JP2006136086A - 電流検知方法と電流検知装置及びこの電流検知装置を用いた電力変換装置並びにこの電力変換装置を用いた車両 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電流検出の対象となるMOSFET1のソース−ドレイン間に第1の抵抗体2と第2の抵抗体3の直列回路を接続し、MOSFET1のオン電圧を第1の抵抗体2と第2の抵抗体3からなる電圧分圧回路により分圧されて検知回路4に取り込み、電流に換算してMOSFET1に通流する電流を検知するようにしたものにおいて、第1の抵抗体2と第2の抵抗体3からなる電圧分圧回路の電圧分圧比が温度により変化し、温度が上昇すると電圧分圧比が大きくなるようにしたもの。
【選択図】 図1
Description
図3は、第1の抵抗体2として抵抗器21を用い、第2の抵抗体3には、抵抗器31とサーミスタ32の直列回路を用いた場合の本発明の一実施形態で、このとき、サーミスタ32には負温度特性のものを用いている。
この具体例2は、同じく図3において、具体例1とは異なる抵抗値を用いた場合の例で、まず抵抗器21には、KOA(株)製角型チップ抵抗器(型式名 RK73H2BTTD2002F:抵抗値20.0KΩ)を用い、次に抵抗器31には、同じくKOA(株)製角型チップ抵抗器(型式名 RK73H2BTTD1002F:抵抗値10.0KΩ)を使用し、そして負温度特性のサーミスタ32には(株)芝浦電子製チップサーミスタ(形式名 KG3T-43)を使用した。
2:第1の抵抗体
20:第1の抵抗体の一部を形成するMOSFET
21:第1の抵抗体の一部を形成する抵抗器
3:第2の抵抗体
30:第2の抵抗体の一部を形成するMOSFET
31:第2の抵抗体の一部を形成する抵抗器
32:第2の抵抗体の一部を形成する負温度特性のサーミスタ
33、34:第2の抵抗体の一部を形成するダイオード
4:検知回路(第2の抵抗体の両端電圧を検知し上位機器に伝達する回路)
Claims (19)
- MOSFETに通流する電流を検知するための電流検知方法において、
第1の抵抗体と第2の抵抗体の直列回路からなり、電圧分圧比が温度に依存して変化する電圧分圧回路により、前記MOSFETのソース−ドレイン間電圧を分圧して取り出し、電流に換算して前記MOSFETに通流する電流を検知することを特徴とする電流検知方法。 - 請求項1に記載の電流検知方法において、
前記第1の抵抗体の少なくとも一部の抵抗が、前記MOSFETのミラーMOSFETによるオン抵抗であることを特徴とする電流検知方法。 - 請求項1に記載の電流検知方法において、
前記第1の抵抗体の少なくとも一部が、正抵抗温度係数のサーミスタになっていることを特徴とする電流検知方法。 - 請求項1に記載の電流検知方法において、
前記第2の抵抗体が、負抵抗温度係数の抵抗体であることを特徴とする電流検知方法。 - 請求項1に記載の電流検知方法において、
前記第2の抵抗体の少なくとも一部が、負抵抗温度係数のサーミスタになっていることを特徴とする電流検知方法。 - 請求項1に記載の電流検知方法において、
前記MOSFETのオン抵抗値をRon、前記第1の抵抗体の抵抗値をR1、前記第2の抵抗体の抵抗値をR2としたとき、Ron *R2/(R1+R2)で表わされる温度変化率が、50℃以下の温度範囲においては5%以下で、50℃を越え200℃以下の温度範囲においては25%以下であることの何れかであることを特徴とする電流検知方法。 - 請求項1に記載の電流検知方法において、
前記直列回路が前記MOSFETとは別のMOSFETを含み、該別のMOSFETは前記MOSFETと同じタイミングでオンオフ制御されることを特徴とする電流検知方法。 - 請求項7に記載の電流検知方法において、
前記別のMOSFETによるオン抵抗は前記第1の抵抗体の少なくとも一部の抵抗を形成していることを特徴とする電流検知方法。 - MOSFETに通流する電流を検知するための電流検知装置において、
互いに抵抗温度係数を異にする第1の抵抗体と第2の抵抗体の直列回路からなり、電圧分圧比が温度に依存して変化するようにした電圧分圧回路を前記MOSFETのソース−ドレイン間に設け、
前記電圧分圧回路により取り出される電圧を電流に換算することにより、前記MOSFETに通流する電流を検知するように構成したことを特徴とする電流検知装置。 - 請求項9に記載の電流検知装置において、
前記第1の抵抗体の少なくとも一部が、前記MOSFETのミラーMOSFETによるオン抵抗で構成されていることを特徴とする電流検知装置。 - 請求項9に記載の電流検知装置において、
前記第1の抵抗体の少なくとも一部が、正抵抗温度係数のサーミスタで構成されていることを特徴とする電流検知装置。 - 請求項9に記載の電流検知装置において、
前記第2の抵抗体が、負抵抗温度係数の抵抗体で構成されていることを特徴とする電流検知装置。 - 請求項9に記載の電流検知装置において、
前記第2の抵抗体の少なくとも一部が、負抵抗温度係数のサーミスタで構成されていることを特徴とする電流検知装置。 - 請求項9に記載の電流検知装置において、
前記MOSFETのオン抵抗値をRon、前記第1の抵抗体の抵抗値をR1、前記第2の抵抗体の抵抗値をR2としたとき、Ron *R2/(R1+R2)で表わされる温度変化率が、50℃以下の温度範囲において5%以下で、50℃を越え200℃以下の温度範囲においては25%以下であることの何れかとなるように構成されていることを特徴とする電流検知装置。 - 請求項9に記載の電流検知装置において、
前記直列回路が前記MOSFETとは別のMOSFETを備え、該別のMOSFETは前記MOSFETと同じタイミングでオンオフ制御されるように構成されていることを特徴とする電流検知装置。 - 請求項15に記載の電流検知装置において、
前記別のMOSFETによるオン抵抗が前記第1の抵抗体の少なくとも一部の抵抗を形成するように構成されていることを特徴とする電流検知装置。 - 請求項10乃至請求項18に記載の何れか電流検知装置を備え、当該電流検知装置で検知した電流に基いて電流フィードバック制御を行なうように構成されていることを特徴とする電力変換装置。
- 請求項17に記載の電力変換装置において、
前記第1の抵抗体と前記第2の抵抗体に現れる電圧の比較により温度を検出し、温度保護が行なえるように構成したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項17又は請求項18に記載の電力変換装置が用いられていることを特徴とする車両。
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