JP2006178498A5

JP2006178498A5 -

Info

Publication number: JP2006178498A5
Application number: JP2006071816A
Authority: JP
Filing date: 2006-03-15
Publication date: 2006-09-07
Anticipated expiration: 2020-07-28

Claims

集積回路を製造するための１組のマスクを生成する方法であって、該方法は、
直接的に隣接する複数のマスク領域を規定する第１のマスク（４０１）を生成することであって、該複数のマスク領域は、該第１のマスク（４０１）を直接的に囲む領域（４０４）に対して光を１８０度シフトさせる１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）を含み、該第１のマスク（４０１）は、該集積回路の第１の層の中に該集積回路の第２の層に配置された拡散領域（３１０）をオーバーレイするトランジスタゲートのような所望の金属またはポリシリコン構造を作成する際に使用され、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）は、該拡散領域（３１０）に形成されるべき該金属またはポリシリコン構造の該集積回路における必要な位置に対応するように位置づけられるように配置された１つのエッジ（４００；４３０）を有しており、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の他の全てのエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）は、該集積回路の該第２の層に配置された下部の拡散領域（３１０）の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）を所定の量だけ外側に超えて置かれるように配置されている、ことと、
該第１のマスク（４０１）によって形成された該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の対応する複数のエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）から所定の量だけ外側にずらされた線分（５０５，５１０，５１５；５３５，５４０，５４５）によって部分的に規定されるトリミング領域を形成する第２のトリムマスク（５０１）を生成することであって、該第２のトリムマスク（５０１）は、第１の露光ステップにおいて該第１のマスク（４０１）を用いて該集積回路内に生成された望ましくないアーチファクトであって、該所望の金属またはポリシリコン構造の一部ではないアーチファクトを除去する際に第２の露光ステップにおいて使用される、ことと
を包含する、方法。
前記トリムマスク（５０１）は、前記集積回路の前記第１の層に追加の構造的な要素をさらに規定する、請求項１に記載の方法。
前記トリムマスク（５０１）は、位相シフト要素を含まない、請求項１に記載の方法。
前記第１のマスク（４０１）および前記トリムマスク（５０１）によって作成された前記構造は、トランジスタゲートである、請求項１に記載の方法。
前記トリムマスク（５０１）は、元の集積回路レイアウトのトポロジを保持する、請求項１に記載の方法。
前記１８０度位相シフト領域（４０２，４０３）は、前記拡散領域の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）から外側に０．２５λ／ＮＡより多くの量だけずらされた複数のエッジを有しており、λは前記マスクを露光するために用いられる光の波長であり、ＮＡは露光に用いられる開口数である、請求項１に記載の方法。
命令のシーケンスが格納された機械読み取り可能な媒体を備えた物品であって、１以上のプロセッサによって該命令のシーケンスが実行された場合に、電子デバイスに、
直接的に隣接する複数のマスク領域を規定する第１のマスク（４０１）を生成することであって、該複数のマスク領域は、該第１のマスク（４０１）を直接的に囲む領域（４０４）に対して光を１８０度シフトさせる１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）を含み、該第１のマスク（４０１）は、該集積回路の第１の層の中に該集積回路の第２の層に配置された拡散領域（３１０）をオーバーレイするトランジスタゲートのような所望の金属またはポリシリコン構造を作成する際に使用され、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）は、該拡散領域（３１０）に形成されるべき該金属またはポリシリコン構造の該集積回路における必要な位置に対応するように位置づけられるように配置された１つのエッジ（４００；４３０）を有しており、該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の他の全てのエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）は、該集積回路の該第２の層に配置された下部の拡散領域（３１０）の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）を所定の量だけ外側に超えて置かれるように配置されている、ことと、
該第１のマスク（４０１）によって形成された該１８０度位相シフト領域（４０２；４０３）の対応する複数のエッジ（４０５，４１０，４１５；４３５，４４０，４４５）から所定の量だけ外側にずらされた線分（５０５，５１０，５１５；５３５，５４０，５４５）によって部分的に規定されるトリミング領域を形成する第２のトリムマスク（５０１）を生成することであって、該第２のトリムマスク（５０１）は、第１の露光ステップにおいて該第１のマスク（４０１）を用いて該集積回路内に生成された望ましくないアーチファクトであって、該所望の金属またはポリシリコン構造の一部ではないアーチファクトを除去する際に第２の露光ステップにおいて使用される、ことと
を行わせる、物品。
前記トリムマスクを生成する命令のシーケンスは、前記集積回路の前記第１の層に追加の構造的な要素を規定する命令のシーケンスをさらに含む、請求項７に記載の物品。
前記１８０度位相シフト領域（４０２，４０３）は、前記拡散領域の複数のエッジ（３０１，３０２，３０３；３０６，３０７，３０８）から外側に０．２５λ／ＮＡより多くの量だけずらされた複数のエッジを有しており、λは前記第１のマスクを露光するために用いられる光の波長であり、ＮＡは露光に用いられる開口数である、請求項７に記載の物品。
前記トリムマスク（５０１）は、位相シフト要素を含まない、請求項７に記載の物品。
前記第１のマスク（４０１）および前記トリムマスク（５０１）によって作成された前記構造は、トランジスタゲートである、請求項７に記載の物品。
前記トリムマスク（５０１）は、元の集積回路レイアウトのトポロジを保持する、請求項７に記載の物品。