JP2006173352A - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 誘電体層を含有するセラミック電子部品であって、前記誘電体層が、チタン酸バリウムを含む主成分と、Mgの酸化物およびSiの酸化物を含む副成分とを含有し、前記誘電体層には、主としてMgとSiとを含む偏析相が形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【選択図】 なし
Description
誘電体層を含有するセラミック電子部品であって、
前記誘電体層が、チタン酸バリウムを含む主成分と、
Mgの酸化物およびSiの酸化物を含む副成分とを含有し、
前記誘電体層には、主としてMgとSiとを含む偏析相が形成されていることを特徴とする。
前記主成分100モルに対する各酸化物の含有量が、それぞれ、MnO、BaO、CaO、TiO2 、R2 O3 換算で、
Mnの酸化物:0.1〜0.5モル、
Baの酸化物:0.01〜2モル、
Caの酸化物:0.01〜2モル、
Tiの酸化物:0.5〜11モル、
Rの酸化物 :0.01〜3.0モル、
であり、
より好ましくは、
Mnの酸化物:0.1〜0.3モル、
Baの酸化物:0.01〜1.0モル、
Caの酸化物:0.01〜1.0モル、
Tiの酸化物:0.8〜10モル、
Rの酸化物 :0.01〜2.5モル、
である。
上記いずれかのセラミック電子部品を製造する方法であって、
前記誘電体層を形成することとなる副成分の原料として、MgTiO3 粉末を使用することを特徴とする。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図2(A)は本発明の実施例に係る誘電体層の微細構造をEPMA分析して表されたMgの偏析状態を示す写真、図2(B)は本発明の実施例に係る誘電体層の微細構造をEPMA分析して表されたSiの偏析状態を示す写真、図2(C)は偏析相の最大径の測定方法を説明するための図、
図3は本発明の実施例に係る誘電体層のFESEM(電界放射型走査電子顕微鏡)写真である。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と内部電極層3とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。このコンデンサ素子本体10の両端部には、素子本体10の内部で交互に配置された内部電極層3と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。コンデンサ素子本体10の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
誘電体層2は、誘電体磁器組成物を含有する。
本実施形態においては、上記誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを含有する主成分と、副成分としてのMgの酸化物およびSiの酸化物とを含有する。さらに、本実施形態の誘電体層2には、主としてMgとSiとを含む偏析相が形成されている。
Mnの酸化物:0.1〜0.5モル、
Baの酸化物:0.01〜2モル、
Caの酸化物:0.01〜2モル、
Tiの酸化物:0.5〜11モル、
Rの酸化物 :0.01〜3.0モル、
であることが好ましく、
より好ましくは、
Mnの酸化物:0.1〜0.3モル、
Baの酸化物:0.01〜1.0モル、
Caの酸化物:0.01〜1.0モル、
Tiの酸化物:0.8〜10モル、
Rの酸化物 :0.01〜2.5モル、
である。
内部電極層3に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層2の構成材料が耐還元性を有するため、比較的安価な卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Mn,Cr,CoおよびAlから選択される1種以上の元素とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが好ましい。なお、NiまたはNi合金中には、P等の各種微量成分が0.1重量%程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層3は、市販の電極を使用して形成してもよい。内部電極層3の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なNi,Cuや、これらの合金を用いることができる。外部電極4の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよい。
本実施形態の積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
まず、誘電層を構成する誘電体磁器組成物を調製するための出発原料として、平均粒径0.2μmの主成分原料粉末(BaTiO3、Ba/Ti=1.005)および以下に示す各副成分原料を用意した。
MnO :0.1モル
Y2 O3 :0.2モル
BaO :0.6モル
CaO :0.2モル
SiO2 :0.8モル
MgO :1.0モル
上記各副成分の添加量は、主成分であるBaTiO3 100モルに対するモル数である。
すなわち、まず、電極パターンの印刷されていないグリーンシートを合計の厚みが300μmとなるまで積層した。その上に、電極パターンの印刷されたグリーンシートを5枚積層した。さらにその上に、電極パターンの印刷されていないグリーンシートを合計の厚さが300μmとなるまで積層し、積層体とした。そして、得られた積層体について、温度80℃、圧力1t/cm2の条件で加熱・加圧して、グリーンチップを得た。
脱バインダ処理条件は、昇温速度:30℃/時間、保持温度:250℃、温度保持時間:8時間、雰囲気:空気中とした。
焼成条件は、昇温速度:200℃/時間、保持温度:1240℃、温度保持時間:2時間、冷却速度:300℃/時間、雰囲気ガス:加湿したN2 と0.5〜5体積%のH2 との混合ガス(酸素分圧:10−7Pa)とした。
アニール条件は、昇温速度:200℃/時間、保持温度:1050℃、温度保持時間:2時間、冷却速度:300℃/時間、雰囲気ガス:加湿したN2 ガス(酸素分圧:10−1Pa)とした。
なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、水温を5〜75℃としたウエッターを用いた。
まず、得られたコンデンサ試料を内部電極に垂直な面で切断し、切断面を研磨した。次いで、この研磨面についてEPMA分析を行い、Mg元素およびSi元素の元素マッピングの結果から、主としてMgとSiとを含有する偏析相の面積比および最大径を測定した。結果を表1に示す。なお、EPMA分析は、研磨面のうち誘電体層部分について行い、観察視野30×30μmとした。また、観察に際しては、内部電極部分が観察視野内に入らないような領域を選択した。
得られたコンデンサ試料について、上記と同様にして、内部電極に垂直な面で切断し、切断面を研磨した。そして、この研磨面について、FESEM(電界放射型走査電子顕微鏡)により、誘電体層の測定を行った。測定の結果得られた写真を図3に示す。なお、図3は、試料番号6の写真である。図3より、偏析相の大きさが確認できる。
まず、コンデンサ試料に対し、基準温度25℃において、デジタルLCRメータ(YHP社製4284A)にて、周波数1kHz、入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの信号を入力し、静電容量Cを測定した。誘電率ε(単位なし)は、誘電体層の厚みと、有効電極面積と、測定の結果得られた静電容量Cとに基づき算出した。誘電率εは大きいほど好ましい。結果を表1に示す。
まず、コンデンサ試料について、25℃における絶縁抵抗IR25、および180℃における絶縁抵抗IR180を、それぞれ測定した。絶縁抵抗の測定は、絶縁抵抗計(アドバンテスト社製R8340A)を用い、25℃および180℃において、DC7V/μmを60秒間印加した後の絶縁抵抗IR(単位はΩ)を測定した。次いで、絶縁抵抗値IR180とIR25との比(IR180/IR25)を算出した。本実施例においては、IR180/IR25が1/4以上となった試料を良好とした。結果を表1に示す。なお、表1においては、IR180/IR25が1/4以上となった試料を「○」、1/4未満となった試料を「×」とした。
コンデンサ試料について、−55℃、25℃および105℃の各温度における静電容量を測定し、25℃における静電容量に対する−55℃および105℃での静電容量の変化率△C(単位は%)を算出した。静電容量の変化率は、0%に近い(絶対値が小さい)ほうが好ましい。本実施例では、静電容量の変化率が、EIA規格のX6S特性(−55〜105℃、ΔC=±22%以内)を満たしている試料を良好とした。結果を表1に示す。なお、表1においては、X6S特性を満足する試料を「○」、X6S特性を満足しない試料を「×」とした。
表1に試料1〜7の副成分の添加量、偏析相の面積比、偏析相の最大径、誘電率、IR温度依存性および静電容量の温度特性を示す。
表1に示すように、MgTiO3 の添加量を、主成分100モルに対して、0モルより多く、10モル以下とした実施例の試料2〜6は、主としてMgとSiとを有する偏析相が形成されており、かつ、偏析相の面積比および偏析相の最大径が、本発明の好ましい範囲内となり、誘電率が高く、IR温度依存性、静電容量の温度特性も良好な結果となった。特に、実施例3の試料番号12のMgの偏析およびSiの偏析の写真である図2(A)、図2(B)に示すように、Mgの偏析(図2(A))と、Siの偏析(図(B))とは、ほぼ同じ場所に起こっており、実施例1の各試料においても同様の傾向が確認できた。すなわち、主としてMgとSiとを有する偏析相が形成されていることが確認できる。
実施例1において、MgTiO3 粉末の代わりに、MgO粉末およびTiO2 粉末を使用した以外は、実施例1と同様にコンデンサの試料8,9を得て、実施例1と同様に、偏析相の面積比、偏析相の最大径、誘電率、IR温度依存性および静電容量の温度特性を測定した。
表2に試料8,9の副成分の添加量、偏析相の面積比、偏析相の最大径、誘電率、IR温度依存性および静電容量の温度特性を示す。
表2に示すように、MgTiO3 粉末の代わりに、MgO粉末およびTiO2 粉末を使用した比較例の試料8および9は、いずれもMgとSiとを有する偏析相が形成されず、誘電率が低くなり、IR温度依存性に劣る結果となった。特に、比較例の試料9は、実施例1の試料3と組成比を実質的に同じとしたにも関わらず、誘電率およびIR温度依存性に劣る結果となった。
副成分原料粉末の添加量を表3に示す各添加量とした以外は、実施例1と同様にコンデンサの試料10〜14を得て、実施例1と同様に、偏析相の面積比、偏析相の最大径、誘電率、IR温度依存性および静電容量の温度特性を測定した。特に、実施例3の各試料(試料10〜14)においては、副成分の原料としてMgO粉末を使用しなかった。
表3に試料10〜14の副成分の添加量、偏析相の面積比、偏析相の最大径、誘電率、IR温度依存性および静電容量の温度特性を示す。
表3に示すように、副成分原料粉末の添加量を変化させた実施例の試料10〜13は、いずれも主としてMgとSiとを有する偏析相が形成されており、かつ、偏析相の面積比および偏析相の最大径が、本発明の好ましい範囲内となり、誘電率が高く、IR温度依存性、静電容量の温度特性も良好な結果となった。この結果より、副成分原料粉末の添加量を変化させた場合においても本発明の作用効果が奏されることが確認できた。
実施例1において、MgTiO3 粉末の代わりに、CaTiO3 粉末またはSrTiO3 粉末を使用したこと、およびその他の副成分原料の添加量を変更したこと以外は、実施例1と同様にコンデンサの試料15〜17を得て、実施例1と同様に、偏析相の面積比、偏析相の最大径、誘電率、IR温度依存性および静電容量の温度特性を測定した。なお、CaTiO3 またはSrTiO3 の添加量は、それぞれ表4に示す量とした。
表4に試料15〜17の副成分の添加量、偏析相の面積比、偏析相の最大径、誘電率、IR温度依存性および静電容量の温度特性を示す。
表4に示すように、MgTiO3 粉末の代わりに、MgTiO3 と同様な結晶構造を有するCaTiO3 粉末、SrTiO3 粉末を使用した比較例の試料15〜17は、いずれもMgとSiとを有する偏析相が形成されず、誘電率が低くなる結果となった。
10… コンデンサ素子本体
2… 誘電体層
3… 内部電極層
4… 外部電極
200…偏析相
Claims (9)
- 誘電体層を含有するセラミック電子部品であって、
前記誘電体層が、チタン酸バリウムを含む主成分と、
Mgの酸化物およびSiの酸化物を含む副成分とを含有し、
前記誘電体層には、主としてMgとSiとを含む偏析相が形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。 - 前記誘電体層の断面積における前記偏析相の割合が、前記誘電体層全体を100%としたときに、面積比で、0%より大きく、30%未満である請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記偏析相の最大径が、3μm未満である請求項1または2に記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体層における前記Mgの酸化物の含有量が、前記主成分100モルに対して、MgO換算で0.5〜11モルであり、
前記Siの酸化物の含有量が、前記主成分100モルに対して、SiO2 換算で0.01〜2.0モルである請求項1〜3のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 前記チタン酸バリウムのBaとTiとの比が0.998≦Ba/Ti≦1.020である請求項1〜4のいずれかに記載のセラミック電子部品。
- 前記誘電体層は、副成分として、Mnの酸化物、Baの酸化物、Caの酸化物、Tiの酸化物およびRの酸化物(ただし、RはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびLuから選択される少なくとも1種)を、さらに含有し、
前記主成分100モルに対する各酸化物の含有量が、それぞれ、MnO、BaO、CaO、TiO2 、R2 O3 換算で、
Mnの酸化物:0.1〜0.5モル、
Baの酸化物:0.01〜2モル、
Caの酸化物:0.01〜2モル、
Tiの酸化物:0.5〜11モル、
Rの酸化物 :0.01〜3.0モル、
である請求項1〜5のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 前記Rの酸化物が、Yの酸化物である請求項6に記載のセラミック電子部品。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のセラミック電子部品を製造する方法であって、
前記誘電体層を形成することとなる副成分の原料として、MgTiO3 粉末を使用することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 前記MgTiO3 粉末として、平均粒径が0.3μm以下であるMgTiO3 粉末を使用する請求項8に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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