JP2006120978A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体装置のパッシベーション膜とその上の絶縁層とを剥離しにくくする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド２１と、 パッド２１上に形成されたパッシベーション膜２２と、パッシベーション膜２２に形成され、パッド２１上に位置する第１の開口部と、パッシベーション膜２２上に形成された第１の凸部材２３と、パッシベーション膜２２上及び第１の凸部材２３上に形成された第１の絶縁層２４と、第１の絶縁層２４に形成され、第１の開口部上に位置する第２の開口部２４ａと、第１の絶縁層２４上に形成され、第１及び第２の開口部２４ａを介してパッド２１に接続する再配線２５とを具備する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。特に本発明は、パッシベーション膜とその上の絶縁層との剥離を抑制した半導体装置及びその製造方法に関する。また本発明は、再配線が形成された絶縁層と、再配線層を被覆する絶縁層との剥離を抑制した半導体装置及びその製造方法に関する。
図６は、従来の半導体装置を示す断面図である。この半導体装置には、ＷＬＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package）が適用されている。詳細には、シリコン基板１０１にはトランジスタ（図示せず）が形成されている。トランジスタ上には多層配線層１１０が形成されている。配線層の最上層にはＡｌ合金パッド１２１が形成されている。多層配線層１１０はパッシベーション膜１２２によって覆われている。パッシベーション膜１２２には、Ａｌ合金パッド１２１上に位置する開口部が形成されている。パッシベーション膜１２２上には、ポリイミド樹脂層１２４及び再配線１２５がこの順に積層している。ポリイミド樹脂層１２４には、Ａｌ合金パッド１２１上に位置する開口部が形成されている。再配線１２５は、この開口部に一部が埋め込まれることにより、Ａｌ合金パッド１２１に接続している。
再配線１２５上には、ソルダーレジスト層１２７が形成されている。ソルダーレジスト層１２７には、再配線１２５の一部上に位置する開口部が形成されている。この開口部には、ハンダボール１２８が埋め込まれている。このようにして、外部と接続する端子であるハンダボール１２８を、平面配置において、Ａｌ合金パッド１２１とは異なる場所に設けている。この構造は、シリコン基板１０１がウェハーの状態で形成され、その後、ダイシングライン１０１ａに沿ってシリコン基板１０１及びその上の層を分割することにより、半導体装置は個々のチップに分割される。（例えば特許文献１参照）
特開２００１−１４４２１７号公報（図７）
パッシベーション膜は、窒化シリコン膜若しくは窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜で形成される場合が多い。このため、ポリイミド層とパッシベーション膜の間には応力が生じやすい。応力が生じる場合、ポリイミド層がパッシベーション膜から剥離することにより、再配線とパッドとが剥離する可能性があった。
同様の作用により、ポリイミド層からソルダーレジスト層が乖離し、その結果、ハンダボールと再配線とが剥離する可能性があった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、パッシベーション膜とその上の絶縁層との剥離を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、再配線が形成された絶縁層と、再配線層を被覆する絶縁層との剥離を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記絶縁膜上及びパッド上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置する第１の開口部と、
前記パッシベーション膜上に形成された第１の凸部材と、
前記パッシベーション膜上及び前記第１の凸部材上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の開口部上に位置する第２の開口部と、
前記第１の絶縁層上に形成され、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続する再配線と、
を具備する。
この半導体装置によれば、第１の凸部材は、パッシベーション膜上に形成されている。従って、第１の凸部材は、アンカー効果により、パッシベーション膜と第１の絶縁層の界面に生じる応力を受け止め、パッシベーション膜と第１の絶縁層とを乖離しにくくすることができる。
第１の凸部材は金属で形成されているのが好ましい。この場合、パッシベーション膜と第１の凸部材の密着性は、パッシベーション膜と第１の絶縁層（例えばポリイミド樹脂）との密着性より高くすることができる。この場合、第１の凸部材は金属ペーストを用いて形成されていてもよい。
第１の凸部材は、パッシベーション膜の周辺部に形成されているのが好ましい。
第１の絶縁層上、及び再配線上に形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層に形成され、再配線上に位置する第３の開口部と、第３の開口部に埋め込まれ、再配線に接続する接続端子と、を更に具備していてもよい。接続端子は、例えばハンダボールである。
また、第１の絶縁層上に形成され、第２の絶縁層に覆われた第２の凸部材を更に具備してもよい。この場合、第２の凸部材は、アンカー効果により、第１の絶縁層と第２の絶縁層の界面に生じる応力を受け止め、第１の絶縁層と第２の絶縁層を乖離しにくくすることができる。
第２の凸部材は、再配線と同一材料で形成されていてもよい。この場合、第２の凸部材と再配線とを同一工程で形成することができる。
本発明に係る他の半導体装置は、半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記絶縁膜上及びパッド上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置する第１の開口部と、
前記パッシベーション膜上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の開口部上に位置する第２の開口部と、
前記第１の絶縁層上に形成され、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続する再配線と、
前記第１の絶縁層上に形成された凸部材と、
前記第１の絶縁層上、前記凸部材、及び前記再配線上に形成された第２の絶縁層と、
を具備する。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記絶縁膜上及びパッド上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する第１の開口部を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上に、第１の凸部材を形成する工程と、
前記パッシベーション膜及び前記第１の凸部材上に、前記第１の開口部上に位置する第２の開口部を有する第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続する再配線を形成する工程と、
を具備する。
第１の凸部材を形成する工程は、インクジェット機構を用いて金属ペーストをパッシベーション膜上に吐出する工程と、パッシベーション膜上の金属ペーストを焼成して第１の凸部材を形成する工程と、を具備してもよい。この場合、プラズマプロセスを用いなくても第１の凸部材を形成することができるため、第１の凸部材を形成するときに、半導体装置にプラズマダメージは加わらない。
再配線層を形成する工程は、第１の絶縁層上に、導電層を形成する工程と、導電層をパターニングすることにより、再配線及び第２の凸部材を形成する工程とを具備し、再配線層及び第２の凸部材を形成する工程の後に、第１の絶縁層上、再配線上、及び第２の凸部材上に、再配線上に位置する第３の開口部を有する第２の絶縁層を形成する工程と、第３の開口部内に接続端子を形成する工程とを具備してもよい。
再配線層を形成する工程の後に、第１の絶縁層上に第２の凸部材を形成する工程と、第１の絶縁層上、再配線上、及び第２の凸部材上に、再配線上に位置する第３の開口部を有する第２の絶縁層を形成する工程と、第３の開口部内に接続端子を形成する工程とを具備してもよい。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記絶縁膜上及び前記パッド上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する第１の開口部を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上に、前記第１の開口部上に第２の開口部を有する第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続する再配線、及び凸部材を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上、前記再配線上、及び前記凸部材上に、前記再配線上に位置する第３の開口部を有する第２の絶縁層を形成する工程と、
を具備する。
発明を実施するための形態
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）、図２の各図及び図３の各図は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のシリコン基板及び配線層を拡大した図である。本実施形態では、ウェハの状態のシリコン基板１に複数の半導体装置が形成され、その後、シリコン基板１が複数のチップに分割される。
まず、図１（Ｂ）の要部拡大図に示すように、ウェハの状態のシリコン基板１に素子分離膜２を形成し、複数の素子領域を相互に分離する。次いで、シリコン基板１を熱酸化することにより、素子領域にゲート酸化膜３を形成する。次いで、ゲート酸化膜３上を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングする。これにより、ゲート酸化膜３上にはゲート電極４が形成される。
次いで、ゲート電極４及び素子分離膜２をマスクとして、シリコン基板１に不純物を導入する。これにより、素子領域には低濃度不純物領域６ａ，６ｂが形成される。次いで、ゲート電極４上を含む全面上に酸化シリコン膜を堆積し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極４の側壁にはサイドウォール５が形成される。次いで、ゲート電極４、素子分離膜２及びサイドウォール５をマスクとして、シリコン基板１に不純物を導入する。これにより、素子領域には、ソース及びドレインとなる不純物領域７ａ，７ｂが形成される。このようにして、シリコン基板１には、半導体素子の一例であるトランジスタが複数形成される。
次いで、トランジスタ上を含む全面上に、酸化シリコンからなる層間絶縁膜１１を形成する。次いで、層間絶縁膜１１に、ゲート電極４上に位置する接続孔、及び不純物領域７ａ，７ｂそれぞれ上に位置する接続孔（図示せず）を形成する。次いで、接続孔それぞれの中及び層間絶縁膜１１上に、Ａｌ合金層を形成し、このＡｌ合金層をパターニングする。これにより、層間絶縁膜１１には、ゲート電極４に接続するＡｌ合金配線１３ａ、及び、不純物領域７ａ，７ｂそれぞれに接続するＡｌ合金配線１３ｂ，１３ｃが形成される。次いで、Ａｌ合金配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ上に、層間絶縁膜及びＡｌ合金配線層を繰り返し積層する。次いで、最上層の層間絶縁膜２０を形成する。このようにして、多層配線層１０が形成される。
次いで、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、多層配線層１０上にＡｌ合金膜を形成し、このＡｌ合金膜をパターニングする。これにより、多層配線層１０上には、複数のＡｌ合金配線（図示せず）及び複数のＡｌ合金パッド２１が形成される。Ａｌ合金パッド２１は、層間絶縁膜２０に形成された接続孔を介して、下層のＡｌ合金配線層（図示せず）に接続している。
次いで、多層配線層１０上及びＡｌ合金パッド２１上を含む全面上に、窒化シリコンからなるパッシベーション膜２２を形成する。次いで、パッシベーション膜２２上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜２２をエッチングする。これにより、パッシベーション膜２２には、Ａｌ合金パッド２１上に位置する開口部が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
次いで、図２（Ａ）に示すように、インクジェット機構５０を用いて金属ペーストをパッシベーション膜２２の一部上に吐出し、その後金属ペーストを焼成する。これにより、パッシベーション膜２２上には、第１の凸部材２３が形成される。第１の凸部材２３が形成される位置は、チップに分割された後において、パッシベーション膜２２の周辺部となる位置であるのが好ましい。ここで用いられる金属ペーストは、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ等の金属粒子を溶媒に分散させたものである。金属粒子の直径は、例えば２０ｎｍ以下である。またインクジェット機構５０は、例えばピエゾ素子を用いて金属ペーストをノズルから吐出させるものであるが、バブルジェット方式で金属ペーストをノズルから吐出させるものであってもよい。
次いで、図２（Ｂ）に示すように、スピンコート法を用いて、パッシベーション膜２２上及び第１の凸部材２３上を含む全面上に、ポリイミド樹脂層２４を形成する。次いで、ポリイミド樹脂層２４上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光および現像する。これにより、ポリイミド樹脂層２４上にはレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、パッシベーション膜２２の開口部上に、開口部を有している。次いで、レジストパターンをマスクとしてポリイミド樹脂層２４をエッチングする。これにより、ポリイミド樹脂層２４には、Ａｌ合金パッド２１上に位置する開口部２４ａが形成される。このとき、ダイシングライン１ａ上に位置するポリイミド樹脂層２４も除去される。その後、レジストパターンを除去する。
尚、ポリイミド樹脂層２４が感光性のポリイミド樹脂で形成されている場合、ポリイミド樹脂層２４上にレジストパターンを形成せずに、直接ポリイミド樹脂層２４を露光及び現像することにより、開口部２４ａを形成し、かつダイシングライン１ａ上に位置するポリイミド樹脂層２４を除去してもよい。
次いで、図２（Ｃ）に示すように、開口部２４ａを含むポリイミド樹脂層２４全面上にＴｉＷ層を形成し、さらにその上に、Ｃｕシード層を形成する。次いで、Ｃｕシード層上に、Ｃｕ層をメッキ法により形成する。
次いで、Ｃｕ層上にフォトレジスト膜（図示せず）を形成し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ｃｕ層上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてＣｕ層、Ｃｕシード層及びＴｉＷ層をエッチングする。これにより、ポリイミド樹脂層２４上には、ＴｉＷ層、Ｃｕシード層及びＣｕ層を積層した再配線２５、及び第２の凸部材２６が形成される。再配線２５は、一部が開口部２４ａ内に埋め込まれることにより、Ａｌ合金パッド２１に接続している。第２の凸部材２６が形成される位置は、チップに分割された後において、ポリイミド樹脂層２４の周辺部となる位置であるのが好ましい。その後、レジストパターンを除去する。
次いで、図３（Ａ）に示すように、再配線２５上及びポリイミド樹脂層２４上を含む全面上に、ソルダーレジスト層２７を、例えばスピンコート法により形成する。次いで、ソルダーレジスト層２７を露光及び現像する。これにより、ソルダーレジスト層２７には、再配線２５の一部上に位置する開口部２７ａが形成され、かつ、ダイシングライン１ａ上に位置するソルダーレジスト層２７が除去される。
次いで、開口部２７ａにハンダボール２８を配置し、このハンダボール２８をリフローする。これにより、ハンダボール２８は再配線２５に接続し、実装基板（図示せず）に接続するための端子として機能するようになる。
次いで、図３（Ｂ）に示すように、ダイシングライン１ａに沿って半導体装置を個々のチップに分割する。分割後の半導体装置において、第１の凸部材２３は半導体装置の周辺部に位置している。また、第１の凸部材２３とパッシベーション膜２２の密着性は、ポリイミド樹脂層２４とパッシベーション膜２２の密着性より高い。このため、第１の凸部材２３は、パッシベーション膜２２とポリイミド樹脂層２４の界面に働く応力を受け止めることができ、パッシベーション膜２２とポリイミド樹脂層２４の剥離を抑制することができる。
また、第２の凸部材２６とポリイミド樹脂層２４の密着性は、ソルダーレジスト層２７とポリイミド樹脂層２４の密着性より高い。このため、第２の凸部材２６は、ポリイミド樹脂層２４とソルダーレジスト層２７の界面に働く応力を受け止めることができ、ポリイミド樹脂層２４とソルダーレジスト層２７の剥離を抑制することができる。
図４（Ａ）は、第１の凸部材２３の平面形状の第１の例を説明する為の平面図である。本例において、第１の凸部材２３は、チップ分割後のパッシベーション膜２２の周辺部に沿って、ミシン目状に形成されている。また、チップ角部において、第１の凸部材２３は略Ｌ型になっている。
図４（Ｂ）は、第１の凸部材２３の平面形状の第２の例を説明する為の平面図である。本例において、第１の凸部材２３は、図４（Ａ）に示した位置に加えて、複数のＡｌ合金パッド２１の相互間にも複数形成されている。この場合、ポリイミド樹脂層２４とソルダーレジスト層２７は、第１の例よりも剥離しにくくなる。
図４（Ｃ）は、第１の凸部材２３の平面形状の第３の例を説明する為の平面図である。本例において、第１の凸部材２３は、チップ分割後のパッシベーション膜２２の周辺部に沿って２重に形成されている。一重目、２重目それぞれの第１の凸部材２３はミシン目状に形成されているが、互いの空洞部が重ならないように配置されている。この場合、ポリイミド樹脂層２４とソルダーレジスト層２７は、第１の例よりも剥離しにくくなる。
尚、第２の凸部材２６の平面形状は、図４（Ａ）〜（Ｃ）に示した第１の凸部材２３と同一であってもよいが、異なっていてもよい。
以上、第１の実施形態によれば、パッシベーション膜２２上に第１の凸部材２３を形成したため、パッシベーション膜２２とポリイミド樹脂層２４の界面に働く応力は、第１の凸部材２３によって受け止められ、パッシベーション膜２２とポリイミド樹脂層２４の剥離を抑制することができる。また、第１の凸部材２３はインクジェット機構５０を用いて金属ペーストを吐出することにより形成され、ドライエッチング処理が不要になる。このため、第１の凸部材２３を形成する際に、Ａｌ合金パッド２１にはプラズマダメージが加わらない。
また、ポリイミド樹脂層２４上に第２の凸部材２６を形成したため、ポリイミド樹脂層２４とソルダーレジスト層２７の界面に働く応力は、第２の凸部材２６によって受け止められ、ポリイミド樹脂層２４とソルダーレジスト層２７の剥離を抑制することができる。また、第２の凸部材２６は再配線２５と同一工程で形成されるため、工程数の増加を抑制することができる。
尚、ダイシングライン１ａ上には、多層配線層１０を形成しなくてもよい。このような構成は、例えば、層間絶縁膜それぞれに接続孔を形成するとき、及びＡｌ合金膜をパターニングしてＡｌ合金配線を形成するときそれぞれにおいて、ダイシングライン１ａ上に位置する層間絶縁膜及びＡｌ合金膜を除去することにより形成される。
図５の各図は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態は、第１の凸部材２３を形成する方法を除いて、第１の実施形態と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一に符号を付し、第１の凸部材２３を形成する工程を除いて説明を省略する。
図５（Ａ）に示すように、まず、パッシベーション膜２２全面上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、パッシベーション膜２２上にはレジストパターン４０が形成される。レジストパターン４０は、第１の凸部材２３が形成されるべき位置に、開口部４０ａを有する。
次いで、図５（Ｂ）に示すように、スキージを用いて開口部４０ａ内に金属ペーストを埋め込み、その後、開口部４０ａ内の金属ペーストを例えば２３０℃で一時間焼成する。
次いで、図５（Ｃ）に示すように、レジストパターン４０を除去する。このようにして、第１の凸部材２３が形成される。
この第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、複数の第１の凸部材２３を同一工程で形成することができるため、半導体装置の生産性が向上する。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、第１及び第２の実施形態において、第２の凸部材２６を第１の凸部材２３と同一の方法により形成してもよい。このようにすると、第２の凸部材２６を再配線２５より高くすることができる。
また、第１の凸部材２３，２６それぞれの形状は、上記した例に限定されるものではなく、例えば格子状、菱型、十字状、スリット状であってもよい。
（Ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の要部拡大図。 （Ａ）は図１（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。 （Ａ）は図２（Ｃ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。 （Ａ）は第１の凸部材２３の平面形状の第１の例を説明する為の平面図、（Ｂ）は第１の凸部材２３の平面形状の第２の例を説明する為の平面図、（Ｃ）は第１の凸部材２３の平面形状の第３の例を説明する為の平面図。 （Ａ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。 従来の半導体装置の断面図。
符号の説明
１，１０１…シリコン基板、１ａ，１０１ａ…ダイシングライン、２…素子分離膜、３…ゲート酸化膜、４…ゲート電極、５…サイドウォール、６ａ，６ｂ…低濃度不純物領域、７ａ，７ｂ…不純物領域、１０，１１０…多層配線層、１１，２０…層間絶縁膜、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…Ａｌ合金配線、２１，１２１…Ａｌ合金パッド、２２，１２２…パッシベーション膜、２３，２６…アンカー部材、２４，１２４…ポリイミド樹脂層、２４ａ，２７ａ，４０ａ…開口部、２５，１２５…再配線、２７，１２７…ソルダーレジスト層、２８，１２８…ハンダボール、４０…レジストパターン、５０…インクジェット機構

Claims (14)

  1. 半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成されたパッドと、
    前記絶縁膜上及びパッド上に形成されたパッシベーション膜と、
    前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置する第１の開口部と、
    前記パッシベーション膜上に形成された第１の凸部材と、
    前記パッシベーション膜上及び前記第１の凸部材上に形成された第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の開口部上に位置する第２の開口部と、
    前記第１の絶縁層上に形成され、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続された再配線と、
    を具備する半導体装置。
  2. 前記第１の凸部材は金属で形成されている請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記第１の凸部材は金属ペーストを用いて形成されている請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記第１の凸部材は、前記パッシベーション膜の周辺部に形成されている請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 前記第１の絶縁層上、及び前記再配線上に形成された第２の絶縁層と、
    前記第２の絶縁層に形成され、前記再配線上に位置する第３の開口部と、
    前記第３の開口部に埋め込まれ、前記再配線に接続する接続端子と、
    を更に具備する請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  6. 前記接続端子はハンダボールである請求項５に記載の半導体装置。
  7. 前記第１の絶縁層上に形成され、前記第２の絶縁層に覆われた第２の凸部材を更に具備する請求項５または６に記載の半導体装置。
  8. 前記第２の凸部材は、前記再配線と同一材料で形成されている請求項７に記載の半導体装置。
  9. 半導体基板の上方に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成されたパッドと、
    前記絶縁膜上及び前記パッド上に形成されたパッシベーション膜と、
    前記パッシベーション膜に形成され、前記パッド上に位置する第１の開口部と、
    前記パッシベーション膜上に形成された第１の絶縁層と、
    前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の開口部上に位置する第２の開口部と、
    前記第１の絶縁層上に形成され、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続する再配線と、
    前記第１の絶縁層上に形成された凸部材と、
    前記第１の絶縁層上、前記凸部材、及び前記再配線上に形成された第２の絶縁層と、
    を具備する半導体装置。
  10. 半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
    前記絶縁膜上及びパッド上にパッシベーション膜を形成する工程と、
    前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する第１の開口部を形成する工程と、
    前記パッシベーション膜上に、第１の凸部材を形成する工程と、
    前記パッシベーション膜及び前記第１の凸部材上に、前記第１の開口部上に位置する第２の開口部を有する第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層上に、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続する再配線を形成する工程と、
    を具備する半導体装置の製造方法。
  11. 前記第１の凸部材を形成する工程は、
    インクジェット機構を用いて金属ペーストを前記パッシベーション膜上に吐出する工程と、
    前記パッシベーション膜上の金属ペーストを焼成して前記第１の凸部材を形成する工程と、
    を具備する請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記再配線層を形成する工程は、
    前記第１の絶縁層上に、導電層を形成する工程と、
    前記導電層をパターニングすることにより、前記再配線及び第２の凸部材を形成する工程とを具備し、
    前記再配線層及び前記第２の凸部材を形成する工程の後に、
    前記第１の絶縁層上、前記再配線上、及び前記第２の凸部材上に、前記再配線上に位置する第３の開口部を有する第２の絶縁層を形成する工程と、
    前記第３の開口部内に接続端子を形成する工程と、
    を具備する請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前記再配線層を形成する工程の後に、
    前記第１の絶縁層上に第２の凸部材を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層上、前記再配線上、及び前記第２の凸部材上に、前記再配線上に位置する第３の開口部を有する第２の絶縁層を形成する工程と、
    前記第３の開口部内に接続端子を形成する工程と、
    を具備する請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
  14. 半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
    前記絶縁膜上及び前記パッド上にパッシベーション膜を形成する工程と、
    前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する第１の開口部を形成する工程と、
    前記パッシベーション膜上に、前記第１の開口部上に第２の開口部を有する第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層上に、前記第１及び第２の開口部を介して前記パッドに接続する再配線、及び凸部材を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層上、前記再配線上、及び前記凸部材上に、前記再配線上に位置する第３の開口部を有する第２の絶縁層を形成する工程と、
    を具備する半導体装置の製造方法。
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