JP2006147612A - 半導体試験装置及び半導体装置の試験方法 - Google Patents
半導体試験装置及び半導体装置の試験方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本半導体試験装置は、外部の装置(例えばテスター)が生成した試験信号を半導体装置に入力し、該半導体装置から出力された応答信号を外部の装置に出力する半導体試験装置であって、半導体装置が形成された半導体ウェハ2を載置するウェハチャック10と、ウェハチャック10及び半導体ウェハ2を加熱する加熱部11と、半導体ウェハ2の試験が終了した旨を示す試験終了信号を外部の装置から受信してから、予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハの試験を開始する旨を示す試験開始信号を外部の装置から受信しない場合に、加熱部11の動作を終了させる制御部16とを具備する。
【選択図】 図1
Description
前記半導体装置が形成された半導体ウェハを載置するウェハチャックと、
前記ウェハチャック及び前記半導体ウェハを加熱する加熱部と、
前記半導体ウェハの試験が終了した旨を示す試験終了信号を受信してから、予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハの試験を開始する旨を示す試験開始信号を受信しない場合に、前記加熱部の動作を終了させる制御部と、
を具備する。
半導体装置が形成された半導体ウェハを載置するウェハチャックと、
前記ウェハチャック及び前記半導体ウェハを加熱する加熱部と、
前記半導体ウェハの試験が終了した旨を示す試験終了信号を受信してから、予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハの試験を開始する旨を示す試験開始信号を受信しない場合に、前記ウェハチャックの温度を待機温度にする制御部と、
を具備する。
半導体装置が形成された半導体ウェハを載置し、複数の区画に区画されているウェハチャックと、
前記ウェハチャックを前記区画ごとに加熱する加熱部と、
前記ウェハチャックのいずれの前記区画を加熱するかを制御する制御部とを具備する。
前記ウェハチャックが加熱された状態で、試験信号を前記半導体ウェハに形成された半導体装置に入力し、該半導体装置から出力される応答信号を受信することにより、前記半導体装置を試験する工程と、
前記半導体ウェハ上の前記半導体装置の試験が終了した旨を示す試験終了信号を取得してから予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハに形成された半導体装置の試験を開始する旨を示す試験開始信号を取得しない場合に、前記半導体試験装置の制御部が、前記ウェハチャックの加熱を終了させる工程とを具備する。
前記ウェハチャックが加熱された状態で、試験信号を前記半導体ウェハに形成された半導体装置に入力し、該半導体装置から出力される応答信号を受信することにより、前記半導体装置を試験する工程と、
前記半導体ウェハ上の前記半導体装置の試験が終了した旨を示す試験終了信号を取得してから予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハに形成された半導体装置の試験を開始する旨を示す試験開始信号を取得しない場合に、前記半導体試験装置の制御部が、前記ウェハチャックを待機温度にする工程とを具備する。
前記ウェハチャックを前記区画別に加熱し、加熱されている前記区画上に位置する前記半導体装置の試験を行う工程とを具備する。
前記ウェハチャックの全体を加熱しておき、前記半導体装置の試験が終了する毎に、該半導体装置の下に位置する前記区画の加熱を終了する工程とを具備する。
以上、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、制御部16が、データベース16aに格納されているデータに基づいて、試験終了信号を受信してからヒーター11をオフ又は待機温度にするまでの時間t4を設定する。このため、作業者に負荷をかけることなく、確実に時間t4を適切な値に設定することができる。
なお本実施形態において、試験温度に加熱されていない区画10aは、待機温度に維持されていてもよい。
この半導体試験装置においても、ウェハチャック10の一部のみが加熱されるため、従来と比べて消費電力は少なくなる。なお、余熱される区画10aは一つのみでもよいが、複数であってもよい。
Claims (13)
- 試験信号を半導体装置に入力し、該半導体装置から応答信号が出力される半導体試験装置であって、
前記半導体装置が形成された半導体ウェハを載置するウェハチャックと、
前記ウェハチャック及び前記半導体ウェハを加熱する加熱部と、
前記半導体ウェハの試験が終了した旨を示す試験終了信号を受信してから、予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハの試験を開始する旨を示す試験開始信号を受信しない場合に、前記加熱部の動作を終了させる制御部と、
を具備する半導体試験装置。 - 試験信号を半導体装置に入力し、該半導体装置から応答信号が出力される半導体試験装置であって、
半導体装置が形成された半導体ウェハを載置するウェハチャックと、
前記ウェハチャック及び前記半導体ウェハを加熱する加熱部と、
前記半導体ウェハの試験が終了した旨を示す試験終了信号を受信してから、予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハの試験を開始する旨を示す試験開始信号を受信しない場合に、前記ウェハチャックの温度を待機温度にする制御部と、
を具備する半導体試験装置。 - 前記半導体試験装置は、複数の前記半導体ウェハを互いに異なる温度で試験し、
現在の前記ウェハチャックの温度と、新たな半導体ウェハの試験を行う際の前記ウェハチャックの温度とに基づいて、前記予め定められた時間が設定される、請求項1又は2に記載の半導体試験装置。 - 試験信号を半導体装置に入力し、該半導体装置から応答信号が出力される半導体試験装置であって、
半導体装置が形成された半導体ウェハを載置し、複数の区画に区画されているウェハチャックと、
前記ウェハチャックを前記区画ごとに加熱する加熱部と、
前記ウェハチャックのいずれの前記区画を加熱するかを制御する制御部と、
を具備する半導体試験装置。 - 前記半導体ウェハには複数の前記半導体装置が形成されており、
前記半導体試験装置は、前記半導体ウェハを複数の領域に分けて試験し、
前記制御部は、試験が行われている前記領域と重なる前記区画を、前記加熱部を用いて加熱する請求項4に記載の半導体試験装置。 - 前記制御部は、前記試験が行われている領域の周囲に位置する前記区画を、更に前記加熱部を用いて加熱する請求項5に記載の半導体試験装置。
- 前記半導体ウェハには複数の前記半導体装置が形成されており、
前記半導体試験装置は、前記半導体ウェハを複数の領域に分けて試験し、
前記制御部は、予め前記ウェハチャックの全区画を加熱しておき、試験が終了した領域と重なる前記区画から順に加熱を終了させる請求項4に記載の半導体試験装置。 - 前記ウェハチャックは、前記複数の区画それぞれの間に溝を具備する請求項4〜7のいずれか一項に記載の半導体試験装置。
- 前記ウェハチャックは、前記複数の区画それぞれの間に、該ウェハチャックの本体より断熱性が高い材料から形成された断熱部材を具備する請求項4〜7のいずれか一項に記載の半導体試験装置。
- 半導体試験装置のウェハチャックに半導体ウェハを載置する工程と、
前記ウェハチャックが加熱された状態で、試験信号を前記半導体ウェハに形成された半導体装置に入力し、該半導体装置から出力される応答信号を受信することにより、前記半導体装置を試験する工程と、
前記半導体ウェハ上の前記半導体装置の試験が終了した旨を示す試験終了信号を取得してから予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハに形成された半導体装置の試験を開始する旨を示す試験開始信号を取得しない場合に、前記半導体試験装置の制御部が、前記ウェハチャックの加熱を終了させる工程と、
を具備する半導体装置の試験方法。 - 半導体試験装置のウェハチャックに半導体ウェハを載置する工程と、
前記ウェハチャックが加熱された状態で、試験信号を前記半導体ウェハに形成された半導体装置に入力し、該半導体装置から出力される応答信号を受信することにより、前記半導体装置を試験する工程と、
前記半導体ウェハ上の前記半導体装置の試験が終了した旨を示す試験終了信号を取得してから予め定められた時間以内に、新たな半導体ウェハに形成された半導体装置の試験を開始する旨を示す試験開始信号を取得しない場合に、前記半導体試験装置の制御部が、前記ウェハチャックを待機温度にする工程と、
を具備する半導体装置の試験方法。 - 複数の区画に区画されているウェハチャックに、複数の半導体装置が形成された半導体ウェハを載置する工程と、
前記ウェハチャックを前記区画別に加熱し、加熱されている前記区画上に位置する前記半導体装置の試験を行う工程と、
を具備する半導体装置の試験方法。 - 複数の区画に区画されているウェハチャックに、複数の半導体装置が形成された半導体ウェハを載置する工程と、
前記ウェハチャックの全体を加熱しておき、前記半導体装置の試験が終了する毎に、該半導体装置の下に位置する前記区画の加熱を終了する工程と、
を具備する半導体装置の試験方法。
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WO2023047999A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置機構、検査装置、および検査方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210683A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバのチャック機構 |
JP2002184558A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Ibiden Co Ltd | ヒータ |
JP2004140296A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 被検査体を温度制御するプローブ装置及びプローブ検査方法 |
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