JP2006229164A - 厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラス組成物中に導電性材料が分散されてなる厚膜抵抗体である。厚膜抵抗体構造中に、ガラス組成物とは異なる分布でTa2O5、Nb2O5から選択される1種または2種が含まれている。Ta2O5、Nb2O5から選択される1種または2種の少なくとも一部は、ガラス組成物中のZrO2と反応または混合した状態で存在してもよい。このような厚膜抵抗体を形成するには、ガラス組成物とは別に、添加物としてTa2O5、Nb2O5から選択される1種または2種を含む厚膜抵抗体ペーストを用いる。
【選択図】 図2
Description
CaO,SrO,BaO,MgOから選択される1種若しくは2種以上:15〜50モル%
B2O3,SiO2から選択される1種若しくは2種:35〜80モル%
ZrO2,Al2O3から選択される1種若しくは2種:0〜11モル%
である。
ガラス原料としては、CaCO3、SrCO3、BaCO3、B2O3、SiO2、ZrO2、Al2O3を用いた。これらの中から所定の成分を選択して所定量秤量し、白金るつぼに投入して1350℃で1時間溶融させた。そして、溶融物を水中に投入することによって急冷し、ガラス化した。得られたガラス化物をボールミルにて湿式粉砕し、ガラス組成物(ガラス1〜ガラス5)を得た。作製したガラス1〜5の組成を表1に示す。
作製したガラス1〜5にTa2O5を添加して混合物を作製した。ガラスとTa2O5の比率ガラス:Ta2O5は、100〜85:0〜15(質量%)である。この混合物にさらに導電粒子(CaRuO3)及び有機ビヒクルを加え、厚膜抵抗体ペーストを調製した。この厚膜抵抗体ペーストにおける前記混合物と導電粒子の比率混合物:導電粒子は、60:40(質量%)とした。
本実験では、ガラス組成物として表1に示すガラス1を用い、条件A〜条件Oで厚膜抵抗体を作製した。そして、各厚膜抵抗体中のTa2O5存在量を求め、さらに各厚膜抵抗体の抵抗値、TCRを測定した。結果を表3に示す。なお、表3におけるA1からO1の表記は、厚膜抵抗体の形成条件を示すものであり、例えばA1は、ガラス1を用いて条件Aで作製した厚膜抵抗体を表す(以下の表4〜表7においても同じ。)。
本実験では、ガラス組成物としてガラス2を用い、条件A,B,C,G,H,Iで厚膜抵抗体を作製した。これら厚膜抵抗体について、各厚膜抵抗体中のTa2O5存在量を求め、さらに各厚膜抵抗体の抵抗値、TCRを測定した。結果を表4に示す。この場合にもTa2O5が厚膜抵抗体中に存在することで、TCRが改善されている。
本実験では、ガラス組成物としてガラス3を用い、条件A,B,C,G,H,Iで厚膜抵抗体を作製した。これら厚膜抵抗体について、各厚膜抵抗体中のTa2O5存在量を求め、さらに各厚膜抵抗体の抵抗値、TCRを測定した。結果を表5に示す。本実験においても、Ta2O5が厚膜抵抗体中に存在することで、TCRが改善されている。
本実験では、ガラス組成物としてガラス4を用い、条件A,B,C,G,H,Iで厚膜抵抗体を作製した。これら厚膜抵抗体について、各厚膜抵抗体中のTa2O5存在量を求め、さらに各厚膜抵抗体の抵抗値、TCRを測定した。結果を表6に示す。本実験においても、Ta2O5が厚膜抵抗体中に存在することで、TCRが改善されている。
本実験では、ガラス組成物としてガラス5を用い、条件A,B,C,G,H,Iで厚膜抵抗体を作製した。これら厚膜抵抗体について、各厚膜抵抗体中のTa2O5存在量を求め、さらに各厚膜抵抗体の抵抗値、TCRを測定した。結果を表7に示す。本実験においても、Ta2O5が厚膜抵抗体中に存在することで、TCRが改善されている。
厚膜抵抗体ペーストの作製に際して、添加物として、Ta2O5の他、BaTiO3、SrTiO3、CuOから選択して用い、厚膜抵抗体を作製した。焼き付け条件は、850℃、30分間とした。これら各厚膜抵抗体における厚膜抵抗体ペーストの組成、Ta2O5存在量、抵抗値、及びTCRを表8に示す。前記添加物を添加することにより、TCRがより一層改善されることがわかる。
Claims (15)
- 少なくともガラス組成物及び導電性材料を含み、これらが有機ビヒクルと混合されてなる厚膜抵抗体ペーストであって、
添加物としてTa2O5、Nb2O5から選択される1種または2種を含むことを特徴とする厚膜抵抗体ペースト。 - 前記Ta2O5、Nb2O5から選択される1種または2種の添加量が、有機ビヒクルを除いた組成に対して10質量%以下(0は含まず。)であることを特徴とする請求項1記載の厚膜抵抗体ペースト。
- 前記導電性材料がRu酸化物、Ru複合酸化物から選ばれる1種または2種以上であることを特徴とする請求項1または2記載の厚膜抵抗体ペースト。
- 前記ガラス組成物の組成が、
CaO,SrO,BaO,MgOから選択される1種若しくは2種以上:15〜50モル%
B2O3,SiO2から選択される1種若しくは2種:35〜80モル%
ZrO2,Al2O3から選択される1種若しくは2種:0〜11モル%
であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の厚膜抵抗体ペースト。 - 添加物として、CuO、Cu2Oから選択される1種または2種を、有機ビヒクルを除いた組成に対して10質量%以下の割合で含有することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の厚膜抵抗体ペースト。
- 添加物として、Tiを含む化合物を、有機ビヒクルを除いた組成に対して20質量%以下の割合で含有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の厚膜抵抗体ペースト。
- 前記Tiを含む化合物が、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、CoTiO3、NiTiO3、MgTiO3から選択される1種若しくは2種以上であることを特徴とする請求項6記載の厚膜抵抗体ペースト。
- ガラス組成物中に導電性材料が分散されてなる厚膜抵抗体であって、前記ガラス組成物とは異なる分布でTa2O5、Nb2O5から選択される1種または2種が含まれていることを特徴とする厚膜抵抗体。
- 前記Ta2O5、Nb2O5から選択される1種または2種の含有量が10質量%以下(0は含まず。)であることを特徴とする請求項8記載の厚膜抵抗体。
- 前記導電性材料がRu酸化物、Ru複合酸化物から選ばれる1種または2種以上であることを特徴とする請求項8または9記載の厚膜抵抗体。
- 前記ガラス組成物の組成が、
CaO,SrO,BaO,MgOから選択される1種若しくは2種以上:15〜50モル%
B2O3,SiO2から選択される1種若しくは2種:35〜80モル%
ZrO2,Al2O3から選択される1種若しくは2種:0〜11モル%
であることを特徴とする請求項8から10のいずれか1項記載の厚膜抵抗体。 - 前記Ta2O5、Nb2O5から選択される1種または2種の少なくとも一部は、前記ガラス組成物中のZrO2と反応または混合した状態で存在することを請求項11記載の厚膜抵抗体。
- 添加物として、CuO、Cu2Oから選択される1種または2種を10質量%以下の割合で含有することを特徴とする請求項8から12のいずれか1項記載の厚膜抵抗体。
- 添加物として、Tiを含む化合物を20質量%以下の割合で含有することを特徴とする請求項8から13のいずれか1項記載の厚膜抵抗体。
- 前記Tiを含む化合物が、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、CoTiO3、NiTiO3、MgTiO3から選択される1種若しくは2種以上であることを特徴とする請求項14記載の厚膜抵抗体。
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JP2005044638A JP2006229164A (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | 厚膜抵抗体ペースト及び厚膜抵抗体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006229167A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Tdk Corp | 厚膜抵抗体 |
JP2007103594A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Shoei Chem Ind Co | 抵抗体組成物並びに厚膜抵抗体 |
EP1892500A2 (en) | 2006-08-25 | 2008-02-27 | Mitutoyo Corporation | Optical-axis deflection type laser interferometer, calibration method thereof, correction method thereof, and measuring method thereof |
JP2018532278A (ja) * | 2015-08-13 | 2018-11-01 | テジュー エレクトロニック マテリアルス シーオー., エルティーディー.Dae Joo Electronic Materials Co., Ltd. | 無鉛厚膜抵抗組成物、無鉛厚膜抵抗体、およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-21 JP JP2005044638A patent/JP2006229164A/ja active Pending
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