JP2006190461A - 磁気的リセット可能な単一磁区軟磁気裏打ち層を使用する垂直磁気記録媒体 - Google Patents
磁気的リセット可能な単一磁区軟磁気裏打ち層を使用する垂直磁気記録媒体 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】垂直磁気記録ディスク300は、基板310の上に配置された硬磁性ピンニング層320、硬磁性ピンニング層の上に配置されたスペーサ層330、スペーサ層の上に配置された軟強磁性膜340、および軟強磁性膜の上に配置された磁気記録層350を備えることができる。
【選択図】図2
Description
Manfred E.Schabes、他、「Micromagnetic Modeling of Soft Underlayer Magnetization Processes and Fields in Perpendicular Magnetic Recording」、IEEE Transactions on Magnetics、第38巻、第4号、1670、2002年7月 M.Mallary、他、「One Terabit per Square Inch Perpendicular Recording Concept Design」、IEEE Transactions on Magnetics、第38巻、第4号、1719、2002年7月 Dimitri Utvinov、他、「Recording Layer Influence on the Dynamics of a Soft Underlayer」、IEEE Transactions on Magnetics、第38巻、第5号、1994、2002年9月 H.Muraoka、他、「Low Inductance and High Efficiency Single−Pole Writing Head for Perpendicular Double Layer Recording Media」、IEEE Transactions on Magnetics、第35巻、第2号、643、1999年3月
Claims (50)
- 基板と、
前記基板の上に配置された硬磁性ピンニング層と、
前記硬磁性ピンニング層の上に配置された第1のスペーサ層と、
前記スペーサ層の上に配置された軟強磁性膜と、
前記軟強磁性膜の上に配置された磁気記録層と
を備える垂直磁気記録ディスク。 - 前記軟強磁性膜は、約8ナノメートルを超える厚さを持つ請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記軟強磁性膜は、約40から200ナノメートルの範囲の厚さを持つ請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記硬磁性ピンニング層は、約50から2000Oeの範囲の保磁力を持つ材料を含む請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記硬磁性ピンニング層は、コバルトを含む合金材料を含む請求項4に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記軟強磁性膜は、ピン留め方向にそって約30Oeよりも小さい保磁力を持つ材料を含む請求項5に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記軟強磁性膜は、CoTaZrを含む請求項6に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記硬磁性ピンニング層は、CoCrTaを含む請求項7に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記硬磁性ピンニング層は、前記軟強磁性膜の厚さ以下の厚さを持つ請求項3に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記第1のスペーサ層は、前記硬磁性層と前記軟強磁性膜との間に反強磁性交換バイアス磁界を発生する請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- さらに、前記硬磁性ピンニング層と前記スペーサ層との間に配置された第1の交換結合強化層を備える請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記第1の交換結合強化層は、Coを含む合金材料を含む請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記第1の交換結合強化層の前記合金材料は、CoFeを含む請求項12に記載の垂直磁気記録ディスク。
- さらに、前記スペーサ層と前記軟強磁性膜との間に配置された第2の交換結合強化層を備え、前記第2の交換結合強化層はCoFeを含む請求項11に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記軟強磁性膜は、合成反強磁性多重層構造を含む請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記軟強磁性膜は、
前記スペーサ層の上に配置された第1の軟強磁性層と、
前記第1の軟強磁性層の上に配置された第2のスペーサ層と、
前記第2のスペーサ層の上に配置された第2の軟強磁性層と
を備える請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。 - さらに、前記硬磁性ピンニング層と前記スペーサ層との間に配置された第1の交換結合強化層を備える請求項16に記載の垂直磁気記録ディスク。
- さらに、前記スペーサ層と前記軟強磁性膜との間に配置された第2の交換結合強化層を備える請求項17に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記第1および第2の交換結合強化層は、Coを含む合金材料を含む請求項13に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記第2の軟強磁性層は、前記第1の軟強磁性層の厚さ以下の厚さを持つ請求項16に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記第1および第2の軟強磁性層はそれぞれ、CoTaZrを含む請求項19に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記硬磁性ピンニング層は、約5から100ナノメートルの範囲内であって、前記軟強磁性膜の厚さよりも小さい厚さを持つ請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- JAFは、前記硬磁性ピンニング層と前記軟磁性膜との間の界面交換エネルギーであり、Hcは、前記軟強磁性膜の保磁力であり、Mrは、前記軟強磁性膜の残留磁化であり、tFMは、前記軟強磁性膜の厚さであるとすると、JAF>Hc Mr tFMである請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記軟強磁性膜は、ピン留め方向にそって約30Oeよりも小さい保磁力を持つ請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。
- さらに、
前記硬磁性ピンニング層と前記軟強磁性膜との間の界面交換エネルギーを高める手段を備える請求項1に記載の垂直磁気記録ディスク。 - さらに、浮遊磁界から垂直記録ディスクの磁気的安定性を制御する手段を備える請求項25に記載の垂直磁気記録ディスク。
- さらに前記軟強磁性膜の保磁力を減少させるための手段を備える請求項25に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記硬磁性ピンニング層は、硬磁性材料を含む請求項4に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記硬磁性ピンニング層は、軟強磁性材料と結合された硬磁性材料を含む請求項4に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 磁気抵抗読み取り素子を備えるヘッドと、
前記ヘッドに作用するように結合された垂直磁気記録ディスクと
を備えるディスク・ドライブであって、前記垂直磁気記録ディスクが
基板と、
前記基板の上に配置された硬磁性ピンニング層と、
前記硬磁性ピンニング層の上に配置された第1のスペーサ層と、
前記スペーサ層の上に配置された軟強磁性膜と、
前記軟強磁性膜の上に配置された磁気記録層と
を備えるディスク・ドライブ。 - 前記軟強磁性膜は、約40から200ナノメートルの範囲の厚さを持つ請求項30に記載のディスク・ドライブ。
- 前記硬磁性ピンニング層は、約100から2000Oeの範囲の保磁力を持つ材料を含む請求項30に記載のディスク・ドライブ。
- 前記硬磁性ピンニング層は、コバルトを含む合金材料を含む請求項32に記載のディスク・ドライブ。
- 前記硬磁性ピンニング層は、CoCrTaを含み、前記軟強磁性膜は、CoTaZrを含む請求項33に記載のディスク・ドライブ。
- 前記硬磁性ピンニング層は、軟強磁性膜の厚さ以下の厚さを持つ請求項30に記載のディスク・ドライブ。
- 前記垂直磁気記録ディスクは、さらに、前記硬磁性ピンニング層と前記スペーサ層との間に配置された第1の交換結合強化層を備える請求項30に記載のディスク・ドライブ。
- 前記第1の交換結合強化層の前記合金材料は、CoFeを含む請求項36に記載のディスク・ドライブ。
- 前記垂直磁気記録ディスクは、さらに、前記スペーサ層と前記軟強磁性膜との間に配置された第2の交換結合強化層を備え、前記第2の交換結合強化層は、CoFeを含む請求項37に記載のディスク・ドライブ。
- 前記軟強磁性膜は、
前記スペーサ層の上に配置された第1の軟強磁性層と、
前記第1の軟強磁性層の上に配置された第2のスペーサ層と、
前記第2のスペーサ層の上に配置された第2の軟強磁性層と
を備える請求項30に記載のディスク・ドライブ。 - 前記垂直磁気記録ディスクは、さらに、前記硬磁性ピンニング層と前記スペーサ層との間に配置された第1の交換結合強化層を備える請求項39に記載のディスク・ドライブ。
- 前記垂直磁気記録ディスクは、さらに、前記スペーサ層と前記軟強磁性膜との間に配置された第2の交換結合強化層を備える請求項40に記載のディスク・ドライブ。
- JAFは、前記硬磁性ピンニング層と前記軟磁性膜との間の界面交換エネルギーであり、Hcは、前記軟強磁性膜の保磁力であり、Mrは、前記軟強磁性膜の残留磁化であり、tFMは、前記軟強磁性膜の厚さであるとすると、JAF>Hc Mr tFMである請求項40に記載のディスク・ドライブ。
- 硬磁性ピンニング層を基板の上に堆積させることと、
第1のスペーサ層を前記硬磁性ピンニング層の上に堆積させることと、
約8ナノメートルよりも大きい厚さを持つ軟強磁性膜を前記スペーサ層の上に堆積させることと、
磁気記録層を前記軟強磁性膜の上に堆積させることとを含む方法。 - 前記軟強磁性膜は、約40から200ナノメートルの範囲の厚さを持つように堆積される請求項43に記載の方法。
- さらに、交換結合強化層を前記硬磁性ピンニング層の上に堆積させることを含み、前記交換結合強化層は、前記第1のスペーサ層の下に配置される請求項43に記載の方法。
- 前記交換結合強化層は、Coを含む合金材料からなる請求項45に記載の方法。
- さらに、交換結合強化層を前記第1のスペーサ層の上に堆積させることを含み、前記第1の交換結合強化層は、前記軟強磁性膜の下に配置される請求項43に記載の方法。
- 前記交換結合強化層は、Coを含む合金材料からなる請求項47に記載の方法。
- 前記軟強磁性膜を堆積させることは、
第1の軟強磁性層を堆積させることと、
第2のスペーサ層を前記第1の軟強磁性層の上に堆積させることと、
第2の軟強磁性層を前記第2のスペーサ層の上に堆積させることと
を含む請求項43に記載の方法。 - さらに、
第1の交換結合強化層を前記硬磁性ピンニング層の上に堆積し、前記第1の交換結合強化層は前記第1のスペーサ層の下に配置されることと、
第2の交換結合強化層を前記第1のスペーサ層の上に堆積し、前記第2の交換結合強化層は前記軟強磁性膜の下に配置されることと
を含む請求項49に記載の方法。
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