JP2006184878A - 表示装置及びその駆動方法、表示モジュール、携帯情報端末 - Google Patents
表示装置及びその駆動方法、表示モジュール、携帯情報端末 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006184878A JP2006184878A JP2005338064A JP2005338064A JP2006184878A JP 2006184878 A JP2006184878 A JP 2006184878A JP 2005338064 A JP2005338064 A JP 2005338064A JP 2005338064 A JP2005338064 A JP 2005338064A JP 2006184878 A JP2006184878 A JP 2006184878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electrode
- capacitor
- transistor
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 117
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Li and Cs Chemical class 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y02B20/343—
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
【解決手段】複数の画素それぞれに、発光素子と、容量素子とを有し、発光素子の一方の電極は容量素子に接続され、発光素子の一方の電極に発光素子のしきい値電圧以上の電圧を印加し、容量素子の一方の電極の電位を変化させることで発光素子の一方の電極の電位を変化させ、発光素子を発光させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、複数の画素とを有し、複数の画素それぞれは、スイッチング素子と、一対の電極を有する容量素子と、一対の電極を有する発光素子とを有し、容量素子の一方の電極は第1の配線に接続され、容量素子の他方の電極は発光素子の一方の電極、及びON状態となったスイッチング素子を介して第2の配線と接続され、スイッチング素子のON状態またはOFF状態は、第3の配線に入力される信号によって制御されることを特徴とする表示装置である。
本発明は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、複数の画素とを有し、複数の画素それぞれは、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、一対の電極を有する第1の容量素子、一対の電極を有する第2の容量素子、一対の電極を有する発光素子とを有し、第1の容量素子の一方の電極は第1の配線と接続され、第1の容量素子の他方の電極は、発光素子の一方の電極、及びON状態となった第1のスイッチング素子とON状態となった第2のスイッチング素子とを順に介して第3の配線と接続され、第2のスイッチング素子のON状態またはOFF状態を制御する電極は第2の容量素子の一方の電極、及びON状態となった第3のスイッチング素子を介して第4の配線に接続され、第1のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、第2の配線に入力される信号によって制御され、第3のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、第5の配線に入力される信号によって制御されることを特徴とする表示装置である。
上記第1の構成のスイッチング素子として、トランジスタを用いることができる。スイッチング素子として、トランジスタを用いた場合の構成について説明する。
上記第2の構成のスイッチング素子として、トランジスタを用いることができる。スイッチング素子として、トランジスタを用いた場合の構成について説明する。
[課題を解決するための手段]において説明した第3の構成の表示装置について、画素の構成を図1を用いて説明する。
[課題を解決するための手段]において説明した第4の構成の表示装置の画素構成について、図3を用いて説明する。
Claims (15)
- 複数の画素を有し、
前記複数の画素は、それぞれ、一対の電極に狭持された発光素子と、一対の電極の間に電圧を保持する容量素子とを有し、
前記発光素子の一方の電極は前記容量素子の他方の電極に接続され、
前記発光素子の一方の電極に前記発光素子のしきい値電圧以上の電圧を印加し、
前記容量素子の一方の電極の電位を変化させて、前記発光素子の一方の電極の電位を変化させることで前記発光素子を発光させることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 請求項1において、
前記容量素子の前記一方の電極の電位の変化量を制御して、発光素子の輝度を制御することを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 請求項1において、
前記発光素子が発光している時間を制御して、発光素子の輝度を制御することを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、スイッチング素子と、一対の電極の間に電圧を保持する容量素子と、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記容量素子の一方の電極は前記第1の配線に接続され、前記容量素子の他方の電極は前記発光素子の一方の電極、及びON状態となった前記スイッチング素子を介して前記第2の配線と接続され、
前記スイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第3の配線に入力される信号によって制御されることを特徴とする表示装置。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、一対の電極の間に電圧を保持する第1の容量素子、一対の電極の間に電圧を保持する第2の容量素子、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記第1の容量素子の一方の電極は前記第1の配線と接続され、前記第1の容量素子の他方の電極は、前記発光素子の一方の電極、及びON状態となった前記第1のスイッチング素子とON状態となった前記第2のスイッチング素子とを順に介して前記第3の配線と接続され、前記第2のスイッチング素子のON状態またはOFF状態を制御する電極は前記第2の容量素子の一方の電極、及びON状態となった前記第3のスイッチング素子を介して前記第4の配線に接続され、
前記第1のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第2の配線に入力される信号によって制御され、前記第3のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第5の配線に入力される信号によって制御されることを特徴とする表示装置。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、トランジスタと、一対の電極の間に電圧を保持する容量素子と、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記容量素子の一方の電極は前記第1の配線に接続され、前記容量素子の他方の電極は前記発光素子の一方の電極、及び前記トランジスタのソースとドレインのうち一方と接続され、前記トランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第2の配線と接続され、前記トランジスタのゲートは前記第3の配線と接続されることを特徴とする表示装置。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、一対の電極の間に電圧を保持する第1の容量素子、一対の電極の間に電圧を保持する第2の容量素子、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記第1の容量素子の一方の電極は前記第1の配線と接続され、前記第1の容量素子の他方の電極は、前記第1のトランジスタのソースとドレインのうち一方、及び前記発光素子の一方の電極と接続され、前記第1のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第2のトランジスタのソースとドレインのうち一方と接続され、前記第1のトランジスタのゲートは前記第2の配線と接続され、前記第2のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第3の配線と接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち一方、及び前記第2の容量素子の一方の電極に接続され、前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第4の配線に接続され、前記第3のトランジスタのゲートは前記第5の配線を接続されることを特徴とする表示装置。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、スイッチング素子と、一対の電極の間に電圧を保持する容量素子と、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記容量素子の一方の電極は前記第1の配線に接続され、前記容量素子の他方の電極は前記発光素子の一方の電極、及びON状態となった前記スイッチング素子を介して前記第2の配線と接続され、
前記スイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第3の配線に入力される信号によって制御される表示装置を用いたことを特徴とする表示モジュール。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、一対の電極の間に電圧を保持する第1の容量素子、一対の電極の間に電圧を保持する第2の容量素子、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記第1の容量素子の一方の電極は前記第1の配線と接続され、前記第1の容量素子の他方の電極は、前記発光素子の一方の電極、及びON状態となった前記第1のスイッチング素子とON状態となった前記第2のスイッチング素子とを順に介して前記第3の配線と接続され、前記第2のスイッチング素子のON状態またはOFF状態を制御する電極は前記第2の容量素子の一方の電極、及びON状態となった前記第3のスイッチング素子を介して前記第4の配線に接続され、
前記第1のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第2の配線に入力される信号によって制御され、前記第3のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第5の配線に入力される信号によって制御される表示装置を用いたことを特徴とする表示モジュール。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、トランジスタと、一対の電極の間に電圧を保持する容量素子と、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記容量素子の一方の電極は前記第1の配線に接続され、前記容量素子の他方の電極は前記発光素子の一方の電極、及び前記トランジスタのソースとドレインのうち一方と接続され、前記トランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第2の配線と接続され、前記トランジスタのゲートは前記第3の配線と接続される表示装置を用いたことを特徴とする表示モジュール。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、それぞれ、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、一対の電極の間に電圧を保持する第1の容量素子、一対の電極の間に電圧を保持する第2の容量素子、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記第1の容量素子の一方の電極は前記第1の配線と接続され、前記第1の容量素子の他方の電極は、前記第1のトランジスタのソースとドレインのうち一方、及び前記発光素子の一方の電極と接続され、前記第1のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第2のトランジスタのソースとドレインのうち一方と接続され、前記第1のトランジスタのゲートは前記第2の配線と接続され、前記第2のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第3の配線と接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち一方、及び前記第2の容量素子の一方の電極に接続され、前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第4の配線に接続され、前記第3のトランジスタのゲートは前記第5の配線を接続される表示装置を用いたことを特徴とする表示モジュール。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、複数の画素とを表示部に有し、
前記複数の画素は、それぞれ、スイッチング素子と、一対の電極の間に電圧を保持する容量素子と、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記容量素子の一方の電極は前記第1の配線に接続され、前記容量素子の他方の電極は前記発光素子の一方の電極、及びON状態となった前記スイッチング素子を介して前記第2の配線と接続され、
前記スイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第3の配線に入力される信号によって制御されることを特徴とする携帯情報端末。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、複数の画素とを表示部に有し、
前記複数の画素は、それぞれ、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、一対の電極の間に電圧を保持する第1の容量素子、一対の電極の間に電圧を保持する第2の容量素子、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記第1の容量素子の一方の電極は前記第1の配線と接続され、前記第1の容量素子の他方の電極は、前記発光素子の一方の電極、及びON状態となった前記第1のスイッチング素子とON状態となった前記第2のスイッチング素子とを順に介して前記第3の配線と接続され、前記第2のスイッチング素子のON状態またはOFF状態を制御する電極は前記第2の容量素子の一方の電極、及びON状態となった前記第3のスイッチング素子を介して前記第4の配線に接続され、
前記第1のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第2の配線に入力される信号によって制御され、前記第3のスイッチング素子のON状態またはOFF状態は、前記第5の配線に入力される信号によって制御されることを特徴とする携帯情報端末。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、複数の画素とを表示部に有し、
前記複数の画素は、それぞれ、トランジスタと、一対の電極の間に電圧を保持する容量素子と、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記容量素子の一方の電極は前記第1の配線に接続され、前記容量素子の他方の電極は前記発光素子の一方の電極、及び前記トランジスタのソースとドレインのうち一方と接続され、前記トランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第2の配線と接続され、前記トランジスタのゲートは前記第3の配線と接続されることを特徴とする携帯情報端末。 - 第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第5の配線と、複数の画素とを表示部に有し、
前記複数の画素は、それぞれ、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、一対の電極の間に電圧を保持する第1の容量素子、一対の電極の間に電圧を保持する第2の容量素子、一対の電極を有する発光素子とを有し、
前記第1の容量素子の一方の電極は前記第1の配線と接続され、前記第1の容量素子の他方の電極は、前記第1のトランジスタのソースとドレインのうち一方、及び前記発光素子の一方の電極と接続され、前記第1のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第2のトランジスタのソースとドレインのうち一方と接続され、前記第1のトランジスタのゲートは前記第2の配線と接続され、前記第2のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第3の配線と接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち一方、及び前記第2の容量素子の一方の電極に接続され、前記第3のトランジスタのソースとドレインのうち他方は前記第4の配線に接続され、前記第3のトランジスタのゲートは前記第5の配線を接続されることを特徴とする携帯情報端末。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005338064A JP5072218B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-11-24 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004348697 | 2004-12-01 | ||
JP2004348697 | 2004-12-01 | ||
JP2005338064A JP5072218B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-11-24 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006184878A true JP2006184878A (ja) | 2006-07-13 |
JP2006184878A5 JP2006184878A5 (ja) | 2008-10-23 |
JP5072218B2 JP5072218B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=36737990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005338064A Expired - Fee Related JP5072218B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-11-24 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5072218B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099777A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Sony Corp | 表示装置と電子機器 |
JP2010085743A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Seiko Epson Corp | 表示装置の駆動方法、表示装置および電子機器 |
JP2012093424A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Seiko Epson Corp | 画素回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997925A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Pioneer Electron Corp | 発光素子の駆動回路 |
JPH10214042A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2000276075A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流制御型発光素子の駆動回路 |
JP2000276109A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Tdk Corp | 薄膜発光素子の駆動方法および駆動回路 |
JP2001350431A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Sharp Corp | 発光器、発光装置、及び表示パネル |
JP2002207451A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Hitachi Ltd | 有機ledディスプレイおよびその駆動方法 |
JP2003216110A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2003280585A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003323153A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2004309844A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法電気光学装置の駆動回路および電子機器 |
-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005338064A patent/JP5072218B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997925A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Pioneer Electron Corp | 発光素子の駆動回路 |
JPH10214042A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2000276109A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-06 | Tdk Corp | 薄膜発光素子の駆動方法および駆動回路 |
JP2000276075A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電流制御型発光素子の駆動回路 |
JP2001350431A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Sharp Corp | 発光器、発光装置、及び表示パネル |
JP2002207451A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Hitachi Ltd | 有機ledディスプレイおよびその駆動方法 |
JP2003216110A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2003280585A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003323153A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2004309844A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法電気光学装置の駆動回路および電子機器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009099777A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Sony Corp | 表示装置と電子機器 |
JP2010085743A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Seiko Epson Corp | 表示装置の駆動方法、表示装置および電子機器 |
JP2012093424A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Seiko Epson Corp | 画素回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5072218B2 (ja) | 2012-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7021377B2 (ja) | 表示装置 | |
TWI814595B (zh) | 半導體裝置、顯示裝置、及電子裝置 | |
JP2021060598A (ja) | 表示装置 | |
US7442950B2 (en) | Light emitting device | |
JP5740432B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2015007812A (ja) | 半導体装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
US8354794B2 (en) | Light emitting device and driving method thereof | |
US7471271B2 (en) | Display device and driving method of the same | |
US7714816B2 (en) | Display device, display module, electronic apparatus and driving method of the display device | |
JP2006113564A (ja) | 表示装置及びその駆動方法 | |
JP4034122B2 (ja) | 発光装置及び素子基板 | |
US7830340B2 (en) | Display device and driving method thereof, display module, and portable information terminal | |
US7733316B2 (en) | Display device, driving method thereof and electronic appliance | |
JP5072218B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5164331B2 (ja) | 表示装置、表示モジュール、および電子機器 | |
US7705821B2 (en) | Driving method using divided frame period | |
JP2006235614A (ja) | 表示装置の駆動方法 | |
JP5089046B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2006317923A (ja) | 表示装置及びそれを用いた電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080908 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120321 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120821 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5072218 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |