JP2006108484A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006108484A5
JP2006108484A5 JP2004294882A JP2004294882A JP2006108484A5 JP 2006108484 A5 JP2006108484 A5 JP 2006108484A5 JP 2004294882 A JP2004294882 A JP 2004294882A JP 2004294882 A JP2004294882 A JP 2004294882A JP 2006108484 A5 JP2006108484 A5 JP 2006108484A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
etching
insulating film
interlayer insulating
fluorocarbon compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004294882A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006108484A (ja
JP4761502B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004294882A priority Critical patent/JP4761502B2/ja
Priority claimed from JP2004294882A external-priority patent/JP4761502B2/ja
Publication of JP2006108484A publication Critical patent/JP2006108484A/ja
Publication of JP2006108484A5 publication Critical patent/JP2006108484A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4761502B2 publication Critical patent/JP4761502B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2004294882A 2004-10-07 2004-10-07 層間絶縁膜のドライエッチング方法 Expired - Fee Related JP4761502B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004294882A JP4761502B2 (ja) 2004-10-07 2004-10-07 層間絶縁膜のドライエッチング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004294882A JP4761502B2 (ja) 2004-10-07 2004-10-07 層間絶縁膜のドライエッチング方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008182928A Division JP4982443B2 (ja) 2008-07-14 2008-07-14 層間絶縁膜のドライエッチング方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006108484A JP2006108484A (ja) 2006-04-20
JP2006108484A5 true JP2006108484A5 (https=) 2007-04-26
JP4761502B2 JP4761502B2 (ja) 2011-08-31

Family

ID=36377830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004294882A Expired - Fee Related JP4761502B2 (ja) 2004-10-07 2004-10-07 層間絶縁膜のドライエッチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4761502B2 (https=)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009193988A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2012028431A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5537324B2 (ja) * 2010-08-05 2014-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR101877827B1 (ko) 2011-03-17 2018-07-12 제온 코포레이션 에칭 가스 및 에칭 방법
US10607850B2 (en) 2016-12-30 2020-03-31 American Air Liquide, Inc. Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures
JP7261159B2 (ja) * 2017-06-08 2023-04-19 株式会社レゾナック エッチング方法
KR102765856B1 (ko) 2019-03-22 2025-02-11 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 드라이 에칭 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
US11798811B2 (en) 2020-06-26 2023-10-24 American Air Liquide, Inc. Iodine-containing fluorocarbon and hydrofluorocarbon compounds for etching semiconductor structures

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3611729B2 (ja) * 1998-08-26 2005-01-19 セントラル硝子株式会社 エッチングガス
JP3336975B2 (ja) * 1998-03-27 2002-10-21 日本電気株式会社 基板処理方法
JP2002510878A (ja) * 1998-04-02 2002-04-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低ｋ誘電体をエッチングする方法
JP3383939B2 (ja) * 2000-01-26 2003-03-10 日本電気株式会社 ドライエッチング方法
JP4839506B2 (ja) * 2000-04-28 2011-12-21 ダイキン工業株式会社 ドライエッチング方法
TWI290741B (en) * 2000-11-08 2007-12-01 Daikin Ind Ltd Dry etching gas and method for dry etching
JP4568444B2 (ja) * 2001-03-27 2010-10-27 株式会社アルバック 基板上に堆積したポーラスシリカを含有する材料の薄膜のエッチング法
JP4016765B2 (ja) * 2001-08-24 2007-12-05 Ｊｓｒ株式会社 パターン形成方法およびパターン形成用多層膜
JP2004249285A (ja) * 2003-01-29 2004-09-09 Showa Denko Kk フッ素化合物の分解方法
JP3981030B2 (ja) * 2003-03-07 2007-09-26 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP4538209B2 (ja) * 2003-08-28 2010-09-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009530863A5 (https=)
JP2005072518A5 (https=)
JP2006108484A5 (https=)
CN100423191C (zh) 蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物
TW200734825A (en) Silicon-containing resist underlayer coating forming composition for forming resist under-layer coating of photo-crosslink cure
WO2009132023A3 (en) Photosensitive hardmask for microlithography
TW200746293A (en) Plasma etching method
JP2007258426A5 (https=)
WO1998036449A1 (fr) Gaz d'attaque et de nettoyage
JP2008116949A5 (https=)
JP2006073722A5 (https=)
JP5850043B2 (ja) エッチングガスおよびエッチング方法
KR100811431B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JPH1064889A (ja) 半導体装置のエッチング方法
US20030003407A1 (en) Apparatus and method for argon plasma induced ultraviolet light curing step for increasing silicon-containing photoresist selectivity
TW200619873A (en) Method for stripping photoresist from etched wafer
JP4761502B2 (ja) 層間絶縁膜のドライエッチング方法
JP2007503728A5 (https=)
WO2021171986A1 (ja) ドライエッチング方法、半導体素子の製造方法、及びクリーニング方法
JP2007234870A5 (https=)
CN100477081C (zh) 制造半导体装置的方法
CN105845563B (zh) 一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法
US7300880B2 (en) Methods for forming fine photoresist patterns
TW200725732A (en) Making method for semiconductor apparatus, making device for semiconductor apparatus, control program and computer memory media
TWI343601B (https=)