JP2006210617A - バラントランス - Google Patents

Abstract

【課題】 低背でかつ広帯域なバラントランスを提供する。
【解決手段】 ３層以上の誘電体層を積層してなる積層体の内部に、不平衡信号が伝送される第１の伝送電路と、平衡信号が伝送される第２,第３の伝送線路とを間に誘電体層を介して少なくとも一部が対向するように配置させるとともに、積層体の一主面に第１の伝送線路と電磁界結合される第１の接地電極を、他主面に第２,第３の伝送線路と電磁界結合される第２の接地電極を被着させてなるバラントランスにおいて、第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率を、第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率に比し低く設定する。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば携帯電話や無線ＬＡＮ等の無線通信機器その他の各種通信機器等において使用される、伝送線路により構成された高周波回路用のバラントランスに関するものである。

バラントランスとは、不平衡伝送線路を伝搬する不平衡信号と平衡伝送線路を伝搬する平衡信号とを相互に変換するためのバラン回路を用いた信号変換素子である。例えば、バラントランスの不平衡端子に不平衡信号を入力した場合、バラントランスの平衡端子には、互いに位相が１８０度異なり（逆相）、振幅が等しい２つの平衡信号が出力されることとなる。

高周波信号を伝送する不平衡伝送線路と平衡伝送線路とを接続するバラントランスとしては、分布定数によるものとして伝送線路により構成されるものがある。このような従来のバラントランスの例を図６および図７に示す。

図６において、３０は同じ程度の比誘電率を有する第１乃至第３の誘電体層３０ａ乃至３０ｃを順次積層した誘電体、３１は第１の誘電体層３０ａ−第２の誘電体層３０ｂ間に配された第１の伝送線路、３２，３３は第２の誘電体層３０ｂ−第３の誘電体層３０ｃ間に配された第２，第３の伝送線路、３４は誘電体３０の下面に配された第１の接地電極、３５は誘電体３０の上面に配された第２の接地電極、３６は接続導体である。誘電体３０内において第１の伝送線路は積層方向から見て第２，第３の伝送線路３２，３３とそれぞれ少なくとも一部が対向するように配置されて電磁界結合している。

ＩＮは第１の伝送線路３１の一端に設けた不平衡端子、ＯＵＴ１，ＯＵＴ２は第２，第３の伝送線路３２，３３の対向する一端側に設けた平衡端子である。そして、図６に示す例では第１の伝送線路３１の不平衡端子ＩＮと反対側の他端を開放端とし、第２，第３の伝送線路３２，３３の平衡端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２と反対側の他端をそれぞれ接続導体３６で接地した構成となっている。

図７は、上記の構成を回路図で示したものである。

そして、第１乃至第３の誘電体層３０ａ乃至３０ｃの厚みを任意に設定し、第１の伝送線路３１−第２の伝送線路３２間で形成される電磁界結合、ならびに、第１の伝送線路３１−第３の伝送線路３３間で形成される電磁界結合を調整することで、第１の伝送線路３１−第２の伝送線路３２間、ならびに、第１の伝送線路３１−第３の伝送線路３３間でそれぞれ形成される偶モード特性インピーダンスＺｏｅと奇モード特性インピーダンスＺｏｏを調整し、所望のバラントランス特性を得るようにしていた。
特開平７−１７６９１８号公報

近年、携帯電話や無線ＬＡＮ等の無線通信機器その他の各種通信機器等において使用される部品は低背化の要求がある。しかしながら、上記従来のバラントランスにおいてバラントランスの特性（信号反射量、信号透過量、位相差、レベル差等）を維持しつつ、バラントランスの厚みを薄くするには、バラントランスを構成する第１乃至第３の伝送線路３１乃至３３の線路幅を細くしなければならず、製造公差（伝送線路の線路幅公差、伝送線路の形成位置ずれ、誘電体層の積層時の位置ずれ等）によるバラントランスの特性バラツキが大きくなるという問題があった。

これに対し、製造公差によるバラントランスの特性バラツキを小さくするために、バラントランスの特性を広帯域化することが考えられる。

しかしながら、広帯域化を実現するには、偶モード特性インピーダンスＺｏｅを大きくしてバラントランス特性に大きく寄与する奇モード特性インピーダンスＺｏｏの独立性を確保しなければならない。

従来のバラントランスにおいて偶モード特性インピーダンスＺｏｅを大きくして広帯域化を図るには、偶モード特性インピーダンスＺｏｅの形成に寄与する第１の伝送線路３１−第１の接地電極３４間の電磁界結合、ならびに、第２，第３の伝送線路３２，３３−第２の接地電極間３５で形成される電磁界結合をそれぞれ小さくする必要があり、これを実現するには、第１，第３の誘電体層３０ａ，３０ｃの厚みを厚くすること等も考えられるが、その場合、部品の低背化の要求に逆行するという問題があった。

本発明は上記の問題点に鑑み案出されたもので、その目的は、低背でかつ広帯域なバラントランスを提供することにある。

本発明のバラントランスは、３層以上の誘電体層を積層してなる誘電体基板の内部に、不平衡信号が伝送される第１の伝送線路と、平衡信号が伝送される第２,第３の伝送線路とを間に誘電体層を介して少なくとも一部が対向するように配置させるとともに、誘電体基板の一主面に第１の伝送線路と電磁界結合される第１の接地電極を、他主面に第２,第３の伝送線路と電磁界結合される第２の接地電極を被着させてなるバラントランスであって、第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率を、第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率に比し低く設定したことを特徴とするものである。

また本発明のバラントランスは、第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率が、第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率の４０％以上、１００％未満に設定されていることを特徴とするものである。

さらに本発明のバラントランスは、第１乃至第３の伝送線路がストリップ線路またはコプレーナ線路により構成されているとともに、第２,第３の伝送線路の一端側を短絡端とし、且つ短絡端を接地するようになしたことを特徴とするものである。

またさらに本発明のバラントランスは、第１の伝送線路の一端側を開放端とするとともに、開放端に接地容量を電気的に接続し、この接地容量を誘電体基板上に実装されたコンデンサ、及び／又は誘電体基板中の誘電体層を用いて構成されたコンデンサにより形成したことを特徴とするものである。

本発明のバラントランスによれば、第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率を、第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率に比し低く設定したことにより、第１，第３の誘電体層の厚みが薄い場合においても、第１の伝送線路−第１の接地電極間で形成される電磁界結合、及び、第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間で形成されるの少なくとも一方の電磁界結合を小さくすることができ、第１の伝送線路−第２の伝送線路間、ならびに、第１の伝送線路−第３の伝送線路間でそれぞれ形成される偶モード特性インピーダンスＺｏｅを大きくすることができる。そしてこの結果、第１の伝送線路−第２の伝送線路間、ならびに、第１の伝送線路−第３の伝送線路間でそれぞれ形成される奇モード特性インピーダンスＺｏｏの独立性が確保されることとなり、第１，第３の誘電体層の厚みが薄い場合においても、バラントランスの特性を広帯域化することができ、低背で広帯域なバラントランスを提供することができる。

また本発明のバラントランスによれば、上記構成において、第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率を、第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率の４０％以上、１００％未満に設定することにより、第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率を、第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率に比し低く設定したことにより発生する、第１の伝送線路−第２の伝送線路間、ならびに、第１の伝送線路−第３の伝送線路間でそれぞれ形成される偶モード信号の伝播速度Ｖｏｅと奇モード信号の伝播速度Ｖｏｏのズレをより効果的に抑制することができる。この結果、偶モード信号の伝播速度Ｖｏｅと奇モード信号の伝播速度Ｖｏｏの関係によって決まる２つの平衡信号間の位相逆相性を確保することができ、高性能なバラントランスをより確実に提供することができる。

さらに本発明のバラントランスによれば、上記構成において、第１乃至第３の伝送線路をストリップ線路またはコプレーナ線路により構成するとともに、第２,第３の伝送線路の一端側を短絡端とし、且つ短絡端を接地するようになすことにより、このバラントランスを用いる高周波回路の仕様に応じて、複数の誘電体層から成る誘電体基板上の内部に高周波信号の伝送特性に優れた第１乃至第３の伝送線路を形成できる。これにより、バラントランスの設計自由度が更に向上するとともに、高周波回路とともに誘電体基板上に一体化して構成することが可能な、小型で高性能なバラントランスをより効果的に提供することができる。

またさらに本発明のバラントランスによれば、上記構成において、第１の伝送線路の一端側を開放端とするとともに、開放端に接地容量を電気的に接続し、この接地容量を誘電体基板上に実装されたコンデンサ、及び／又は誘電体基板中の誘電体層を用いて構成されたコンデンサによって形成することにより、開放端への容量装荷による波長短縮効果によって、第１乃至第３の伝送線路の長さを短縮することができ、バラントランスをより小型に構成することが可能となる。そして、さらに接地容量として、誘電体基板上に実装されたコンデンサ、及び／又は誘電体基板中の誘電体層を用いて構成されたコンデンサを選択的に採用することができるため、バラントランスの設計自由度が大幅に向上し、高周波回路と共に誘電体基板に一体化した小型のバラントランスを得ることが可能となる。

以下、本発明について添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施の形態では、パーソナルコンピュータとプリンタ等の周辺機器を無線で繋いだシステム等である無線ＬＡＮ（周波数帯域２．４〜２．５ＧＨｚ）の周波数に対応したバラントランスを例にとって説明する。

図１は本発明のバラントランスの実施の形態の一例を示す分解斜視図、図２は図１のバラントランスの回路構成を示す回路図であり、図１において、１０ａは第１の誘電体層、１０ｂは第２の誘電体層、１０ｃは第３の誘電体層、１１は第１の伝送線路、１２は第２の伝送線路、１３は第３の伝送線路、１４は第１の接地電極、１５は第２の接地電極、１６は接続導体である。

第１の伝送線路１１−第１の接地電極１４間に第１の誘電体層１０ａ、第１の伝送線路１１−第２，第３の伝送線路１２，１３間に第２の誘電体層１０ｂ、第２，第３の伝送線路１２，１３−第２の接地電極１５間に第３の誘電体層１０ｃが、それぞれ位置している。

そして、図１において、第１乃至第３の誘電体層１０ａ乃至１０ｃは順次積層されて誘電体基板１０に含まれているとともに、第１，第３の誘電体層１０ａ，１０ｃは、少なくとも一方の比誘電率が第２の誘電体層１０ｂの比誘電率よりも低く設定されている。また、第１の伝送線路１１は、積層方向から見て第２，第３の伝送線路１２，１３と平行に、かつ、少なくとも一部が重なるように配されており、第１，第２の接地電極１４，１５は積層方向から見て第１乃至第３の伝送線路１１乃至１３を覆うように配されている。そして、第１の伝送線路１１は、その一端に不平衡端子ＩＮが接続され、他端が開放端とされるとともに、第２，第３の伝送線路１２，１３は、それぞれ一端が短絡端とされ、接続導体１６で接地されている。そして、その第２，第３の伝送線路１２，１３の短絡端はそれぞれ第２の誘電体層１０ｂを挟んで第１の伝送線路１１の不平衡端子ＩＮ、または、第１の伝送線路１１の開放端と対向する位置に配され、第２，第３の伝送線路１２，１３の他端にそれぞれ第１，第２の平衡端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２が接続されている。

本発明のバラントランスに用いる第１乃至第３の誘電体層１０ａ乃至１０ｃを含む誘電体基板１０は、例えばガラス粉末、および所望するフィラー粉末からなる低誘電率セラミック組成物および高誘電率セラミック組成物それぞれに、適当な有機バインダー、溶剤、可塑材を添加混合することによりスラリーを作製し、かかるスラリーを周知のドクターブレード等の塗工方式によるグリーンシート成形法により、グリーンシート状に成形する。そして、メタライズ配線層として、適当な金属粉末に有機バインダー、溶剤、可塑材を添加混合して得た金属ペーストを前記グリーンシートに周知のスクリーン印刷法により、所定のパターンに印刷塗布する。また、必要に応じて、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を行い、スルーホールを形成し、このホール内にもメタライズペーストを充填する。そして、低誘電率セラミックグリーンシート間に高誘電率セラミックグリーンシートを積層し、グリーンシート積層体とメタライズを同時焼成することにより得ることができる。

また、本形態のバラントランスに用いる第１乃至第３の伝送線路１１〜１３、第１，第２の接地電極１４，１５、その他これらを接続する接続導体１６は、高周波信号伝送用の金属材料の導体層、例えばＣｕ層・Ｍｏ−Ｍｎのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの・Ｗのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの・Ｃｒ−Ｃｕ合金層・Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの・Ｔａ_２Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの・Ｔｉ層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、またはＮｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの等を用いて、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッキ法等により形成される。その厚みや幅も、伝送される高周波信号の周波数や用途等に応じて設定される。

以上のような本形態のバラントランスは、第１の誘電体層、及び第３の誘電体層１０ａ，１０ｃの少なくとも一方の比誘電率が第２の誘電体層１０ｂの比誘電率よりも低く設定されているため、第１の伝送線路１１−第１の接地電極間１４間で形成される電磁界結合、及び、第２，第３の伝送線路１２，１３−第２の接地電極間１５間で形成される電磁界結合の少なくとも一方の電磁界結合を小さくすることができる。したがって、第１の伝送線路１１−第２の伝送線路１２間、及び、第１の伝送線路１１−第３の伝送線路１３間の少なくとも一方の間でそれぞれ形成される偶モード特性インピーダンスＺｏｅを大きくすることが可能となる。

そしてこの結果、第１の伝送線路１１−第２の伝送線路１２間、及び、第１の伝送線路１１−第３の伝送線路１３間の少なくとも一方でそれぞれ形成される奇モード特性インピーダンスＺｏｏの独立性が確保されることとなり、第１，第３の誘電体層１０ａ，１０ｃの厚みが薄い場合においても、バラントランスの特性を広帯域化することができ、低背で広帯域なバラントランスが得られる。

図３は図１および図２に示すバラントランスの周波数特性を示すグラフである。図３において、横軸は周波数（単位：ＧＨｚ）を、縦軸はバラントランスの周波数特性を信号反射量（単位：ｄＢ）で表わし、実線の特性曲線は本発明のバラントランスの周波数特性を、破線の周波数特性は従来のバラントランスの周波数特性を示している。なお、本発明のバラントランス、ならびに、従来のバラントランスにおける第１乃至第３の誘電体層１０ａ乃至１０ｃの厚みはそれぞれ同一に設定されている。

図３の結果より、本発明のバラントランスによれば、従来のバラントランスに比べて第１の伝送線路１１−第２の伝送線路１２間、ならびに、第１の伝送線路１１−第３の伝送線路１３間でそれぞれ形成される偶モード特性インピーダンスＺｏｅを大きくすることができ、第１の伝送線路１１−第２の伝送線路１２間、ならびに、第１の伝送線路１１−第３の伝送線路１３間でそれぞれ形成される奇モード特性インピーダンスＺｏｏの独立性を確保することができため、バラントランスの周波数特性の広帯域化が図れていることが分かる。例えば、従来のバラントランスの厚み０．７５ｍｍに対して比較を実施した場合、本発明のバラントランスを用いることで、バラントランスの厚みを０．５０ｍｍに低背化することが実現できる。

図４は図１に示すバラントランスにおいて、第２の誘電体層１０ｂの比誘電率ε１と第１，第３の誘電体層１０ａ，１０ｃの比誘電率ε２の比と、周波数帯域２．４〜２．５ＧＨｚにおける第１，第２の平衡端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から出力される２つの平衡信号の位相差（単位：度）の関係を示したグラフである。

図４の結果より、本発明のバラントランスによれば、第２の誘電体層１０ｂの比誘電率ε１と第１，第３の誘電体層１０ａ，１０ｃの比誘電率ε２の比を４０％以上、１００％未満にすることにより、第１の伝送線路１１−第２の伝送線路間１２、ならびに、第１の伝送線路１１−第３の伝送線路１３間でそれぞれ形成される偶モード信号の伝播速度Ｖｏｅと奇モード信号の伝播速度Ｖｏｏのズレをより効果的に抑制することができるため、偶モード信号の伝播速度Ｖｏｅと奇モード信号の伝播速度Ｖｏｏの関係によって決まる２つの平衡信号間の位相逆相性を確保することができ、バラントランスに一般的に要求される２つの平衡信号の位相逆相性（１８０度±１０度以内）をより好適に確保できることが分かる。

さらに、このような構成の本発明のバラントランスは、第１乃至第３の伝送線路１１乃至１３がストリップ線路またはコプレーナ線路により構成されているとともに、第２,第３の伝送線路１２,１３の一端側を短絡端とし、且つ短絡端を接続導体１６で接地するようになしていることにより、このバラントランスを用いる高周波回路の仕様に応じて、第１乃至第３の誘電体層１０ａ乃至１０ｃを含む誘電体基板１０の内部に高周波信号の伝送特性に優れた第１乃至第３の伝送線路１１乃至１３を形成できることから、バラントランスの設計自由度が更に向上するとともに、高周波回路とともに誘電体基板１０に一体化して構成することが可能な、小型で高性能なバラントランスをより効果的に実現することができる。なお、第２,第３の伝送線路１２,１３の一端側（短絡端）を接地する手段は、接続導体１６を介して行なうものに限らず、他の手段を用いてもよい。

次に図５に本発明のバラントランスの他の実施の形態の例に係る回路図を示す。図５の回路図は、図２の回路図に対して、第１の伝送線路１１の開放端に接地容量Ｃ１を電気的に接続したものであり、この接地容量Ｃ１は、誘電体基板１０上に実装されたコンデンサ、及び／又は誘電体基板１０内の誘電体層を用いて構成されたコンデンサを用いて形成されるものである。

図５に示すバラントランスによれば、第１の伝送線路１１の開放端に接地容量Ｃ１を電気的に接続するようにしたことから、開放端への容量装荷による波長短縮効果によって、第１乃至第３の伝送線路１１乃至１３の長さを短縮することができ、更に小型なバラントランスを提供することができる。そして、さらに接地容量Ｃ１として、誘電体基板３０上に実装されたコンデンサ、及び／又は誘電体基板３０内に誘電体層を用いて構成されたコンデンサを選択的に採用することができるため、バラントランスの設計自由度が大幅に向上し、高周波回路と共に誘電体基板に一体化して構成することができる小型のバラントランスが得られる。

コンデンサを誘電体基板１０上に実装する場合には、例えば、第１の伝送線路１１の一部を誘電体基板１０の主面や側面に導出しておいて、その導出部分に従来周知のチップコンデンサを接続する。また、誘電体層を用いて構成する場合には、例えば、誘電体層を挟んで対向するコンデンサ電極を形成し、これを第１の伝送線路と電気的に接続する。コンデンサ電極は、第１〜第３の伝送線路１１，１２，１３と同様の材料，手段で形成することができる。また、コンデンサ電極は、第１〜第３の誘電体層１０ａ〜１０ｃの上側や下側に別の誘電体層を積層して、この誘電体層を挟んで形成してもよい。

なお、本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良を加えても何ら差し支えない。

例えば、本発明のバラントランスを構成する第１乃至第３の伝送線路１１〜１３は、図１に示すように、それぞれ必ずしも直線状の伝送線路により形成されるものに限られるものではなく、それぞれ角型状や円形状等に折り曲げた伝送線路や、コの字型・スパイラル形状・ミアンダライン形状の伝送線路等で形成しても良い。このような形状を採用することにより、バラントランスを用いる高周波回路の仕様に応じて、複数の誘電体層から成る誘電体基板１０の内部に、高周波回路とともに誘電体基板に一体化して高周波信号の伝送特性に優れた伝送線路部を、構成する際の設計自由度が向上するとともに、小型で高性能なバラントランスを提供することができる。

また、第１乃至第３の伝送線路１１〜１３は、それぞれ単一の線路導体で形成するものに限られるものではなく、それぞれ電磁気的に１つの伝送線路とみなせるような２個以上の導体で形成するようにしてもよい。

さらに、第１乃至第３の誘電体層１０ａ乃至１０ｃを含む誘電体基板１０の材質として、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ）・四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ）・四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂・ポリイミド等の樹脂系材料等を用いてもよい。

またさらに、バラントランスの形成に使用される誘電体基板１０は、図１の例では、第１乃至第３の誘電体層１０ａ乃至１０ｃの３層を含む場合について示しているが、誘電体の層数を４層以上で形成してもよい。

さらにまた、バラントランスを使用するシステムはＧＳＭ（Gobal System for Mobile Communications）やＤＣＳ（Digital Cell System）やＢｌｕｅｔｏｏｔｈなどであってもよいことは言うまでもない。

本発明のバラントランスの実施の形態の一例を示す分解斜視図である。 図１のバラントランスを用いた回路図である。 本発明のバラントランスおよび従来のバラントランスにおける信号反射量（単位：ｄＢ）示す線図である。 本発明のバラントランスにおける比誘電率ε１と比誘電率ε２の比と、２つの平衡信号の位相差の関係を示す線図である。 本発明のバラントランスの他の実施の形態を示す回路図である。 従来のバラントランスの一例を示す分解斜視図である。 従来のバラントランスを用いた回路図である。

符号の説明

１０：誘電体基板
１０ａ〜１０ｃ：第１〜第３の誘電体層
１１〜１３：第１〜第３の伝送線路
１４・１５：第１・第２の接地電極
ＩＮ：不平衡端子
ＯＵＴ１・ＯＵＴ２：平衡端子
Ｃ１：接地容量

Claims (4)

1. ３層以上の誘電体層を積層してなる誘電体基板の内部に、不平衡信号が伝送される第１の伝送線路と、平衡信号が伝送される第２,第３の伝送線路とを間に前記誘電体層を介して少なくとも一部が対向するように配置させるとともに、前記誘電体基板の一主面に前記第１の伝送線路と電磁界結合される第１の接地電極を、他主面に前記第２,第３の伝送線路と電磁界結合される第２の接地電極を被着させてなるバラントランスであって、
   前記第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び前記第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率を、前記第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率に比し低く設定したことを特徴とするバラントランス。
2. 前記第１の伝送線路−第１の接地電極間の誘電体層及び前記第２，第３の伝送線路−第２の接地電極間の誘電体層の少なくとも一方の比誘電率が、前記第１の伝送線路−第２，第３の伝送線路間の誘電体層の比誘電率の４０％以上、１００％未満に設定されていることを特徴とする請求項１に記載のバラントランス。
3. 前記第１乃至第３の伝送線路がストリップ線路またはコプレーナ線路により構成されているとともに、前記第２,第３の伝送線路の一端側を短絡端とし、且つ該短絡端を接地するようになしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のバラントランス。
4. 前記第１の伝送線路の一端側を開放端とするとともに、該開放端に接地容量を電気的に接続し、この接地容量を前記誘電体基板上に実装されたコンデンサ、及び／又は前記誘電体基板中の誘電体層を用いて構成されたコンデンサにより形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のバラントランス。

Images