JP2006120952A - Mis型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n+ソース領域4とnドリフト領域5との間のpベース領域の表面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極1が設けられたMIS型半導体装置において、n+ソース領域4、nドリフト領域5およびゲート電極1を上から見たときのゲート電極1の所々に、nドリフト領域5側には幅が広がらずに、n+ソース領域4側に幅が広がった複数の拡幅部2を設ける。そして、この拡幅部2において接続部3を介して、ゲート電極1を、ゲート電極1よりシート抵抗の低い材料よりなる配線に接続することによって、帰還容量として寄与するゲート−ドレイン間容量を増やしたり、耐圧とオン抵抗のトレードオフの悪化を招いたりすることなく、ゲート抵抗を低減する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるMIS型半導体装置を上から見たときのパターンを示す平面図である。図1において、符号1はゲート電極であり、符号2はゲート電極1の拡幅部である。符号3は、ゲート電極1と、その上の低抵抗配線との接続部である。符号4はn+ソース領域であり、符号5はnドリフト領域である。符号6はn+ドレイン領域であり、符号7はソース電極であり、符号8はドレイン電極である。
図3は、本発明の実施の形態2にかかるMIS型半導体装置を上から見たときのパターンを示す平面図である。図3に示すように、実施の形態2は、ゲート電極1が折れ曲がっており、ゲート電極1が、n+ソース領域4を外側とし、nドリフト領域5を内側として折れ曲がっている角部13に、拡幅部2をn+ソース領域4側にのみ張り出すように設けたものである。
図4は、本発明の実施の形態3にかかるMIS型半導体装置を上から見たときのパターンを示す平面図である。図4に示すように、実施の形態3は、隣り合う2本のゲート電極1の間に拡幅部2を島状に設け、2本のゲート電極1と拡幅部2とをそれぞれゲート電極1の、拡幅部2に連なる部分(以下、橋渡し部とする)15により接続することによって、一つの拡幅部2を2本のゲート電極1で共有するようにしたものである。
図7は、本発明の実施の形態4にかかるMIS型半導体装置を上から見たときのパターンを示す平面図である。図7に示すように、実施の形態4は、平面形状が例えば六角形状のセルを規則的に配置し、各セルでは、ゲート電極1の、例えば六角形のリング状をした部分の内側にnドリフト領域5を設け、外側にn+ソース領域4を設けたものである。そして、各セルのゲート電極1のリング状部分は、隣り合うセルのゲート電極1のリング状部分と、ゲート電極1の、例えば略三角形状をした島状の拡幅部2により接続されている。
図9は、本発明の実施の形態5にかかるMIS型半導体装置を上から見たときのパターンを示す平面図である。図9に示すように、実施の形態5は、実施の形態4において、各セルの平面形状を四角形状にしたものである。そして、各セルのゲート電極1のリング状部分は、隣り合うセルのゲート電極1のリング状部分に、ゲート電極1の橋渡し部15と拡幅部2を介して接続されている。橋渡し部15は、実施の形態3と同様に、本来のゲート電極1の幅よりも狭くなっており、それによってn+ソース領域4のスペースが確保されている。
2 拡幅部
3 接続部
4 n+ソース領域
5 nドリフト領域
9 pベース領域
11 ゲート絶縁膜
13 ゲート電極の角部
15 ゲート電極の、拡幅部に連なる部分
16 拡幅部の下の絶縁膜
Claims (5)
- 第1導電型のソース領域と第1導電型ドリフト領域との間の第2導電型のベース領域の表面上に絶縁膜を介してゲート電極が設けられたMIS型半導体装置において、
前記ソース領域、前記ドリフト領域および前記ゲート電極を上から見たときに、前記ゲート電極は、前記ドリフト領域側には幅が広がらずに、前記ソース領域側に幅が広がった複数の拡幅部を有し、該拡幅部において接続部を介して、前記ゲート電極よりシート抵抗の低い材料よりなる配線に接続していることを特徴とするMIS型半導体装置。 - 前記ゲート電極を上から見たときに、前記拡幅部は、複数箇所で折れ曲がる前記ゲート電極の角部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のMIS型半導体装置。
- 前記拡幅部は、隣り合う複数の前記ゲート電極により共有されていることを特徴とする請求項1または2に記載のMIS型半導体装置。
- 前記ゲート電極を上から見たときに、前記ゲート電極の、前記拡幅部に連なる部分は、前記拡幅部から離れた部分よりも狭くなっていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のMIS型半導体装置。
- 前記拡幅部の下に設けられた絶縁膜は、前記ゲート電極の、前記拡幅部以外の部分の下に設けられた絶縁膜よりも厚いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のMIS型半導体装置。
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JP2004308681A JP2006120952A (ja) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | Mis型半導体装置 |
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Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
JP2009071082A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2011121830A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2013179336A (ja) * | 2006-12-28 | 2013-09-09 | Marvell World Trade Ltd | 低オン抵抗のmosデバイス配置 |
JP2014072412A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
US8901646B2 (en) | 2012-01-03 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE102013104236B4 (de) * | 2012-11-16 | 2017-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum betreiben derseleben |
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2004
- 2004-10-22 JP JP2004308681A patent/JP2006120952A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013179336A (ja) * | 2006-12-28 | 2013-09-09 | Marvell World Trade Ltd | 低オン抵抗のmosデバイス配置 |
US9466596B2 (en) | 2006-12-28 | 2016-10-11 | Marvell World Trade Ltd. | Geometry of MOS device with low on-resistance |
JP2009071082A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2011121830A1 (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-06 | 住友電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP2011210834A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界効果トランジスタ |
US8624303B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-01-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Field effect transistor |
US8901646B2 (en) | 2012-01-03 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014072412A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
DE102013104236B4 (de) * | 2012-11-16 | 2017-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum betreiben derseleben |
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