JP2006163334A - 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 視認性を安定的に確保できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板には、絶縁基板上にゲート線と、ゲート線から分離されている容量性補助電極とが形成されており、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線が形成されている。ゲート線及びデータ線と接続され、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、ドレイン電極に接続され、容量性補助電極と重畳し、容量性補助電極上に位置する開口部を有する容量性結合電極が形成されている絶縁基板上には、開口部内において容量性補助電極を露出する接触孔を有する保護膜が形成されている。また、絶縁基板上には、ドレイン電極と接続されている第１画素電極と、接触孔を通じて容量性補助電極と接続されている第２画素電極とを有する画素電極が形成されている。
【選択図】 図４

Description

本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。

液晶表示装置は、現在最も広く用いられている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極などの電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これにより液晶層の液晶分子の配向を決定して、入射光の偏光を制御することで映像を表示する。

このうち、電界が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対し垂直をなすように配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比の大きく、広視野角の実現が容易な点から脚光を浴びている。

垂直配向モード液晶表示装置において広視野角を実現するための手段として、電界生成電極に切開部を設ける方法と、電界生成電極上に突起を設ける方法等がある。切開部と突起によって液晶分子の傾斜方向を決定できるので、これらを形成して液晶分子の傾斜方向を様々な方向に分散させることで、広視野角を確保することができる。

ところが、垂直配向方式の液晶表示装置において、前面視認性に比べて側面視認性が劣る問題点がある。
一方、このような液晶表示装置は、画素の開口率を最大化することが重要な課題であり、画素の開口率を確保するために画素電極は、ゲート線及びデータ線と重なるように設計し、画素電極とゲート線及びデータ線との間には、これらの間で発生する寄生容量を最少化するために、低い誘電率を有する絶縁膜を厚く形成する。

しかし、画素電極とデータ線を連結するための絶縁膜の接触孔による段差のため、液晶分子の配列において歪曲が生じ、その結果、光が漏洩してディスクリネーションが発生し、画質を低下させる問題点がある。このような問題点を解決するために、不透明膜を拡大して漏洩光を遮断することもできるが、これは開口率の減少を招く。

本発明の目的は、視認性を安定的に確保できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、画素の開口率を最大化できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することである。

本願第１発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板において、絶縁基板上にゲート線とゲート線から分離されている容量性補助電極が形成され、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線が形成されている。ゲート線及びデータ線と連結され、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、ドレイン電極に接続され、容量性補助電極と重畳して容量性補助電極上に位置する開口部を有する容量性結合電極が形成されている絶縁基板上には、開口部内に容量性補助電極を露出する接触孔を有する保護膜が形成されている。また、絶縁基板上には、ドレイン電極と接続されている第１画素電極と、接触孔を通じて容量性補助電極と接続されている第２画素電極とを有する画素電極が形成されている。

上述の薄膜トランジスタ表示板では、画素電極を少なくとも二つ以上のサブ画素電極に分け、サブ画素電極に互いに異なる電位が印加されるようにする。この時、低い画素電圧が印加されるサブ画素電極と容量性補助電極とを連結する接触孔は、容量性結合電極の開口部内に配置する。このように画素電極を分割して互いに異なる電位を印加することで、液晶表示装置の側面視認性を向上させ、これによって視野角を拡張することができる。また、層間の導電膜を連結する接触孔を不透明膜の開口部内に配置することで、段差による液晶分子の配列歪曲のため発生する光漏れを遮断すると共に、画素の開口率が低下するのを防ぐことができる。

本願第２発明は、第１発明において、開口部は、容量性補助電極の中央に位置するのが好ましい。
本願第３発明は、第１発明において、四角形、八角形または円形の境界を有するのが好ましい。

本願第４発明は、第１発明において、接触孔を定義する保護膜の側壁は、階段状のテーパ構造である。
本願第５発明は、第１発明において、接触孔の境界線とこれと隣接した開口部の境界線は３．０μm以上であるのが好ましい。

本願第６発明は、第１発明において、画素電極と絶縁され、ゲート線またはデータ線と少なくとも一部が重畳されている遮蔽電極をさらに有する。
本願第７発明は、第６発明において、画素電極及び遮蔽電極は、保護膜上に位置するのが好ましい。

本願第８発明は、第６発明において、ドレイン電極と重畳して維持容量を形成する維持電極を有する維持電極線をさらに含むことができる。
本願第９発明は、第８発明において、遮蔽電極及び維持電極は、実質的に同一電圧の印加を受けるのが好ましい。

本願第１０発明は、第９発明において、遮蔽電極は、ゲート線またはデータ線に沿って延在している。
本願第１１発明は、第１０発明において、おり、前記データ線を完全に覆うのが好ましい。

本願第１２発明は、第１発明において、画素電極は、角部は面取りされた斜辺を有することができる。
本願第１３発明は、第１発明において、保護膜は有機絶縁物質を含む。

本願第１４発明は、第１３発明において、保護膜はカラーフィルタを有することができる。
本願第１５発明は、第１発明において、画素電極はドメイン分割手段を有することができる。

本願第１６発明は、第１５発明において、ドメイン分割手段はゲート線に対して４５度をなすのが好ましい。
本願第１７発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法において、絶縁基板上にゲート線及び容量性補助電極を形成する段階、ゲート絶縁膜を形成する段階、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線、ドレイン電極及び前記容量性補助の上に位置する開口部を有する容量性結合電極を形成する段階、ゲート線及びデータ線を覆い、開口部内において容量性補助電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階、また、ドレイン電極と接続されている第１画素電極と、接触孔を通じて容量性補助電極と接続されている第２画素電極とを有する画素電極を形成する段階を含む。

本願第１８発明は、第１７発明において、開口部は、容量性補助電極の中央に形成されるのが好ましい。
本願第１９発明は、第１７発明において、開口部は、四角形、八角形または円形に形成することができる。

本願第２０発明は、第１７発明において、接触孔を定義する保護膜の側壁は、階段状のテーパ構造であるのが好ましい。

本発明によれば、視認性を安定的に確保できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することができる。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例に対して、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。

図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

以下、添付した図面を参照して本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置について説明する。
まず、図１乃至図５を参照して、本発明の一実施例による液晶表示装置に対して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図であり、図２は、本発明の一実施例による液晶表示装置用共通電極表示板の構造を示した配置図であり、図３は、図１の薄膜トランジスタ表示板と図２の共通電極表示板とからなる液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図４は、図３に示す液晶表示装置のIV-IV´線による断面図であり、図５は、本発明の実施例による液晶表示装置の構成を示した回路図である。

本実施例による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を含む。
まず、図１、図３及び図４を参考にして、薄膜トランジスタ表示板１００に対して詳細に説明する。

絶縁基板１１０上に複数のゲート線１２１と、複数の維持電極線１３１と、複数の容量性補助電極１３６とが形成されている。
ゲート線１２１は主に横方向に延在して互いに分離され、ゲート信号を伝達する。各ゲート線１２１は、複数のゲート電極１２４をなす複数の突出部と、別の層または外部装置の接続のための面積の広い端部と１２９を含む。

それぞれの維持電極線１３１は、主に横方向に延在しており、維持電極１３３をなす複数の突出部を含む。維持電極１３３は長方形であり、ゲート線１２１の付近に位置している。維持電極線１３１には、液晶表示装置の共通電極表示板２００の共通電極２７０に印加される共通電圧などの所定の電圧が印加される。

それぞれの容量性補助電極１３６は、主に横方向に延在して長方形であり、互いに隣接する二つのゲート線１２１間の中央に位置する。それぞれの容量性補助電極１３６は、ゲート線１２１に向けて延在しており、ゲート線１２１に対して４５度傾斜する傾斜線部１３７を含む。

ゲート線１２１、維持電極線１３１及び容量性補助電極１３６は、アルミニウム系列金属、銀系列金属、銅系列金属、モリブデン系列金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなることが好ましく、単一膜構造であるか、多層膜構造であっても良い。多層膜は、例えば物理的性質が異なる二つの膜、つまり下部膜とその上の上部膜とを有することができる。一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を低減できるように低い比抵抗の金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のアルミニウム系列の金属、銀（Ａｇ）や銀合金等の銀系列の金属、銅（Ｃｕ）や銅合金等の銅系列の金属からなることができる。これとは異なって、別の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（indium tin oxide）及びＩＺＯ（indium zinc oxide）との接触特性の優れた物質、例えばクロム、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、タンタル（Ｔａ）、またはチタニウム（Ｔｉ）等からなることができる。二つの導電膜の好ましい例として、クロム/アルミニウム-ネオジム（Ｎｄ）合金またはモリブデンまたはモリブデン合金/アルミニウム合金がある。

また、ゲート線１２１、維持電極線１３１及び容量性補助電極１３６の側面は、基板１１０の表面に対して約３０度乃至８０度の傾斜角を有するのが好ましい。傾斜していると、断線を防止する上においても好ましい。

ゲート線１２１、維持電極線１３１及び容量性補助電極１３６の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、略してａ-Ｓｉと言う）などからなる複数の島状半導体１５４が形成されている。それぞれの島状半導体１５４は、主にゲート電極１２４の上に位置し、後のデータ線１７１が通るゲート線１２１の上部まで拡張されている。

半導体１５４上には、シリサイドまたはリンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質で形成された複数の島状抵抗性接触部材１６３、１６５が形成されている。二つの島状抵抗性接触部材１６３、１６５は、対をなして半導体１５４上に配置され、ゲート電極１２４を中心に互いに対向している。

島状の半導体１５４と抵抗性接触部材１６３、１６５の側面も、基板１１０表面に対して３０度〜８０度の傾斜角を有するのが好ましい。
抵抗接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、それぞれ複数のデータ線１７１とここから分離されている複数のドレイン電極１７５、及びドレイン電極１７５に連結されている容量性結合電極１７６が形成されている。

データ線１７１は主に縦方向に延在しており、ゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差してデータ電圧を伝達する。各データ線１７１は、他の層または外部装置との接続のために広い端部１７９を有する。

各ドレイン電極１７５は、一つの維持電極１３３と重畳する長方形の拡張部を含む。ドレイン電極１７５の拡張部の辺は、維持電極１３３の辺と実質的に平行である。データ線１７１のそれぞれは複数の突出部を含み、この突出部は、ドレイン電極１７５の一端部を一部囲むソース電極１７３をなす。一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５間の半導体１５４に形成される。

容量性結合電極１７６は、容量性補助電極１３６と重畳し長方形であり、容量性補助電極１３６の辺と平行な辺を有する。容量性結合電極１７６は、境界線内において容量性補助電極１３６上に位置する開口部７６を有する。この時、開口部７６は、容量性補助電極１３６に対して縦中央に位置するのが好ましい。つまり、図１において、容量性結合電極１７６のデータ線１７１に沿う方向において中央部に開口部７６が位置するようにする。また、開口部７６を定義する容量性結合電極１７６の境界は、八角形や円形であり得る。

ドレイン電極１７５は、容量性結合電極１７６と接続し、容量性補助電極１３６の傾斜線部１３７と重畳する連結部１７７を含む。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び容量性結合電極１７６もまた、クロムまたはモリブデン系列の金属、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属を含むのが好ましく、単一膜構造、またはモリブデン、モリブデン合金、クロムなどの導電膜（図示せず）と、その上部または下部に位置したアルミニウム系列金属である導電膜（図示せず）とからなる多層膜構造を有することができる。

データ線１７１、容量性結合電極１７６及びドレイン電極１７５も、ゲート線１２１及び維持電極線１３１と同様に、その側面が約３０度〜８０度の傾斜角を有する。
抵抗性接触部材１６３、１６５は、その下部の半導体１５４とその上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割をする。島状の半導体１５４は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５間を始めとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された部分を有する。

データ線１７１、ドレイン電極１７５及び容量性結合電極１７６と、これらで覆われずに露出された半導体１５４部分の上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、平坦化特性が優れて感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法で形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆ等、４．０以下の低誘電率絶縁物質、または無機物質である窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるのが好ましい。

保護膜１８０には、ドレイン電極１７５とデータ線１７１の端部１７９をそれぞれ露出する複数の接触孔（contact hole）１８２、１８５が形成され、ゲート絶縁膜１４０と共に、容量性補助電極１３６とゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１、１８６が形成されている。接触孔１８１、１８２、１８５、１８６は、多角形または円形など様々な模様を有する。接触孔１８１、１８２の面積は約０．５ｍｍ×１５μｍ以上、約２ｍｍ×６０μｍ以下であるのが好ましい。接触孔１８１、１８２、１８５、１８６の側壁は３０度〜８５度傾斜しており、保護膜１８０の側壁は、テーパ構造となっているが、階段状であっても良い。特に、容量性補助電極１３６を露出する接触孔１８６の側壁は、階段状であるのが好ましい。

ここで、容量性補助電極１３６を露出する接触孔１８６は、容量性結合電極１７６の開口部７６内に位置している。よって、接触孔１８６の側壁によって発生する段差のために液晶分子の配列が歪曲し、この部分から漏洩光が発生しても、容量性結合電極１７６により漏洩光が遮断される。その結果、画素の開口率を確保すると共に、ディスクリネーションの発生を遮断することができる。つまり、層間の導電膜を連結する接触孔を不透明膜の開口部内に配置することで、段差による液晶分子の配列歪曲のため発生する光漏れを遮断すると共に、画素の開口率が低下するのを防ぐことができる。

容量性補助電極１３６を露出する接触孔１８６を容量性結合電極１７６の外に配置する場合には、接触孔１８９の段差によって発生する液晶分子の配列歪曲を遮断するために、容量性補助電極１３６を拡張する必要がある。その幅は工程マージンまで考慮して拡張しなければならず、画素の開口率を低下させる。この時、容量性結合電極１７６の境界及びこれと最も近い接触孔１８６の境界は、３．０μm以上であるのが好ましい。

保護膜１８０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる複数の第１画素電極及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂと、遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。または、前記第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは、透明な導電性ポリマーで形成されたり、反射型液晶表示装置の場合には、第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂが不透明な反射性金属で形成される。この場合、接触補助部材８１、８２は、第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂとは異なる物質、例えばＩＴＯやＩＺＯで形成することができる。

第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂの画素電極は、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的・電気的に連結され、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。第２画素電極１９０ｂは、第１画素電極１９０ａと接続されている結合電極１７６と重畳している。

第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂ及び共通電極２７０は、キャパシタ（以下、“液晶キャパシタ（liquid crystal capacitor）”と言う）をなして、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持するが、電圧維持能力を強化するために、液晶キャパシタと並列に接続された他のキャパシタを設ける。これをストレージキャパシタ（storage capacitor）と言う。ストレージキャパシタは、第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂと維持電極線１３１の重畳などで形成され、ストレージキャパシタの静電容量、つまり維持容量を増加させるために、維持電極線１３１に維持電極１３３を設け、第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂに接続されたドレイン電極１７５を延長及び拡張させて重畳させることによって、端子間の距離を近くし、重畳面積を拡大する。

一対の第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは、データ線１７１とゲート線１２１で囲まれた領域内に殆ど存在し、境界の大部分はゲート線１２１及びデータ線１７１と平行で長方形をなす。第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは互いに分離されており、第１画素電極１９０ａは、第２画素電極１９０ｂを中心に上部及び下部に位置し、互いに連結されている２部分からなり、第２画素電極１９０ｂは、第１画素電極１９０ａの２部分の間に挟持され、第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは互いに噛み合った形態である。

第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂの四つの角部は面取りされ、該斜辺は、ゲート線１２１に対して約４５度をなす。各第２画素電極１９０ｂの右側の二つの角部は、その他の二つの角部よりも長い斜辺を有する。

画素電極１９０は、中央切開部９１、９２、下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａ及び上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂを有し、画素電極１９０は、これらの切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂによって複数の領域に分割される。切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは、容量性結合電極１７６の横中心線に対してほぼ反転対称をなし、第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂは、対向する二つの切開部９３ａ、９３ｂ及びこれらを連結する切開連結部９９によって分離されている。

下部及び上部切開部９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは、ほぼ画素電極１９０の左側辺から右側辺の方向に斜めに形成され、画素電極１９０を横方向に二等分する中心線にて分離される下半面及び上半面にそれぞれ位置する。下部及び上部切開部９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは、ゲート線１２１に対して約４５度をなして互いに垂直に延在しており、中央切開部９１、９２は、下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａ及び上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂとそれぞれほぼ平行な一対の分枝となっている。中央切開部９１、９２は、中央から横方向にのびた横部を有し、内側に位置する中央切開部９２の横部は切開連結部９９と連結されている。

これにより、画素電極１９０の上半面及び下半面は、切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂによってそれぞれ六つの領域に分けられる。この時、領域の数や切開部の数は、画素の大きさ、画素電極の横辺と縦辺の長さの比率、液晶層３の種類や特性など、設計要素に応じて変動する。

画素電極１９０はまた、隣接するゲート線１２１またはデータ線１７１と重なって開口率を向上させる。
接触補助部材８１、８２は、接触孔１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９とそれぞれ連結される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の露出された端部１２９及びデータ線１７１の露出された端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割をするものである。接触補助部材８１、８２は、異方性導電膜（図示せず）などを通じて外部装置と連結される。

ゲート駆動回路が薄膜トランジスタ表示板１００に集積される場合には、接触補助部材８１は、ゲート駆動回路の金属層とゲート線１２１とを連結する役割をすることもある。同様に、データ駆動回路が薄膜トランジスタ表示板１００に集積される場合、接触補助部材８２は、データ駆動回路の金属層とデータ線１７１とを連結する役割をすることができる。

遮蔽電極８８は、データ線１７１及びゲート線１２１に沿って延在しており、データ線１７１上に位置する部分は、データ線１７１を完全に覆い、ゲート線１２１上に位置する部分は、ゲート線１２１の幅よりも小さい幅を有し、ゲート線１２１の境界線内に位置する。ところが、その幅を調節することによってデータ線１７１よりも小さいこともあり、ゲート線１２１の境界線外に位置する境界線を有することができる。遮蔽電極８８には共通電圧が印加されるが、そのために、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０の接触孔（図示せず）を通じて維持電極線１３１に接続されたり、共通電圧を薄膜トランジスタ表示板１００から共通電極表示板２００に伝達する短絡点（short point）（図示せず）に接続されることもできる。この時、開口率の減少を最少に抑えるために、遮蔽電極８８と画素電極１９０間の距離を最も短くするのが好ましい。

このように、共通電圧が印加される遮蔽電極８８をデータ線１７１上に配置するとき、遮蔽電極８８がデータ線１７１と画素電極１９０間及びデータ線１７１と共通電極２７０間で形成される電界を遮断し、画素電極１９０の電圧歪曲及びデータ線１７１が伝達するデータ電圧の信号遅延が減少する。

また、画素電極１９０と遮蔽電極８８との短絡を防止するためには、これらの間に距離を設ける必要があり、画素電極１９０がデータ線１７１からより遠くなってこれらの間の寄生容量が減少する。更に、液晶層３の誘電率が保護膜１８０の誘電率よりも高いため、データ線１７１と遮蔽電極８８間の寄生容量が、遮蔽電極８８がないときに、データ線１７１と共通電極２７０間の寄生容量に比べて小さい。

また、画素電極１９０と遮蔽電極８８が同一層で形成されるため、これらの間の距離が一定に維持されており、その結果、これらの間の寄生容量が一定なものとなる。
次に、図２乃至図４を参照して、共通電極表示板２００について説明する。

透明なガラスなどからなる絶縁基板２１０上に遮光部材２２０が形成されており、遮光部材２２０は、画素電極１９０と対向し、画素電極１９０とほぼ同一な模様を有する複数の開口部を有する。また、遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する部分と薄膜トランジスタに対応する部分とを有することもできる。

基板２１０上にはまた、複数のカラーフィルタ２３０が形成され、遮光部材２３０で囲まれた領域内に殆どが位置する。カラーフィルタ２３０は、画素電極１９０に沿って縦方向に長くのびることができる。カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色などの原色のうちの一つを表示できる。

カラーフィルタ２３０上にはカバー膜２５０が配設されている。
カバー膜２５０上にはＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる共通電極２７０が形成されている。

共通電極２７０は、複数組の切開部７１、７２、７３、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ群を有する。
一組の切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂは、一つの画素電極１９０と対向し、中央切開部７１、７２、７３と、下部切開部７４ａ、７５ａ、７６ａ及び上部切開部７４ｂ、７５ｂ、７６ｂを有する。切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂのそれぞれは、隣接した画素電極１９０の切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの間、若しくは周縁の切開部９５ａ、９５ｂと画素電極１９０の斜辺との間に配置されている。また、各切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂは、画素電極１９０の切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂと平行にのびた少なくとも一つの傾斜線部を含む。

下部及び上部切開部７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂのそれぞれは、ほぼ画素電極１９０の右側辺から下側辺または上側辺に向けてのびた傾斜線部、及び傾斜線部の各端から画素電極１９０の辺に沿って辺と重畳してのびた傾斜線部と鈍角をなす横部及び縦部を含む。

中央切開部７１、７２、７３は、略画素電極１９０の左側辺から横部にのびた中央横部、該中央横部の端から中央横部と斜角をなし画素電極１９０の左側辺に向けてのびた一対の傾斜線部、及び傾斜線部の各端から画素電極１９０の左側辺に沿って左側辺と重畳して延在しており、傾斜線部と鈍角をなす縦断縦部を含む。

切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂの数は、設計要素に応じて変動し、遮光部材２２０が切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂと重畳して、切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂの付近の光漏れを遮断することができる。

表示板１００、２００の内側面には垂直配向膜１１、２１がそれぞれ塗布されており、外側側面には偏光板１２、２２が配設されている。
二つの偏光板１２、２２の透過軸は直交し、このうち一つの透過軸は、ゲート線１２１に対して並んでいる。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光板１２、２２のうちの一つは省略できる。

配向膜１１、２１は水平配向膜であっても良い。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子３１０は、電界のない状態でその長軸が二つの表示板の表面に対して垂直をなすように配向されている。その結果、入射光は直交偏光子１２、２２を通過できず遮断される。

表示板１００、２００と偏光子１２、２２との間には、それぞれ液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延フィルム（retardation film）を挿入できる。位相遅延フィルムは、複屈折性を有し、液晶層３の複屈折性を逆に補償する役割をする。遅延フィルムとしては、一軸性光学フィルム若しくは二軸性光学フィルムを使用し、特にネガティブの一軸性光学フィルムを使用できる。

液晶表示装置はまた、偏光子１２、２２、位相遅延フィルム、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部を含むことができる。
また、共通電極２７０と遮蔽電極８８に同一の共通電圧が印加されるため、両者間には電界がほとんどない。このため、共通電極２７０と遮蔽電極８８間に位置した液晶分子３１０は、初期垂直配向状態をそのまま維持し、この部分に入射された光は透過できず遮断される。

一方、液晶分子３１０の傾斜方向と偏光子１２、２２の透過軸が４５度をなすときに最高輝度が得られるが、本実施例の場合、全てのドメインにおいて、液晶分子３１０の傾斜方向がゲート線１２１と４５度をなしており、ゲート線１２１は、表示板１００、２００の周縁と垂直或いは水平である。従って、本実施例の場合、偏光子１２、２２の透過軸を表示板１００、２００の周縁に対して垂直或いは平行になるように付着するときに、最高輝度を得られると同時に、偏光子１２、２２を安価に製造することができる。

共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９０にデータ電圧を印加するとき、表示板の表面に対してほぼ垂直である主電界（primary electric field）が生成される。液晶分子３１０は、電界に応答して、その長軸が電界の方向に対して垂直をなすように方向を変更しようとする。一方、共通電極２７０及び画素電極１９０の切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂ及び画素電極１９０の辺は、主電界を歪曲して液晶分子の傾斜方向を決定する水平成分を形成する。主電界の水平成分は、切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの辺及び画素電極１９０の辺に対して垂直である。また、切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの対向する二つの辺における主電界の水平成分は、互いに逆方向である。

このような電界によって、切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは、液晶層３の液晶分子が傾く方向を制御する。隣接する切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂによって定義されたり、切開部７６ａ、７６ｂと画素電極１９０の右側斜辺によって定義される各ドメイン内にある液晶分子は、切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの長さ方向に対して垂直をなす方向に傾く。各ドメインの最も長い二つの辺はほぼ並んでおり、ゲート線１２１に対して約４５度をなす。

切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの幅は、約９μｍ〜１２μｍであるのが好ましい。

少なくとも一つの切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ、９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは、突起（図示せず）や陥没部（図示せず）に代替できる。突起は、有機物または無機物で形成され、電界生成電極１９０、２７０の上または下に配置され、その幅は約５μｍ〜１０μｍであるのが好ましい。

画素電極１９０の切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂの境界からこれと隣接した切開部７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂの境界までの間隔と、画素電極１９０の境界からこれと隣接した共通電極２７０切開部７６ａ、７６ｂの境界までの間隔は、約１２μｍ〜２０μmであるのが好ましく、約１７μｍ〜１９μｍであるのがより好ましい。前記のように間隔を定めるとき、開口率は減少したが、液晶の応答速度が速くなり必要な透過率を確保することができた。

このような本発明の実施例による液晶表示装置において、第１画素電極１９０ａは、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続され、ここから直接データ電圧の印加を受ける。また、第２画素電極１９０ｂは、接触孔１８６を通じて容量性補助電極１３６と接続されており、容量性補助電極１３６は、ドレイン電極１７５と接続された容量性結合電極１７６と重畳する。よって、第２画素電極１９０ｂは、第１画素電極１９０ａと電磁気的に結合（容量性結合）されている。

図５によれば、第１画素電極１９０ａは、ドレイン電極１７５を通じて薄膜トランジスタ（Ｑ）に直接接続され、薄膜トランジスタ（Ｑ）を通じてデータ線１７１を通じて伝達される画像信号電圧の印加を受けるのに対し、第２画素電極１９０ｂの電圧は、第１画素電極１９０ａとの容量性結合に変化する。本実施例において、第２画素電極１９０ｂの電圧は、第１画素電極１９０ａの電圧に比べて絶対値が常に低くなる。以下、その理由について詳細に説明する。

図５で、Ｃｌｃ１は第１画素電極１９０ａと共通電極２７０間で形成される液晶容量を示し、Ｃｓｔ１は第１画素電極１９０ａと維持電極線１３１間で形成される維持容量を示す。Ｃｌｃ２は第２画素電極１９０ｂと共通電極２７０間で形成される液晶容量を示し、Ｃｓｔ２は第２画素電極１９０ｂと維持電極線１３１間で形成される維持容量を示し、Ｃｃｐは第２画素電極１９０ｂと第１画素電極１９０ａ間で形成される結合容量を示す。

共通電極２７０電圧に対する第１画素電極１９０ａの電圧がＶａで、第２画素電極１９０ｂの電圧がＶｂであるとき、電圧分配法則に従って、
Ｖｂ=Ｖａ×[Ｃｃｐ/（Ｃｃｐ+Ｃｌｃ２+Ｃｓｔ２）]となり、Ｃｃｐ/（Ｃｃｐ+Ｃｌｃ２+Ｃｓｔ２）は常に１より大きくならないため、ＶｂはＶａに比べて常に小さい。この時、Ｃｌｃ１及びＣｌｃ２に対する共通電極２７０電圧と、Ｃｓｔ１及びＣｓｔ２に対する維持電極線１３１電圧が変化することがあるが、このような場合にも、Ｃｌｃ１及びＣｌｃ２に印加される共通電極２７０電圧が同一であるので、Ｃｌｃ１に印加される画像信号電圧（Ｖａ）の絶対値は、常にＣｌｃ２に印加される画像信号電圧（Ｖｂ）の絶対値よりも大きい値を有することになる。前記のように、一つの画素内において電圧の異なる二つの画素電極を配置するとき、液晶分子は互いに異なる電圧で駆動されて互いに異なる傾斜角を有し、これによって側面視認性を向上させることができる。

Ｃｃｐを調節することによってＶａに対するＶｂの比率を調整することができる。Ｃｃｐの調節は、結合電極１７６と第２画素電極１９０ｂとの重畳面積と距離を調整することで可能となる。重畳面積に関しては、結合電極１７６の幅を変えることで容易に調整でき、距離に関しては、結合電極１７６の形成位置を変えることで調整する。即ち、本発明の実施例では、結合電極１７６をデータ線１７１と同一層に形成したが、ゲート線１２１と同一層に形成することによって、結合電極１７６と第２画素電極１９０ｂ間の距離を増加させることができる。この時、Ｖｂは、Ｖａに対して０．６倍〜０．８倍であるのが好ましい。

一方、他の実施例において、第２画素電極１９０ｂに第１画素電極１９０ａの電圧に比べて常に絶対値の高い電圧を印加することができるが、これは、第２画素電極１９０ｂに共通電圧などのような任意電圧を印加した状態で、第１画素電極１９０ａと容量性結合することによって実現される。

画像信号が直接伝達される第１画素電極１９０ａに比べて、それよりも高いか、低い画素電圧が伝達される第２画素電極１９０ｂの面積比は、１：０．８５〜１：１．１５であるのが好ましく、第１画素電極１９０ａと容量性結合する第２画素電極１９０ｂは、二つ以上を配置することができる。

図１乃至図４に示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法について詳細に説明する。
クロム、モリブデンまたはモリブデン合金、アルミニウム系列金属または銀系列金属などからなる導電膜を絶縁基板１１０上にスパッタリング蒸着し、湿式エッチングまたは乾式エッチングして、複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含むゲート線１２１と、複数の維持電極１３３を有する維持電極線１３１及び容量性補助電極１３６を形成する。

約１５００Å〜５０００Åの厚さのゲート絶縁膜１４０、約５００Å〜２０００Åの厚さの真性非晶質シリコン層、約３００Å〜６００Åの厚さの不純物非晶質シリコン層の３層膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層をフォトエッチングして、ゲート絶縁膜１４０上に複数の線状不純物半導体及び複数の真性半導体１５４を形成する。

次に、導電膜をスパッタリング法などで１５００Å〜３０００Åの厚さで蒸着し、その後パターニングして複数のソース電極１７３及び端部１７９を有する複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び開口部７６を有する複数の容量性結合電極１７６を形成する。

次に、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出された不純物半導体部分を除去することによって、複数の島状抵抗性接触部材１６３、１６５を完成する一方、その下の真性半導体１５４部分を露出させる。露出された真性半導体１５４部分の表面を安定化するために酸素プラズマ処理を引き続き実施するのが好ましい。

正の感光性有機絶縁物からなる保護膜１８０を塗布し、その後複数の透過領域（図示せず）及びその周囲に位置した複数のスリット領域（図示せず）、及び遮光領域が備えられた光マスク（図示せず）によって露光する。その結果、透過領域と対向する保護膜１８０の部分は、光エネルギーを全て吸収するが、スリット領域と対向する保護膜１８０の部分は、光エネルギーを一部のみ吸収する。次いで、保護膜１８０を現像して、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５の一部を露出させる複数の接触孔１８２、１８５を形成し、容量性結合電極１７６の開口部７６内の容量性補助電極１３６及びゲート線１２１の端部１２９の上に位置したゲート絶縁膜１４０の部分を露出させる複数の接触孔１８１、１８６を形成する。透過領域に対応する保護膜１８０部分は全て除去され、スリット領域に対応する部分は厚さが薄くなり、接触孔１８１、１８２、１８５、１８６の側壁は階段状のプロファイルを有する。

保護膜１８０を陰性感光膜で形成する場合、陽性感光膜を使用する場合と比べるとき、マスクの遮光領域と透過領域とが入れ替わる。
多層膜のうちの上部のアルミニウムの導電膜が、接触孔１８１、１８２、１８５、１８６を通じて露出されるとき、ゲート絶縁膜１４０の露出された部分を除去して、その下に位置するゲート線１２１の端部１２９及び容量性補助電極１３６部分を露出させた後、アルミニウムを含む上部膜を除去する工程を追加することができる。

最後に、約４００Å〜５００Åの厚さのＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜をスパッタリング法で積層し、フォトエッチングして保護膜１８０とドレイン電極１７５、容量性補助電極１３６、データ線１７１の端部１７９及びゲート線１２１の端部１２９の露出された部分上に、複数の画素電極１９０、複数の接触補助部材８１、８２及び複数の遮蔽電極８８を形成する。

本発明の他の実施例による液晶表示装置に対して、図６及び図７を参照して詳細に説明する。
図６は、本発明の他の実施例による液晶表示装置の配置図であり、図７は、図６に示す液晶表示装置のVII-VII´線による断面図である。

図６及び図７によれば、本実施例による液晶表示装置も、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３、二つの表示板１００、２００の外側面に付着されている一対の偏光子１２、２２を含む。

本実施例による表示板１００、２００の層状構造は、図１乃至図４とほぼ同様である。
薄膜トランジスタ表示板１００において、ゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１、維持電極１３３を有する複数の維持電極線１３１及び容量性補助電極１３６が基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、半導体１５４及び抵抗性接触部材１６３、１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の容量性結合電極１７６がゲート絶縁膜１４０上に形成され、保護膜１８０がその上に形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、複数の接触孔１８１、１８２、１８５、１８６が形成されている。保護膜１８０上には、複数の画素電極１９０、複数の遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１、８２が形成され、その上に、配向膜１１が塗布されている。

共通電極表示板２００に関しては、遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、カバー膜２５０、共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０の上に形成されている。
図１乃至図４の液晶表示装置とは異なって、半導体１５４は、データ線１７１下部まで延在している線状半導体１５１の突出部であり、島状の抵抗性接触部材１６５と対向する抵抗性接触部材１６３もまた、線状の抵抗性接触部材１６１の突出部である。この時、線状の半導体１５１は、データ線１７１とドレイン電極１７５及びその下の抵抗性接触部材１６１、１６５とほぼ同一模様を有する。ところが、線状の半導体１５１のうちの突出部１５４は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５間の部分のように、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われない部分を有し、線状の半導体１５１及び島状の抵抗性接触部材１６５は同一模様で、容量性結合電極１７６の下部まで延在している。

また、ドレイン電極１７５と容量性結合電極１７６を連結する連結部１７７は、データ線１７１と平行であり、ゲート線１２１及びデータ線１７１で囲まれた領域の最外郭に配置されている。

このような薄膜トランジスタを本発明の一実施例によって製造する方法において、データ線１７１、ドレイン電極１７５及び容量性結合電極１７６と、半導体１５１及び抵抗性接触部材１６１、１６５を１度のフォト工程で形成する。

前記フォト工程で用いる感光膜パターンは、位置によって厚さが異なり、特に厚さの薄くなる順で第１部分と第２部分とを含む。第１部分は、データ線及びドレイン電極が占める配線領域に位置し、第２部分は、薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置する。

位置によって感光膜パターンの厚さを異ならせる方法として、例えば、光マスクに透明領域及び遮光領域の他に半透明領域を設けるなど様々な方法がある。半透明領域には、スリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であるか、厚さが中間である薄膜が備えられる。スリットパターンを用いるとき、スリットの幅やスリット間の間隔がフォト工程に使用する露光器の分解能（resolution）よりも小さいのが好ましい。他の例として、リフローが可能な感光膜を用いる方法がある。即ち、透明領域及び遮光領域のみを有する通常の露光マスクにてリフロー可能な感光膜パターンを形成した後、リフローさせて、感光膜が残留しない領域に流すことによって、薄い部分を形成する方法である。

このようにして、１度のフォト工程を減らすことができ、製造方法が簡単になる。
本発明の他の実施例による液晶表示装置について、図８を参照して詳細に説明する。
図８は、図３に示すIV-IV´線による本発明の他の実施例による液晶表示装置の断面図である。

図８によれば、本実施例による液晶表示装置も、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を含む。

本実施例による表示板１００、２００の層状構造は、図１乃至図４とほぼ同様である。
薄膜トランジスタ表示板１００に関しては、ゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１、維持電極１３３を有する複数の維持電極線１３１及び容量性補助電極１３６が基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、複数の島状半導体１５４、複数の島状抵抗性接触部材１６３、１６５が順次に形成されている。ソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数の容量性結合電極１７６がゲート絶縁膜１４０及び抵抗性接触部材１６３、１６５上に形成され、保護膜１８０がその上に形成され、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には複数の接触孔１８１、１８２、１８５、１８６が形成されている。保護膜１８０上には、第１及び第２画素電極１９０ａ、１９０ｂを有する複数の画素電極１９０、遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１、８２が形成され、その上には配向膜１１が塗布されている。

共通電極表示板２００に関しては、遮光部材２２０、カバー膜２５０、共通電極２７０及び配向膜２１が絶縁基板２１０上に形成されている。
図１乃至図５の液晶表示装置とは異なって、保護膜１８０上にカラーフィルタ２３０が形成されており、共通電極表示板２００にはカラーフィルタがなく、カバー膜２５０も省略することができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、青色などの三原色を表示し、隣接する二つのデータ線１７１間の領域内にほとんど入っている。隣接する二つのデータ線１７１間に存在し、縦方向に配置されるカラーフィルタ２３０は、互いに連結されて帯をなすこともある。カラーフィルタ２３０は、ドレイン電極１７５を露出する接触孔１８５上に位置する複数の開口部を有し、ゲート線１２１の拡張部１２９とデータ線１７１の拡張部１７９とが備えられている周辺領域には配置されていない。また、隣接するカラーフィルタ２３０は、データ線１７１上で互いに重畳して画素電極１９０の間からの光漏れを遮断し、ここで、画素電極１９０周囲の遮光部材２２０部分を省略することができる。この場合、遮蔽電極８８がカラーフィルタ２３０の境界線を覆うのが好ましい。カラーフィルタ２３０重畳部の段差を減らすために、重畳部におけるカラーフィルタ２３０の高さを低くすることもでき、そのために、カラーフィルタ２３０のパターニングの際に用いられる光マスクにスリット領域または半透過領域を設け、これを重畳部に対応させることができる。しかし、隣接したカラーフィルタ２３０が離れていたり、その境界が一致することもある。

前記で説明した図６及び図７の液晶表示装置に対する特徴は、図８の液晶表示装置にも適用できる。
以上のように、画素電極を分割して互いに異なる電位を印加することで、液晶表示装置の側面視認性を向上させ、これによって視野角を拡張することができる。

また、層間の導電膜を連結する接触孔を不透明膜の開口部内に配置することで、段差による液晶分子の配列歪曲のため発生する光漏れを遮断すると共に、画素の開口率が低下するのを防ぐことができる。

また、維持容量を形成するとき、ゲート絶縁膜のみを介在し維持電極とドレイン電極を重畳させ、結合容量を形成する。また、ゲート絶縁膜のみを介在し容量性補助電極と容量性結合電極とを重畳させることで、狭い重畳面積をもって維持容量及び結合容量を充分に確保することによって、画素の開口率を確保することができる。

また、画素電極と同一層で遮蔽電極を形成することによって画素の間からの漏洩光を遮断し、ステッチ不良を防止し、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものでなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。特に、画素電極と共通電極に形成する切開部の配置は変更できる。

本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造を示した配置図である。 本発明の一実施例による液晶表示装置における共通電極表示板の構造を示した配置図である。 図１及び図２に示す二つの表示板を有する本発明の一実施例による液晶表示装置の構造を示した配置図である。 図３に示す液晶表示装置のIV-IV´線による断面図である。 本発明の実施例による液晶表示装置の回路図である。 本発明の他の実施例による液晶表示装置の構造を示した配置図である。 図６に示す液晶表示装置のVII-VII´線による断面図である。 本発明の他の実施例による液晶表示装置の構造を示す断面図である。

符号の説明

１１、２１ 配向膜
１２、２２ 偏光板
８１、８２ 接触補助部材
１００、２００ 表示板
１１０、２１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１３３ 維持電極
１３６ 容量性補助電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５１、１５４ 半導体
１６１、１６３、１６５ 抵抗性接触部材
１７１、１７９ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１７６ 容量性結合電極
１８０ 保護膜
１８１、１８２、１８５、１８６ 接触孔
１９０ 画素電極
２２０ 遮光部材
２５０ カバー膜
２７０ 共通電極
９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂ 画素電極の切開部
７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂ 共通電極の切開部
３００ 液晶層
３１０ 液晶分子

Claims (20)

1. 絶縁基板、
   前記絶縁基板上に形成されているゲート線、
   前記ゲート線と分離されている容量性補助電極、
   前記ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線、
   それぞれの前記ゲート線及び前記データ線と接続され、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタ、
   前記ドレイン電極と接続され、前記容量性補助電極と重畳し、前記容量性補助電極上に位置する開口部を有する容量性結合電極、
   前記ゲート線、前記データ線及び前記薄膜トランジスタを覆い、前記開口部内において前記容量性補助電極を露出する接触孔を有する保護膜、及び
   前記ドレイン電極と接続されている第１画素電極と、前記接触孔を通じて前記容量性補助電極と接続されている第２画素電極とを有する画素電極
   を含む、薄膜トランジスタ表示板。
2. 前記開口部は、前記容量性補助電極の中央に位置する、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
3. 前記開口部は、四角形、八角形または円形の境界によって定義される、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
4. 前記接触孔を定義する前記保護膜の側壁は、階段状のテーパ構造である、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
5. 前記接触孔の境界線と隣接した前記開口部の境界線間の距離は３．０μｍ以上である、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
6. 前記画素電極と絶縁され、前記ゲート線または前記データ線と少なくとも一部が重畳している遮蔽電極をさらに含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
7. 前記画素電極及び前記遮蔽電極は、前記保護膜上に位置する、請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
8. 前記ドレイン電極と重畳して維持容量を形成する維持電極を有する維持電極線をさらに含む、請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板。
9. 前記遮蔽電極及び前記維持電極は、実質的に同一電圧の印加を受ける、請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板。
10. 前記遮蔽電極は、前記ゲート線または前記データ線に沿ってのびた、請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
11. 前記遮蔽電極は、前記データ線を完全に覆う、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板。
12. 前記画素電極は、面取りされた斜辺を有する、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
13. 前記保護膜は、有機絶縁物質を含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
14. 前記保護膜は、カラーフィルタを含む、請求項１３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
15. 前記画素電極は、ドメイン分割手段を有する、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
16. 前記ドメイン分割手段は、前記ゲート線に対して４５度をなす、請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
17. 絶縁基板上にゲート線及び容量性補助電極を形成する段階、
    ゲート絶縁膜を形成する段階、
    前記ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線、ドレイン電極及び前記容量性補助電極上に位置する開口部を有する容量性結合電極を形成する段階、
    前記ゲート線及び前記データ線を覆い、前記開口部内において前記容量性補助電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階、及び
    前記ドレイン電極と接続されている第１画素電極と、前記接触孔を通じて前記容量性補助電極と接続されている第２画素電極とを有する画素電極を形成する段階を含む、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
18. 前記開口部は、前記容量性補助電極の中央に形成される、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
19. 前記開口部は、四角形、八角形または円形に形成される、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
20. 前記接触孔を定義する前記保護膜の側壁は、階段状のテーパ構造となっている、請求項１７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。

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