CN105378156A

CN105378156A - 氧化硅玻璃坩埚

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Publication number: CN105378156A
Application number: CN201380077568.7A
Authority: CN
Inventors: 须藤俊明; 佐藤忠广; 北原贤; 北原江梨子
Original assignee: Sumco Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2013-06-30
Filing date: 2013-06-30
Publication date: 2016-03-02
Anticipated expiration: 2033-06-30
Also published as: EP3018236B1; JPWO2015001593A1; JP6067113B2; CN105378156B; KR20160024936A; WO2015001593A1; EP3018236A1; KR101790718B1; EP3018236A4; US20160201216A1; US9932692B2

Abstract

本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚，是具有上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部、弯曲了的底部、以及连结所述直筒部与所述底部并且曲率大于所述底部的角部的坩埚，所述坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构，所述脊部与脊部的平均间隔为5～100μm。

Description

氧化硅玻璃坩埚

技术领域

本发明涉及一种在坩埚的内表面具有凹凸结构的氧化硅玻璃坩埚。

背景技术

在借助切克劳斯基法(CZ法)的单晶硅提拉中，通过提拉接触到硅的熔液的晶种，就可以进行单晶的提拉。具体而言，将外侧的碳制加热器加热到约1450～1600℃的温度，在氧化硅玻璃坩埚的内部贮留熔融多晶硅原料而得的硅熔液，使单晶硅的晶种接触熔点温度约为1420℃的硅熔液表面，一边使之旋转一边慢慢地提拉，以单晶硅的晶种作为核使之生长，在控制提拉速度及熔液温度的同时慢慢地制造单晶硅。为了将使硅熔液接触单晶的硅熔液面中心部分的固液界面保存在作为硅的熔点的1420℃附近，氧化硅玻璃坩埚的温度达到1450～1600℃的高温。在有时花费2周以上的单晶硅提拉中，氧化硅玻璃坩埚的缘部的沉入变形量有时能达到5cm以上。

在单晶硅的提拉中，首先，在该晶种的中心扩大晶体(肩部形成)，直至所需的直径。然后，通过进行筒体提拉而提拉出圆筒形的锭状的单晶。最后通过缩小底部，而提拉出单晶。利用直径610～1015mm(硅锭直径：200mm、300mm、450mm)的氧化硅玻璃坩埚，可以制造出长度为2m以上那样的大型的单晶硅锭。由此种大型锭材制造的单晶硅晶片可以适用于闪速存储器或DRAM的制造中。

由于闪速存储器、DRAM的低价格化和高性能化急速地推进，因此为了响应该要求，需要高品质低成本地制造大型的单晶硅锭。为此，需要高品质低成本地制造大型的坩埚。

另外，现在，使用直径300mm的晶片的工艺过程是主流，而使用直径450mm的大口径晶片的工艺过程正在开发中。由此，为了稳定地制造直径450mm的大口径晶片，越来越需要高品质的大型坩埚。但是，在大型硅玻璃坩埚的制造中，存在有如下所示的问题。

在单晶硅的提拉时，可以看到硅熔液的熔液面周期性地振动的现象。将其称作熔液面振动。一旦发生熔液面振动，就很难将晶种接触到平坦的硅熔液表面，从而无法提拉单晶硅。另外，一旦在提拉过程中发生熔液面振动，就会引起位错，硅发生多晶化，因而还有完全无法作为产品使用的问题。特别是，在作为单晶硅的提拉工序的初期阶段的下种和肩部形成的工序中，容易受到熔液面振动的影响，该影响在很大程度上左右所提拉出的单晶硅锭的品质。

对于熔液面振动的发生原因，可以如下所示地考虑。一般在硅熔液与石英玻璃的界面中，会产生SiO₂(固体)→Si(液体)+2O的反应，石英玻璃发生溶解。可以认为，由于提拉温度的升高、气氛压力的降低等，产生Si(液体)+O→SiO(气体)的反应，因该SiO气体从熔液内升起而使熔液表面振动。大型氧化硅玻璃坩埚从外侧的碳制加热器到硅熔液的中心部的距离比以往更长(以往为300mm左右而目前大于500mm)，无法避免提拉时的碳制加热器的温度升高。即，随着硅锭的大口径化，提拉时的碳制加热器温度变高，液面振动的问题变大。由此，随着提拉时的温度升高，硅熔液的熔液面的振动变得剧烈，因而需要加以抑制。为此，为了提高单晶硅的单晶化率，需要抑制硅的熔液中产生的熔液面振动。

为了解决熔液面振动的问题，例如在专利文献1中，记载有如下的坩埚，即，在具有不透明层和透明层的石英坩埚的内表面上，借助第一成分的氧化硅砂形成玻璃表面，其后，利用第二成分的氧化硅砂使玻璃散布地熔接，并且在角部及底部的内表面形成由合成石英砂形成的玻璃。公开过将提拉开始熔液面附近的坩埚内周面层的气泡含有率调整为一定范围的技术。该技术基于如下的发现，即，根据与沸石防止突沸相同的原理，微小凹凸部会抑制硅熔液的熔液面振动。

专利文献2中，为了抑制填充于氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的熔液面振动，公开有在坩埚内面层设置微小凹部的技术。该技术基于如下的发现，即，根据与沸石防止突沸相同的原理，微小凹部会抑制硅熔液的熔液面振动。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006－169084公报

专利文献2：国际公开2011/074568

专利文献3：日本特开2004－250304公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1中，因很难制造出使第二成分的石英砂均匀地散布的坩埚、利用所制造的氧化硅玻璃坩埚无法抑制熔液面振动等，在品质方面存在有问题。此外还有制造工序复杂且成本高的问题。而且，虽然在专利文献1中，有在24英寸坩埚时有效果的记载，然而存在有在更大口径的单晶硅提拉中无法获得熔液面振动抑制的效果的问题。另外，虽然可以抑制提拉开始熔液面附近的熔液面振动，然而当慢慢地提拉单晶硅时，在调整了坩埚内周面层的气泡含有率的区域外，会存在有硅液面，无法获得熔液面振动抑制的效果，单晶硅的材料利用率明显地降低。

专利文献2中记载的技术中，在氧化硅玻璃坩埚的高度方向上以一定的间隔分隔出的每个圆环状的内面部分设置至少1个微小凹部，并非可以在硅熔液与氧化硅玻璃坩埚内面的全部接触区域发挥微小凹部的效果的技术，难以完全地抑制硅熔液的熔液面振动。

为此，本发明人等鉴于此种事情，目的在于，提供一种氧化硅玻璃坩埚，其制造容易，并且从作为单晶硅的提拉的初期阶段的下种起到单晶硅育成中，都可以抑制熔液面振动。

用于解决问题的方法

为了解决上述问题，本发明人等反复进行深入研究，详细地分析坩埚内表面的结构与熔液面振动的关系，由此发现了可以抑制硅熔液的熔液面振动的氧化硅玻璃坩埚。本发明人等分析了坩埚内表面的微细结构与熔液面振动的关系。发现沿从直筒部的边缘到角部方向在内表面上形成了具有微细凹凸结构的波面的氧化硅玻璃坩埚在单晶硅的提拉时会抑制硅熔液的熔液面振动，以此为基础完成了本发明。该氧化硅玻璃坩埚与以往技术(例如专利文献1)之类的利用复杂且缺乏再现性的方法制造的氧化硅玻璃坩埚不同，可以稳定地抑制熔液面振动。另外，与专利文献3中记载的氧化硅玻璃坩埚不同，将坩埚内表面的微细凹凸结构还设置到单晶硅提拉开始时的硅液面附近以外的部分，除了当然可以稳定地进行硅提拉开始时的晶种的触液以外，还难以产生单晶硅育成时的位错。此外，与专利文献2中记载的氧化硅玻璃坩埚不同，通过针对直筒部分以外的SiO气体发生部位设置坩埚内表面的微细凹凸结构，无论在氧化硅玻璃坩埚与硅熔液的接触部分的哪个部分产生SiO气体，都可以抑制熔液面振动。即，本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚，是具有上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部、弯曲了的底部、以及连结所述直筒部与所述底部并且曲率大于所述底部的角部的坩埚，所述坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构，所述脊部与脊部的平均间隔为5～100μm。另外，本发明还提供一种氧化硅玻璃坩埚，是具有上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部、弯曲了的底部、以及连结所述直筒部与所述底部并且曲率大于所述底部的角部的坩埚，所述坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构，所述凹凸结构的中心线平均粗糙度Ra为0.02～0.5μm。

附图说明

图1是表示物镜10扫描石英坩埚的内表面11的样子的示意图。

图2是石英坩埚12的剖面图，是例示出物镜的扫描方向的示意图。

图3是没有形成凹凸结构的氧化硅玻璃坩埚的内表面的利用共焦点激光显微镜得到的表面照片。

图4是形成有槽状凹凸结构的氧化硅玻璃坩埚的内表面的利用共焦点激光显微镜得到的表面照片。

图5是对形成有槽状凹凸结构的氧化硅玻璃坩埚的内表面使用共焦点激光显微镜测量并处理的三维图像。

图6是表示测量图5的从地点A到B的氧化硅玻璃坩埚的内表面的高度的结果的曲线图。基准点(Z＝0)设定为使内表面的高度集中在Z＝0到2μm以内。

具体实施方式

〔氧化硅玻璃坩埚〕

本发明的氧化硅玻璃坩埚12例如具备如图2的剖面图所示的上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部15、弯曲了的底部16、以及连结所述直筒部15与所述底部16并且曲率大于所述底部16的角部17。

石英玻璃优选在内侧具备透明层20并且在其外侧具备气泡层14。透明层20是形成于氧化硅玻璃坩埚的内侧的层，实质上不含有气泡。所谓“实质上不含有气泡”，是指不会因气泡的原因而降低单晶化率的程度的气泡含有率及气泡直径。此处，所谓气泡含有率，是气泡在坩埚的单位体积中所占的体积。使用光学照相机拍摄坩埚内表面的图像，将坩埚内表面依照每个一定体积划分而设为基准体积W1，求出相对于该基准体积W1而言的气泡的占有体积W2，根据P(％)＝(W2/W1)×100算出。气泡层14例如内部所含的气泡含有率为0.2％以上1％以下，并且气泡的平均直径为20μm以上200μm以下。

石英坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的槽状凹凸结构。在坩埚的内表面设有微细的凹凸结构的情况下，不仅会防止硅熔液突沸而抑制熔液面振动，而且硅熔液与坩埚内表面的接触面积变大，两者间的摩擦阻力最大，从而可以抑制熔液面振动。另外，在坩埚的内表面设有微细的槽状凹凸结构的情况下，即使产生了SiO气体，也会在凹凸部分中引起微小的紊流，使能量衰减，因而难以产生熔液面振动。

另外，由于坩埚内表面与硅熔液的反应，坩埚内表面的石英玻璃溶解。由此，向硅熔液中供给氧，该氧混入单晶硅而被用于吸杂点的形成。本发明的氧化硅玻璃坩埚中，由于硅熔液与坩埚内表面的接触面积变大，因此容易产生坩埚内表面与硅熔液的反应，可以向硅熔液中有效地供给氧，从而可以防止由氧不足引起的问题。

从防止熔液面振动的观点考虑，优选将凹凸结构设于坩埚的直筒部的整个内表面。另外，从氧供给的观点考虑，优选设置于坩埚的整体、特别是比单晶硅提拉时的初期液面低的位置。

槽状的谷优选实质上沿坩埚的直筒部的周向延伸。在沿着周向形成谷的情况下，既可以朝向直筒部的上端或下端略微倾斜地形成谷，也可以蜿蜒地形成。在谷沿周向延伸的情况下，硅熔液与坩埚内表面之间的接触阻力变得特别大，可以有效地抑制熔液面振动。

脊部与脊部的平均间隔为5～100μm，优选为20～60μm，更优选为15～50μm。脊部与脊部的间隔是从脊部的顶点到顶点的距离。平均间隔更具体而言例如为5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100μm，也可以是此处所例示出的数值的任意2个之间的范围内。在平均间隔小的情况下，硅熔液与坩埚内表面之间的接触面积过大，两者间的摩擦阻力过大而会有无法有效地抑制熔液面振动的情况。另一方面，在平均间隔大的情况下，硅熔液与坩埚内表面之间的接触面积过小，两者间的摩擦阻力小，从而会有无法有效地抑制熔液面振动的情况。脊部与脊部的间隔优选近似为等间隔，例如，脊部与脊部的间隔为15～50μm，优选为20～30μm。

凹凸结构可以使用具备向氧化硅玻璃坩埚的内表面照射光的发光部、和接收照射到氧化硅玻璃坩埚的内表面的光的反射的受光部的光学检测装置非接触地测量。作为照射光，例如可以利用可见光、紫外线、红外线、或激光等，只要是可以检测坩埚的内表面的凹凸结构的光，可以采用任意一种。

发光部也可以内置于光学检测装置内，该情况下，优选使用可以沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面转动操作的发光部。受光部可以根据照射光的种类适当地选择，例如可以使用包含受光透镜及影像部的光学照相机。为了检测内表面的凹凸结构，优选利用受光部仅接收在聚光点产生的光。为了仅接收在聚光点产生的光，优选在受光部、例如光检测器的近前处具备针孔。

作为更具体的测量方法，首先，如图1所示，将物镜10非接触地配置在坩埚12的内表面11。然后，通过朝向扫描方向13地扫描，就可以测量凹凸结构。作为其他的扫描方式，例如可以举出样品扫描方式和激光扫描方式。样品扫描方式是将载放有样品的载台沿XY方向驱动而取得二维像的方式。激光扫描方式是通过沿XY方向投射激光而在样品上进行二维扫描的方式。采用任意的扫描方式都可以。作为扫描的方向，例如可以举出直筒部15的垂直方向18或水平方向19。另外，也可以仅扫描坩埚的内表面的一部分。例如，也可以重点地扫描晶种触液的熔液面位置周边。

利用如上所述的扫描，扫描聚光点而取得坩埚的内表面的二维像。另外，通过还沿着坩埚的壁厚方向扫描，可以取得立体的微细的凹凸结构的图像(参照图5)。从所取得的图像中，可以确认槽状的谷的方向。另外，也可以对聚光点二维地扫描，根据反射的亮度测量脊部和脊部，将其间距(平均间隔)数值化。此外，可以通过相对于样品一边沿XY方向扫描聚光点，一边记录焦点对准时的Z位置信息，并进行数值化，而导入样品的高度信息(图6参照)。这些方法可以缩短扫描时间，从这一点考虑优选。

脊部与脊部的平均间隔是将脊部与脊部的间隔的值的合计用脊部与脊部的间隔数除而得的值。可以将用如上所述的测量方法取得的微小凹凸结构的图像例如用软件进行处理，求出平均间隔。

石英坩埚的内表面优选具有槽状凹凸结构，并且中心线平均粗糙度Ra为0.02～0.5μm，更优选为0.05～0.4μm，进一步优选为0.2～0.4μm。中心线平均粗糙度Ra具体而言例如为0.02、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45、0.5μm，也可以是此处所例示出的数值的任意2个之间的范围内。

中心线平均粗糙度Ra可以将所测量出的粗糙度曲线从中心线处翻折，将由该粗糙度曲线和中心线得到的面积用长度L除，根据所得的值算出。粗糙度曲线等可以与槽状凹凸结构相同地测量，通过进行软件处理而运算。

本发明的石英坩埚具有槽状凹凸结构，如上所述，即使中心线平均粗糙度Ra具有规定的范围内的微细凹凸结构，也可以有效地抑制熔液面振动。

〔氧化硅玻璃坩埚的制造方法〕

下面，对本发明的氧化硅玻璃坩埚的制造方法的一个实施方式进行说明。

氧化硅玻璃坩埚的制造中所使用的石英粉有作为结晶物质的天然石英粉或利用化学合成制造的作为非晶质的合成石英粉。天然石英粉是通过将以α－石英作为主成分的天然矿物粉碎成粉状而制造的石英粉。合成石英粉可以利用四氯化硅(SiCl4)的气相氧化(干燥合成法)、硅醇盐(Si(OR4))的水解(溶胶凝胶法)等基于化学合成的手法制造。

首先，向氧化硅玻璃坩埚用模具中供给天然石英粉。天然石英粉可以通过将以α－石英作为主成分的天然矿物粉碎成粉状而制造。然后，通过将合成石英粉向天然石英粉上供给，利用电弧放电的焦耳热将石英粉熔融后，进行冷却，而制造出包含由合成石英粉加以玻璃化的内面层(合成层)和由天然石英粉加以玻璃化的外面层(天然层)的氧化硅玻璃坩埚。在电弧熔融工序的初期通过将石英粉层强烈地减压而除去气泡，形成透明石英玻璃层(透明层)，其后，通过减弱减压而形成残留有气泡的含有气泡的石英玻璃层(气泡层)。此处，由合成石英粉形成的内面层和透明层不一定一致。另外，由天然石英粉形成的外面层和气泡层不一定一致。

石英粉的熔融优选以使旋转模具的内表面中的最高到达温度为2000～2600℃的方式进行。如果最高到达温度低于2000℃，则石英玻璃的结构中或石英玻璃中作为气泡残存的气体无法脱出，在单晶硅中的提拉中，会有坩埚剧烈地膨胀的情况。另外，如果最高到达温度高于2600℃，则石英玻璃的粘度降低而会有产生形状溃损的情况。

电弧熔融例如利用交流3相(R相、S相、T相)的电弧放电实施。因而，在交流3相的情况下，通过使用3根碳电极产生电弧放电而将石英粉层熔融。电弧熔融在碳电极的头端位于模具开口部的上方的地点开始电弧放电。由此，模具开口部附近的石英粉层就被优先地熔融。其后，使碳电极下降而使模具直筒部、角部及底部的石英粉层熔融。

在使碳电极下降时，可以通过使之阶段性地下降而在坩埚的内表面形成将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的槽状凹凸结构。碳电极的下降速度可以设为10～35mm/min，具体而言，例如为毎分钟10、13、15、17、18、20、23、25、28、30或35mm/min，也可以是此处所示的任意2个数值间的范围。下降速度也可以是平均值。所谓使之阶段性地下降，是在反复进行下降和停止的同时使之下降，例如也可以是反复进行电弧电极的下降及停止的脉冲驱动。该情况下，脉冲宽度例如为5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100ms，也可以是此处所示的任意2个数值间的范围。例如，在下降速度为10到30(mm/分钟)的情况下，脉冲宽度可以是50到250ms之间。占空比(dutycycle)例如可以设为30～70％，具体而言，为30、40、45、50、55、60、70％，也可以是此处所示的任意2个数值间的范围。对于占空比，出于使脊部与脊部的间隔恒定的目的，优选为45到55％之间，更优选为50％。

另外，也可以通过使碳电极一边振动一边下降，而形成中心线平均粗糙度Ra为0.02～0.5μm的微细凹凸结构。

〔使用例〕

本发明的氧化硅玻璃坩埚例如可以如下所示地使用。

在氧化硅玻璃坩埚内使多晶硅熔融而生成硅熔液，通过在将硅晶种的端部浸渍于上述硅熔液中的状态下一边使上述晶种旋转一边提拉，就可以制造单晶硅。单晶硅的形状是从上侧起为圆柱形的硅晶种、在其下为圆锥状的单晶硅、具有与上部圆锥底面相同直径的圆柱形的单晶硅、顶点朝下的圆锥状的单晶硅。

单晶硅的提拉通常在约1420℃左右下进行。提拉初期特别容易产生熔液面振动。本发明的氧化硅玻璃坩埚由于在内表面形成有特定的凹凸结构，因此可以抑制熔液面振动的发生。

实施例

(实施例1)

基于旋转模具法，制造出实施例1的氧化硅玻璃坩埚。碳模口径为32英寸(813mm)，堆积在模具内表面的石英粉层的平均厚度为15mm，利用3相交流电流3根电极进行了电弧放电。电弧熔融工序的通电时间为90分钟，输出功率为2500kVA，从通电开始起10分钟将石英粉层从大气压起减压90kPa。在电弧熔融中，使碳电极阶段性地下降。平均下降速度为20mm/分钟，脉冲宽度为100ms，将占空比设为50％。

(比较例1)

除了在电弧熔融中使碳电极连续地下降(下降速度：20mm/分钟)以外，与实施例1相同地制造出比较例1的氧化硅玻璃坩埚。

(比较例2)

除了在电弧熔融中使碳电极以平均下降速度35mm/分钟、脉冲宽度100ms、占空比50％阶段性地下降以外，与实施例1相同地制造出比较例2的氧化硅玻璃坩埚。

(比较例3)

除了在电弧熔融中使碳电极以平均下降速度10mm/分钟、脉冲宽度100ms、占空比50％阶段性地下降以外，与实施例1相同地制造出比较例2的氧化硅玻璃坩埚。

将实施例1及比较例1～3的制造条件的一部分表示于表1中。

【表1】

(1)表面结构

在实施例1及比较例1～3的氧化硅玻璃坩埚中，使用共焦点激光显微镜观察了直筒部中的透明层的表面。扫描方向是从氧化硅玻璃坩埚的边缘沿垂直方向扫描。扫描面是3cm×3cm的使用前氧化硅玻璃坩埚。将结果表示于图3及4中。

图3是比较例1的氧化硅玻璃坩埚的内表面的利用共焦点激光显微镜得到的表面照片。如图3所示，在以往的氧化硅玻璃坩埚的内表面，观察不到凹凸结构，而观察到不均匀的应变结构。

图4是实施例1的氧化硅玻璃坩埚的内表面的利用共焦点激光显微镜得到的表面照片。如图4所示，在实施例1的氧化硅玻璃坩埚的内表面，形成了将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构。

在比较例2的氧化硅玻璃坩埚的内表面，虽然形成了凹凸结构，然而脊部与脊部的间隔宽(未图示)。

为了进行更详细的分析，使用共焦点激光显微镜取得了实施例1的氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维图像。图5是所取得的三维图像。如图5所示，在地点A和B正交地形成凹凸结构。而且，地点A为坩埚开口部侧，地点B为坩埚底部侧。

图6是将从地点A到B的氧化硅玻璃坩埚的内表面的高度加以图表化了的图。基准点(Z＝0)设定为使内表面的高度集中在Z＝0到2μm以内。其结果是，检测出将多个槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构。将所得的平均间隔的全部结果表示于表2中。

(3)中心线平均粗糙度Ra

在对实施例1的氧化硅玻璃坩埚的内表面沿XY方向扫描聚光点的同时，记录焦点对准时的Z位置信息并数值化，测量出样品的高度。使用数值处理软件运算中心线平均粗糙度Ra，其结果是0.37μm。

比较例1、2、及3也与实施例1相同，求出中心线平均粗糙度Ra。其结果分别是0.65μm、0.78μm、及0.01μm。将所得的中心线平均粗糙度Ra的全部结果表示于表2中。

(4)熔液面振动

向实施例1、及比较例1～3的氧化硅玻璃坩埚中，分别加入约500kg的多晶硅，使用碳制加热器加热到温度约1450～1600℃，在进行单晶硅提拉的同时，利用观测照相机确认了熔液面振动的有无。在比较例1、2、及3的氧化硅玻璃坩埚中，确认有熔液面振动的发生。另一方面，在实施例1的氧化硅玻璃坩埚中，确认有熔液面振动的抑制。

【表2】

根据以上的结果，本发明的氧化硅玻璃坩埚与利用以往技术(例如专利文献1)之类的复杂且缺乏再现性的方法制造的氧化硅玻璃坩埚不同，可以稳定地抑制熔液面振动。另外，不仅在作为单晶硅的提拉工序的初期阶段的下种时当然可以稳定地抑制熔液面振动，在单晶硅育成途中也可以稳定地抑制。

Claims

1.一种氧化硅玻璃坩埚，是具有上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部、弯曲了的底部、以及连结所述直筒部与所述底部并且曲率大于所述底部的角部的坩埚，其特征在于：所述坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构，所述脊部与脊部的平均间隔为5～100μm。

2.根据权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述谷实质上沿所述直筒部的周向延伸。

3.根据权利要求1或2所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述坩埚的内表面的中心线平均粗糙度Ra为0.02～0.5μm。

4.一种氧化硅玻璃坩埚，是具有上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部、弯曲了的底部、以及连结所述直筒部与所述底部并且曲率大于所述底部的角部的坩埚，其特征在于，所述坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构，所述凹凸结构的中心线平均粗糙度Ra为0.02～0.5μm。