JP2006169084A - 石英ルツボ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英ルツボ1は、外周面よりに形成された不透明層2および内周面よりに形成された透明層3を有する。直胴部の内表面4が少なくとも第1および第2の成分のシリカ砂により形成されたガラスによる複合材料からなり、第1の成分のシリカ砂により形成されたガラスの表面に第2の成分のシリカ砂により形成されたガラスが点在して融着している。また、R〜B部の内表面5は、合成石英砂により形成されたガラスからなる。第1の成分のシリカ砂は、例えば非晶質合成石英砂であり、第2の成分のシリカ砂は、例えば結晶質の天然石英砂、または結晶質及び非晶質の合成石英砂である。
【選択図】図1
Description
図3に示す装置を用い、不透明層2を形成した後、透明層3を形成した。その後、合成石英砂を直胴部に点在させて融着させた後、グラファイト電極34を下方で保持し、徐々に上昇させるとともに、内表面4,5を形成した。得られた石英ルツボの直径は22インチであった。この石英ルツボに多結晶シリコンを充填、溶融してCZ法で単結晶の引き上げを行ったところ、シリコン融液表面の振動は発生せず、完全な単結晶が得られた。
図3に示す装置を用い、不透明層2を形成した後、透明層3を形成した。その後、天然石英砂を直胴部に点在させて融着させた後、グラファイト電極34を下方で保持し、徐々に上昇させて内表面4,5を形成した。直胴部に融着した天然石英砂が内表面を占める割合は単位面積あたり30%であり、得られた石英ルツボの直径は24インチであった。この石英ルツボに多結晶シリコンを充填、溶融してCZ法で単結晶の引き上げを行ったところ、シリコン融液表面の振動は発生せず、完全な単結晶が得られた。
図3に示す装置を用い、不透明層2を形成した後、透明層3を形成した。得られた石英ルツボの直径は24インチであった。この石英ルツボに多結晶シリコンを充填、溶融してCZ法で単結晶の引き上げを行ったところ、シリコン融液表面に激しい振動が発生し、種付けに時間を要するとともに単結晶に乱れが生じ、完全な単結晶は得られなかった。
図3に示す装置を用い、不透明層2を形成した後、透明層3を形成した。その後、天然石英砂をルツボ内面全体に融着させて内表面4,5を形成した。得られた石英ルツボの直径は24インチであった。この石英ルツボに多結晶シリコンを充填、溶融してCZ法で単結晶の引き上げを行ったところ、シリコン融液表面の振動は発生しなかったが、単結晶に乱れが生じ、完全な単結晶は得られなかった。
図3に示す装置を用い、不透明層2を形成した後、透明層3を形成した。その後、天然石英砂を直胴部に融着させて内表面4,5を形成した。直胴部に融着した天然石英砂が内表面を占める割合は単位面積あたり7%であり、得られた石英ルツボの直径は24インチであった。この石英ルツボに多結晶シリコンを充填、溶融してCZ法で単結晶の引き上げを行ったところ、シリコン融液表面の振動が発生し、単結晶に乱れが生じ、完全な単結晶は得られなかった。
Claims (5)
- 外周面よりに形成された不透明層および内周面よりに形成された透明層を有する石英ルツボにおいて、
直胴部の内表面が少なくとも第1および第2の成分のシリカ砂により形成されたガラスによる複合材料からなり、第1の成分のシリカ砂により形成されたガラスの表面に第2の成分のシリカ砂により形成されたガラスが点在して融着しており、かつR〜B部の内表面が合成石英砂により形成されたガラスからなることを特徴とする石英ルツボ。 - 直胴部の内表面において、前記第2の成分のシリカ砂が単位面積あたり10%以上占めていることを特徴とする請求項1に記載の石英ルツボ。
- 前記第1の成分のシリカ砂が非晶質合成石英砂であり、前記第2の成分のシリカ砂が結晶質の天然石英砂、または結晶質及び非晶質の合成石英砂であることを特徴とする請求項1または2に記載の石英ルツボ。
- R〜B部は高温加熱で形成されたものであり、直胴部は低温加熱で形成されたものであり、該高温加熱および低温加熱は、透明層が形成された後にアーク溶融電極を上下に移動させることにより行われたものであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の石英ルツボ。
- シリコン融液との化学反応によって、直胴部にはR〜B部より大きい表面粗さが出現することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の石英ルツボ。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010076949A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボの製造方法と装置、および石英ガラスルツボ |
EP2460913A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible |
JP2013139352A (ja) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Sumco Corp | 内表面にミクロンレベルの波面のあるシリカガラスルツボ |
CN103604294A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-02-26 | 江苏博迁新材料有限公司 | 一种多层同质坩埚及其安装方法 |
DE102012109181A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Ziehen eines Halbleiter-Einkristalls nach dem Czochralski-Verfahren und dafür geeigneter Quarzglastiegel |
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CN104395509A (zh) * | 2013-04-08 | 2015-03-04 | 信越石英株式会社 | 单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法 |
CN111996589A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-27 | 宁夏富乐德石英材料有限公司 | 抑制引晶硅液面抖动的石英坩埚及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
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Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8657957B2 (en) | 2008-09-24 | 2014-02-25 | Japan Super Quartz Corporation | Method and apparatus for manufacturing fused silica crucible, and the fused silica crucible |
JP2010076949A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボの製造方法と装置、および石英ガラスルツボ |
KR101406917B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2014-06-12 | 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤 | 실리카 유리 도가니 |
EP2460913A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible |
JP2012116738A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Japan Siper Quarts Corp | シリカガラスルツボ |
US8936684B2 (en) | 2010-12-03 | 2015-01-20 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible |
JP2013139352A (ja) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Sumco Corp | 内表面にミクロンレベルの波面のあるシリカガラスルツボ |
JP2015534537A (ja) * | 2012-09-27 | 2015-12-03 | ヘレーウス クヴァルツグラース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | チョクラルスキー法による半導体単結晶の引き上げ及び該引き上げに適した石英ガラスるつぼ |
US10287705B2 (en) | 2012-09-27 | 2019-05-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Pulling a semiconductor single crystal according to the Czochralski method and silica glass crucible suitable therefor |
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WO2014048791A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-04-03 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Ziehen eines halbleiter-einkristalls nach dem czochralski-verfahren und dafür geeigneter quarzglastiegel |
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CN104395509A (zh) * | 2013-04-08 | 2015-03-04 | 信越石英株式会社 | 单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法 |
EP2835452A4 (en) * | 2013-04-08 | 2016-02-24 | Shinetsu Quartz Prod | SILICON DIOXIDE TIP FOR PULLING A SILICONE INCRISTAL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
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JP6067113B2 (ja) * | 2013-06-30 | 2017-01-25 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ |
WO2015001593A1 (ja) | 2013-06-30 | 2015-01-08 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ |
CN105378156B (zh) * | 2013-06-30 | 2018-01-30 | 胜高股份有限公司 | 氧化硅玻璃坩埚 |
US9932692B2 (en) | 2013-06-30 | 2018-04-03 | Sumco Corporation | Vitreous silica crucible |
CN103604294A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-02-26 | 江苏博迁新材料有限公司 | 一种多层同质坩埚及其安装方法 |
CN103604294B (zh) * | 2013-10-30 | 2016-06-22 | 江苏博迁新材料有限公司 | 一种多层同质坩埚及其安装方法 |
CN111996589A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-27 | 宁夏富乐德石英材料有限公司 | 抑制引晶硅液面抖动的石英坩埚及其制备方法 |
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