JP2006114811A - 半導体レーザおよび光ディスク装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発振波長λの光に対して透明な半導体基板1と、半導体基板1上の、発振波長λの光に対して透明な下地半導体層2と、下地半導体層2上の第1のクラッド層5と、第1のクラッド層5上の活性層8と、活性層8上の第2のクラッド層13とを有する半導体レーザにおいて、第1のクラッド層5と半導体基板1との間に、nt=(1/4)λ(nは屈折率、tは厚さ)を満たす半導体層3を少なくとも一層設ける。
【選択図】 図1
Description
図8にこのGaN系半導体レーザの要部のエネルギーバンド図、特に伝導帯を示す。ここで、Ec は伝導帯の下端のエネルギーを示す。
このFFPに生じるスパイクについて詳細に説明する。
図9は、このGaN系半導体レーザの光場のシミュレーションを行うことにより求めたFFPを示す。ただし、このシミュレーションにおいては、各層の厚さを、n型AlGaN中間層103は70nm、n型AlGaNクラッド層104は1200nm、n型GaN光導波層105は12nm、InGaN光導波層106は15nm、活性層107の井戸層は3.5nm(井戸数は3)、障壁層は7nm、InGaN中間層108は24.5nm、アンドープAlGaN層109は30nm、p型AlGaN電子阻止層110は10.8nm、p型GaN光導波層111は12.3nm、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層112は400nmとした。n型GaN層102の厚さのみを変化させたところ、0.5μmの整数倍のとき、活性層107に対して垂直方向のFFPにスパイクが見られた。特に、n型GaN層102の厚さが2μmの整数倍のとき、例えば4μmのときには、図9に示すように、FFPに特に強いスパイクが見られた。
図10に、n型GaN層102の厚さが4μmのGaN系半導体レーザについて実際に測定したFFPの一例を示す。図10より、実際にFFPに強いスパイクが見られるのが分かる。
したがって、この発明が解決しようとする課題は、活性層に対して垂直方向の遠視野像にスパイクが発生するのを抑制することができ、遠視野像が良好でレーザ光の集光性に優れた半導体レーザおよびこれを光源に用いた光ディスク装置を提供することである。
発振波長λの光に対して透明な半導体基板と、
半導体基板上の、発振波長λの光に対して透明な下地半導体層と、
下地半導体層上の第1のクラッド層と、
第1のクラッド層上の活性層と、
活性層上の第2のクラッド層とを有する半導体レーザにおいて、
第1のクラッド層と半導体基板との間に、nt=(1/4)λ(nは屈折率、tは厚さ)を満たす半導体層を少なくとも一層有する
ことを特徴とする半導体レーザである。
光源に半導体レーザを用いた光ディスク装置において、
半導体レーザとして、
発振波長λの光に対して透明な半導体基板と、
半導体基板上の、発振波長λの光に対して透明な下地半導体層と、
下地半導体層上の第1のクラッド層と、
第1のクラッド層上の活性層と、
活性層上の第2のクラッド層とを有し、
第1のクラッド層と半導体基板との間に、nt=(1/4)λ(nは屈折率、tは厚さ)を満たす半導体層を少なくとも一層有する半導体レーザを用いた
ことを特徴とするものである。
光ディスク装置には、再生(読み出し)専用のもの、記録(書き込み)専用のもの、再生および記録が可能なもののいずれも含まれる。
図1はこの発明の第1の実施形態によるGaN系半導体レーザを示す。
図1に示すように、このGaN系半導体レーザにおいては、n型GaN基板1上にn型GaN層2、n型AlGaN層3、n型AlGaN中間層4、n型AlGaNクラッド層5、n型GaN光導波層6、InGaN光導波層7、アンドープのGa1-x Inx N(井戸層)/Ga1-y Iny N(障壁層、x>y)多重量子井戸構造の活性層8、アンドープのInGaN中間層9、アンドープAlGaN層10、p型AlGaN電子障壁層11、p型GaN光導波層12、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層13およびp型GaNコンタクト層14が順次積層されている。p型GaN/AlGaN超格子クラッド層13の上部およびp型GaNコンタクト層14には、一方向に直線状に延在してリッジが形成されている。このリッジの側面およびその外側の部分のp型GaN/AlGaN超格子クラッド層13上に延在してSiO2 膜15およびSi膜16からなる二層膜が形成されている。そして、このリッジを覆うように例えばPd/Pt/Au多層金属膜からなるp側電極17がp型GaNコンタクト層14にコンタクトして形成されている。
他の層の厚さは、例えば、n型GaN層2は3.8μm、n型AlGaN中間層4は70nm、n型AlGaNクラッド層5は1200nm、n型GaN光導波層6は12nm、InGaN光導波層7は15nm、活性層8の井戸層は3.5nm(井戸数は3)、障壁層は7nm、InGaN中間層9は24.5nm、アンドープAlGaN層10は300nm、p型AlGaN電子障壁層11は10.8nm、p型GaN光導波層12は12.3nm、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層13は400nmである。また、n型AlGaN層3のAl組成は例えば0.01〜0.04、n型AlGaN中間層4のAl組成は例えば0.03、n型AlGaNクラッド層5のAl組成は例えば0.05、p型GaN/AlGaN超格子クラッド層13のAlGaN層のAl組成は例えば0.08である。
図2にこのGaN系半導体レーザの要部のエネルギーバンド図、特に伝導帯を示す。
図3に、このGaN系半導体レーザの光場のシミュレーションを行うことにより求めた活性層8に対して垂直方向のFFPを示す。図3より、図9に比べてFFPのスパイクは大幅に抑制されていることが分かる。
図4に示すように、このGaN系半導体レーザにおいては、n型GaN層2中に、nt=(1/4)λを満たす厚さtおよび屈折率nのn型AlGaN層3が四層、互いに所定の間隔、具体的には、n型AlGaNクラッド層5からn型GaN基板1に向かう方向に順に(2/4)λ、(3/4)λおよび(5/4)λの間隔で設けられている。これらの間隔は、GaN系半導体レーザの動作時にn型AlGaNクラッド層4とn型GaN基板1との間に定在波が立たないように決められたものである。
上記以外の構成は第1の実施形態によるGaN系半導体レーザと同様であるので、説明を省略する。
図5にこのGaN系半導体レーザの要部のエネルギーバンド図、特に伝導帯を示す。
図6に、このGaN系半導体レーザの光場のシミュレーションを行うことにより求めた活性層8に対して垂直方向のFFPを示す。図6より、図9に比べてFFPのスパイクはより大幅に抑制されていることが分かる。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板などを用いてもよい。
Claims (10)
- 発振波長λの光に対して透明な半導体基板と、
上記半導体基板上の、発振波長λの光に対して透明な下地半導体層と、
上記下地半導体層上の第1のクラッド層と、
上記第1のクラッド層上の活性層と、
上記活性層上の第2のクラッド層とを有する半導体レーザにおいて、
上記第1のクラッド層と上記半導体基板との間に、nt=(1/4)λ(nは屈折率、tは厚さ)を満たす半導体層を少なくとも一層有する
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 上記第1のクラッド層と上記半導体基板との間に上記半導体層を二層以上有することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 上記第1のクラッド層と上記半導体基板との間に二層以上の上記半導体層が所定の間隔で設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ。
- 上記第1のクラッド層と上記半導体基板との間に四層の上記半導体層が上記第1のクラッド層から上記基板に向かう方向に順に(2/4)λ、(3/4)λおよび(5/4)λの間隔で設けられていることを特徴とする請求項2記載の半導体レーザ。
- 上記半導体基板は窒化物系III−V族化合物半導体基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 上記半導体基板はGaN基板であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 上記半導体層は窒化物系III−V族化合物半導体層であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 上記半導体層はAlx Ga1-x N層(ただし、0<x<1)であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
- 上記第1のクラッド層はAly Ga1-y N層(ただし、0<y<1かつx<y)であることを特徴とする請求項8記載の半導体レーザ。
- 光源に半導体レーザを用いた光ディスク装置において、
上記半導体レーザとして、
発振波長λの光に対して透明な半導体基板と、
上記半導体基板上の、発振波長λの光に対して透明な下地半導体層と、
上記下地半導体層上の第1のクラッド層と、
上記第1のクラッド層上の活性層と、
上記活性層上の第2のクラッド層とを有し、
上記第1のクラッド層と上記半導体基板との間に、nt=(1/4)λ(nは屈折率、tは厚さ)を満たす半導体層を少なくとも一層有する半導体レーザを用いた
ことを特徴とする光ディスク装置。
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JP2011023398A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
WO2024062979A1 (ja) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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JPH11251685A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ |
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2004
- 2004-10-18 JP JP2004302642A patent/JP4649942B2/ja not_active Expired - Fee Related
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