JP2006189430A - マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路及びその製造法と応用 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 プローブ、電子回路、回路の接続点、及び、プローブの載置体と誘電体層を統合して可撓性を具え、且つ、一体化した多層の薄膜構造として製造され、その構造は、電子回路が誘電体層の内部に設置され、また、多層の回路レイアウトで設計し、且つ、プローブ、及び、回路の接続点の大部分も誘電体層内部に埋め込まれ、電子回路と電気的な接続を構成することと、プローブ、及び、回路の接続点の端部が薄膜の外面に突出することを含み、プローブ構造が非常に牢固で傾斜現象が起き難くなると共に損傷を受けることがなく、特に、この種のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路が弾性を具えると共に厚さが増したプローブ載置体がプローブの緩衝機構を構成するため、プローブへの過大な圧力を避けることができる機能を具えた特徴とする。
【選択図】 図3
Description
抵抗、キャパシタンス、インダクタンス或いはその他電子デバイスを含んだ各種電子回路33及びプローブ32と回路の接続点34を含んだマイクロマシンデバイスを一体化構造とすることで可撓性マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100に統合することができる。
マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100が製造工程内において、平坦なプロセス基板30を介して、湾曲、膨張或いは変形しないよう保持するため、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100が高度な平坦度を具備する。
プローブ32及び回路の接続点34は、それぞれ可撓性マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100の片面或いは両面にレイアウトできるため、応用範囲が幅広くなる。
プローブ32構造は、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100の内部から外部に向かって延伸する一体化構造で、且つプローブ32本体の大部分が誘電体材質或いは誘電体層31の被覆と保護を受けるため、プローブ32が牢固で傾斜現象を生じ難くなると共に損傷を受けることを避けることができる。
電子回路33はマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100の内部にレイアウトし、且つ電子回路33を多層回路レイアウトで設計することを許容することでプローブ32のピッチが20μm以下の高密度レイアウトすることができ、特にマトリクス配列を呈したレイアウトとすることができる。
多層回路の間において接地層を製作することで干渉を避けることができるため、更に高周波の電子回路33を設計することができる。
マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100がプロセス基板と分離する前は、プローブ載置体35構造を具備することができ、プローブの間の平坦性を保持する以外に、組み込みの困難性も低減できる。
マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100は、プローブ載置体35構造を具え、且つプローブ載置体35は弾性材質を使用して弾性構造を製作或いは構成することができ、プローブ32が圧力を受けた時、受け力をプローブ載置体35に伝えることで、プローブ載置体35が過大な圧力を受止めるため、プローブ32は優秀な耐用性を具備する。
マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100は、プローブ載置体35と粘着剤の比較的剛性或いは弾性を具えることで、プローブ32が比較的剛性或いは弾性を具えて、各種異なるテスト要求に対応できる。
a)プロセス基板30の提供
本発明で開示するマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100は、可撓性製品であり、これにより各種半導体製造工程内に平坦度及び剛性が十分な基材を介してマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100のプロセス基板30とすることで、製造過程中のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100(以下、プローブ薄膜回路90という)が湾曲、膨張或いは変形できないように保持し、且つ高度な平坦度を具える。本発明ではセラミック、シリコン、クオーツ、ガラス及びアルミ合金などの平坦化された基材をプロセス基板30に使用することができる。
b)ステップa)のプロセス基板30に対して後工程内においてプロセス基板30を分離する分離できるインターフェース39を製作する。
プローブ薄膜回路90は、製造工程内においてプロセス基板30を介して湾曲、膨張或いは変形できないよう保持、及び高度な平坦度を具えるが、製作を完了した後やはりプロセス基板30と分離しなければならない。これにより、プロセス基板30とプローブ薄膜回路90の層と層の間は、先に各種分離できるインターフェース処理を施すことで、後工程内で該分離できるインターフェースの分離を介してプローブ薄膜回路90とプロセス基板30を分離する目的を達成できる。
分離できるインターフェース39の形成方法には2種類あり、1種類目は層と層の間の接合インターフェースの接着性を制御することで、層と層の間の接合性を弱めると共に分離できるインターフェースを構成する。図10に示すように、プロセス基板30の上面に連続して2回ポリイミド(PI)41を塗布し、1回目のポリイミド41を塗布する時、接着剤を加えて適切に焼成、固化の温度曲線及び時間を制御し、2回目のポリイミド41を塗布する時、接着剤を加えず適切に焼成、固化の温度曲線及び時間を制御し、この時、1回目のポリイミド41と2回目のポリイミド41の間の接合性を弱め、これにより分離できるインターフェース39を形成する。
2つ目の方法は、プロセス基板30とプローブ薄膜回路90の間に除去し易い材質を加え、且つ除去し易い材質を介してプロセス基板30とプローブ薄膜回路90の間に分離できるインターフェース39を構成する。
c)ステップb)を完了したプロセス基板30でプローブ薄膜回路90の製造を進めることで、分離できるインターフェース39上に各種電子回路33、プローブ32と回路の接続点34などの微構造を既製したプローブ薄膜回路90を設けさせることができる。
図10に示すように、半導体製造工程の誘電体層及び金属配線層を積み重ね技術、各種金属及び非金属の成長技術と除去技術、フォトレジストとリソグラフィ及びパターン転写技術などを応用し、プロセス基板30のインターフェース39上において、誘電体層31で各種凹溝を形成し、且つ凹溝内に金属材質を充填した後、リソグラフィ技術でフォトレジストを使用して金属材質の上方に各種パターンを形成し、更にエッチング或いは電気メッキの製造工程で金属材質に対して微構造加工を行うことで、プローブ薄膜回路90に各種金属の電子回路33、及びプローブ32、回路の接続点34などを含んだ微構造を具備させることができる。
d)ステップc)が完了したプローブ薄膜回路90に対しプローブ載置体35の製作を続行することで、プローブ薄膜回路90は高さが凸起したプローブ載置体35を具え、且つプローブ載置体35を介することでプローブ32の固定強化及びプローブ32の相対平面度を保持させることができる。
e)プロセス基板30とプローブ薄膜回路90の間の分離できるインターフェース39を破壊することで、プローブ薄膜回路90とプロセス基板30の相互を分離して取出すことができる。
図11に示すように、もしもプロセス基板30とプローブ薄膜回路90の間で層と層の間の接合性が弱いことを利用して分離できるインターフェース39が構成された場合、外力を介して鋼製刃44で斜めに切り込んで横移動させるとプローブ薄膜回路90とプロセス基板30を分離することができる。
図12に示すように、もしもプロセス基板30とプローブ薄膜回路90の間に除去し易い材質を加えることを利用して層と層の分離できるインターフェース層39aが構成された場合、多くのエッチング穴46の製作を介することで分離できるインターフェース層39a表面に貫通し、更にプローブ薄膜回路90とプロセス基板30が分離するまで、エッチング液を浸入させて横方向のエッチングを行うことができる。
f)ステップe)で取出したプローブ薄膜回路90に対してその後の微構造加工を進め、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100を製作する。
プローブ薄膜回路90とプロセス基板30を分離した後、更にプローブ薄膜回路90の未完成の微構造に対して、残余の材質を除去することで微構造を露出或いは微構造などを再び精密加工することを含み、プローブ薄膜回路90に可撓性を具えた最終的なマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路100製品として加工させることができる。
ステップd)を進めプローブ薄膜回路90に対してプローブ載置体35を製作する時、材質はセラミック、シリコン、ケイ化物、ガラス、クオーツ、ゴム、プラスチック、例えばエポキシ樹脂、ポリマーといった化学組成物及び各種金属及びその合金などを使用することができ、更に積み重ねた複合体も含む。且つその製造法は下記の各種方法がある。
1.ステップe)の分離できるインターフェース39を破壊する前、或いはステップf)を進める時、既製のプローブ載置体35をプローブ薄膜回路90に粘着する。
図13に示すように、切断が完了したシリコンの薄片、セラミック片、ゴムパッド、ガラス片或いは金属片などのプローブ載置体35を使用し、プローブ薄膜回路90とプロセス基板30を分離する前、或いはステップf)を進める時、各種表面実装技術を介してプローブ載置体35をプローブ薄膜回路90の表面に粘着する。
また、粘着剤は剛性或いは弾性を具えた接着剤或いは材質を使用することでき、更にプローブ載置体35をプローブ薄膜回路90の表面に粘着することで、プローブ32に剛性或いは弾性を具えさせる。これにより粘着材質にプローブ載置体材質をマッチさせることで、プローブ32に剛性或いは弾性を具えさせ、各種異なるテスト要求に対応できる。
2.分離できるインターフェースで分離する前、フォトレジストで凹溝を形成すると共に凹溝内に載置体材質を充填する。
図14に示すように、分離できるインターフェース39が分離される前、リソグラフィ技術を利用してフォトレジスト36で凹溝を形成しプローブ載置体35のエリアを定め、また凹溝内に例えばニッケル、コバルト、銅、金などのプローブ載置体材質を充填した後、フォトレジスト36を除去するとプローブ載置体35が残る。
3.ステップe)の分離できるインターフェース39を分離する前、スクリーン技術でプローブ載置体材質をスクリーンの凹溝内に充填する。
図14に示すように、分離できるインターフェース39が分離する前、スクリーン43でプローブ薄膜回路90の表面に貼付した後、スクリーン43の孔内に例えばゴム、或いはエポキシ樹脂などのプローブ載置体材質を充填し、更にスクリーン43を除去するとプローブ載置体35が残る。
4.ステップe)の分離できるインターフェース39を破壊する前、まず載置体層37を製作しておき、更に不必要な部分を除去してプローブ載置体35を製造する。
図15に示すように、分離できるインターフェース39が破壊される前、各種弾性材質或いは金属材質を含んで先に載置体層37を製作した後、リソグラフィ技術を利用してフォトレジスト36でプローブ載置体35のエリアを定め、不必要な部分を除去してプローブ載置体35を形成した後、更にフォトレジスト36を除去するとプローブ載置体35が残る。
5.製造工程内において先に載置体37を製作し、ステップf)を進める時、更に不必要な部分を除去してプローブ載置体35を製作する。
図16に示すように、プローブ薄膜回路90の製造工程内においてまず載置体層37を製作し、且つエッチングマスク37aを残してプローブ載置体35のエリアを定め、プローブ薄膜回路90とプロセス基板30を分離してからステップf)を進める時、エッチングマスク37aを利用して載置体層37の不必要な部分を除去してプローブ載置体35を製作する。
6.プローブ薄膜回路90本体の誘電体層31を載置体層とする時、ステップe)の分離できるインターフェース39を破壊する前、或いはステップf)を進める時、更に不必要な部分を除去することで、プローブ薄膜回路90にプローブ載置体35を具えさせる。
図17に示すように、プローブ薄膜回路90本体の誘電体層31を載置体層とする時、先にエッチングマスク37aを製作してプローブ載置体35のエリアを定めた後、ステップe)の分離できるインターフェース39を破壊する前、エッチングマスク37aを利用してプローブ載置体35を定めた以外の誘電体層31を除去することで、プローブ載置体35を定めたエリア内の誘電体層31がエリア外の誘電体層31より高くなることにより、プローブ載置体35を形成する。また、エッチングマスク37aを除去或いは除去しないこともできる。
或いは、プローブ薄膜回路90の製造工程内において誘電体層31に予めエッチングマスク37aを残してプローブ載置体35のエリアを定め、プローブ薄膜回路90とプロセス基板30が分離された後でステップf)を進める時、エッチングマスク37aを利用してプローブ載置体35を定めた以外の誘電体層31を除去することでプローブ載置体35を形成する。
18 回路接続パッド
20 薄膜プローブカード
21 プローブ
23 回路
25 下部回路接点
26 プリント回路板
27 上部回路接点
28 フレキシブルプリント基板
30 プロセス基板
31 誘電体層
32 プローブ
32a 嵌合型先端
32b 嵌入型先端
32c 混在型先端
33 電子回路
34 回路の接続点
35 プローブ載置体
36 フォトレジスト
37 載置体層
37a エッチングマスク
39 分離できるインターフェース
39a 分離できるインターフェース層
41 ポリイミド
43 スクリーン
44 鋼製刀
46 エッチング穴
50 信号分析装置
55 キャパシタンス
56 抵抗
62 挟持部
63 フリップチップ基板
71 接地層
90 プローブ薄膜回路
100 マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路
110 マイクロマシン薄膜プローブヘッド
115 下部テスト装置
Claims (9)
- マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法において、半導体製造工程を応用して製作し、
a)プロセス基板を提供することと、
b)ステップa)のプロセス基板に対してステップe)を実行できる分離できるインターフェースを製作することと、
c) ステップb)を完了したプロセス基板でプローブ薄膜回路の製造を進めることで、プローブ薄膜回路が分離できるインターフェース上に積み重なり、且つ、各種電子回路、プローブを具えた構造と回路の接続点を既製することと、
d)ステップc)が完了したプローブ薄膜回路に対しプローブ載置体の製作を続行し、且つ、プローブ載置体材質はセラミック、シリコン、ケイ化物、ガラス、クオーツ、ゴム、プラスチック、エポキシ樹脂、ポリマー、或いは、金属、及び、その合金のいずれかを使用することで、プローブ薄膜回路の高さが凸起したプローブ載置体を具えることと、
e)プロセス基板とプローブ薄膜回路の間の分離できるインターフェースを破壊することで、プローブ薄膜回路とプロセス基板の相互を分離して取出すことができることと、
f)ステップe)で取出したプローブ薄膜回路に対してその後の微構造加工を進め、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路を製作するステップを含むことを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法。 - 請求項1記載のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法において、ステップc)のプローブ薄膜回路のプローブ製作及び回路の接続点の製造過程内に、ポリイミド或いはシリカを材質とした誘電体層を使用し、プローブ、及び、回路の接続点構造の各種凹溝を形成し、且つ、凹溝内に金属材質を充填し、ステップf)で取り出したプローブ薄膜回路に対してその後の微構造加工を行う時、更に、プローブ、或いは、回路の接続点を被覆した誘電体層をエッチングして、マイクロマシンプローブヘッドを製作することを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法。
- 請求項1記載のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法において、ステップc)のプローブ薄膜回路の微構造の製造過程内に、ポリイミド或いはシリカを材質とした誘電体層を使用し、各種凹溝を形成し、且つ、凹溝内に金属材質を充填した後、リソグラフィ技術でフォトレジストを使用して金属材質の上方に各種パターンを形成し、更にエッチング或いは電気メッキの製造工程で金属材質に対して微構造加工を行い、ステップf)で取り出したプローブ薄膜回路に対してその後の微構造加工を行う時、更に、微構造を被覆した誘電体層をエッチングすることで、マイクロマシン薄膜プローブヘッドを製作することを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法。
- 請求項2記載或いは請求項3記載のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法において、ステップf)で取り出したプローブ薄膜回路に対して誘電体層をエッチングする過程中において、プローブ、或いは、微構造周囲の誘電体層を比較的高く設計し、且つ、プローブ、或いは、微構造の保護構造を構成することを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法。
- 請求項1記載のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法において、ステップd)でプローブ載置体を製作する時、下記のいずれかの方法を選択してプローブ載置体を製作するものとし、
(1) 表面実装技術を既製したプローブ載置体をプローブ薄膜回路上に粘着することと、
(2) スクリーン技術でプローブ載置体の凹溝を定め、且つ、プローブ載置体材質をスクリーンの凹溝内に充填した後、更に、スクリーンを除去することでプローブ載置体を製作することと、
(3) フォトレジストでプローブ載置体の凹溝を定め、且つ、載置体材質をフォトレジストの凹溝内に充填した後、更に、フォトレジストを除去することでプローブ載置体を製作することと、
(4) 先に載置体層を製作し、更に、載置体層の不必要な部分を除去することによりプローブ載置体を製作することと、
(5) 先に載置体層を製作し、且つ、プローブ薄膜回路と基板を分離した後、更に、載置体の不必要な部分を除去することでプローブ載置体を製作、或いは、
(6) プローブ薄膜回路本体の誘電体層を載置体層とし、更に、プローブ載置体を定めた以外の誘電体層を除去することでプローブ載置体を形成することを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路の製造法。 - マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路を請求項1記載の製造法で製作し、可撓性を具えた非導電誘電体層とプローブ、電子回路、回路の接続点、及び、プローブ載置体と共同で一体化構造の多層薄膜を構成し、且つ、電子回路を薄膜の誘電体層内部に埋め込めとレイアウトすることで、プローブ、及び、回路の接続点の大部分を薄膜の誘電体層内部に埋め込むと、電子回路と電気的な接続を構成し、プローブ、及び、回路の接続点の先端部を薄膜の外面に突出することで、プローブ載置体を薄膜のいずれか一面にプローブ先端部に突出する相対背面に凸設し、且つ、プローブの緩衝機構を構成することを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路。
- 請求項6記載のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路において、該薄膜の両面に回路の接続点の設置、或いは、該薄膜の誘電体層内部の電子回路が多層回路を呈し、或いは、該薄膜の該薄膜の誘電体層内部の多層の回路の間に干渉を防止する接地層を設け、該薄膜の誘電体層内部の電子回路が抵抗、キャパシタンス、インダクタンス或いは、その他電子デバイスの電子回路を設けることを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路。
- 請求項6或いは7記載のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路において、該薄膜のプローブがカンチレバー型の弾性プローブを構成し、且つ、プローブ先端部で嵌合型先端、嵌入型先端、或いは、混在型先端のいずれかを構成することを特徴とする、マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路。
- テスト装置のマイクロマシンプローブヘッドにおいて、請求項8記載のマイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路とテスト機能を具えたプリント回路板によって共同で組成され、且つ、該マイクロマシンプローブを搭載した薄膜回路のマイクロマシンプローブが該プリント回路板のテスト回路と電気的な接続を構成することで、フリップチップ基板テスト、ウエハのベアチップテスト、液晶パネルテスト、或いは、メモリテストを実施できることを特徴とする、テスト装置のマイクロマシンプローブヘッド。
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