JP2006108654A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ＩＣチップと、前記ＩＣチップと少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナと、を有する無線チップであって、
   前記ＩＣチップと、前記アンテナと、が絶縁膜を介して重なる位置に、前記ＩＣチップ上に形成された配線を第１の電極とし、前記アンテナを第２の電極とする容量素子が形成されていることを特徴とする無線チップ。
2. 請求項１において、
   前記ＩＣチップは、集積回路と、前記容量素子と、を有し、
   前記集積回路は、半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記配線は、前記第１の絶縁膜上に形成され、かつ、前記ソース電極およびドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする無線チップ。
3. 請求項１において、
   前記ＩＣチップは、集積回路と、前記容量素子と、を有し、
   前記集積回路は、半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記配線は、前記ゲート絶縁膜上に形成され、かつ、前記ゲート電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする無線チップ。
4. 請求項１において、
   前記ＩＣチップは、集積回路と、前記容量素子と、を有し、
   前記集積回路は、基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を有し、
   前記配線は、前記基板上に形成され、かつ、前記半導体膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする無線チップ。
5. ＩＣチップと、前記ＩＣチップと少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナと、を有する無線チップであって、
   前記ＩＣチップと、前記アンテナと、が絶縁膜を介して重なる位置に、前記ＩＣチップ上に形成された第１の配線を第１の電極とし、第１の配線上に第１の絶縁膜を介して形成された第２の配線を第２の電極とする第１の容量素子と、前記第２の配線を第１の電極とし、前記第２の配線上に第２の絶縁膜を介して形成された前記アンテナを第２の電極とする第２の容量素子が形成されていることを特徴とする無線チップ。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記ＩＣチップおよび前記アンテナは、同一基板上に形成されていることを特徴とする無線チップ。