KR100469531B1 - 자기 기록 디스크 - Google Patents
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Abstract
자기 기록 디스크는 특별한 복수 층으로 된 "호스트" 층(30) 상에 형성된 자기 기록 층을 갖는다. 이 호스트 층은 반강자성 스페이서 막을 거쳐 서로 반강자성으로 교환 결합된 적어도 두 개의 강자성 막(32,34)을 포함하여서 그것들의 자기 모멘트는 역평행으로 향하게 된다. 자기 기록 층(25)은 호스트 층에 있는 상부 강자성 막과 서로 다른 조성을 가지고, 호스트 층의 상부 강자성 막으로 강자성으로 결합된다.
Description
하드 디스크 드라이브의 자기 기록 디스크와 같은, 종래의 자기 기록 매체들은 스퍼터-증착된 코발트-백금(CoPt) 합금 같은 입자성 강자성 층(granular ferromagnetic layer)을 기록 매체로서 일반적으로 사용한다. 자기 기록 층의 각각의 자화된(magnetised) 영역은 다량의 작은 자기 입자(grain)로 구성된다. 자화된 영역 사이의 전이는 기록된 데이터의 "비트"를 나타낸다. 미국 특허 제4,789,598호 및 제5,523,173호는 이러한 타입의 종래의 경화 디스크(rigid disk)를 설명한다.
자기 기록 디스크의 저장 밀도가 증가함에 따라, 잔류하는 자화 Mr(강자성 물질의 단위 체적당 자기 모멘트)와 자기 층 두께 t의 곱(product)은 감소한다. 유사하게는 자기 층의 보자력 필드(coercive field)나 보자력(Hc)은 증가한다. 이로인해 Mrt/Hc비가 감소된다. Mrt에서의 감소를 달성하기 위하여, 자기 층의 두께 t는 감소될 수 있으나, 층의 자화가 열 감쇠(thermal decay)에 더 민감하기 때문에 이러한 감소는 한계가 있다. 이러한 감쇠는 작은 자기 입자의 열적 활성화[초상자성(superparamagnetic) 효과]에 기인한다. 자기 입자의 열적 안정성은 대부분 KuV에 의해 결정되는데, 여기서 Ku는 자기 층의 자기 이방성 상수(magnetic anisotropy constant)이고 V는 자기 입자의 체적이다. 자기 층 두께가 감소함에 따라 V는 감소한다. 그래서 자기 층 두께가 너무 얇으면 저장된 자기 정보는 보통의 디스크 드라이브 동작 조건에서 더 이상 안정되지 않는다.
이 문제의 해결책으로의 한 가지 접근법은 더 높은 이방성 물질(더 높은 Ku)을 사용하는 것이다. 그러나 Ku에서의 증가는 대략 Ku/Mr과 동일한 보자력 Hc가 너무 커서 종래의 기록 헤드에 의하여 기록될 수 없는 지점에서 제한된다. 비슷한 접근법은 고정된 층 두께에 대한 자기 층의 Mr을 감소시키는 것인데, 이는 기록될 수 있는 보자력에 의해 역시 제한될 수 있다. 다른 해결책은 입자간 교환을 증가시키는 것으로 자기 입자의 유효한 자기 체적 V가 증가된다. 그러나 이 접근법은 자기 층의 내재한 신호대 잡음비(SNR)에 해롭다고 알려져 왔다.
1999년 10월 8일에 출원되어(filed) 본원과 함께 공동 계류 중인 미국 출원 제09/416,364호는 비강자성(nonferromagnetic) 스페이서(spacer) 막을 가로질러 반강자성적(antiferromagnetic)으로 함께 결합되는 두 개의 강자성 막으로 종래의 단일 자기 기록 층을 대치함으로써 열적 안정성 문제를 해결한다. 두 개의 반강자성적으로 결합된 막 자기 모멘트는 역평행(antiparallel) 방향을 가지므로, 이 기록 층의 네트(net) 잔류 자화-두께 곱(Mrt)은 두 개의 강자성 막의 Mrt 값의 차(difference)이다. 그러나 각 두 개의 분리되어 반강자성적으로 결합된 막에서 입자의 체적 V가 건설적으로 더해지기 때문에, 이 Mrt에서의 감소는 기록 층의 열적 안정성(KuV로 표시된)의 감소 없이 달성된다. 이 접근법이 유망한 것으로 나타나면서, 이러한 종래의 것이 아닌 기록 층의 자기적 특성 및 기록/재생산 특성과 관련된 새로운 비공지의 것들이 등장하게 된다.
좋은 열적 안정성을 유지하고 매우 높은 밀도의 기록을 지원하면서, 단일 층 입자의 Co 합금 자기 물질 같은 종래의 자기 기록 물질의 잘 알려진 자기 특성 및 기록/재생산 특성의 이점을 취할 수 있는 자기 기록 매체가 필요하다.
발명의 개요
따라서, 본 발명은 기판; 기판 위에 있으며 제 1 강자성 막, 제 1 강자성 막 상에 있으며 이와 접촉하는 비강자성 스페이서 막, 스페이서 막 위에 있으며 이와 접촉하는 제 2 강자성 막 -상기 제 2 강자성 막은 상기 스페이스 막을 가로질러 상기 제 1 강자성 막과 반강자성적으로 교환 결합됨- 을 포함하는 호스트 층; 및 호스트 층의 제 2 강자성 막 상에 있고 제 2 강자성 막의 조성과 다른 조성을 갖는 자기 기록 층을 포함하는 자기 기록 매체를 제공한다.
선호되는 실시예에서, 두 개의 강자성 막 두께와 물질은 개개의 강자성 막으로부터의 모멘트가 본질적으로 소거되도록 선택된다. 그래서 호스트 층은 아무런 네트(net) 자기 모멘트가 없거나 매우 작은 0이 아닌 모멘트를 가져서 자기 기록 층의 Mrt에 기여하지 않는다.
자기 기록 층은 호스트 층에 있는 상부 강자성 막과 다른 조성을 가지고 호스트 층의 상부 강자성 막과 강자성적으로 결합된다. 열적 안정성을 결정하는 복합 구조(자기 기록 층과 호스트 층)의 자기 체적 V는 대략 자기 기록 층과 AF-결합된 호스트 층의 강자성 막 입자들 체적의 합이 될 것이다. 그러나 복합 구조의 자기 모멘트는 본질적으로 호스트 층이 아무런 네트 강자성 모멘트도 가지지 않도록 설계되기 때문에 단지 자기 기록 층으로부터의 모멘트가 된다. 그래서 호스트 층의 두 강자성 막 사이의 반강자성 결합은 복합 구조의 네트 Mrt 값을 증가시키지 않으면서도 복합 구조의 유효 두께를 증가시키도록 하는 메카니즘을 제공한다.
선택적인 실시예에서, 호스트 층의 두 AF-결합된 막은 여전히 역평행한 방향을 가지나 크기(magnitude)에서 의도적으로 달라서 호스트 층은 네트(net) 자기 모멘트를 갖는다. 이는 기록 성능을 최적화하기 위하여, 열 감쇠를 감소시키기 위하여, 또는 제조 과정을 변경하지 않고 특정 값의 자기 모멘트 및 보자력으로 매체를 설계하기 위하여 행해질 수 있다.
본 발명의 성격과 이점의 더 완전한 이해를 위하여 그에 따른 첨부하는 도면과 함께 다음의 상세한 실시예의 설명을 참조해야 할 것이다.
본 발명은 일반적으로 자기 기록 매체에 관한 것이다.
도 1은 단일-층 자기 기록 층을 갖는 종래 기술의 자기 기록 디스크의 도식적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예의 자기 기록 디스크의 도식적인 단면도이다.
도 1은 단일 층 Co 합금 자기 기록 층(15)이 있는 종래 기술 디스크(10)의 단면 층 구조를 도시한다. 상기 박막 층은 디스크의 데이터 기록 영역을 형성하기 위하여 기판(11)의 적어도 하나의 평면 상에 그리고 바람직하게는 양 평면상에 스퍼터 증착된다(sputter deposited). 디스크 기판(11)은 NiP 표면 코팅과 함께 글라스, SiC/Si, 세라믹(ceramic), 수정(quartz), 또는 AlMg 합금 베이스 같은 임의의 적합한 물질로 제조될 수 있다. 시드(seed) 층(12)은 하층(13)의 확장을 촉진하고 그래서 그것의 보자력 같은 자기 층(14)의 자기 특성을 향상시키는데 사용될 수 있는 선택적인 층이다. 시드 층(12)은 기판(11)이 글라스 같이 비금속일 때 가장 일반적으로 사용된다. 시드 층(12)은 대략 5에서 50nm의 범위의 두께를 가지고 특정 선호되는 결정(crystalline) 방향으로 바로 뒤에 증착되는 층의 성장을 촉진하기 위한 시드 물질로서 유용하다고 종래의 기술에서 알려진 Ta, CrTi 또는 NiAl과 같은 물질 중 하나이다. 하층(13)은 만일 있다면, 시드 층에 증착되고, 반대로 없다면 기판(11) 상에 직접 증착되며 CrV 또는 CrT 같은 크롬(chromium) 또는 크롬 합금 같은 비자성 물질이다. 하층(13)의 두께의 변화는 그것의 보자력 같은, 자기 층(15)의 자기 특성에서의 변화를 가져온다. 하층(underlayer)(13)은 1에서 100 nm범위에서 두께를 가지고 통상 약 20nm이다.
자기 층(15)의 증착 이전에 매우 얇은(보통 0.5에서 5nm) Co 합금 온셋(onset) 층 또는 핵형성(nucleation) 층(14)이 하층(13) 상에 통상 증착된다. 핵형성(nucleation) 층(14)은 6방 밀집된(hexagonal close-packed:HCP) Co 합금 자기 층(15)의 성장을 촉진하기 위하여 선택된 구성으로 그것의 C-축은 층의 평면 방향으로 향하게 된다. 핵형성(nucleation) 층(14)은 그 층(14)을 비강자성(nonferromagnetic) 또는 아주 미약하게 강자성으로 만들기 위하여 선택된 Cr 조성을 가지는 CoCr 합금일 수 있다. 이와 달리, 핵형성(nucleation) 층(14)은 강자성 Co 합금일 수 있는데, 그 경우 핵형성(nucleation) 층(14)이 자기 층(15)의 자기 특성에 영향을 주게 될 것이다. Co 합금 자기 기록 층(15)은 4 내지 25 원자 퍼센트(at.%) 백금(platinum), 10 내지 23at.% 크롬(chromium) 및 2 내지 20at.% 붕소(boron)를 가지는 CoPtCrB의 합금일 수 있다. 자기 층(15)이 CoPtCrB라면 그 때, 핵형성(nucleation) 층(14)은 CoPtCr이거나 6at.%보다 적은 B를 가지는 CoPtCrB일 수 있다. 자기 층(15)은 보통 5 내지 20nm 범위의 두께를 갖는다.
보호 오버코트(protective overcoat)(16)는 선택에 따라 수소 그리고/또는 질소로 도핑된(doped) 본질적으로 비정질(amorphous) 탄소로 된 전형적인 오버코트일 수 있다. 오버 코트는 보통 15nm보다 덜 두껍다. 시드 층(12)으로부터 오버 코트(16)까지 위에서 설명된 모든 층은 다중 스퍼터링 타겟 용량을 가지는 상업적으로 이용 가능한 단일 디스크 시스템 같은 단일 디스크 시스템이나 인-라인 스퍼터링 시스템 중 하나에서 연속적 프로세스를 통해 스퍼터링될 수 있다.
각 층의 스퍼터 증착은 당업자에게 알려진 표준 타겟과 기술을 사용하여 위에서 설명된 변형례가 수행될 수 있다.
본 실시예의 자기 기록 매체는 특별한 다층 호스트 층 상에 형성된 자기 기록 층을 가진다. 호스트 층은 비강자성 스페이서(spacer) 막을 건너 서로 반강자성적으로(antiferromagnetically:AF) 교환-결합된 적어도 두 개의 강자성 막을 포함한다.
선호되는 실시예에서 두 개의 AF-결합된 호스트 층의 막은 실제로 크기(magnitude)는 같으나 역평행한 방향을 가지므로 호스트 층은 실로 아무런 네트(net) 자기 모멘트를 가지지 않는다. 그러나, 호스트 층은 막을 정확한 두께로 제조하는 어려움 때문에 약간의 0이 아닌 네트(net) 자기 모멘트를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 자기 기록 디스크(20)가 도 2에 도시된 단면도로 묘사되며, 여기서 호스트 층(30)은 도 1의 종래 기술 구조의 온셋(onset) 또는 핵형성 층(14)을 대치한다. 도 2에서 도식적으로 보인 것처럼, 기록 층(25)은 호스트 층(30) 상에 증착된다. 호스트 층(30)은 비강자성 스페이서 막(36)에 의해 분리된 두 개의 강자성 막(32,34)으로 구성된다. 비강자성 스페이서 막(36)은 인접한 막 (32,34) 각각의 자기 모멘트가 비강자성 스페이서 막(36)을 통하여 AF-결합되고 0 인가된 자기장에서 역평행(antiparallel)하도록 선택된 두께와 조성을 갖는다. 강자성 막(32,34)은 Mr1t1과 Mr2t2의 자기 모멘트 값을 각각 가지며, 여기서 Mr1t1및 Mr2t2는 대략 같다[잔류하는 자화(magnetisation) Mr이 강자성 물질의 단위 체적당 자기 모멘트로서 표현되고, 곱 Mrt는 두께 t의 자기 층을 위한 단위 면적당 자기 모멘트이기 때문임].
선호되는 실시예에서, 강자성 막(32,34) 각각은 실질적으로 같은 두께 t를 가지고, 실질적으로 같은 강자성 물질로 구성되어서 같은 Mr을 가지게 된다. 그래서 자기 모멘트(42,44)는 본질적으로 서로 보상하거나 소거되어 호스트 층(30)이 실제로 아무런, 네트 자기 모멘트를 가지지 않게 된다.
비강자성 전이 금속 스페이서 막을 경유한 강자성 막의 AF 결합은 광범위하게 연구되고 문헌에서 설명된다. 일반적으로, 교환 결합은 스페이서 막의 두께가 증가함에 따라 함께 강자성에서 반강자성으로 발진한다. 선택된 물질 조합을 위한 발진 결합 관계는 파킨(Parkin) 등에 의하여 "Oscillation in Exchange Coupling and Magnetoresistance in Metallic Superlattice Structures: Co/Ru, Co/Cr and Fe/Cr",Phys . Rev. Lett ., Vol. 64, p. 2034 (1990)에서 설명된다. 이 물질 조합은, Co, Fe, Ni와 Ni-Fe, Ni-Co 및 Fe-Co 같은 이들의 합금으로 만들어진 비강자성 막과, 루테늄(ruthenium)(Ru), 크롬(chromium)(Cr), 로듐(rhodium:(Rh), 이리듐(iridium:(Ir), 구리(Cu) 및 이들의 합금 같은 비강자성 스페이서 막을 포함한다. 이런 각각의 물질 조합에 대하여, 발진 교환 결합 관계가, 이미 알려지지 않았다면, 결정되어서, 비강자성 스페이서 막의 두께는 두 강자성 막 사이의 반강자성 결합을 보장하도록 선택되게 된다. 발진의 기간은 비강자성 스페이서 물질에 영향을 받지만 발진 결합의 강도와 위상은 역시 강자성 물질 및 계면(interfacial)의 품질에 영향을 받는다. 강자성 막의 발진 반강자성 결합은 자기 모멘트가 헤드의 동작 동안 함께 역평행으로 견고히 결합된, 연속적인 자화된 반강자성적으로 결합된 막을 설계하기 위하여, 스핀-밸브(spin-valve) 타입의 거대한 자기 저항(giant magnetoresistance: GMR) 기록 헤드에서 사용되어 왔다. 이 타입의 스핀-밸브(spin-valve) 구조는 가령, 미국 특허 제5,408,377호 및 제5,465,185허에서 설명된다. 스핀-밸브(spin-valve) 헤드에서 사용되고 도 2의 호스트 층(30) 구조로 도시된 것과 같은, 매우 얇은 비강자성 스페이서 막을 가로질러 반강자성적으로 결합된 이 타입의 두 개의 강자성 막의 자기 구조는 "합성 반강자성"이라고도 불린다. 개개의 강자성 막으로부터 모멘트가 소거하기 때문에 이 구조가 아무런 네트(net) 자기 모멘트를 가지지 않는 경우에, 이 구조는 "보상된" 합성 반강자성이라 불릴 수 있다.
호스트 층(30)의 이 AF-결합된 구조를 위하여 인접 막(32,34) 각각의 자기 모멘트(42,44)의 방향성은 역평행으로 정렬되고, 그래서 상쇄되도록 더해진다. 화살표(42,44)는 AF 결합 막(36)을 건너 바로 위 및 아래의 자기 도메인의 모멘트 방향성(moment orientation)을 나타낸다. 인가된 자기장이 없을 때, 하층(23) 상의 하부 강자성 막(34)은 본질적으로 막의 평면에서 임의의 방향을 향하는 모멘트를 갖는 개개의 자기 도메인으로 입상 구조를 가질 것이다. 강자성 막(32)의 입자는 AF 결합 막(36)의 바로 건너에 있는 강자성 막(34)의 모멘트 방향에 역평행인 모멘트 방향을 갖는 자기 도메인을 형성한다.
강자성 물질의 타입과 강자성 막(32,34)의 두께 값 t1, t2는, 0 인가된 필드(field)에서 네트 모멘트가 본질적으로 0이 되도록 선택된다. 호스트 층(30)을 위한 Mrt는 Mr1t1-Mr2t2에 의해 부여된다. 선호되는 실시예에서, Mr1t1은 Mr2t2와 동일해야 한다. 이는 두 막(32,34)에서 같은 강자성 물질을 사용하고 t1을 t2와 같게 만듦으로써 달성할 수 있다. 서로 다른 강자성 물질 조성이 두 막(32,34)에 사용되어 두 강자성 막의 자화(물질의 단위 체적당 자기 모멘트)가 다르게 만들어진다면, 그 때, 두께가 이에 따라서 조정된다. 도 2가 단일 스페이서 막이 있는 2-막(two-film) 구조를 갖는 호스트 층(30)을 위하여 도시되는 한편, 본 발명은 다중 스페이서 막 및 다중 강자성 막을 갖는 호스트 층으로 확장된다.
자기 기록 층(25)은, 자기 층(25)을 위한 온셋 또는 핵형성 층으로서 동작하기도 하는 상부 강자성 막(32) 바로 위에 증착된다. 호스트 층(30)이 보상된 합성 반강자석(antiferromagnet)으로서 기능하도록 의도되기 때문에, 막(32)의 상부 위의 자기 층(25)의 조성은 막(32)의 조성과 달라야만 한다. 선호되는 실시예에서 자기 층(25)은 CoPtCrB 합금이고 호스트 층(30)의 강자성 막(32,34)도 역시 CoPtCrB 합금이지만 다른 조성을 가지는데 막(32,34)은 CoCr 합금 또는 CoPtCr 합금일 수 있다. 가령 B가 자기 층(25) 내에서보다 현저하게 적은 양으로 존재한다.
막(32,34)은 0.5에서 5nm 범위에서의 두께를 가질 수 있다. 호스트 층(30)에서 비강자성 스페이서 막(36)은 0.6 nm Ru 막이다. Ru 스페이서 막의 두께는 발진 결합 관계에서 제 1 반강자성 피크에 있도록 선택되었다. 각 CoPtCrB 강자성 막(32,34)이 Ru 스페이서 막(36)과의 인터페이스에서 본질적으로 0.5nm의 Co로 구성된 인터페이스 막을 포함하도록 하는 것이 또한 바람직할 것이다. 이 극도로 얇은(ultra-thin) Co 막은 강자성 막과 스페이서 막 사이의 계면 모멘트를 증가시키고 그러므로써 향상된 반강자성 결합을 가져온다. 그러나, 반강자성 교환 결합은 CoPtCrB 강자성 막(32,34)에서 Co 인터페이스 막을 통합하지 않고 발생할 것이다.
상부 강자성 막(32)은 자기 층(25)에 강자성으로 교환 결합되고 스페이서 막(36)을 건너 최하부 강자성 막(34)에 반강자성으로 약하게 결합된다. 쓰기(write) 헤드로부터의 자기장이 자기 층(25)에서 입자의 자기 방향을 바꿀 때, 상부 막(32)의 자기 방향은 이 입자와의 교환 결합 때문에 역시 바뀔 것이다. 하부 막(34)의 자화 방향은 상부 막(32)과 그것의 약한 반자기성 결합 때문에 역시 변경할 것이다. 그래서 막(32,34)의 모멘트는 호스트 층(30) 상부 자기 층(25)에서의 입자의 자화 방향과 상관없이 여전히 역평행일 것이다.
단일 자기 층에 비해 선호된 실시예의 합성 구조(호스트 층(30)과 함께 자기 층(25))의 향상된 열적 안정성은, 양 막(32,34)에서의 입자의 이방성이 실질적으로 단축적이고(uniaxial), 그래서 막(42,44)의 자기 모멘트가 역평행(antiparallel)일지라도 건설적으로 더해질 수 있기 때문에 발생한다. 열적 안정성을 결정하는 합성 구조의 자기 체적 V는 대략 자기 층(25) 및 AF-결합된 막(32,34)에서의 입자 체적의 합산일 것이다. 그러나 합성 구조의 자기 모멘트는 호스트 층(30)이 아무런 네트(net) 자기 모멘트를 본질적으로 가지지 않기 때문에 단지 자기 층(25)으로부터의 모멘트이다. 두 개의 강자성 막(32,34) 사이의 반강자성 결합은 합성 구조의 네트(net) Mrt 값을 감소시키면서 합성 구조의 유효 막 두께를 증가시키는 메카니즘을 제공한다. 그래서 강자성 막은 매우 작은 직경 입자를 포함할 수 있고 열적 안정성을 유지할 수 있다.
선택적인 실시예에서, 호스트 층의 두 개의 AF-결합된 막은 여전히 역평행으로 향하나 크기에서 의도적으로 다른 자기 모멘트를 가지므로 호스트 층이 0이 아닌 네트(net) 자기 모멘트(Mr1t1는 Mr2t2와 동일하지 않음)를 가진다. 이런 실시예의 한 가지 이유는 구조의 최적 기록 수행 레벨이 호스트 층에서 하부 강자성 막의 두께가 상부 강자성 막의 두께와 동일하지 않는 지점에서 발생할 수 있다는 것이다. 양 막에서 같은 물질이 사용된다면(Mr1=Mr2) 그 때 Mr1t1은 Mr2t2와 동일하지 않다. 호스트 층의 상부 막을 자기 기록 층에 대한 기록 잡음을 생성하지 않도록 충분히 얇게 유지하는 것이 요구되는 반면 호스트 층의 하부 막을 충분히 두껍게 만들어서 요구된 인플레인(in-plane) C-축 방향성을 더 강하게 발달시키는 것이 필요하다면 이러한 경우가 발생할 수 있다. 선택적인 실시예의 제 2 이유는 매체의 열적 안정성에 관한 것이다. 매체에서 기록된 자기 전이는 인접 전이를 소자하여(demagnetise) 열감쇠를 촉진하기 쉬운 방향으로 자기장을 생성한다. 본 발명의 호스트 층에서의, 이 소자 필드를 반대하여 열감쇠를 감소시키는 필드를 생성할 하부 강자성 막에서 전이가 생길 것이다. 선택적인 실시예의 제 3 이유는 매체의 신호 레벨 또는 Mrt를 조정하는 것이다. 디스크 드라이브 산업에서 Mrt 및 보자력(Hc)의 요구된 값에 따라 디스크를 설계하는 것이 일반적이다. 그러나, Mrt 및 Hc는 서로 연관된다. 그러므로 주어진 Mrt 값에 대하여 미디어의 Hc설계 포인트에 도달하기 위한 관습적인 접근법은 증착 온도 같은 처리 조건을 변경하는 것인데, 이는 하층 두께 또는 기록 특성에 해를 끼칠 수 있다. 본 발명에 있어서, Mrt는 다른 방법, 다시 말해 Mr1t1및 Mr2t2의 상대적인 값을 변경하는 것을 통하여 조정될 수 있다.
Claims (14)
- 자기 기록 디스크에 있어서,기판과;상기 기판 상의 반강자성 하층(underlayer)과;상기 하층 상에 존재하는 호스트 층으로서,두께 t1 및 자화 M1을 갖는 제1 코발트 합금 강자성 막과;상기 제1 강자성 막 상에 형성되어 이와 접촉하고, 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리(Cu) 및 이들의 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료로 된 반강자성 스페이서 막과;상기 스페이서 막 상에 형성되어 이와 접촉하고, 두께 t2 및 자화 M2를 갖는 제2 코발트 합금 강자성 막;을 포함하고,상기 스페이서 막은 상기 제2 강자성 막을 상기 스페이서 막을 통해 상기 제1 강자성 막에 반강자성 교환 결합되도록 하는 충분한 두께를 갖는 것이고, 상기 제1 및 제2 강자성 막의 단위 면적당 자기 모멘트 (M1×t1) 및 (M2×t2)는 각각 서로 다른 것인, 상기 호스트 층과;상기 호스트 층의 상기 제2 강자성 막 상에 이와 접촉하는 자기 기록 층으로서, 상기 제2 강자성 막의 조성과 다른 조성을 갖고, 상기 제2 강자성 막과 강자성 결합하는, 상기 자기 기록 층과;상기 자기 기록 층 상에 형성된 보호 오버코트;를 포함하는 자기 기록 디스크.
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- 제1항에 있어서, 상기 호스트 층의 상기 제1 강자성 막은 본질적으로 코발트로 구성되고 상기 스페이서 막과 접촉하는 인터페이스를 포함하는 것인 자기 기록 디스크.
- 제1항에 있어서, 상기 호스트 층의 상기 제2 강자성 막은 본질적으로 코발트로 구성되고 상기 스페이서 막과 접촉하는 인터페이스를 포함하는 것인 자기 기록 디스크.
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- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 막들은 동일한 재료로 형성되고, 상기 t1은 t2와 다른 것인 자기 기록 디스크.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 강자성 막들은 다른 재료로 형성되고, 상기 t1 및 t2는 실질적으로 동일한 두께인 것인 자기 기록 디스크.
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