JP2000031261A - 半導体装置のトレンチ隔離形成方法 - Google Patents
半導体装置のトレンチ隔離形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トレンチ形成時に生じるライナくぼみの発生
を最小化したり防止できる半導体装置のトレンチ隔離形
成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１００がエッチングされてト
レンチが形成された後、トレンチ形成時に発生した表面
損傷を除去するためにトレンチの両側壁及び下部面に熱
酸化膜１０８が形成され、第１絶縁膜の両側壁と熱酸化
膜上にトレンチライナ１１０が形成される。そして、ト
レンチライナ上に第３絶縁膜１１２が形成された後、第
１絶縁膜の表面が露出するまで第２絶縁膜とトレンチラ
イナ１１０が平坦にエッチングされ、第１絶縁膜とトレ
ンチライナ１１０が乾式エッチングで除去される。この
ような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ
形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率
の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ラ
イナくぼみを防止できる。
を最小化したり防止できる半導体装置のトレンチ隔離形
成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板１００がエッチングされてト
レンチが形成された後、トレンチ形成時に発生した表面
損傷を除去するためにトレンチの両側壁及び下部面に熱
酸化膜１０８が形成され、第１絶縁膜の両側壁と熱酸化
膜上にトレンチライナ１１０が形成される。そして、ト
レンチライナ上に第３絶縁膜１１２が形成された後、第
１絶縁膜の表面が露出するまで第２絶縁膜とトレンチラ
イナ１１０が平坦にエッチングされ、第１絶縁膜とトレ
ンチライナ１１０が乾式エッチングで除去される。この
ような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、トレンチ
形成用マスクとトレンチライナ１１０間のエッチング率
の差が起こらない乾式エッチングをすることにより、ラ
イナくぼみを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関するものであり、より詳しくは半導体装置のトレン
チ隔離形成方法に関するものである。
に関するものであり、より詳しくは半導体装置のトレン
チ隔離形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】素子が集積化することによって、浅いト
レンチ隔離(ｓｈａｌｌｏｗｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａ
ｔｉｏｎ:以下ＳＴＩ）の適用が活発になっており、特
に２５６Ｍ級以上の素子ではＳＴＩを利用したトランジ
スタ形成方法が台頭している。
レンチ隔離(ｓｈａｌｌｏｗｔｒｅｎｃｈ ｉｓｏｌａ
ｔｉｏｎ:以下ＳＴＩ）の適用が活発になっており、特
に２５６Ｍ級以上の素子ではＳＴＩを利用したトランジ
スタ形成方法が台頭している。
【０００３】図５乃至図８は、従来の半導体装置のトレ
ンチ隔離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
ンチ隔離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
【０００４】図５を参照すると、従来の半導体装置のト
レンチ隔離形成方法は、まず半導体基板１０上に絶縁膜
として第１酸化膜１２と窒化膜１４が順に形成される。
第１酸化膜１２は熱酸化膜(ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄ
ｅ ｌａｙｅｒ)であり、窒化膜１４はシリコン成分が
多く含まれたシリコンリッチ窒化膜(Ｓｉ−ｒｉｃｈＳ
ｉＮ)である。窒化膜１４上にトレンチ形成領域を定義
するためのフォトレジスト膜パターンが形成される(図
示せず)。
レンチ隔離形成方法は、まず半導体基板１０上に絶縁膜
として第１酸化膜１２と窒化膜１４が順に形成される。
第１酸化膜１２は熱酸化膜(ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄ
ｅ ｌａｙｅｒ)であり、窒化膜１４はシリコン成分が
多く含まれたシリコンリッチ窒化膜(Ｓｉ−ｒｉｃｈＳ
ｉＮ)である。窒化膜１４上にトレンチ形成領域を定義
するためのフォトレジスト膜パターンが形成される(図
示せず)。
【０００５】フォトレジスト膜パターンをマスクとして
用いて半導体基板１０の表面が露出するまで窒化膜１４
と第１酸化膜１２が順にエッチングされてパターニング
される。その次に、窒化膜１４をトレンチ形成用マスク
として用いて半導体基板１０をエッチングすることによ
りトレンチ１６が形成される。
用いて半導体基板１０の表面が露出するまで窒化膜１４
と第１酸化膜１２が順にエッチングされてパターニング
される。その次に、窒化膜１４をトレンチ形成用マスク
として用いて半導体基板１０をエッチングすることによ
りトレンチ１６が形成される。
【０００６】図６において、トレンチ形成のための半導
体基板１０のエッチング時に生じる損傷を補償するため
にトレンチ１６両側壁と下部面に第２酸化膜１８が形成
される。第２酸化膜１８は熱酸化膜である。
体基板１０のエッチング時に生じる損傷を補償するため
にトレンチ１６両側壁と下部面に第２酸化膜１８が形成
される。第２酸化膜１８は熱酸化膜である。
【０００７】第１酸化膜１２の両側壁と窒化膜１４と第
２酸化膜１８上に一定な厚さのトレンチライナ２０が薄
く形成される。トレンチライナ２０はシリコン窒化膜で
形成される。
２酸化膜１８上に一定な厚さのトレンチライナ２０が薄
く形成される。トレンチライナ２０はシリコン窒化膜で
形成される。
【０００８】トレンチライナ２０は、後続工程でトレン
チ１６の側壁と内部を酸化物質で充填する時、酸素が酸
化物質を通してトレンチの両側壁に移動することを防止
するための膜として用いられる。
チ１６の側壁と内部を酸化物質で充填する時、酸素が酸
化物質を通してトレンチの両側壁に移動することを防止
するための膜として用いられる。
【０００９】言い換えれば、シリコン窒化膜はトレンチ
内部を酸化物質で充填した後、酸化(ｏｘｉｄａｔｉｏ
ｎ)工程によりトレンチ側壁が酸化することによって酸
化物質の体積膨脹による漏洩電流により素子のリフレッ
シュ(ｒｅｆｒｅｓｈ)機能が低下することを防止するた
めの膜である。
内部を酸化物質で充填した後、酸化(ｏｘｉｄａｔｉｏ
ｎ)工程によりトレンチ側壁が酸化することによって酸
化物質の体積膨脹による漏洩電流により素子のリフレッ
シュ(ｒｅｆｒｅｓｈ)機能が低下することを防止するた
めの膜である。
【００１０】トレンチライナ２０によってトレンチ形成
後、酸化工程時トレンチ内部の酸化物質を通して酸素が
トレンチ側壁に到達できなくなる。
後、酸化工程時トレンチ内部の酸化物質を通して酸素が
トレンチ側壁に到達できなくなる。
【００１１】次には、アクティブ領域間の絶縁領域即
ち、トレンチ隔離を形成するためにトレンチライナ２０
上にトレンチ１６を充填するように第３酸化膜２２が厚
く形成される。第３酸化膜２２は、ＵＳＧ(ｕｎｄｏｐ
ｅｄ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ)膜である。
ち、トレンチ隔離を形成するためにトレンチライナ２０
上にトレンチ１６を充填するように第３酸化膜２２が厚
く形成される。第３酸化膜２２は、ＵＳＧ(ｕｎｄｏｐ
ｅｄ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ)膜である。
【００１２】図７を参照すると、第２酸化膜１８の一部
厚さが露出するまで第３酸化膜２２がＣＭＰ(ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｍｅｃａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)
工程で平坦にエッチングされる。
厚さが露出するまで第３酸化膜２２がＣＭＰ(ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｍｅｃａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)
工程で平坦にエッチングされる。
【００１３】最後に、図８において、トレンチ形成用マ
スクである窒化膜１４が湿式エッチング工程で除去され
る。湿式エッチングはリン酸(Ｈ3ＰＯ4)溶液で遂行され
る。
スクである窒化膜１４が湿式エッチング工程で除去され
る。湿式エッチングはリン酸(Ｈ3ＰＯ4)溶液で遂行され
る。
【００１４】上述のように、リフレッシュ機能を改善す
るためにトレンチの両側壁と底にトレンチライナを形成
すると、窒化膜１４のエッチング時にトレンチ形成用マ
スクである窒化膜１４とトレンチライナの一部が同時に
エッチングされる問題が生じる。
るためにトレンチの両側壁と底にトレンチライナを形成
すると、窒化膜１４のエッチング時にトレンチ形成用マ
スクである窒化膜１４とトレンチライナの一部が同時に
エッチングされる問題が生じる。
【００１５】これは窒化膜１４であるシリコンリッチ窒
化膜がトレンチライナであるシリコン窒化膜に比べてエ
ッチング率が１/３程度に小さいためである。即ち、窒
化膜１４の湿式エッチング時にトレンチライナが窒化膜
１４よりエッチングが３倍程度速くなる。
化膜がトレンチライナであるシリコン窒化膜に比べてエ
ッチング率が１/３程度に小さいためである。即ち、窒
化膜１４の湿式エッチング時にトレンチライナが窒化膜
１４よりエッチングが３倍程度速くなる。
【００１６】従って、アクティブ領域とトレンチ隔離間
のトレンチライナがオーバーエッチングされてライナく
ぼみ(ｌｉｎｅｒ ｄｅｎｔ)２４が生じることになる。
のトレンチライナがオーバーエッチングされてライナく
ぼみ(ｌｉｎｅｒ ｄｅｎｔ)２４が生じることになる。
【００１７】ライナくぼみ２４のような損傷は、トレン
チ隔離が形成された後の後続ゲート電極の形成時ライナ
くぼみ２４部分のゲート酸化膜成長が揃わず、ライナく
ぼみ２４部分にゲートポリシリコンのエッチング時ポリ
シリコンが一部残っていることになる。それによってゲ
ート電極形成工程時ショット失敗(ｓｈｏｒｔ ｆａｉ
ｌ）が生じることになる。
チ隔離が形成された後の後続ゲート電極の形成時ライナ
くぼみ２４部分のゲート酸化膜成長が揃わず、ライナく
ぼみ２４部分にゲートポリシリコンのエッチング時ポリ
シリコンが一部残っていることになる。それによってゲ
ート電極形成工程時ショット失敗(ｓｈｏｒｔ ｆａｉ
ｌ）が生じることになる。
【００１８】また、トレンチライナ１８の場合、厚く蒸
着するほど素子のリフレッシュ機能は向上する反面、ラ
イナくぼみ現像が深化する問題が生じるためにライナ窒
化膜を６０Å以上の厚さで形成することは不可能であ
る。
着するほど素子のリフレッシュ機能は向上する反面、ラ
イナくぼみ現像が深化する問題が生じるためにライナ窒
化膜を６０Å以上の厚さで形成することは不可能であ
る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の諸般
問題点を解決するため提案されたものであって、トレン
チ形成時に生じるライナくぼみの発生を最小化したり防
止できる半導体装置のトレンチ隔離形成方法を提供する
ことを目的とする。
問題点を解決するため提案されたものであって、トレン
チ形成時に生じるライナくぼみの発生を最小化したり防
止できる半導体装置のトレンチ隔離形成方法を提供する
ことを目的とする。
【００２０】
【課題の解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの本発明によると、半導体装置のトレンチ隔離形成方
法は、半導体基板上に形成された第１絶縁膜をエッチン
グしてトレンチ形成領域を定義するマスクパターンを形
成する段階と、マスクパターンをマスクとして用いて半
導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
トレンチ形成時に生じた表面損傷を除去するためにトレ
ンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜を形成する段階と、
第１絶縁膜の両側壁と熱酸化膜上にトレンチライナを形
成する段階と、トレンチライナ上に第２絶縁膜を形成す
る段階と、第１絶縁膜の表面が露出するまで第２絶縁膜
とトレンチライナを平坦にエッチングする段階と、半導
体基板の表面が露出するまで第１絶縁膜とトレンチライ
ナを乾式エッチングで除去する段階とを含む。
めの本発明によると、半導体装置のトレンチ隔離形成方
法は、半導体基板上に形成された第１絶縁膜をエッチン
グしてトレンチ形成領域を定義するマスクパターンを形
成する段階と、マスクパターンをマスクとして用いて半
導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
トレンチ形成時に生じた表面損傷を除去するためにトレ
ンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜を形成する段階と、
第１絶縁膜の両側壁と熱酸化膜上にトレンチライナを形
成する段階と、トレンチライナ上に第２絶縁膜を形成す
る段階と、第１絶縁膜の表面が露出するまで第２絶縁膜
とトレンチライナを平坦にエッチングする段階と、半導
体基板の表面が露出するまで第１絶縁膜とトレンチライ
ナを乾式エッチングで除去する段階とを含む。
【００２１】図４を参照すると、本発明の実施例による
新規した半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、半導体
基板がエッチングされてトレンチが形成された後、トレ
ンチ形成時生じた表面損傷を除去するためにトレンチの
両側壁及び下部面に熱酸化膜が形成され、第１絶縁膜の
両側壁と熱酸化膜上にトレンチライナが形成される。そ
して、トレンチを含んでトレンチライナ上に絶縁膜が形
成された後、第１絶縁膜の表面が露出される時まで第２
絶縁膜とトレンチライナが平坦にエッチングされ、第１
絶縁膜とトレンチライナが乾式エッチングで除去され
る。このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、
トレンチ形成用マスクであるシリコンリッチ窒化膜とト
レンチライナであるシリコン窒化膜間のエッチング率差
がない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみ
を防止でき、トレンチライナを厚く形成することがで
き、従って、素子のリフレッシュ機能を向上できる。
新規した半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、半導体
基板がエッチングされてトレンチが形成された後、トレ
ンチ形成時生じた表面損傷を除去するためにトレンチの
両側壁及び下部面に熱酸化膜が形成され、第１絶縁膜の
両側壁と熱酸化膜上にトレンチライナが形成される。そ
して、トレンチを含んでトレンチライナ上に絶縁膜が形
成された後、第１絶縁膜の表面が露出される時まで第２
絶縁膜とトレンチライナが平坦にエッチングされ、第１
絶縁膜とトレンチライナが乾式エッチングで除去され
る。このような半導体装置のトレンチ隔離形成方法は、
トレンチ形成用マスクであるシリコンリッチ窒化膜とト
レンチライナであるシリコン窒化膜間のエッチング率差
がない乾式エッチングをすることにより、ライナくぼみ
を防止でき、トレンチライナを厚く形成することがで
き、従って、素子のリフレッシュ機能を向上できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図１乃至図４を参照して本
発明の実施例を詳しく説明する。
発明の実施例を詳しく説明する。
【００２３】図１乃至図４は、本発明の実施例による半
導体装置のトレンチ隔離形成方法の工程を順次的に示す
流れ図である。
導体装置のトレンチ隔離形成方法の工程を順次的に示す
流れ図である。
【００２４】図１を参照すると、本発明の半導体装置の
トレンチ隔離形成方法は、まず半導体基板１００上に第
１酸化膜１０２が形成される。第１酸化膜１０２は熱酸
化膜(ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ)であり、１
６０Å乃至２００Åの厚さ範囲で形成される。
トレンチ隔離形成方法は、まず半導体基板１００上に第
１酸化膜１０２が形成される。第１酸化膜１０２は熱酸
化膜(ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ)であり、１
６０Å乃至２００Åの厚さ範囲で形成される。
【００２５】第１酸化膜１０２上に窒化膜１０４が形成
される。窒化膜１０４は窒化膜１０４によりアクティブ
領域が受けるストレスを減少させるためにシリコン成分
が多く含まれたシリコンリッチ窒化膜で形成される。
される。窒化膜１０４は窒化膜１０４によりアクティブ
領域が受けるストレスを減少させるためにシリコン成分
が多く含まれたシリコンリッチ窒化膜で形成される。
【００２６】そして、窒化膜１０４上にトレンチ形成領
域を定義するためのフォトレジスト膜パターンが形成さ
れる(図示せず)。フォトレジスト膜パターンをトレンチ
形成領域を定義するためのマスクとして用いて半導体基
板１００の表面が露出するまで窒化膜１０４と第１酸化
膜１０２が順にエッチングされてパターニングされる。
次に、フォトレジスト膜パターンが灰化(ａｓｈｉｎｇ)
工程で除去される。
域を定義するためのフォトレジスト膜パターンが形成さ
れる(図示せず)。フォトレジスト膜パターンをトレンチ
形成領域を定義するためのマスクとして用いて半導体基
板１００の表面が露出するまで窒化膜１０４と第１酸化
膜１０２が順にエッチングされてパターニングされる。
次に、フォトレジスト膜パターンが灰化(ａｓｈｉｎｇ)
工程で除去される。
【００２７】窒化膜１０４をトレンチ形成用マスクとし
て用いて半導体基板１００をエッチングすることにより
トレンチ１０６が形成される。
て用いて半導体基板１００をエッチングすることにより
トレンチ１０６が形成される。
【００２８】図２において、トレンチ１０６の両側壁と
下部面に第２酸化膜１０８が形成される。第２酸化膜１
０８は熱酸化工程で形成された熱酸化膜である。熱酸化
膜はトレンチ１０６のエッチング工程時に基板に生じた
損傷を修復するための膜である。
下部面に第２酸化膜１０８が形成される。第２酸化膜１
０８は熱酸化工程で形成された熱酸化膜である。熱酸化
膜はトレンチ１０６のエッチング工程時に基板に生じた
損傷を修復するための膜である。
【００２９】第１酸化膜１０２の両側壁と窒化膜１０４
と第２酸化膜１０８上にトレンチライナ１１０が一定な
厚さで形成される。トレンチライナ１１０はシリコン窒
化膜で形成される。
と第２酸化膜１０８上にトレンチライナ１１０が一定な
厚さで形成される。トレンチライナ１１０はシリコン窒
化膜で形成される。
【００３０】トレンチライナ１１０は、トレンチ隔離形
成後酸化工程で酸素(Ｏ2)がトレンチの内部を充填する
酸化膜質を通してトレンチ側壁を酸化させることを防止
するための膜である。トレンチ側壁に酸化が生じると、
これによるトレンチ側壁の体積増加でトレンチ側壁が応
力(ｓｔｒｅｓｓ)を受けることになってシリコンのディ
スロケーション(ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ)を誘発する場
合がある。
成後酸化工程で酸素(Ｏ2)がトレンチの内部を充填する
酸化膜質を通してトレンチ側壁を酸化させることを防止
するための膜である。トレンチ側壁に酸化が生じると、
これによるトレンチ側壁の体積増加でトレンチ側壁が応
力(ｓｔｒｅｓｓ)を受けることになってシリコンのディ
スロケーション(ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ)を誘発する場
合がある。
【００３１】次に、トレンチライナ１１０上にトレンチ
１０６を充填するように第３酸化膜１１２が形成され
る。第３酸化膜１１２はＵＳＧ膜で形成される。
１０６を充填するように第３酸化膜１１２が形成され
る。第３酸化膜１１２はＵＳＧ膜で形成される。
【００３２】図３を参照すると、窒化膜１０４の表面が
露出するまで第３酸化膜１１２とトレンチライナ１１０
が平坦にエッチングされる。エッチングはＣＭＰ工程で
遂行される。この際、窒化膜１０４の一部厚さが除去さ
れる(図示せず)。
露出するまで第３酸化膜１１２とトレンチライナ１１０
が平坦にエッチングされる。エッチングはＣＭＰ工程で
遂行される。この際、窒化膜１０４の一部厚さが除去さ
れる(図示せず)。
【００３３】そして、第３酸化膜１１２は、エッチング
率の差により窒化膜１０４の下部分までエッチングされ
る。これは、後続工程で窒化膜１０４のエッチングを容
易にする。
率の差により窒化膜１０４の下部分までエッチングされ
る。これは、後続工程で窒化膜１０４のエッチングを容
易にする。
【００３４】図４において、半導体基板１００の表面が
露出するまで窒化膜１０４とトレンチライナ１１０がア
クティブ領域の半導体基板１００の損傷(ｄａｍａｇｅ)
を防止するために乾式エッチングで除去される。従来、
湿式エッチングで除去し、窒化膜１０４の除去時にトレ
ンチライナ１１０が湿式エッチング溶液即ち、リン酸
(Ｈ3ＰＯ4)で窒化膜１０４に比べて早くエッチングされ
てライナくぼみが生じていた。
露出するまで窒化膜１０４とトレンチライナ１１０がア
クティブ領域の半導体基板１００の損傷(ｄａｍａｇｅ)
を防止するために乾式エッチングで除去される。従来、
湿式エッチングで除去し、窒化膜１０４の除去時にトレ
ンチライナ１１０が湿式エッチング溶液即ち、リン酸
(Ｈ3ＰＯ4)で窒化膜１０４に比べて早くエッチングされ
てライナくぼみが生じていた。
【００３５】しかし、本発明では乾式エッチングで除去
することによりシリコン(Ｓｉ)含量によるシリコン窒化
膜間のエッチング率差がないためライナくぼみが生じな
い。従って、トレンチライナ１１０の厚さを従来の６０
Åより厚く形成でき、リフレッシュ機能を向上させるこ
とになる。
することによりシリコン(Ｓｉ)含量によるシリコン窒化
膜間のエッチング率差がないためライナくぼみが生じな
い。従って、トレンチライナ１１０の厚さを従来の６０
Åより厚く形成でき、リフレッシュ機能を向上させるこ
とになる。
【００３６】乾式エッチングは、Ｃｌ2ガスで遂行され
る。この際、窒化膜１０４と半導体基板１００間の第１
酸化膜１０２上に半導体基板１００の損傷なく窒化膜１
０４を除去するために第１酸化膜１０２と窒化膜１０４
の選択比が３:１以上の条件を有する。
る。この際、窒化膜１０４と半導体基板１００間の第１
酸化膜１０２上に半導体基板１００の損傷なく窒化膜１
０４を除去するために第１酸化膜１０２と窒化膜１０４
の選択比が３:１以上の条件を有する。
【００３７】最後に、第１酸化膜１０２が湿式エッチン
グで除去されてトレンチ隔離が形成される。この際、第
３酸化膜１１２の一部は除去され、一部は残っているこ
とになる。
グで除去されてトレンチ隔離が形成される。この際、第
３酸化膜１１２の一部は除去され、一部は残っているこ
とになる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、トレンチ形成用マスクである
シリコンリッチ窒化膜とトレンチライナであるシリコン
窒化膜間のエッチング率の差がない乾式エッチングをす
ることにより、ライナくぼみを防止でき、トレンチライ
ナを厚く形成することができ、従って、素子のリフレッ
シュ機能を向上できる。
シリコンリッチ窒化膜とトレンチライナであるシリコン
窒化膜間のエッチング率の差がない乾式エッチングをす
ることにより、ライナくぼみを防止でき、トレンチライ
ナを厚く形成することができ、従って、素子のリフレッ
シュ機能を向上できる。
【図１】本発明の実施例による半導体装置のトレンチ隔
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
【図２】本発明の実施例による半導体装置のトレンチ隔
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
【図３】本発明の実施例による半導体装置のトレンチ隔
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
【図４】本発明の実施例による半導体装置のトレンチ隔
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
離形成方法の工程を順次的に示す流れ図である。
【図５】従来の半導体装置のトレンチ隔離形成方法の工
程を順次的に示す流れ図である
程を順次的に示す流れ図である
【図６】従来の半導体装置のトレンチ隔離形成方法の工
程を順次的に示す流れ図である。
程を順次的に示す流れ図である。
【図７】従来の半導体装置のトレンチ隔離形成方法の工
程を順次的に示す流れ図である。
程を順次的に示す流れ図である。
【図８】従来の半導体装置のトレンチ隔離形成方法の工
程を順次的に示す流れ図である。
程を順次的に示す流れ図である。
１０、１００ 半導体基板 １２、１０２ 第１酸化膜 １４、１０４ 窒化膜 １６、１０６ トレンチ １８、１０８ 第２酸化膜 ２０、１１０ トレンチライナ ２２、１１２ 第３酸化膜 ２４ ライナくぼみ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 崔 昶源 大韓民国ソウル市江東区城内洞419−13東 亜アパート101−1204 (72)発明者 洪 瑛基 大韓民国京幾道安山市城浦洞鮮京アパート 18−501
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された第１絶縁膜を
エッチングしてトレンチ形成領域を定義するマスクパタ
ーンを形成する段階と、 前記マスクパターンをマスクとして用いて前記半導体基
板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、 前記トレンチ形成時に生じた表面損傷を除去するために
前記トレンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜を形成する
段階と、 前記第１絶縁膜の側壁と前記熱酸化膜上にトレンチライ
ナを形成する段階と、 前記トレンチライナ上に第２絶縁膜を形成する段階と、 前記第１絶縁膜の表面が露出するまで前記第２絶縁膜及
びトレンチライナを平坦にエッチングする段階と、 前記半導体基板の表面が露出するまで前記第１絶縁膜及
びトレンチライナを乾式エッチングで除去する段階と、 を含むことを特徴とする半導体装置のトレンチ隔離形成
方法。 - 【請求項２】 前記第１絶縁膜はシリコンリッチ窒化膜
であり、前記トレンチライナはシリコン窒化膜であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のトレンチ
隔離形成方法。 - 【請求項３】 前記第２絶縁膜は、ＵＳＧ膜であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置のトレンチ隔
離形成方法。 - 【請求項４】 前記トレンチライナは６０Åより厚く形
成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の
トレンチ隔離形成方法。 - 【請求項５】 前記乾式エッチングは、Ｃｌ2ガスで遂
行されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
のトレンチ隔離形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980023854A KR100286127B1 (ko) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | 반도체 장치의 트렌치 격리 형성 방법 |
| KR1998P23854 | 1998-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031261A true JP2000031261A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=19540599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11172619A Pending JP2000031261A (ja) | 1998-06-24 | 1999-06-18 | 半導体装置のトレンチ隔離形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000031261A (ja) |
| KR (1) | KR100286127B1 (ja) |
| CN (1) | CN1239821A (ja) |
| TW (1) | TW559983B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429555B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2004-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트렌치형 소자분리막 형성방법 |
| JP2005086196A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の素子分離膜製造方法 |
| US7037803B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-05-02 | Fujitsu Limited | Manufacture of semiconductor device having STI and semiconductor device manufactured |
| US7589391B2 (en) | 2002-03-18 | 2009-09-15 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device with STI and its manufacture |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100698199B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2007-03-22 | 엘지전자 주식회사 | 전송 안테나 다이버시티 방법 |
| CN1327503C (zh) * | 2004-09-08 | 2007-07-18 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 增进浅槽隔离结构高度均匀性的方法 |
| US7514336B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-04-07 | Agere Systems Inc. | Robust shallow trench isolation structures and a method for forming shallow trench isolation structures |
-
1998
- 1998-06-24 KR KR1019980023854A patent/KR100286127B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-04-27 TW TW088106724A patent/TW559983B/zh active
- 1999-06-18 JP JP11172619A patent/JP2000031261A/ja active Pending
- 1999-06-24 CN CN99109273A patent/CN1239821A/zh active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7589391B2 (en) | 2002-03-18 | 2009-09-15 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device with STI and its manufacture |
| KR100429555B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2004-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트렌치형 소자분리막 형성방법 |
| US7037803B2 (en) | 2002-11-29 | 2006-05-02 | Fujitsu Limited | Manufacture of semiconductor device having STI and semiconductor device manufactured |
| JP2005086196A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の素子分離膜製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1239821A (zh) | 1999-12-29 |
| KR100286127B1 (ko) | 2001-04-16 |
| KR20000002887A (ko) | 2000-01-15 |
| TW559983B (en) | 2003-11-01 |
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