JP2006140408A - 半導体装置のトレンチ素子分離方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】トレンチ素子分離領域にディボットが生成されることを防止し、さらにトレンチ領域内のボイド発生をより効果的に抑制できるトレンチ分離構造の作成方法を提供する。
【解決手段】トレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成した後に、ライナー酸化膜としてSiH4/N2O/N2ガスからなるHTO(High Temperature Oxide)酸化膜を形成する際に、SiH4/N2Oガス流量比が1/500〜1/70の範囲内とする条件化で前記HTO酸化膜を形成することにより、微小異物の発生を抑制する。
【選択図】図1
【解決手段】トレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成した後に、ライナー酸化膜としてSiH4/N2O/N2ガスからなるHTO(High Temperature Oxide)酸化膜を形成する際に、SiH4/N2Oガス流量比が1/500〜1/70の範囲内とする条件化で前記HTO酸化膜を形成することにより、微小異物の発生を抑制する。
【選択図】図1
Description
この発明は、半導体基板におけるトレンチ分離構造の作成方法、特にトレンチに埋め込まれる酸化膜の表面部に凹部が形成されないようにし、且つ、トレンチに埋め込まれる酸化膜にボイドを発生させないトレンチ分離構造の作成方法に関する。
半導体基板上に形成される素子を電気的に分離する技術として、半導体基板にトレンチを形成し絶縁膜を埋め込むトレンチ分離構造(Shallow Trench Isolation:STI)が知られている。しかし、素子の微細化に伴いトレンチ領域の幅が狭くなり、例えば0.5μm以下になると、ボイド、即ちトレンチ領域が絶縁膜で完全に充填されない部分が発生する。ボイドの発生を低減するために、形成したトレンチ領域の側壁および底部に第1の熱酸化膜を薄く形成した後に、緻密な第2の酸化膜で完全にトレンチ領域を充填する手法が知られている。
図3は、従来のSTI構造を作成する方法を示す。従来の方法によれば、まず図3(a)に示すように、半導体基板1上にパッド酸化膜2及び窒化膜3を順次形成し、レジストマスクパターン4を形成する。次に、図3(b)に示すように、レジストマスクパターンを用いて、トレンチマスクパターンを形成する。次に、図3(c)に示すように、トレンチマスクパターンを用いて、半導体基板1をドライエッチングし、トレンチ領域5を形成する。次に熱酸化を行い、図3(d)に示すように、トレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜6を形成する。次に、図3(e)に示すように、トレンチ内部が完全に埋め込まれるようにして、酸化膜7を形成する。次に図3(f)に示すように、窒化膜3をストッパーにして化学機械研磨(CMP)する。最後に図3(g)に示すように、窒化膜3をウェットエッチングにより除去し、続いて、酸化膜のウェットエッチングを適宜行う。
この場合、図3(g)に示すようにトレンチに埋め込まれる酸化膜の表面部にディボットと呼ばれる凹部8が形成される。このような凹部は、このSTI構造上にトランジスタが形成されると、凹部の角の部分に電界集中が起こり、電気的な特性不良を生じる。
また、埋め込み酸化膜7の物理的ストレスによってトレンチ5周辺部の半導体基板1に結晶欠陥が生じる場合もある。
また、埋め込み酸化膜7の物理的ストレスによってトレンチ5周辺部の半導体基板1に結晶欠陥が生じる場合もある。
これらの課題に対し、解決方法として、例えば特開平11−176924号公報及び特開2001−135718号公報に記載されている、第2の埋め込み酸化膜である高密度プラズマ(HDP)酸化膜形成前に第1の埋め込み酸化膜としてライナー膜を形成し、その後第2の埋め込み酸化膜を形成する方法がある。
LSIの微細化に伴い、トレンチ幅が0.2μm以下になってくると、トレンチ領域への酸化膜の埋め込みが困難になると同時に、図3(g)に示すディボット8のトランジスタ特性への影響はますます大きくなってくる。また、素子分離の絶縁特性のバラツキにライナー膜の膜質及び膜厚のバラツキが影響するようになる。
発明者らは、上述のライナー膜を形成する従来の方法においては、図2に示すように、ライナー膜11中に存在する微小異物12によって第2の埋め込み酸化膜にボイド13が発生する場合があることを発見した。前記の微小異物12は、酸化膜系の粒子であり、気相中での過剰SiH4がN2Oとの気相反応で酸化膜系の粒子となり、形成中のライナー酸化膜の表面上に付着したものと考えられる。このボイドは素子分離特性を劣化させると同時に、図2(h)に示すようにフィールド酸化膜構造の不均一性をもたらし、このSTI構造上にゲート電極が形成されると、ゲート電極のOpen/Shortの原因にもなる。
この発明は、トレンチ素子分離領域にディボットが生成されることを防止し、さらにトレンチ領域内のボイド発生をより効果的に抑制できるトレンチ分離構造の作成方法を提供するものである。
この発明は、半導体基板上にパッド酸化膜と窒化膜とを順次形成した後に選択的に除去してマスクパターンを形成し、形成しマスクパターンを用いて半導体基板にトレンチ領域を形成する工程と、熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する工程と、トレンチ領域を含む半導体基板上にSiH4/N2Oガスを用いた熱CVD法でトレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚の第1の埋め込み酸化膜を形成する工程と、残された前記トレンチ領域の空洞部を埋め込むように、HDPプラズマCVD法で第2の埋め込み酸化膜であるプラズマ酸化膜を形成する工程と、前記窒化膜をストッパーとして前記第1及び第2の埋め込み酸化膜の上部をCMP法(化学機械研磨)により除去した後に前記窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する工程とを備え、前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるSiH4/N2Oガス流量比を、第1の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にすることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離方法を提供する。
この発明のトレンチ素子分離方法は、第1の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるSiH4/N2Oガス流量比を、第1の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にするので、第1の埋め込み酸化膜への異物付着を抑制することができ、第1の埋め込み酸化膜上に形成する第2の埋め込み酸化膜中のボイド生成も防止することができる。その結果、このSTI構造上に形成されるゲート電極のOpen/Shortの不具合の発生等を抑制することができる。
換言すると、この発明のトレンチ素子分離構造の作成方法によれば、トレンチに埋め込まれた酸化膜の表面周囲部でのディボットの形成が抑止されるので、ディボットに起因するデバイス特性の劣化を防ぐことができ、且つ、トレンチ分離領域の埋め込み酸化膜にボイドによる欠陥が発生しないため、デバイスの信頼性を向上させることが可能になる。
この発明のトレンチ素子分離方法は、トレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成した後に、ライナー酸化膜としてSiH4/N2O/N2ガスからなるHTO(High Temperature Oxide)酸化膜を形成する際に、SiH4/N2Oガス流量比が1/500〜1/70の範囲内とする条件化で前記HTO酸化膜を形成することにより、微小異物の発生を抑制することができる。
より詳細には、この発明のトレンチ素子分離方法は、半導体基板上にパッド酸化膜と窒化膜とを順次形成した後に選択的に除去してマスクパターンを形成し、形成しマスクパターンを用いて半導体基板にトレンチ領域を形成する工程と、熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する工程と、トレンチ領域を含む半導体基板上にSiH4/N2Oガスを用いた熱CVD法でトレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚の第1の埋め込み酸化膜を形成する工程と、残された前記トレンチ領域の空洞部を埋め込むように、HDPプラズマCVD法で第2の埋め込み酸化膜であるプラズマ酸化膜を形成する工程と、前記窒化膜をストッパーとして前記第1及び第2の埋め込み酸化膜の上部をCMP法(化学機械研磨)により除去した後に前記窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する工程とを備え、前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるSiH4/N2Oガス流量比を、第1の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にすることを特徴とする。
ここで、半導体基板の材料としては、シリコンが好適である。パッド酸化膜とは、シリコン基板と窒化膜との間に生じる応力を緩和する機能を果たす膜であり、例えば、熱酸化法を用いて形成することができる。パッド酸化膜上に形成する窒化膜は、例えばCVD法を用いて形成することができる。前記パッド酸化膜と窒化膜との選択的な除去は、フォトリソフラフィ技術により表面のフォトレジストをパターニングし、異方性ドライエッチングを適用して実現することができる。さらに、トレンチ領域の形成は、選択的に一部を除去した後の窒化膜をマスクとしてドライエッチング法を用いてシリコン基板をエッチングして形成することができる。
また、ここで、トレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚とは、一例では、トレンチ幅が200nm(ナノメートル)の場合に5〜50nm程度の膜厚である。従って、この例の場合は第1の埋め込み酸化膜形成後、トレンチ領域には少なくとも幅約100nmの空洞部が残される。
前記第1の埋め込み酸化膜を形成工程におけるSiH4/N2Oガス流量比は、1/500〜1/70の範囲内であることが好ましい。SiH4/N2Oガス流量比が前記範囲内であれば、前記工程において気相中の過剰SiH4がN2Oとの気相反応で酸化膜系の粒子となることが抑制され、第1の埋め込み酸化膜の表面部に微小異物が形成されるのを抑制することができる。
より好ましくは、前記第1の埋め込み酸化膜を形成工程におけるSiH4/N2Oガス流量比は、1/250〜1/100の範囲内である。
より好ましくは、前記第1の埋め込み酸化膜を形成工程におけるSiH4/N2Oガス流量比は、1/250〜1/100の範囲内である。
また、熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する前記工程が、2回の熱酸化工程を含むことが好ましい。すなわち、第1の埋め込み酸化膜は、トレンチコーナー部の電界集中を抑止するための丸め酸化を目的として前フッ酸処理とその後の酸化処理とを複数回繰り返して形成することが望ましいが、回数が多すぎるとパッド酸化膜がサイドエッチされることによるパターン異常が発生するため、2回が好ましい。
さらに、前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程における成膜温度が、700〜820℃の範囲内であることが好ましい。
また、この発明の半導体装置のトレンチ素子分離方法は、前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第1の埋め込み酸化膜形成後に第1の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含んでもよい。前記熱処理工程の温度が、900〜1100℃であることが好ましい。第1の埋め込み酸化膜を緻密化することによって、その後の工程で窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する際の第1の埋め込み酸化膜のエッチングレートを低くし、窒化膜とパッド酸化膜とに対するエッチング比を高くすることができる。
また、この発明の半導体装置のトレンチ素子分離方法は、前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第1の埋め込み酸化膜形成後に第1の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含んでもよい。前記熱処理工程の温度が、900〜1100℃であることが好ましい。第1の埋め込み酸化膜を緻密化することによって、その後の工程で窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する際の第1の埋め込み酸化膜のエッチングレートを低くし、窒化膜とパッド酸化膜とに対するエッチング比を高くすることができる。
さらにまた、前記第2の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第2の埋め込み酸化膜形成後に第2の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含むことが望ましい。前記熱処理工程の温度が、900〜1100℃であってもよい。すなわち、第1の埋め込み酸化膜形成後、高密度プラズマ(HDP)酸化膜でトレンチ領域を完全に埋め込む場合、ディボットの発生抑止と素子分離特性を向上させるためにHDP酸化膜形成前後に酸化膜の緻密化を目的とした高温熱処理を加えることが望ましい。第2の埋め込み酸化膜を緻密化することによって、その後の工程で窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する際の第2の埋め込み酸化膜のエッチングレートを低くし、窒化膜とパッド酸化膜とに対するエッチング比を高くすることができる。
尚、ライナー膜にはHDP酸化膜形成に使用するSiH4系のガスを用いたHTO酸化膜を使用するため、窒化膜やSiH2Cl2やTEOSを用いた酸化膜よりもトレンチ内の酸化膜質をほぼ一定にし、電気的にも形状的にも安定したトレンチ素子分離構造を形成することが可能になると考えられる。
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
(実施の形態)
図1は、トレンチ分離構造の作成方法の実施形態を示す各工程における断面図である。
まず、図1(a)に示すように、シリコン基板1上に厚さ約10nmのパッド酸化膜2及び厚さ約160nmの窒化膜3を形成し、フォトリソグラフィによりレジストパターン4を形成する。
次に、図1(b)に示すように、レジストパターン4を用いて、ドライエッチングによりトレンチマスクパターンを形成する。
(実施の形態)
図1は、トレンチ分離構造の作成方法の実施形態を示す各工程における断面図である。
まず、図1(a)に示すように、シリコン基板1上に厚さ約10nmのパッド酸化膜2及び厚さ約160nmの窒化膜3を形成し、フォトリソグラフィによりレジストパターン4を形成する。
次に、図1(b)に示すように、レジストパターン4を用いて、ドライエッチングによりトレンチマスクパターンを形成する。
次に、図1(c)に示すように、トレンチマスクパターンを用いて、シリコン基板1をドライエッチングし、深さ約200nmのトレンチ5を形成する。
次に、図1(d)に示すように、丸め酸化を2回行い、トレンチ5の側壁及び底部に厚さ約20nmの熱酸化膜6を形成する。この丸め酸化の目的は、トランジスタがシリコン基板上に作成された場合に、トレンチコーナー部21に電界が集中し、トランジスタ特性を劣化させることを避けるためである。
次に、図1(d)に示すように、丸め酸化を2回行い、トレンチ5の側壁及び底部に厚さ約20nmの熱酸化膜6を形成する。この丸め酸化の目的は、トランジスタがシリコン基板上に作成された場合に、トレンチコーナー部21に電界が集中し、トランジスタ特性を劣化させることを避けるためである。
次に図1(e)に示すように、第1の埋め込み酸化膜として、SiH4/N2Oガスを用いてSiH4/N2Oガス流量比が1/70以下の条件で、700〜800℃程度の減圧CVD(HTO)法により、厚さ約20nmのライナー酸化膜11を形成する。このときの成膜圧は、0.5〜1.0Torr程度である。この場合、ライナー酸化膜11の厚さは、酸化膜がトレンチ5内に成膜されたときに、トレンチ5の内部が完全に埋め込まれず、トレンチ5内に空洞が残るようにする。このためには、ライナー酸化膜11の厚さは、トレンチ分離幅にも依るが、5〜50nmが望ましい。この時、SiH4/N2Oガス流量比を1/70以下の条件を使用しているため、SiH4の気相反応が抑制され、微小異物の発生は無い。
ここで、ライナー酸化膜を緻密化によるウェットエッチングレートの低下を目的に900〜1100℃程度のN2等の不活性ガス雰囲気で60min程度の高温アニールを行っても良い。
ここで、ライナー酸化膜を緻密化によるウェットエッチングレートの低下を目的に900〜1100℃程度のN2等の不活性ガス雰囲気で60min程度の高温アニールを行っても良い。
次に図1(f)に示すように、トレンチ領域5が完全に埋め込まれるように、第2の埋め込み酸化膜として、SiH4ガスを使用してHDP酸化膜を約500nm形成する。この時、ライナー酸化膜11には微小異物の発生が無いため、HDP酸化膜はボイドを発生させること無く、トレンチ領域5に完全に埋め込むことが可能である。
次に、HDP酸化膜を緻密化によるウェットエッチングレートの低下を目的に900〜1100℃程度のN2等の不活性ガス雰囲気で60min程度の高温アニールを行う。
次に、HDP酸化膜を緻密化によるウェットエッチングレートの低下を目的に900〜1100℃程度のN2等の不活性ガス雰囲気で60min程度の高温アニールを行う。
次に、図1(g)に示すように、窒化膜3をストッパーとして、CMP処理して、HDP酸化膜7及びライナー酸化膜11の上部を除去する。
最後に、図(h)に示すように、窒化膜3をリン酸によるウェットエッチングにより除去し、ライナー酸化膜11及びHDP酸化膜7の上部及びパッド酸化膜2をフッ酸によるウェットエッチングにより除去する。この時、ライナー酸化膜11及びHDP酸化膜7は同種の膜組成で形成されているため、ウェットエッチングによるディボット及び形状異常が発生しない。
最後に、図(h)に示すように、窒化膜3をリン酸によるウェットエッチングにより除去し、ライナー酸化膜11及びHDP酸化膜7の上部及びパッド酸化膜2をフッ酸によるウェットエッチングにより除去する。この時、ライナー酸化膜11及びHDP酸化膜7は同種の膜組成で形成されているため、ウェットエッチングによるディボット及び形状異常が発生しない。
ここで、発明者らは、この発明の効果を確認するため、図1について同様の方法により3種類のシリコンウェハを評価サンプルとして製作し、市販の欠陥検査測定装置を用いて、ウェハ内欠陥数(形状異常)を調査した。
その結果を表1に示す。
その結果を表1に示す。
表1から、欠陥数はSiH4/N2O流量比が小さくなるほど減少し、前記流量比1/50の条件下では73個あった欠陥が、前記流量比1/71.4の条件下では実質上十分少ない5個の欠陥にまで減少し、前記流量比1/100の条件下では0個、即ち完全に発生が抑制されている。上記の結果より、好ましくはSiH4/N2O流量比が1/70以下、より好ましくは1/100以下である。しかし、流量比を下げると異物の付着を抑制する観点からは好ましいが、成膜速度が遅くなるので成膜に時間を要して経済的に不利になる。量産を考慮した場合、ガス流量コントローラーで制御可能な1/500が前記流量比の下限であり、より成膜速度が早いのは1/250の流量比である。
1 シリコン基板
2 パッド酸化膜
3 窒化膜
4 フォトレジスト
5 トレンチ領域
6 熱酸化膜
7 HDP酸化膜、第2の埋め込み酸化膜
8 ディボット
11 ライナー酸化膜、第1の埋め込み酸化膜
12 微小異物
13 ボイド
21 トレンチコーナー部
2 パッド酸化膜
3 窒化膜
4 フォトレジスト
5 トレンチ領域
6 熱酸化膜
7 HDP酸化膜、第2の埋め込み酸化膜
8 ディボット
11 ライナー酸化膜、第1の埋め込み酸化膜
12 微小異物
13 ボイド
21 トレンチコーナー部
Claims (7)
- 半導体基板上にパッド酸化膜と窒化膜とを順次形成した後に選択的に除去してマスクパターンを形成し、形成したマスクパターンを用いて半導体基板にトレンチ領域を形成する工程と、
熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する工程と、
トレンチ領域を含む半導体基板上にSiH4/N2Oガスを用いた熱CVD法でトレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚の第1の埋め込み酸化膜を形成する工程と、
残された前記トレンチ領域の空洞部を埋め込むように、HDPプラズマCVD法で第2の埋め込み酸化膜であるプラズマ酸化膜を形成する工程と、
前記窒化膜をストッパーとして前記第1及び第2の埋め込み酸化膜の上部をCMP法(化学機械研磨)により除去した後に前記窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する工程とを備え、
前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるSiH4/N2Oガス流量比を、第1の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にすることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離方法。 - 前記第1の埋め込み酸化膜を形成工程におけるSiH4/N2Oガス流量比が、1/500〜1/70の範囲内である請求項1記載のトレンチ素子分離方法。
- より好ましくは、前記第1の埋め込み酸化膜を形成工程におけるSiH4/N2Oガス流量比が、1/250〜1/100の範囲内である請求項1記載のトレンチ素子分離方法。
- 前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程における成膜温度が、700〜820℃の範囲内である請求項2または3記載のトレンチ素子分離方法。
- 熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する前記工程が、2回の熱酸化工程を含む請求項1記載のトレンチ素子分離方法。
- 前記第1の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第1の埋め込み酸化膜形成後に第1の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含むことを特徴とする請求項1記載のトレンチ素子分離方法。
- 前記第2の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第2の埋め込み酸化膜形成後に第2の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含むことを特徴とする請求項1記載のトレンチ素子分離方法。
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