３５ｂや、感温抵抗素子回路３５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路４５ｂや、感温抵抗素子回路４５ｂを上下反転させたものとしてもよい。複数のバラクタダイオードの端子にそれぞれの感温抵抗素子回路を設けさえすれば同様な効果を奏する。

次に第６の実施形態の回路例を、図７に示す。

図７の温度補償圧電発振回路６１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路６４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する複数の可変容量素子（バラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２）を備える。

バラクタダイオードＶＤ１のアノードは水晶振動子ＸＤ１と接続し、バラクタダイオードＶＤ１のアノードにはさらに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路６５ａを接続する。バラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ１４を介して感温抵抗素子回路６５ｃを接続する。また、バラクタダイオードＶＤ１のカソードにはさらに直流電流遮断用のコンデンサＣ６の一方端を接続する。コンデンサＣ６の他方端にはバラクタダイオードＶＤ２のカソードを接続する。バラクタダイオードＶＤ２のカソードにはさらに、抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路６５ｂを接続する。バラクタダイオードＶＤ２のアノードは接地する。

ここで増幅回路６４は前述の第５の実施形態の回路例で示した増幅回路５４と同一のものである。また感温抵抗素子回路６５ａは感温抵抗素子回路５５ａと同一のものであり、感温抵抗素子回路６５ｂ・感温抵抗素子回路６５ｃは、感温抵抗素子回路５５ｂと同一のものであり、感温抵抗素子回路６５ｃは感温抵抗素子回路６５ｂのサーミスタと抵抗器との記号を変えたものである。

このように３つの感温抵抗素子回路で温度補償圧電発振回路を構成し、バラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２のキャパシタンスにより水晶発振子ＸＤ１との合成キャパシタンスを変化させ、共振周波数を調整可能としている。また、このように感温抵抗素子回路の接続数を増やすことで感温抵抗素子回路を更に多く設けることができ、更に精緻に温度補償電圧を形成することができる。

また、バラクタダイオードＶＤ１ではその両端子に感温抵抗素子回路を接続し、バラクタダイオードＶＤ２ではその端子のうち一方の端子にのみ感温抵抗素子回路を接続しているため、バラクタダイオードＶＤ１では両端子間の電位差をより自由に設定することができ、たとえば電源電圧を低電圧に設定した場合であっても容易に電位差の設定を行うことができる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路６５ａ・感温抵抗素子回路６５ｂ・感温抵抗素子回路６５ｃを第５の実施形態での感温抵抗素子回路５５ａや感温抵抗素子回路５５ｂと同一なものとしたが、他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路１５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路３５ｂや、感温抵抗素子回路３５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路４５ｂや、感温抵抗素子回路４５ｂを上下反転させたものとしてもよい。３つ以上の感温抵抗素子回路を設けさえすれば同様な効果を奏する。

次に第７の実施形態を、図８に示す。

図８の温度補償圧電発振回路７１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続するコルピッツ発振回路の負性抵抗発生部分である増幅回路７４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する複数の可変容量素子（バラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２）を備える。

増幅回路７４では、水晶振動子ＸＤ１をトランジスタＱ１のベースに接続している。また、トランジスタＱ１のコレクタをトランジスタＱ２のエミッタと接続し、トランジスタＱ１のエミッタは抵抗器Ｒ１およびコンデンサＣ２を介して接地している。また、トランジスタＱ１のエミッタとベースとの間には、帰還用コンデンサＣ１を接続し、トランジスタＱ１とトランジスタＱ２のベースには抵抗器Ｒ５・抵抗器Ｒ３・抵抗器Ｒ２によるベースバイアス回路を接続している。

またトランジスタＱ２のベースは、コンデンサＣ８を介して高周波的に接地し、コレクタは、負荷抵抗である抵抗器Ｒ４を介して電源電圧Ｖｃｃ端子７２に接続し、コンデンサＣ３を介して信号出力Ｖｏｕｔ端子７３に接続している。また、電源電圧Ｖｃｃ端子７２はコンデンサＣ４を介して高周波的に接地している。この結果、トランジスタＱ１は水晶振動子ＸＤ１の共振周波数で負性抵抗回路として作用し、トランジスタＱ２は、そのバッファ回路として作用する。

このトランジスタＱ２によるバッファ回路は、信号出力Ｖｏｕｔ端子７３の負荷変動の影響を軽減し安定な発振の継続を図るものである。

バラクタダイオードＶＤ１のアノードは水晶振動子ＸＤ１と接続する。また、バラクタダイオードＶＤ１には周波数感度を調整するためのコンデンサＣ７を並列に接続しており、このコンデンサＣ７のキャパシタンスの設定によりバラクタダイオードＶＤ１の周波数感度を調整し、優れた温度補償を行うことができる。

さらにバラクタダイオードＶＤ１のアノードには抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路７５ａを接続する。カソードには抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路７５ｂを接続する。ここで、この感温抵抗素子回路７５ａは、前述の第６の実施形態で示した感温抵抗素子回路６５ａと同一のものであり、感温抵抗素子回路７５ｂは、感温抵抗素子回路６５ｂと同一のものである。

また、バラクタダイオードＶＤ１のカソードにはさらにそれぞれのバラクタダイオード間の直流電圧遮断用のコンデンサＣ６を介してバラクタダイオードＶＤ２のカソードを接続している。このバラクタダイオードＶＤ２のカソードにはさらに抵抗器Ｒ１９を介して制御電圧Ｖｃｏｎｔ端子７９を接続している。バラクタダイオードＶＤ２のアノードは接地している。このバラクタダイオードＶＤ２には感度調整用のコンデンサＣ９と抵抗器Ｒ１８を接続している。

このコンデンサＣ９はバラクタダイオードＶＤ２の周波数電圧感度を調整するためのコンデンサである。そのためコンデンサＣ９のキャパシタンスの設定によりバラクタダイオードＶＤ２の周波数電圧感度を調整することができる。

制御電圧Ｖｃｏｎｔ端子７９を設けているため、制御電圧Ｖｃｏｎｔの制御により、このバラクタダイオードＶＤ２のキャパシタンスが制御可能になる。

このような構成により、複数の感温抵抗素子回路からの出力電圧によりバラクタダイオードＶＤ１のキャパシタンスを変化させ、バラクタダイオードＶＤ２への制御電圧の印加によりバラクタダイオードＶＤ２のキャパシタンスを変化させ、それらのキャパシタンスにより水晶振動子ＸＤ１との合成キャパシタンスを変化させ、温度補償圧電発振回路７１の共振周波数を調整可能としている。

この構成による温度補償圧電発振回路７１のシミュレーション結果の周波数温度特性を図１６（ｂ）に示す。図１６（ｂ）で示されたようにこの構成では、例えば１０〜７０℃の温度域で３０ｐｐｂ以下の優れた温度特性を得ることができる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路７５ａ・感温抵抗素子回路７５ｂを第６の実施形態での感温抵抗素子回路６５ａや感温抵抗素子回路６５ｂと同一なものとしたが、他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路１５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路３５ｂや、感温抵抗素子回路３５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路４５ｂや、感温抵抗素子回路４５ｂを上下反転させたものとしてもよい。感温抵抗素子回路以外の部分の構成を類似な構成とすることにより本実施形態と同様な効果を奏するが、他の実施形態で示したような構成を部分的に適用してもよい。

次に第８の実施形態の回路例を、図９に示す。

図９の温度補償圧電発振回路８１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路８４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する可変容量素子（バラクタダイオードＶＤ１）を備える。

バラクタダイオードＶＤ１のアノードは水晶振動子ＸＤ１と接続し、バラクタダイオードＶＤ１のアノードにはさらに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路８５ａを接続する。バラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路８５ｂを接続し、さらに直流電流遮断用のコンデンサＣ５を介して接地している。

ここで増幅回路８４は前述の第７の実施形態の回路例で示した増幅回路７４と同一のものである。また感温抵抗素子回路８５ｂは前述の第３の実施形態の回路例で示した感温抵抗素子回路３５ｂと同一のものである。

また、感温抵抗素子回路８５ａは、負特性のサーミスタＴＨ１と、抵抗器Ｒ７・抵抗器Ｒ８・抵抗器Ｒ９を備えている。このサーミスタＴＨ１・抵抗器Ｒ７・抵抗器Ｒ８・抵抗器Ｒ９からなる回路は分圧回路８６ａとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路８５ａは、分圧回路８６ａによる１段の分圧を行う。

分圧回路８６ａでは第１抵抗回路８７ａとして、サーミスタＴＨ１と抵抗器Ｒ７と並列に接続しこの並列回路の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子８２に接続している。また、他方端に抵抗器Ｒ８を接続している。この第１抵抗回路８７ａを第２抵抗回路８８ａである抵抗器Ｒ９に直列接続している。また、抵抗器Ｒ９の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路８７ａと第２抵抗回路８８ａの接続点をバラクタダイオードＶＤ１のアノードに抵抗器Ｒ６を介して接続している。

このように２つの感温抵抗素子回路８５ａ・感温抵抗素子回路８５ｂで温度補償圧電発振回路８１を構成し、バラクタダイオードＶＤ１のキャパシタンスにより水晶発振子ＸＤ１との合成キャパシタンスを変化させ、共振周波数を調整可能としている。

この感温抵抗素子回路８５ａ・感温抵抗素子回路８５ｂでは１段の分圧回路を感温抵抗素子回路とし、サーミスタＴＨ１とサーミスタＴＨ２〜４との合計４つの感温抵抗素子を用いている。本実施形態のように、２つの感温抵抗素子回路８５ａ・感温抵抗素子回路８５ｂに合計４つの感温抵抗素子を用いることで、従来のサーミスタの合計が３つの感温抵抗素子よりも精緻に温度補償電圧を形成することができる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路８５ｂを第３の実施形態での感温抵抗素子回路３５ｂと同一なものとしたが、感温抵抗素子回路８５ａも感温抵抗素子回路８５ｂも他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路１５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路４５ｂや、感温抵抗素子回路４５ｂを上下反転させたものとしてもよい。サーミスタの合計数が４つ以上となるようにサーミスタを設けさえすれば同様な効果を奏する。

次に第９の実施形態の回路例を、図１０に示す。

図１０の温度補償圧電発振回路９１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路９４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する複数の可変容量素子（バラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２）を備える。バラクタダイオードＶＤ１のアノードには水晶振動子ＸＤ１の他方端を接続するとともに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路９５ａを接続する。バラクタダイオードＶＤ１のカソードには抵抗器Ｒ１４を介して感温抵抗素子回路９５ｂを接続する。また、バラクタダイオードＶＤ１のカソードにはさらに直流電流遮断用のコンデンサＣ６の一方端を接続する。コンデンサＣ６の他方端にはバラクタダイオードＶＤ２のカソードを接続する。バラクタダイオードＶＤ２のカソードにはさらに、抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路９５ｃを接続する。バラクタダイオードＶＤ２のアノードは接地する。

ここで増幅回路９４は前述の第８の実施形態の回路例で示した増幅回路８４と略同一のものである。

感温抵抗素子回路９５ａは、負特性のサーミスタＴＨ１と、抵抗器Ｒ７を備えている。このサーミスタＴＨ１・抵抗器Ｒ７からなる回路は分圧回路９６ａとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路９５ａは、分圧回路９６ａによる１段の分圧を行う。

分圧回路９６ａでは第１抵抗回路９７ａとして、サーミスタＴＨ１を用い、サーミスタＴＨ１の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子９２に接続している。また、他方端に第２抵抗回路９８ａである抵抗器Ｒ７に直列接続している。また、抵抗器Ｒ７の一方端を接地している。そして、第１抵抗回路９７ａと第２抵抗回路９８ａの接続点をバラクタダイオードＶＤ１のアノードに抵抗器Ｒ６を介して接続している。

また感温抵抗素子回路９５ｂ・感温抵抗素子回路９５ｃとしては、感温抵抗素子回路９５ａとそれぞれ略同一のものを用いている。

このように３つの感温抵抗素子回路９５ａ・感温抵抗素子回路９５ｂ・感温抵抗素子回路９５ｃで温度補償圧電発振回路９１を構成し、バラクタダイオードＶＤ１とバラクタダイオードＶＤ２のキャパシタンスにより水晶発振子ＸＤ１との合成キャパシタンスを変化させ、共振周波数を調整可能としている。

この感温抵抗素子回路９５ａ・感温抵抗素子回路９５ｂ・感温抵抗素子回路９５ｃのように１段の分圧回路を感温抵抗素子回路とし、バラクタダイオードＶＤ１とバラクタダイオードＶＤ２のそれぞれ異なる端子に感温抵抗素子回路９５ａ・感温抵抗素子回路９５ｂ・感温抵抗素子回路９５ｃを接続している。本実施形態においては、２つのバラクタダイオードＶＤ１・バラクタダイオードＶＤ２と３つの感温抵抗素子回路９５ａ・感温抵抗素子回路９５ｂ・感温抵抗素子回路９５ｃを用いているが、このように、複数のバラクタダイオードと複数の感温抵抗素子回路を用いることで、従来の感温抵抗素子回路の数が２つの感温抵抗素子よりも多くの感温抵抗素子回路を構成することができる。

なお、本実施形態の回路構成例の感温抵抗素子回路９５ａ・感温抵抗素子回路９５ｂ・感温抵抗素子回路９５ｃは、他の構成の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路１５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路３５ｂや、感温抵抗素子回路３５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路４５ｂや、感温抵抗素子回路４５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路８５ａや、感温抵抗素子回路８５ａを上下反転させたものとしてもよく、複数のバラクタダイオードと複数の感温抵抗素子回路を設けさえすれば同様な効果を奏する。

次に第１０の実施形態の回路例を、図１１に示す。

図１１の温度補償圧電発振回路１０１は、圧電共振素子である水晶振動子ＸＤ１と、水晶振動子ＸＤ１の一方端に接続する増幅回路１０４と、水晶振動子ＸＤ１の他方端に接続する可変容量素子（バラクタダイオードＶＤ１）を備える。バラクタダイオードＶＤ１のアノードには水晶振動子ＸＤ１が接続されるとともに抵抗器Ｒ６を介して感温抵抗素子回路１０５ａを接続する。カソードには抵抗器Ｒ１０を介して感温抵抗素子回路１０５ｂを接続し、さらに直流電流遮断用のコンデンサＣ５を介して接地している。

ここで増幅回路１０４は前述の第９の実施形態の回路例で示した増幅回路９４と同一のものである。また感温抵抗素子回路１０５ａは、感温抵抗素子回路９５ａと略同一のものを用いている。

また、感温抵抗素子回路１０５ｂは、負特性のサーミスタＴＨ２・サーミスタＴＨ３と抵抗器Ｒ１１・抵抗器Ｒ１２・抵抗器Ｒ１３を備えている。サーミスタＴＨ３・抵抗器Ｒ１２・抵抗器Ｒ１３からなる回路は分圧回路１０６ｂとして作用し、また、サーミスタＴＨ２・抵抗器Ｒ１１からなる回路は分圧回路１０６ｃとして作用する。そのため、この感温抵抗素子回路１０５ｂは、分圧回路１０６ｂと分圧回路１０６ｃによる２段の分圧を行う。

分圧回路１０６ｂでは、第１抵抗回路１０７ｂとしてサーミスタＴＨ３・抵抗器Ｒ１３を並列に接続し、この並列回路の一方端を電源電圧Ｖｃｃ端子１０２に接続している。また、第２抵抗回路１０８ｂとして抵抗器Ｒ１２を用い、その一方端を接地している。そして、第１抵抗回路１０７ｂと第２抵抗回路１０８ｂを直列接続し、接続点を分圧回路１０６ｃに接続している。

分圧回路１０６ｃでは、第２抵抗回路１０８ｃであるサーミスタＴＨ２の一方端を接地している。また、第１抵抗回路１０７ｃである抵抗器Ｒ１１の一方端を分圧回路１０６ｂの分圧点に接続している。そして、第１抵抗回路１０７ｃである抵抗器Ｒ１１と第２抵抗回路１０８ｃであるサーミスタＴＨ２とを直列接続し、接続点をバラクタダイオードＶＤ１のカソードに抵抗器Ｒ１０を介して接続している。

このように２つの感温抵抗素子回路１０５ａ・感温抵抗素子回路１０５ｂで温度補償圧電発振回路１０１を構成し、バラクタダイオードＶＤ１のキャパシタンスにより水晶発振子ＸＤ１との合成キャパシタンスを変化させ、共振周波数を調整可能としている。

この感温抵抗素子回路１０５ａのように１段の分圧回路を感温抵抗素子回路とし、感温抵抗素子回路１０５ｂのように２段の分圧回路を感温抵抗素子回路とし、それぞれバラクタダイオードＶＤ１の異なる端子に接続している。本実施形態においては、２つの感温抵抗素子回路を用いて、一方は複数段に分圧回路を接続しているが、このように感温抵抗素子回路を用いることで、従来の複数段に分圧回路を接続した感温抵抗素子回路が１つのみの温度補償圧電発振回路よりも多くの感温抵抗素子を設けることができる。

なお、本実施形態の回路構成例では感温抵抗素子回路１０５ａを第９の実施形態での感温抵抗素子回路９５ａと同一なものとしたが、他の感温抵抗素子回路でもよく、例えば感温抵抗素子回路１５ｂや、感温抵抗素子回路１５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路２５ｂや、感温抵抗素子回路２５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路３５ｂや、感温抵抗素子回路３５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路４５ｂや、感温抵抗素子回路４５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路８５ｂや、感温抵抗素子回路８５ｂを上下反転させたもの、感温抵抗素子回路１０５ｂや、感温抵抗素子回路１０５ｂを上下反転させたものとしてもよく、複数のバラクタダイオードと複数の感温抵抗素子回路を設けさえすれば同様な効果を奏する。

従来の温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第１の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第２の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第３の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第４の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第５の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第６の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第７の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第８の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第９の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 第１０の実施形態に係る温度補償圧電発振回路の構成例の回路図である。 シミュレーションに係る感温抵抗素子の抵抗温度特性である。 シミュレーションに係る圧電振動子の周波数温度特性である。 シミュレーションに係る可変容量素子の電圧特性である。 シミュレーションに係る感温抵抗素子回路の出力電圧である。 シミュレーションに係る温度補償圧電発振回路の周波数温度特性である。

符号の説明

１・１１・２１・３１・４１・５１・６１・７１・８１・９１・１０１
−温度補償圧電発振回路
２・１２・２２・３２・４２・５２・６２・７２・８２・９２・１０２
−電源電圧Ｖｃｃ端子
３・１３・２３・３３・４３・５３・６３・７３・８３・９３・１０３
−信号出力Ｖｏｕｔ端子
４・１４・２４・３４・４４・５４・６４・７４・８４・９４・１０４−増幅回路
５・１５・２５・３５・４５・５５・６５・７５・８５・９５・１０５
−感温抵抗素子回路
６・１６・２６・３６・４６・５６・６６・７６・８６・９６・１０６−分圧回路
７・１７・２７・３７・４７・５７・６７・７７・８７・９７・１０７−第１抵抗回路
８・１８・２８・３８・４８・５８・６８・７８・８８・９８・１０８−第２抵抗回路
７９−制御電圧Ｖｃｏｎｔ端子

Claims (11)

1. 圧電共振素子と、前記圧電共振素子に接続された可変容量素子と、前記可変容量素子に出力電圧が常に印加されるように接続された複数の感温抵抗素子回路と、を備えた温度補償圧電発振回路において、
   前記複数の感温抵抗素子回路は、それぞれ少なくとも１つの分圧回路を備え、１つの分圧回路からの分圧電圧を出力電圧とするものであり、
   前記分圧回路は、少なくとも一方に感温抵抗素子を含む第１抵抗回路と第２抵抗回路とが直列に接続されて、前記第１抵抗回路と前記第２抵抗回路との接続点から分圧電圧が引き出されるものであり、
   前記複数の感温抵抗素子回路に含まれる前記感温抵抗素子の合計数が４つ以上であることを特徴とする温度補償圧電発振回路。
2. 少なくとも１つの前記感温抵抗素子回路は、複数の前記分圧回路を備え、
   いずれかの分圧回路の分圧電圧を別の分圧回路でさらに分圧するように接続されたことを特徴とする請求項１に記載の温度補償圧電発振回路。
3. 分圧回路の分圧電圧を別の分圧回路でさらに分圧するように接続された前記感温抵抗素子回路は、最大でも２つの前記分圧回路を備えてなることを特徴とする請求項２に記載の温度補償圧電発振回路。
4. 分圧回路の分圧電圧を別の分圧回路でさらに分圧するように接続された前記感温抵抗素子回路のいずれかは、１つの前記感温抵抗素子を備えた分圧回路と、２つの前記感温抵抗素子を備えた分圧回路とを含んでなることを特徴とする請求項１〜３に記載の温度補償圧電発振回路。
5. 複数の前記可変容量素子を備え、前記複数の感温抵抗素子回路がそれぞれ、前記複数の可変容量素子の異なる端子に接続されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の温度補償圧電発振回路。
6. 前記可変容量素子の両方の端子に、それぞれ前記感温抵抗素子回路が接続されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の温度補償圧電発振回路。
7. 全ての感温抵抗素子回路のうち、いずれか２つの感温抵抗素子回路の回路構造が略同一であり、それぞれの感温抵抗素子回路における電源側と接地側とが反転していることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の温度補償圧電発振回路。
8. 前記分圧回路を最も多く備える感温抵抗素子回路は、感温抵抗素子の抵抗温度特性が、前記分圧回路ごとに異なるように配置され、
   分圧回路を最も多く備える前記感温抵抗素子回路に用いた前記感温抵抗素子のうち、いずれかと略同一な抵抗温度特性の感温抵抗素子のみが、別の感温抵抗素子回路に設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の温度補償圧電発振回路。
9. 圧電共振素子と、前記圧電共振素子に接続された可変容量素子と、前記可変容量素子に出力電圧が常に印加されるように接続された複数の感温抵抗素子回路と、を備えた温度補償圧電発振回路において、
   複数の前記可変容量素子と３つの感温抵抗素子回路とを備え、前記複数の可変容量素子のそれぞれ異なる端子に、３つの前記感温抵抗素子回路が接続され、
   前記３つの感温抵抗素子回路は、それぞれ１つの分圧回路を備え、その分圧回路からの分圧電圧を出力電圧とするものであり、
   前記分圧回路は、一方に１つの感温抵抗素子を含む第１抵抗回路と第２抵抗回路とが直列に接続されて、前記第１抵抗回路と前記第２抵抗回路との接続点から分圧電圧が引き出されたものであることを特徴とする温度補償圧電発振回路。
10. 圧電共振素子と、前記圧電共振素子に接続された可変容量素子と、前記可変容量素子に出力電圧が常に印加されるように接続された複数の感温抵抗素子回路と、を備えた温度補償圧電発振回路において、
    ２つの感温抵抗素子回路を備え、前記可変容量素子のそれぞれ異なる端子に、２つの前記感温抵抗素子回路が接続され、
    一方の感温抵抗素子回路は、１つの前記分圧回路を備えてなり、その分圧電圧を出力電圧とするものであり、
    他方の感温抵抗素子回路は、２つの前記分圧回路を備えてなり、いずれかの分圧回路の分圧電圧を別の分圧回路でさらに分圧して出力電圧とするものであり、
    前記分圧回路は、少なくとも一方に感温抵抗素子を含む第１抵抗回路と第２抵抗回路とが直列に接続されて、前記第１抵抗回路と前記第２抵抗回路との接続点から分圧電圧が引き出されたことを特徴とする温度補償圧電発振回路。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の温度補償圧電発振回路を発振回路部に備えた電子装置。

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