JP2006229211A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006229211A5 JP2006229211A5 JP2006011926A JP2006011926A JP2006229211A5 JP 2006229211 A5 JP2006229211 A5 JP 2006229211A5 JP 2006011926 A JP2006011926 A JP 2006011926A JP 2006011926 A JP2006011926 A JP 2006011926A JP 2006229211 A5 JP2006229211 A5 JP 2006229211A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- organic compound
- insulating layer
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 230000000051 modifying Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Claims (6)
- 半導体層、ゲート絶縁層である第１の絶縁層及びゲート電極である第１の導電層を含むトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の開口部を介して前記半導体層の不純物領域に電気的に接続された第２の導電層と、
前記第２の導電層上に設けられ、前記第２の導電層に電気的に接続された有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられ、前記有機化合物を含む層に電気的に接続された第３の導電層と、
アンテナとして機能する第４の導電層と、を有し、
前記第４の導電層は、前記第１の導電層、前記第２の導電層及び前記第３の導電層の少なくとも１つと同じ層に設けられ、
前記トランジスタ、前記第２の絶縁層、前記第２の導電層、前記有機化合物を含む層、前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、同じ基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１において、
前記第２の導電層と前記有機化合物を含む層の間に、第３の絶縁層と第５の導電層が設けられ、
前記第５の導電層は、前記第３の絶縁層の開口部を介して、前記第２の導電層に電気的に接続され、
前記有機化合物を含む層は、前記第５の導電層を介して、前記第２の導電層に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１において、
前記第２の絶縁層と前記有機化合物を含む層の間に、第３の絶縁層が設けられ、
前記有機化合物を含む層は、前記第３の絶縁層の開口部を介して、前記第２の導電層に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１において、
前記第２の絶縁層と前記有機化合物を含む層の間に、第３の絶縁層、第５の導電層および第４の絶縁層が設けられ、
前記第５の導電層は、前記第３の絶縁層の開口部を介して、前記第２の導電層に電気的に接続され
前記有機化合物を含む層は、前記第４の絶縁層の開口部を介して、前記第５の導電層に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記トランジスタから構成される整流回路、変調回路、復調回路、クロック生成回路及び符号化回路から選択された少なくとも１つを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成する整流回路を有し、前記整流回路は前記トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006011926A JP5025134B2 (ja) | 2005-01-21 | 2006-01-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005014617 | 2005-01-21 | ||
| JP2005014617 | 2005-01-21 | ||
| JP2006011926A JP5025134B2 (ja) | 2005-01-21 | 2006-01-20 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006229211A JP2006229211A (ja) | 2006-08-31 |
| JP2006229211A5 true JP2006229211A5 (ja) | 2008-12-11 |
| JP5025134B2 JP5025134B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=36692428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006011926A Expired - Fee Related JP5025134B2 (ja) | 2005-01-21 | 2006-01-20 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8835907B2 (ja) |
| EP (1) | EP1839335A4 (ja) |
| JP (1) | JP5025134B2 (ja) |
| WO (1) | WO2006078065A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101219749B1 (ko) * | 2004-10-22 | 2013-01-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| US7688272B2 (en) | 2005-05-30 | 2010-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| IL173941A0 (en) | 2006-02-26 | 2007-03-08 | Haim Goldberger | Monolithic modules for high frequecney applications |
| JP5819737B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2015-11-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| TWI533771B (zh) * | 2014-07-17 | 2016-05-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 無核心層封裝基板及其製法 |
| CN104485334B (zh) * | 2014-12-16 | 2018-02-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US10453872B1 (en) * | 2018-05-03 | 2019-10-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologiy Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3602887A1 (de) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Bayer Ag | Nichtfluechtiger elektronischer speicher |
| JP2000020665A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| DE19901384A1 (de) * | 1999-01-15 | 2000-07-27 | Siemens Ag | Elektronisches Bauelement und Verwendung einer darin enthaltenen Schutzstruktur |
| JP2001189431A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | メモリのセル構造及びメモリデバイス |
| JP2003523700A (ja) * | 2000-02-14 | 2003-08-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | トランスポンダおよびアプライアンス |
| WO2001073845A1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-10-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit with programmable memory element |
| JP2001345431A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Japan Science & Technology Corp | 有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス |
| JP2002026283A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Seiko Epson Corp | 多層構造のメモリ装置及びその製造方法 |
| US6924691B2 (en) * | 2000-11-28 | 2005-08-02 | Precision Dynamics Corporation | Rectifying charge storage device with sensor |
| SG142160A1 (en) * | 2001-03-19 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP3560563B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2004-09-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6773929B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-08-10 | Hynix Semiconductor Inc. | Ferroelectric memory device and method for manufacturing the same |
| JP4050503B2 (ja) | 2001-11-29 | 2008-02-20 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| US6646328B2 (en) * | 2002-01-11 | 2003-11-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Chip antenna with a shielding layer |
| JP2003243631A (ja) | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜磁性体記憶装置ならびにそれを用いた無線チップ、流通管理システムおよび製造工程管理システム |
| JP4274734B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2009-06-10 | 三洋電機株式会社 | トランジスタ回路 |
| US6812509B2 (en) * | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Palo Alto Research Center Inc. | Organic ferroelectric memory cells |
| JP2004128471A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-04-22 | Canon Inc | 不揮発メモリ装置 |
| JP4393859B2 (ja) | 2002-12-27 | 2010-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記録媒体の作製方法 |
| EP1437683B1 (en) * | 2002-12-27 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card and booking account system using the IC card |
| US7973313B2 (en) | 2003-02-24 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container |
| JP4566578B2 (ja) | 2003-02-24 | 2010-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜集積回路の作製方法 |
| JP3794411B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| US7333072B2 (en) * | 2003-03-24 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device |
| US7768405B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7494066B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN100478986C (zh) * | 2004-03-04 | 2009-04-15 | 株式会社半导体能源研究所 | Id芯片和ic卡 |
| KR101219749B1 (ko) * | 2004-10-22 | 2013-01-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
| KR101150994B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2012-06-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
-
2006
- 2006-01-20 WO PCT/JP2006/301263 patent/WO2006078065A1/en active Application Filing
- 2006-01-20 US US11/793,810 patent/US8835907B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-20 JP JP2006011926A patent/JP5025134B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-20 EP EP06701408A patent/EP1839335A4/en not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006229211A5 (ja) | ||
| JP2009278078A5 (ja) | ||
| JP2006203187A5 (ja) | ||
| JP2011119688A5 (ja) | ||
| TW200802653A (en) | Semiconductor apparatus and method of producing the same | |
| TW200701264A (en) | Inductor | |
| JP2011100988A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007072453A5 (ja) | ||
| JP2010267955A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013516795A5 (ja) | ||
| MY159871A (en) | Semiconductor device | |
| JP2014029529A5 (ja) | ||
| JP2008161044A5 (ja) | ||
| JP2011155255A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014112720A5 (ja) | ||
| TW200735428A (en) | Electronic element, current control device, arithmetic device, and display device | |
| JP2011071503A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010109357A5 (ja) | ||
| JP2011119675A5 (ja) | ||
| JP2008543016A5 (ja) | ||
| JP2011009352A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2008217778A5 (ja) | ||
| JP2010263195A5 (ja) | ||
| JP2010135777A5 (ja) | 半導体装置 | |
| TW200703528A (en) | Semiconductor device |